专利名称：处理腔室之气流改良的制作方法
技术领域：
本发明的具体实施例大体上涉及半导体基材处理装备。具体而言，本发明涉及用以改良处理腔室内的制程气体流的设备及方法。
背景技术：
超大型积体(UltraLarge Scale Integrated Circuit, ULSI)电路可在诸如娃
(Si)基材等半导体基材上，形成超过一百万个电子装置(例如，晶体管)，并相互合作执行多种功能。ULSI电路中使用的电子装置的实例为互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管。CMOS晶体管具有栅极结构，其包含多晶硅栅极以与门极介电层，且栅极结构设置在形成于基材中的源极与漏极区域之间。
等离子体蚀刻经常被使用于晶体管及其它电子装置的制造。然而，现今的等离子体处理腔室在制程气体的注射、流动以及排放上存在缺陷。举例来说，现有技术的等离子体蚀刻腔室提供围绕着腔室周围的多个气体注射喷嘴，以及位于腔室一侧上的大型排放端口。气体注射及排放的上述现有技术配置导致遍及待处理基材表面的不对称制程气体流、基材的不均匀蚀刻、制程气体的无效率使用、以及最终的产量损失。因此，有需要对等离子体蚀刻腔室进行改良，以提供更有效率的制程气体使用，并改善基材处理的均匀度。
发明内容
在本发明之一个具体实施例中，使用于处理腔室中的套件包含气体注射喷嘴，经 配置以于遍及基材的表面的多个同心的圆锥状气体流中分布制程气体，基材布置在处理腔室内的基材支撑件上；环状流量控制组件，经配置以相对制程区域同心地布置在处理腔室中，以分隔制程区域与环状排放区域，致使耦接至处理腔室的一个或多个真空泵从基材支撑件周围将气体抽取进入环状排放区域。在另一具体实施例中，制程气体注射喷嘴包含支持组件；第一管体，耦接至支持组件；第二管体，经同心地布置于第一管体内，以于第二管体与第一管体之间形成第一环状流体通道；以及第一分散组件，耦接至第二管体，致使第一环状间隙设置于第一管体与第一分散组件之间。在本发明的又一具体实施例中，制程气体注射喷嘴包含喷嘴主体，其具有穿过其中的多个气体通道；多个分散组件，经排列以提供多个环状间隙；以及多个衬垫组件，具有形成于其中的一个或多个狭缝，经布置以将气体通道流动地耦接环状间隙。
为使本发明的上述特征被更清楚地了解，已参照具体实施例来更具体地说明以上所简述的发明，其中部分具体实施例在附图中示出。然而，需注意的是，附图仅为说明本发明的典型具体实施例，而非用于限制其范围，本发明也允许其它等效具体实施例。
图I为现有技术的等离子体蚀刻处理腔室的概要剖面图。图2为根据本发明的某些具体实施例的制程腔室的概要剖面图。图3为根据本发明的一个具体实施例的用于图2的制程腔室中的气体分布喷嘴的概要剖面图。图4为根据本发明的另一具体实施例的气体分布喷嘴的概要、等距、展开图。
具体实施例方式本发明的具体实施例大体上提供了等离子体蚀刻制程腔室改良。提供了经改良的气体注射喷嘴，以在腔室的盖体的中心位置处使用。气体注射喷嘴可用于现有的等离子体蚀刻腔室中，并经配置以提供一连串的圆锥状气体流遍及布置的腔室内的基材的表面。在一个具体实施例中，提供经改良的排放套件，以于等离子体蚀刻腔室中使用。排放套件包括可用于现有的等离子体蚀刻腔室中的设备，并经配置以从腔室的处理区域提供环状的排放气体流。本发明的具体实施例使用气体注射及/或排放的改良来提供更一致的处理气体流 遍及晶圆表面，实现更一致的蚀刻制程。此外，可通过本发明的具体实施例来达成制程气体的更有效使用。图I为现有技术的等离子体蚀刻处理腔室100的概要剖面图。制程腔室100具有腔室本体，其具有侧壁106、底部108以及圆顶型盖体112经配置以部分封闭制程区域110。可于制程腔室100内置中提供基材支撑件114，使得提供于其上的基材101布置于制程区域110内。可提供控制器130来控制制程腔室100的多个方面。可于接近制程腔室100的盖体112处提供一个或多个天线或线圈164。线圈164经过匹配电路168耦接至RF功率源166。