专利名称：层叠体的制造方法和层叠体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种例如在绝缘膜的两面具有电极的层叠体的制造方法和层叠体。
背景技术：
随着信息技术惊人的发展，现在常使用笔记本电脑、便携式信息终端等来频繁进行收发信息。因此，众所周知在不久的将来无论在任何场所都能够交换信息的全面互联(Ubiquitous)社会将会到来。在这样的社会中，需要更轻型、薄型的信息终端。现在，半导体材料的主流为硅系，作为其制造方法，通常使用光刻法。另一方面，使用印刷技术制造电子部件的印刷电子技术也备受瞩目。与光刻法相 t匕，印刷电子技术具有如下优点通过使用印刷技术，降低了装置、制造的相关成本，并且不需要真空、高温条件，所以可利用塑料基板等。印刷电子技术中，常使用可溶于有机溶剂的有机半导体等作为半导体材料。这是由于能够通过印刷法来形成半导体层。作为使用可溶于有机溶剂的有机半导体等作为半导体材料的技术，例如，可举出如专利文献I中记载的技术。在专利文献I中，利用喷墨法形成有机半导体层。在此，使用了有机半导体的TFT (薄膜晶体管)被称为有机TFT。作为构成TFT的部件，除半导体以外还有电极、绝缘膜，从形成低成本的TFT的角度出发，优选使用印刷法、涂布技术等湿法来形成电极、绝缘膜。作为使用湿法形成电极、绝缘膜的技术，例如可举出如专利文献2和专利文献3中记载的技术。在专利文献2中，使用喷墨法形成电极，在专利文献3中，使用旋涂法形成栅绝缘膜。在此，例如在使用有机TFT驱动显示器等的情况下，为了得到驱动电压、所希望的电流值，通常以1.0 [μπι]以下的厚度形成栅绝缘膜。现有技术文献专利文献I :日本特开2005-210086号公报专利文献2 :日本特开2004-297011号公报专利文献3 :日本特开2007-266355号公报
发明内容
然而，通过如专利文献2和专利文献3中记载的技术形成的电极上有时局部地形成有微小的突起部。另外，在使用湿法形成的电极上，除突起以外还时常存在由油墨的凝集所致的局部的厚膜部分以及来自环境和工艺中的异物等。在这种情况下，如果使用湿法形成栅绝缘膜，则在栅绝缘膜的一部分上产生存在于电极的异物等所致的与其他部分的润湿性的差异，有可能在电极(以下，记载为“下部电极”)上形成不被栅绝缘膜覆盖的部分。另外，与溅射法等干法相比，旋涂法等湿法中，由于对衬底形状的追随性差，所以在下部电极上存在突起物、异物等时，很可能在该下部电极上形成不被栅绝缘膜覆盖的部分。进而，在下部电极上形成有不被栅绝缘膜覆盖的部分的状态下，在栅绝缘膜上层叠电极(以下，记载为“上部电极”)时，下部电极与上部电极将会接触或接近，因此很可能在下部电极与上部电极之间发生短路(short)、漏电(leak)。因此，用湿法形成电极、栅绝缘膜，则在栅绝缘膜上层叠上部电极的状态下很可能在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电。本发明的课题在于提供一种层叠体的制造方法和层叠体，其在用湿法形成电极、绝缘膜的情况下，能够抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电。
