专利名称：新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种封装型的防浪涌保护器，尤其涉及一种用于通讯无线基站防雷击保护且抗大浪涌电流(15KA 8X20 μ s)的防浪涌保护器，属于防浪涌、防雷技术领域。
背景技术：
浪涌主要指的是电源开通瞬间产生的强力脉冲。很多情况下容易导致电器在浪涌到来的一瞬间烧坏，如PN结电容击穿、电阻烧断等等。同样的现象在雷雨天更为明显，蕴含巨大能量的雷击如引导不当，极易瞬间击爆被意外选中的电器设备，造成极大的损失。浪涌保护器也叫防雷器，即本实用新型的过瞬态电压保护器件。是一种为各种电子设备、仪器仪表、通讯线路提供安全防护的电子装置。较为常用的基本元器件包括放电间隙，气体放电管，压敏电阻，抑制二极管和扼流线圈等。目前市面普遍所见的保护器件主要是基于ZnO为主的压敏电阻构成的复合型封装结构，其具有结构复杂、可靠性低及使用寿命限制等缺陷。另有此类以硅为半导体的过压保护器件，其最大的抗浪涌电流均在IOKA以下，已逐渐无法满足应用的需要。
发明内容鉴于上述现有技术存在的缺陷，本实用新型的目的是提出新型的抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，解决防浪涌、防雷所需。为实现本实用新型的上述目的，其技术方案为一种新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，其特征在于所述保护器件为由四片以上半导体芯片与相对半导体芯片数量多一片的铜电极间隔相接而成的多层复合结构，且多层复合结构外侧表面设有封装结构。进一步地，所述封装结构为披覆所设的环氧树脂或玻璃，为插件型器件结构。进一步地，所述保护器件的外形长方形。本实用新型提供的浪涌保护器件，具有以下优点1、半导体芯片以玻璃或环氧树脂披覆，使用寿命较长，可靠性能高；2、抗浪涌电流能力可达15ΚΡΑ以上，以填补同类产品抗大浪涌电流能力的空缺；3、较低的钳位电压；4、极性应用能力强，单极性用于DC线路保护，双极性用于AC线路保护；5、较低的阻抗系数；6、 符合ROHS要求及满足UL认证要求；7、结构简单易于组装。
图1是本实用新型保护器件的结构剖视图。
具体实施方式
以下便结合实施例附图，对本实用新型的过瞬态电压保护器件进行说明，目的是为了公众更好地理解本实用新型的技术内容，而不是对该项技术内容的限制。事实上，在本实用新型所述创造精神实质内，进行的任意技术增减或等效替换，都应涵盖在本实用新型所要求保护的技术范围之内。如图1所示的实施例附图，本实用新型提供的一种新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，为由四片以上半导体芯片3与相对半导体芯片数量多一片的铜电极1间隔相接而成的多层复合结构，且多层复合结构两端分别通过引线2引出，外侧表面设有封装结构。其中半导体芯片为以基于硅的半导体电压保护件或其它同类芯片。此外，上述封装结构为披覆所设的环氧树脂或玻璃，插件型器件应用，外形为长方形。从本实用新型的应用效果来看，其具有以下优点1、半导体芯片以玻璃或环氧树脂披覆，使用寿命较长，可靠性能高；2、抗浪涌电流能力可达15KPA以上，以填补同类产品抗大浪涌电流能力的空缺；3、较低的钳位电压；4、极性应用能力强，单极性用于DC线路保护，双极性用于AC线路保护；5、较低的阻抗系数；6、符合ROHS要求及满足UL认证要求；7、结构简单易于组装，提供插件型封装结构。综上可见，本实用新型多层复合结构的过瞬态电压保护器件是一种切实可行的装置，且技术效果显著，能有效防护大浪涌或雷击对电器设备的影响，且结构上的应用灵活性强，具有广阔的应用前景。
权利要求1.新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，其特征在于所述保护器件为由四片以上半导体芯片与相对半导体芯片数量多一片的铜电极间隔相接而成的多层复合结构，且多层复合结构外侧表面设有封装结构。
2.根据权利要求1所述的新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，其特征在于所述封装结构为披覆所设的环氧树脂或玻璃，为插件型器件结构。
3.根据权利要求1所述的新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，其特征在于所述保护器件的外形为长方形。
专利摘要本实用新型揭示了一种新型抗大浪涌电流的过瞬态电压保护器件，其特别之处为由四片以上半导体芯片与相对半导体芯片数量多一片的铜电极间隔相接而成的多层复合结构，且多层复合结构外侧表面设有封装结构。采用该过瞬态电压保护器件，提高了器件抗浪涌电流能力可达15KPA以上，填补了同类产品抗大浪涌电流能力的空缺；此外，极性应用能力强，单极性用于DC线路保护，双极性用于AC线路保护；且结构简单易于组装，提供插件封装组装结构。
文档编号H01L23/31GK202221757SQ20112038436
公开日2012年5月16日 申请日期2011年10月11日 优先权日2011年10月11日
发明者刘洋, 叶锋, 徐仁庆 申请人:康可电子(无锡)有限公司