于制程腔室100内，施加至线圈164的功率感应耦合制程气体，以形成等离子体。一个或多个偏压功率源172经过匹配电路174耦接至基材支撑件114，以于处理期间偏压基材101。可通过于外周设置于侧壁106中的多个侧面注射喷嘴162以及设置于盖体112中的上方气体分布喷嘴160，从一个或多个气体源102提供制程气体进入制程腔室100的制程区域110。排放端口 122位于制程腔室100—侧并耦接至真空泵104。设置于排放端口122附近的节流阀124可用以连结真空泵104，以控制制程区域110中的压力。气体流路径“P1”在图I中示出，以示出现有技术处理腔室100中的典型气体流。可以看出，因上方气体分布喷嘴160、侧面注射喷嘴162以及排放端口 122的配置及位置的缘故，大部分的制程气体流被导引离开制程腔室100而非均匀地分布遍及基材101。事实上，已经发现，现有技术制程腔室100内高达95%的所有离子化气体被直接抽取离开腔室100而未接触基材101。因此，现有技术制程腔室100中的气体注射及排放配置造成制程气体的无效率使用，也造成基材101的不均匀蚀刻。图2为根据本发明的某些具体实施例的制程腔室200的概要剖面图。类似于现有技术制程腔室100，制程腔室200具有腔室本体，其具有侧壁106、底部108以及圆顶型盖体112经配置以部分封闭制程区域110。可在制程腔室100内置中提供基材支撑件114，使得提供于其上的基材101布置在制程区域110内。可通过主干216支撑基材支撑件114。主干216可耦接至致动器，如马达215，其用于基材支撑件114的垂直移动。控制器230可耦接至马达215及一个或多个动作控制感应器(未示出)，以于处理之前、之中或之后提供对基材支撑件的垂直移动的控制。控制器230总体包括内存232、CPU 234以及支持电路236。CPU 234可为任何形式的一种计算机处理器，其可用在供控制多种腔室及制程所用的工业设备中。支持电路236耦接至CPU 234，以通常方式支持处理器。这类电路包括高速缓存、电源供应、频率电路、输入/输出电路、次系统，等等。内存232耦接至CPU 234。内存232，或计算机可读取媒体，可为诸如本地或远程的随机存取内存(RAM)、只读存储器(ROM)或任何其它形式的数字储存器等的容易获得的内存之一或多者。供进行制程所用的指令可储存于内存232。当由控制器230执行时，指令可使得处理腔室200执行制程，如等离子体蚀刻制程。在一个具体实施例中，控制器230可通过马达215、主干216以及基材支撑件114，于处理期间协调基材101的垂直移动。在一个具体实施例中，控制器230可以某种方式协调基材101的垂直移动，使得等离子体特征、制程材料流动型态以及排放型态等小变化可得到补偿或调整以达成期望的蚀刻型态。在一个实例中，控制器230可搭配制程配方(process recipe)的变化或其它处理参数来协调基材101的垂直移动，如材料流动、材料供应型态、材料类型、RF及DC场斜上(ramping)或脉冲、腔室200的温度、基材支撑件114 的温度，等等。就制程腔室100而言，可于制程腔室200的盖体112附近提供一个或多个天线或线圈164。线圈164经过匹配电路168耦接至RF功率源166。施加至线圈164的功率可感应地耦合制程腔室100内的制程气体，以形成等离子体。一个或多个偏压功率源172经过匹配电路174耦接至基材支撑件114，以于处理期间偏压基材101。可通过控制器230提供对RF功率源166及偏压功率源172的控制。在一个具体实施例中，可自一个或多个气体源202经过气体分布喷嘴260提供制程气体，气体分布喷嘴260置中定位于圆顶型盖体112内。在一个具体实施例中,气体分布喷嘴260定位于制程腔室200内的位置，与上方气体分布喷嘴160定位于制程腔室100内的位置相同。因此，可以气体分布喷嘴260来翻新制程腔室100。然而，气体分布喷嘴260包括对气体分布喷嘴160的数个改良。在一个具体实施例中,气体分布喷嘴260包括配置于其中的多个特征结构265，以提供制程气体平均分布遍及基材101的面。