专利名称：一种高光萃取oled器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高光萃取OLED器件。
背景技术：
为了提高OLED器件的出光率，可以采取减少不发光模式、减少全反射和减少波导效应等方法；减少不发光模式是指减少发光偶极子被金属猝灭的能量损耗，不包括材料本身的发光特性；减少空气跟玻璃基板界面的全反射，可以减少基板模式的比例，增加光的导出；光被局限于介质内的模式又可称为波导效应，降低此模式最简单的方法就是缩小介质的厚度，但这对于OLED元件的设计来说，并不是完全允许的。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种高光萃取OLED器件，不但提高了器件效率，而且降低了器件的起亮电压。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种高光萃取OLED器件，包括玻璃基板，玻璃基板的一面设有一层微透镜阵列膜，玻璃基板的另一面设有阳极金属薄膜；阳极金属薄膜上设有有机层，所述有机层上设有阴极。微透镜阵列膜包括若干微透镜，所述微透镜为矩形、半球形或者金字塔状突起。所述微透镜的外径在10-100微米之间。所述阳极金属薄膜的材质为金、银、铝、镁中的一种，其厚度为10-30nm。所述阳极金属薄膜采用纳米球光刻工艺制备而成。与现有技术相比，本实用新型OLED器件至少具有以下有益效果本实用新型对于出光面玻璃基板，一面采用微透镜技术形成微透镜阵列膜增加器件的出光率；另一面对阳极薄膜进行纳米球光刻工艺，形成阵列型金属电极薄膜，不但降低起亮电压，而且提高器件的电流效率。
图1是本实用新型OLED器件的结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型OLED器件结构及其制备方法详细描述请参阅图1所示，本实用新型OLED器件包括微透镜阵列膜1、玻璃基板2、阳极金属薄膜3、有机层4和阴极5 ；出光面玻璃基板2的外表面设有微透镜阵列膜1，出光面玻璃基板2的内表面上设有阳极金属薄膜3，阳极金属薄膜3和阴极5之间设有有机层4。本实用新型OLED器件的制备方法为利用涂布微透镜薄膜的方法制备玻璃基板2 一侧的微透镜阵列膜1，利用纳米球光刻工艺制备制备玻璃基板2另一侧的阳极金属薄膜3，再利用真空蒸镀的方法在阳极金属薄膜3上依次制备出有机层4和金属阴极5。本实用新型中微透镜阵列膜1中的微透镜为矩形、半球形或者金字塔状突起；其外径在10-100微米之间。本实用新型中阳极金属薄膜3可以采用金，银，铝，镁中的一种，厚度范围在 10-30nm ；本实用新型阳极金属薄膜3采用纳米球光刻工艺制备，保证阵列中纳米球的大小在IO-IOOnm之间；同时在蒸镀有机层4之前该阵列薄膜在高真空条件下经过200度3小时退火处理使金属颗粒聚集。本实用新型利用对出光面玻璃基板2的深度发掘，玻璃基板2 —侧采用添加微透镜来增加器件的出光率，另一面对阳极薄膜3进行纳米球光刻工艺，设计了阵列型金属电极薄膜来提高器件自身的效率。因此本文是将器件内部设计和外部提高光萃取配件进行了很好的整合，设计出了具有更高器件性能的0LED。本实用新型采用的提高器件光萃取的方法一个是从减少全反射入手，覆盖微透镜来实现，微透镜的原理是将原本入射角大于临界角的射线角度缩小，因此使得全反射减少； 另外使用折射率较小的高分子制作微透镜，在与空气的界面还可得到较大的临界角。另一方面是将金属阳极薄膜制成薄膜阵列，该结构可以降低驱动电压，提高电流效率。以上所述仅为本实用新型的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。
权利要求1.一种高光萃取OLED器件，其特征在于，包括玻璃基板O)，玻璃基板( 的一面设有一层微透镜阵列膜(1)，玻璃基板O)的另一面设有阳极金属薄膜(3)；阳极金属薄膜(3) 上设有有机层G)，所述有机层(4)上设有阴极(5)。
2.根据权利要求1所述的高光萃取OLED器件，其特征在于微透镜阵列膜(1)包括若干微透镜，所述微透镜为矩形、半球形或者金字塔状突起。
3.根据权利要求2所述的高光萃取OLED器件，其特征在于所述微透镜的外径在 10-100微米之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高光萃取OLED器件，其特征在于所述阳极金属薄膜(3)的材质为金、银、铝、镁中的一种，其厚度为10-30nm。
5.根据权利要求4所述的高光萃取OLED器件，其特征在于所述阳极金属薄膜(3)采用纳米球光刻工艺制备而成。
专利摘要本实用新型提供了一种高光萃取OLED器件，包括玻璃基板，玻璃基板的一面设有一层微透镜阵列膜，玻璃基板的另一面设有阳极金属薄膜；阳极金属薄膜上设有有机层，所述有机层上设有阴极。本实用新型对于出光面玻璃基板，一面采用微透镜技术形成微透镜阵列膜增加器件的出光率；另一面对阳极薄膜进行纳米球光刻工艺，形成阵列型金属电极薄膜，不但降低起亮电压，而且提高器件的电流效率。
文档编号H01L51/50GK202094179SQ20112018385
公开日2011年12月28日 申请日期2011年6月2日 优先权日2011年6月2日
发明者丁磊, 张方辉 申请人:陕西科技大学