专利名称：一种pin二极管的制作方法
技术领域：
一种PIN 二极管技术领域[0001]本实用新型涉及一种半导体器件，尤其是一种PIN 二极管。
技术背景[0002]PIN 二极管是在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征antrinsic)半导体层组成的，正因为有本征antrinsic)层的存在，PIN 二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有。PIN二极管一般都采用塑料外壳封装，但封装上都不显示PIN二极管的工作参数，使用不便捷。实用新型内容[0003]本实用新型要解决的技术问题是基于上述问题，提供一种可以清楚显示出工作参数的PIN 二极管。[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种PIN 二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由P型半导体层、N型半导体层、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层组成，P型半导体层和N型半导体层对外各焊接有一根引出线，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层。[0005]所述的涂层的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗，涂层也不会剥落。[0006]本实用新型的有益效果是本实用新型结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，方便正确使用。
[0007]
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。[0008]图1是本实用新型的结构示意图。[0009]图中1. 二极管本体，2. P型半导体层，3. N型半导体层，4.本征半导体层，5.引出线，6.环氧树脂管，7.涂层。
具体实施方式
[0010]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0011]如图1所示的一种PIN 二极管，包括二极管本体1，二极管本体1由P型半导体层 2、N型半导体层3、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层4组成，P型半导体层5 和N型半导体层3对外各焊接有一根引出线5，二极管本体1塑封在环氧树脂管6内，环氧树脂管6外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体1工作参数的涂层7。[0012]涂层7的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗， 涂层也不会剥落。[0013]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种PIN 二极管，包括二极管本体(1)，其特征在于所述的二极管本体(1)由P型半导体层0)、N型半导体层(3)、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层(4)组成，P 型半导体层( 和N型半导体层C3)对外各焊接有一根引出线(5)，所述的二极管本体(1) 塑封在环氧树脂管(6)内，环氧树脂管(6)外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体(1) 工作参数的涂层(7)。
2.根据权利要求1所述的一种PIN二极管，其特征在于所述的涂层(7)的原料为紫外光固化油墨。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体器件，尤其是一种PIN二极管。一种PIN二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由P型半导体层、N型半导体层、及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层组成，P型半导体层和N型半导体层对外各焊接有一根引出线，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层。本实用新型结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，方便正确使用。
文档编号H01L23/29GK202259241SQ20112037700
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月30日 优先权日2011年9月30日
发明者孔明 申请人:常州福达电子有限公司