特征结构265可包括一个或多个可控制的气体入口以及供各个气体入口所用的一个或多个特定形状的气体出口。气体出口可包括通孔状、环状外型之喷嘴、流动导引型态，等等。在一个具体实施例中，经过个别入口及出口的气体流可通过质量流控制器295进行控制，以平衡或调控各别的气体流。在另一个具体实施例中，可通过一个或多个由控制器230控制的马达，来自动调整或调控特征结构265的位置。于某些具体实施例中，可于处理循环期间控制特征结构265的调控，以将声波能量(acoustic energy)以及塑型压力脉冲(shaped pressure pulse)赋予制程气体流，使能更大地控制制程腔室200中的基材101上所进行的特定制程。在一个具体实施例中,气体分布喷嘴260利用Coanda效应,通过喷嘴260中的一个或多个环状通孔注射气体。在这样的具体实施例中，气体流沿着喷嘴260表面的预定路径，直到其受力而自喷嘴260表面以期望角度分开。在一个具体实施例中，可将表现Coanda效应的多个特征结构265利用来创造一连串的圆锥状气体流，其专门用来供应平均的气体流至基材101的表面。此外，喷嘴260内的特征结构265可经配置，以造成气体流在传送至基材101表面的期间旋转并混合。随后将就图3及图4来描述气体分布喷嘴260的特定实例。在一个具体实施例中，类似图I中的制程腔室100，排放端口 122位于制程腔室200 —侧上并耦接至真空泵104。设置于排放端口 122附近的节流阀124协同真空泵104控制制程区域110中的压力。在一个具体实施例中，限制组件290布置于通往排放端口 122的侧面入口中。限制组件290可经配置以限制或防止气体流通过侧面入口流至排放端口 122。在一个具体实施例中，相同的真空泵104及节流阀124，或一个或多个额外的真空泵104及/或节流阀124，流体连通多个侧面排放端口 262，侧面排放端口 262设置在围绕着腔室200周围的侧壁106中。在一个具体实施例中，制程腔室200中的排放端口 262的位置与制程腔室100中的侧面气体注射喷嘴162的位置重合。因此，可以排放端口 262取代侧面气体注射喷嘴162来翻新腔室100。在一个具体实施例中，环状流量控制组件280设置于制程腔室200内，以分隔制程区域110及排放区域250。环状流量控制组件280可经配置以从侧壁106的上部区域延伸至制程腔室200的基材支撑件114与底部108之间的区域。因此，制程腔室200的制程区域110比现有技术腔室100的制程区域110更圆滑也更一致，于制程区域110中造成更集 中的等离子体，且使得比现有技术腔室100中可能产生更高的离子碰撞及更高的等离子体
山/又o在一个具体实施例中，环状流量控制组件280基本上为具有中央开口 281的碗形组件，中央开口 281具有的直径稍大于基材支撑件114的直径，例如大于200mm。环状流量控制组件280可具有上方凸出部283，上方凸出部283从上方唇部284向下延伸至下方凹陷部285。下方凹陷部285可延伸至界定开口 281的下方唇部286。在一个具体实施例中，环状流量控制组件280包括位在其上方周围处的一个或多个连接特征结构282，用以附接至侧壁106的上方部分。因此，可用环状流量控制组件280翻新制程腔室100。在一个具体实施例中，流量控制组件280是一个连续的固体件。在一个具体实施例中，流量控制组件280具有穿过其形成的多个通孔或穿孔，供专门的气体流穿过。在一个具体实施例中，流量控制组件280可由金属材料制成，例如铝或不锈钢。于另一具体实施例中，流量控制组件280可由陶瓷或聚合物材料制作，其可抵抗制程腔室200中进行的等离子体蚀刻制程。在一个具体实施例中，流量控制组件280可通过一个或多个间隔物272与腔室200的侧壁106及/或底部108分隔开来。气体流路径“P2”在图2中示出，以示出制程腔室200中的改良气体流。如图中所示，因气体分布喷嘴260及流量控制组件280的配置与定位的原因，气体流可平均分布于基材101的表面上，并向下抽至基材支撑件114的周围与流量控制组件280之间。