专利名称：去磷硅玻璃控制扩散方块电阻的制作方法
技术领域：
去磷硅玻璃控制扩散方块电阻技术领域[0001]本实用新型涉及硅晶太阳能电池片领域，具体来说涉及去磷硅玻璃控制扩散方块电阻。
背景技术：
[0002]“PSG” (磷硅玻璃)的形成是在扩散过程中发生如下反应后得到的[0003]P0C13 (三氯氧磷)分解产生的P205淀积在硅片表面，P205与Si反应成Si02和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的Si02，称之为磷硅玻璃。[0004]去除PSG的目的[0005]1、磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。[0006]2、死层的存在大大增加了发射区电子的复合会导致少子寿命的降低，进而降低了 VOC 禾口 ISC[0007]3、磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。[0008]去PSG是利用氢氟酸能够溶解二氧化硅与硅和硅化合物的特性去除的，[0009]氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。反应方程式为Si02+4HFSiF4丨+2H20[0010]若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。[0011]总反应式为Si&+6HF— H2[SiF6]+2H20[0012]参见图1，“方块电阻”是指N型硅区域100中单位面积上的阻值。N型硅区域100 与P型硅区域200所连接的点称为PN结300。在N型硅区域100的外表面设置有磷硅玻璃层400。PN结越深方块电阻越低，反之则越高。现有的方块电阻比较低，方块电阻低于正常值的7 8个欧姆(去磷硅玻璃前)，低于工艺所要求的范围之外，在去磷硅玻璃时，返工比例较高。实用新型内容[0013]本实用新型的目的在于提供一种去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，以降低返工比例。[0014]为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下[0015]去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域和磷硅玻璃层之间的N型硅区域，其特征在于，所述N型硅区域的厚度彡lum。[0016]进一步，所述N型硅区域的厚度为0.7um。[0017]与现有技术相比，本实用新型的方块电阻值提高，有利于解决由于返工片引起的效率偏低的问题。降低生产成本，更加高效利用去磷硅玻璃清洗液。[0018]本实用新型的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
[0019]图1为本实用新型的示意图。
具体实施方式
[0020]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本实用新型。[0021]如图1所示，去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域200和磷硅玻璃层400之间的N型硅区域100，N型硅区域100的彡lum。[0022]进一步，在本实施例中，N型硅区域的厚度为0. 7um。[0023]与现有技术相比，本实用新型的方块电阻值提高，有利于解决由于返工片引起的效率偏低的问题。降低生产成本，更加高效利用去磷硅玻璃清洗液。[0024]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
权利要求1.去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域和磷硅玻璃层之间的N型硅区域，其特征在于，所述N型硅区域的厚度彡lum。
2.根据权利要求1所述的去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，其特征在于，所述N型硅区域的厚度为0. 7um。
专利摘要本实用新型公开了一种去磷硅玻璃控制扩散方块电阻，包括设置在P型硅区域和磷硅玻璃层之间的N型硅区域，所述N型硅区域的厚度≤1μm；与现有技术相比，本实用新型的方块电阻值提高，有利于解决由于返工片引起的效率偏低的问题。降低生产成本，更加高效利用去磷硅玻璃清洗液。
文档编号H01L31/0352GK202307915SQ201120424859
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月31日 优先权日2011年10月31日
发明者黄兴 申请人:上海索日新能源科技有限公司