专利名称：铝对通隔离可控硅芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种铝对通隔离可控硅芯片。
背景技术：
现有的硼对通隔离可控硅芯片是由硅片、氧化层、硼P型隔离墙构成。由于硼P型隔离墙表面没有合金层，需要长时间高温处理，长期的高温热处理会引入旋涡缺陷，严重影响器件参数。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种可大大缩短高温高温处理时间、减少旋涡缺陷的铝对通隔离可控硅芯片。本实用新型涉及的铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面设有氧化层，其特殊之处是在硅片内设有铝P型隔离墙，在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。本实用新型的优点是由于硅片表面设有硅铝合金层，可以提高表面杂质浓度，大大缩短硅片的高温处理过程，减少了热处理引入的旋涡缺陷，优化器件电压及反向漏电流等参数。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是图1的俯视图；图中硅片1、铝P型隔离墙2、氧化层3。
具体实施方式
如图所示，本实用新型包括硅片1，在硅片1表面设有氧化层3，在硅片1内设有铝 P型隔离墙2，在硅片1表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。
权利要求1. 一种铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片，在硅片表面设有氧化层，其特征是在硅片内设有铝P型隔离墙，在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。
专利摘要本实用新型公开了一种铝对通隔离可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面设有氧化层，其特殊之处是:在硅片内设有铝P型隔离墙，在硅片表面对应铝P型隔离墙处设有硅铝合金层。优点是由于硅片表面设有硅铝合金层，可以提高表面杂质浓度，大大缩短硅片的高温处理过程，减少了热处理引入的旋涡缺陷，优化器件电压及反向漏电流等参数。
文档编号H01L29/74GK202009003SQ20112011557
公开日2011年10月12日 申请日期2011年4月19日 优先权日2011年4月19日
发明者刘鑫, 娄达, 徐敏丽, 苏舟, 赵秀丽, 高广亮 申请人:锦州辽晶电子科技有限公司