在离开基材101的表面之后，可将气体流抽至流量控制组件280及制程腔室200的底部108之间。接着通过排放端口 262及/或122将气体抽离制程腔室200。改良的气体流路径“P2”造成制程气体应用效能以及RF功率效能的显著增加。如此较大的效能也减少加热制程腔室200，造成改良的效能以及减少的流出物。进而，通过经由腔室200的下方区域抽取排放制程气体，可抑制或防止处理等离子体到达排放端口 262及/或122，因而压制那些区块中的沉积物形成，也减少清洁腔室200所需的时间，并降低微粒于基材101的表面上发展的可能性。在一个具体实施例中，可于套件中提供气体分布喷嘴260及环状流量控制组件280，与必要的硬件一起用来翻新等离子体蚀刻腔室，如腔室100。在一个具体实施例中，套件可进一步包括限制组件290。在一个具体实施例中，套件可包括必要的硬件以及管，以使注射喷嘴162转变为排放端口 262。图3为根据本发明的一个具体实施例的用于制程腔室200中的气体分布喷嘴300的概要剖面图。在图3中示出的具体实施例包括多个不同长度之嵌套管体，以提供多个供制程气体所用的流动间隙，造成重叠的圆锥状气体流“P3”在图2中示出的制程腔室200中平均地分布遍及基材101。在一个具体实施例中，气体分布喷嘴300包括支持组件302，其可经配置以附接至一个或多个制程气体入口管体。气体分布喷嘴300进一步包括外侧管304接附至支持组件302。在一个具体实施例中，第一中间管306同心地布置于外侧管304内并配合支持组件302，致使第一中间管306的外侧表面与外侧管304的内侧表面之间可界定外侧环状流体通道308。第一分散组件310经配置以配合第一中间管306的下方端，在第一分散组件310与外侧管304的下方端之间留下外侧环状间隙312，致使外侧环状间隙312流体连通外侧环状流体通道308。第一分散组件310可为可移动地配合第一中间管306 (例如，螺钉连接)，致 使外侧环状间隙312成为可调整的，以调整穿过其而分散的制程气体流。在一个具体实施例中，第一分散组件310牢固地附接至第一中间管306，以维持制程气体流的间隔。在另一个具体实施例中，第一分散组件包括等距间隔于其上而呈饼图案的多个凸起，以配合外侧管304并维持制程气体流的间隔。在一个具体实施例中，第二中间管314同心地布置于第一中间管306内并配合支持组件302，使得第二中间管314的外侧表面及第一中间管306的内侧表面界定中间环状流体通道316。第二分散组件318经配置以配合第二中间管314的下方端。可于第一分散组件310内设置一个或多个孔洞320，其流体连通中间环状流体通道316。孔洞328可围绕着第一分散组件310的周围等距间隔。第二分散组件318可为可移动地配合第二中间管314 (例如，螺钉连接)，致使中间环状间隙321，其也流体连通中间环状流体通道316，形成于第二分散组件318与第一分散组件310之间。中间环状间隙321可成为可调整的，以使用第二分散组件318与第二中间管314之间的可动性配合，来调整穿过其而分散的制程气体流。在一个具体实施例中，第二分散组件318附接至第二中间管314，以维持制程气体流的间隔。于另一具体实施例中，第二分散组件318包括自其向上延伸的多个凸起，以配合第一分散组件310并维持制程气体流的间隔。在一个具体实施例中，内侧管322同心地布置于第二中间管314内，并配合支持组件302，致使内侧环状流体通道324由内侧管322的外侧表面及第二中间管314的内侧表面所定义。第三分散组件326经配置以配合内侧管322的下方端。可于第二分散组件318内设置一个或多个孔洞328，其流体连通内侧环状流体通道324。孔洞328可围绕着第二分散组件318的周围等距间隔。第三分散组件326可为可移动地配合内侧管322 (例如，螺钉连接)，致使内侧环状间隙329形成于第三分散组件326与第二分散组件318之间，内侧环状间隙329也流体连通内侧环状流体通道324。