专利名称：一种新型led芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种新型LED芯片。
背景技术：
外量子效率是高亮度新型LED芯片的主要技术瓶颈，其大小等于内量子效率与光的出射率之积。当前，商业化LED的内量子效率已经接近100%，但是外量子效率小于30%。 这主要是由于光的出射率低造成的。引起光的出射率低的主要因素有晶格缺陷对光的吸收，衬底对光的吸收，光在出射过程中，在各个界面由于全反射造成的损失。目前，常用的新型LED芯片在刻蚀后所有的侧壁与垂直线的典型夹角小于10。，由于GaN和空气的折射率分别是2. 5和1，在hGaN-GaN活性区产生的光能够传播出去的临界角约为23。因此LED发射的大部分光在界面被反射回来，形成波导光被困在器件内部，经过多次反射最终被半导体吸收，这大大限制了 GaN基发光二极管的外量子效率。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种新型LED芯片，能够提高新型LED芯片的出光效率。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案一种新型LED芯片，包括硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块，存储模块，电源检测模块和安全输入输出模块，且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接，管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、 银层，在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为0. 1 2. 5 μ m，新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。作为本实用新型的一种优选方案，所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹状。优选地，ICP刻蚀后的新型LED芯片周围的所有侧壁呈波纹状。作为本实用新型的一种优选方案，所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。优选地，所述新型LED芯片的所有侧壁呈锯齿状。本实用新型的有益效果在于本实用新型提出的新型LED芯片，通过将新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁设计成凹凸不平状，从而可以提高新型LED芯片的出光效率。优点是通过在硅片背面设高纯铝层，使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构，钛、镍作为缓冲层能够降低应力，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅芯片发热量低，可靠性好，使用寿命长。
图1为本实用新型LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
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以下结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。实施例一请参阅图1本实用新型揭示了一种新型LED芯片，包括硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块9，存储模块10，电源检测模块和安全输入输出模块，且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接，管脚控制模块8连接于处理器模块6和管脚模块7之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层，在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为0. 1 2. 5 μ m，新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。在硅片背面依次设置的钛层3、镍层4、银层5，在硅片1背面位于硅片1和钛层3 之间设有高纯铝层2，所述的高纯铝层2的厚度为0. 1 2. 5 μ m，新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。作为本实用新型的一种优选方案，所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹状。优选地，ICP刻蚀后的新型LED芯片周围的所有侧壁呈波纹状。作为本实用新型的一种优选方案，所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。优选地，所述新型LED芯片的所有侧壁呈锯齿状。本实用新型的有益效果在于本实用新型提出的新型LED芯片，通过将新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁设计成凹凸不平状，从而可以提高新型LED芯片的出光效率。优点是通过在硅片背面设高纯铝层，使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构，钛、镍作为缓冲层能够降低应力，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅芯片发热量低，可靠性好，使用寿命长。实施例二本实施例中，所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。优选地，所述新型LED芯片的所有侧壁呈锯齿状。本实施例中新型LED芯片的这种侧壁结构也可以增加侧向光源的出光面积，使芯片获得更多的出光。此外，新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁还可以呈现其他凹凸不平状，如不规则的凹凸不平状，只要可以增加芯片侧面的出光面积即可。这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本实用新型的精神或本质特征的情况下，本实用新型可以以其它形式、结构、布置、比例， 以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本实用新型范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。在硅片背面设高纯铝层，使芯片背面呈铝、钛、镍、 银四层金属复合结构，钛、镍作为缓冲层能够降低应力，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅芯片发热量低，可靠性好，使用寿命长。
权利要求1.一种新型LED芯片，其特征在于，包括硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块，存储模块，电源检测模块和安全输入输出模块，且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接，管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层，在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为 0. 1 2. 5 μ m，新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。
2.根据权利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹状。
3.根据权利要求1所述的新型LED芯片，其特征在于所述新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。
专利摘要本实用新型公开了一种新型LED芯片，包括硅片，设置在硅片上面的芯片功能控制模块和管脚模块，管脚控制模块连接于芯片功能控制模块和管脚模块之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层，在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为0.1～2.5μm，本新型LED芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。通过在硅片背面设高纯铝层，使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构，钛、镍作为缓冲层能够降低应力，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅芯片发热量低，可靠性好，使用寿命长。
文档编号H01L33/20GK202308027SQ20112042689
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月31日 优先权日2011年10月31日
发明者丁杰, 王金 申请人:深圳市锐骏半导体有限公司