内侧环状间隙329可成为可调整的，以使用第三分散组件326及内侧管322之间的可动性配合，来调整穿过其而分散的制程气体流。在一个具体实施例中，第三分散组件326接附至内侧管322，以维持气体流的间隔。在另一个具体实施例中，第三分散组件326包括自其向上延伸的多个凸起，以配合第二分散组件318并维持制程气体流的间隔。在一个具体实施例中，中央杆体330或螺栓可配合支持组件302以及第三分散组件326,以将气体分布喷嘴300的个别部件固定在一起。在一个具体实施例中，可使中央杆体330伸展或缩回，以调整外侧环状间隙312、中间环状间隙321以及内侧环状间隙329，由此调整通过气体分布喷嘴300分散的制程气体的流动型态(flow pattern)。可通过如螺纹连接(threaded connection)来手动调整中央杆体330及/或间隙312、321、329。或者，可通过诸如线性推进器或压电马达等一个或多个致动器自动调整，并通过控制器230进行控制。在一个具体实施例中，可通过改变外侧管304、第一中间管306、第二中间管314以及内侧管322的长度，来分别调整外侧环状间隙312、中间环状间隙321以及内侧环状间隙329。此外，也可调整管体直径以及壁厚度，以提供期望的容积给外侧环状流体通道308、中间环状流体通道316以及内侧环状流体通道324。气体分布喷嘴300的各个组件可包含能抵抗用于期望应用中的特定制程气体的材料，如陶瓷材料(例如，A1203、SiC、SiN)、金属材料(例如，阳极化铝、不锈钢、镍)，或阻性聚合材料。
支持组件302可具有穿过其中形成的多个通孔332，用以容许来自一个或多个制程气体入口管体的制程气体经过支持组件302而通过，并进入气体分布喷嘴300中之期望的流体通道。通孔332可经配置以从单一气体入口传送制程气体进入各个单独的流体通道，即，外侧环状流体通道308、中间环状流体通道316以及内侧环状流体通道324。通孔332可经配置以分别自单独的入口管传送制程气体至各个流体通道。举例来说，第一入口管可连接至外侧环状流体通道308，且第二入口管可连接至中间环状流体通道316，且第三入口管可连接至内侧环状流体通道324。在一个具体实施例中，各个入口管连接至单独的气体源。在一个具体实施例中，为了单独调整流经气体分布喷嘴300中的各环状间隙的流体，各个入口管透过单独的质量流控制器连接至单一制程气体源。应注意的是，虽然与图3相关联而示出及描述的气体分布喷嘴300针对三个同心分散间隙来配置，但可将管及分散组件增加至组件或自组件去掉管及分散组件，以根据需求获得较大或较小数目的分散间隙。结果，气体分布喷嘴300可达成重叠的圆锥状气体流的任何期望配置，而重叠的圆锥状气体流可均匀地分布遍及图2中所描绘的制程腔室200中的基材101。图4为根据本发明的另一具体实施例的气体分布喷嘴400的概要、等距、展开图。图4中示出的具体实施例包括多个交集的衬垫，这些衬垫经配置以选择性地导引制程气体流通过多个环状间隙，以提供重叠的圆锥状气体流(类似图3中的气体流“P3”)于图2中示出的制程腔室200中平均地分布遍及基材101。在一个具体实施例中，气体分布喷嘴400包括附接至喷嘴主体404的支持组件402。支持组件402及喷嘴主体404 二者皆具有穿过其中而设置的多个对齐的通孔406、407，以容许一种或多种制程气体穿过其中而通过。支持组件402可经配置以耦接至一个或多个制程气体入口管体，以提供制程气体供应至气体分布喷嘴400。第一衬垫408可布置于喷嘴主体404与第一分散组件412之间。第一衬垫408及第一分散组件412两者皆具有穿过其中形成的多个通孔409、411，通孔409、411与穿过喷嘴主体404而形成的多个通孔407对齐。第一分散组件412配合喷嘴主体404，以在第一分散组件412与喷嘴主体404之间提供第一环状间隙414。第一衬垫408进一步包括穿过其形成的一个或多个狭缝410，且狭缝410选择性地与喷嘴主体404中的一个或多个通孔406对齐。一个或多个狭缝410通往第一衬垫408的边缘，以容许制程气体自一个或多个通孔406通过并经过第一环状间隙414。结果，制程气体可沿着路径“P4”自气体入口管流动经过支持组件402及喷嘴主体404，以经过如图4所示的第一环状间隙414分散。 第二衬垫416可布置于第一分散组件412与第二分散组件420之间。第二衬垫416及第二分散组件420 二者皆具有穿过其中形成的多个通孔417、419，通孔417、419与穿过第一分散组件412而形成的多个通孔411对齐。第二分散组件420配合第一分散组件412，以在第二分散组件420与第一分散组件412之间提供第二环状间隙422。第二衬垫416进一步包括穿过其形成的一个或多个狭缝418，且狭缝418选择性地与穿过第一分散组件412形成的一个或多个通孔411对齐。一个或多个狭缝418通往第二衬垫416的边缘，以容许制程气体自一个或多个通孔411通过并经过第二环状间隙422。结果 ，制程气体可沿着路径“P5”自气体入口管，通过支持组件402、喷嘴主体404、第一衬垫408以及第一分散组件412，以通过图4中所示的第二环状间隙422分散。在一个具体实施例中，第三衬垫424布置于第二分散组件420与第三分散组件428之间。第三衬垫424具有穿透其形成的多个通孔425，其与穿透第二分散组件420形成的多个通孔417对齐。第三分散组件428配合第二分散组件420，使得第三环状间隙430被提供于第三分散组件428与第二分散组件420之间。第三衬垫424进一步包括穿过其形成的一个或多个狭缝426，且一个或多个狭缝426选择性地与穿过第二分散组件420而形成的一个或多个通孔417对齐。一个或多个狭缝426通往第三衬垫424的边缘，以容许制程气体自一个或多个通孔417通过并经过第三环状间隙430。结果，制程气体可沿着路径“P6”自气体入口管，通过支持组件402、喷嘴主体404、第一衬垫408、第一分散组件412、第二衬垫416以及第二分散组件420，以通过图4中所示出的第三环状间隙430分散。中央杆体432或螺栓可配合支持组件402以及第三分散组件428，以将气体分布喷嘴400的个别部件固定在一起。注意，为清晰起见，中央杆体432以假想方式示于图4中。分散组件412、420、428及/或衬垫408、416、424中一者或多者可附接至中央杆体432，致使当中央杆体432旋转时，通孔之一或多者重叠以改变角度，造成对穿过其中的制程气体流的调整。在一个具体实施例中，可手动调整中央杆体432以及通过气体分布喷嘴400的制程气体流。或者，可通过诸如马达等一个或多个致动器自动调整，并通过控制器230进行控制。可改变多个通孔的尺寸及数目或多个衬垫的厚度，以提供期望的气体流。气体分布喷嘴400的各个组件可包含能抵抗用于期望应用中之特定制程气体的材料，如陶瓷材料(例如，A1203、SiC、SiN)、金属材料(例如，阳极化铝、不锈钢、镍)，或阻性聚合材料。应注意的是，虽然与图4相关联而描绘及描述的气体分布喷嘴400针对三个同心分散间隙来配置，但可将衬垫及分散组件增加至组件或自组件去掉衬垫及分散组件，以根据需求获得较大或较小数目的分散间隙。结果，气体分布喷嘴400可达成重叠的圆锥状气体流的任何期望配置，而重叠的圆锥状气体流可均匀地分布遍及图2中所描绘之制程腔室200中的基材101。因此，本发明的具体实施例大体提供了等离子体蚀刻制程腔室改良。在一个具体实施例中，于腔室的盖体的中心位置处提供经改良的气体注射喷嘴。气体注射喷嘴可用于现有的等离子体蚀刻腔室中，并经配置以提供一连串的圆锥状气体流遍及布置于腔室内之基材的表面。在一个具体实施例中，提供了经改良的排放构造。排放构造包括可用于现有的等离子体蚀刻腔室中的设备，并经配置以自腔室的处理区域提供环状的排放气体流。本发明的具体实施例使用气体注射及/或排放的改良来提供更一致的处理气体流遍及晶圆表面，造成更一致的蚀刻制程。此外，可以本发明的具体实施例来实现制程气体得更有效使用。 尽管以上内容针对本发明的具体实施例，但是可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其它及进一步的具体实施例，且其范围由所附权利要求决定。
权利要求
1.一种在处理腔室中使用的套件，其包含 气体注射喷嘴，其具有多个可调整的堆叠式环状气体输送间隙；以及 环状流量控制组件，具有上方凸出部，该上方凸出部向下延伸进入下方凹陷部，其中该环状流量控制组件具有延伸穿过其中的开口，该开口具有大于约200mm的直径。
2.如权利要求I所述的套件,其中该气体注射喷嘴包含 多个管体，经同心地排列以提供穿过其中的多个环状气体通道；以及 多个分散组件，经排列以提供该多个环状间隙，该多个环状间隙流体连通该多个气体通道。
3.如权利要求2所述的套件，其中该多个分散组件的至少一者可动地配合该多个管体的至少一者。
4.如权利要求2所述的套件，其中该多个分散组件的至少一者具有穿过其中的一个或多个孔洞，该一个或多个孔洞流体连通该多个环状气体通道的至少一者。
5.如权利要求I所述的套件,其中该气体注射喷嘴包含 一喷嘴主体，具有穿过其中的多个气体通道； 多个分散组件，经排列以提供该多个环状间隙；以及 多个衬垫组件，具有形成于其中的一个或多个狭缝，被布置以将所述气体通道流动地耦接所述环状间隙。
6.如权利要求5所述的套件，其中所述衬垫的至少一者布置于所述分散组件的至少两者之间。
7.如权利要求6所述的套件，其中该气体注射喷嘴还包括穿过其中而设置的中央杆体，该中央杆体还耦接至该多个衬垫，其中通过转动该中央杆体来调整流经该气体注射喷嘴的气体。
8.一种制程气体注射喷嘴，包含 支持组件； 第一管体，耦接至该支持组件； 第二管体，被同心地布置于该第一管体内，以在该第二管体与该第一管体之间形成第一环状流体通道；以及 第一分散组件，耦接至该第二管体，使得第一环状间隙设置于该第一管体与该第一分散组件之间。
9.如权利要求8所述的喷嘴，其中该第一环状间隙为可调整的。
10.如权利要求9所述的喷嘴，还包括 第三管体，被同心地布置于该第二管体内，以在该第三管体与该第二管体之间形成一第二环状流体通道；以及 第二分散组件，耦接至该第二管体，其中 第二环状间隙形成于该第一分散组件与该第二分散组件之间，其中该第二环状间隙与该第二环状流体通道流体连通，并且其中该第二环状间隙为可调整的。
11.如权利要求10所述的喷嘴，还包括 第四管体，被同心地布置在该第三管体内，以在该第四管体与该第三管体之间形成第三环状流体通道；以及第三分散组件，耦接至该第三管体，其中 第三环状间隙形成于该第二分散组件与该第三分散组件之间，其中该第三环状间隙流体连通该第三环状流体通道，并且其中该第三环状间隙为可调整的。
12.—种制程气体注射喷嘴，包含 喷嘴主体，具有穿过其中的多个气体通道； 多个分散组件，经排列以提供多个环状间隙；以及 多个衬垫组件，具有形成于其中的一个或多个狭缝，经布置以将所述气体通道流动地耦接所述环状间隙。
13.如权利要求12所述的喷嘴，其中所述衬垫的至少一者布置于所述分散组件的至少两者之间。
14.如权利要求13所述的喷嘴，其中该气体注射喷嘴还包括穿过其中而设置的中央杆体，该中央杆体还耦接至该多个衬垫。
15.如权利要求14所述的喷嘴，其中通过转动该中央杆体来调整流经该气体注射喷嘴的气体。
全文摘要
本发明的具体实施例大体上提供等离子体蚀刻制程腔室的改良。提供了一种改良的气体注射喷嘴，其可于腔室盖体的中央位置处使用。气体注射喷嘴可用于现有等离子体蚀刻腔室中，并经配置以提供一连串的圆锥状气体流遍及布置于腔室内之基材的表面。在一个具体实施例中，提供了一种用于等离子体蚀刻腔室中的改良的排放套件。排放套件包括可用于现有等离子体蚀刻腔室中的设备，并经配置以提供来自腔室的处理区域的环状排放气体流。
文档编号H01L21/3065GK102763199SQ201180009422
公开日2012年10月31日 申请日期2011年2月9日 优先权日2010年2月12日
发明者布里恩·T·韦斯特, 斯坦利·德特玛, 罗纳德·维恩·肖尔 申请人:应用材料公司