为了解决上述课题，本发明中，技术方案I中记载的发明的特征在于，是在形成于基板上的下部电极上形成覆盖该下部电极的基础绝缘膜的层叠体的制造方法，具有膜厚减少部形成工序，在上述下部电极中的未被上述基础绝缘膜覆盖的部分形成如下的膜厚减少部该未被覆盖的部分的上述下部电极的膜厚比被上述基础绝缘膜覆盖的部分的上述下部电极的膜厚薄。其次，本发明中，技术方案2中记载的发明根据技术方案I中记载的发明，其特征在于，在上述膜厚减少部形成工序中，通过将上述基础绝缘膜作为掩模的蚀刻来形成上述膜厚减少部。其次，本发明中，技术方案3中记载的发明根据技术方案2中记载的发明，其特征在于，在上述膜厚减少部形成工序中，在形成了上述基础绝缘膜的至少一部分的状态下，通过将上述基础绝缘膜作为掩模的蚀刻来形成上述膜厚减少部。其次，本发明中，技术方案4中记载的发明根据技术方案I 3中任一项中记载的发明，其特征在于，用湿法形成上述下部电极和上述基础绝缘膜中的至少一方。其次，本发明中，技术方案5中记载的发明根据技术方案I 4中任一项中记载的发明，其特征在于，作为上述膜厚减少部形成工序的后续工序具有如下的层叠绝缘膜形成工序在上述基础绝缘膜上形成覆盖该基础绝缘膜和上述膜厚减少部的层叠绝缘膜；作为上述层叠绝缘膜形成工序的后续工序具有如下的上部电极形成工序在上述层叠绝缘膜上形成上部电极，所述上部电极以将上述基础绝缘膜和上述层叠绝缘膜夹在中间的方式与上述下部电极对置。其次，本发明中，技术方案6中记载的发明根据技术方案5中记载的发明，其特征在于，用湿法形成上述层叠绝缘膜和上述上部电极中的至少一方。其次，本发明中，技术方案7中记载的发明的特征在于，是具备形成在基板上的下部电极和在上述基板上形成于上述下部电极上且覆盖下部电极的基础绝缘膜的层叠体，其中，上述下部电极具有如下的膜厚减少部上述下部电极中的未被上述基础绝缘膜覆盖的部分的上述下部电极的膜厚比被上述基础绝缘膜覆盖的部分的上述下部电极的膜厚薄。其次，本发明中，技术方案8中记载的发明根据技术方案7中记载的发明，其特征在于，上述层叠体具备如下的层叠绝缘膜形成在上述基础绝缘膜上，覆盖基础绝缘膜和上述膜厚减少部。其次，本发明中，技术方案9中记载的发明根据技术方案8中记载的发明，其特征在于，上述基础绝缘膜和上述层叠绝缘膜由相同材料形成。
其次，本发明中，技术方案10中记载的发明根据技术方案8或9中记载的发明，其特征在于，上述层叠体具备如下的上部电极形成在上述层叠绝缘膜上，以将上述基础绝缘膜和上述层叠绝缘膜夹在中间的方式与上述下部电极对置。其次，本发明中，技术方案11中记载的发明根据技术方案7 10中任一项中记载的发明，其特征在于，上述下部电极由金属或金属氧化物形成。其次，本发明中，技术方案12中记载的发明根据技术方案7 11中任一项中记载的发明，其特征在于，上述层叠体用于薄膜晶体管。其次，本发明中，技术方案13中记载的发明根据技术方案12中记载的发明，其特征在于，上述薄膜晶体管的半导体层由有机半导体形成。其次，本发明中，技术方案14中记载的发明根据技术方案7 11中任一项中记载的发明，其特征在于，上述层叠体用于电容器。 其次，本发明中，技术方案15中记载的发明根据技术方案7 11中任一项中记载的发明，其特征在于，上述层叠体用于配线间的交叉部。其次，本发明中，技术方案16中记载的发明根据技术方案7 15中任一项中记载的发明，其特征在于，上述基板具有挠性。其次，本发明中，技术方案17中记载的发明根据技术方案16中记载的发明，其特征在于，上述具有挠性的基板由塑料形成。根据本发明，在下部电极形成膜厚减少部时，能够除去形成于下部电极上的突起部和存在于下部电极上的异物等，能够通过形成于基础绝缘膜上并配置在下部电极与上部电极之间的绝缘膜来覆盖在基础绝缘膜形成的小孔。因此，能够防止下部电极与上部电极的接触，能够提供可抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的层叠体的制造方法和层叠体。技术方案I中记载的发明的效果是通过在下部电极上形成由微细的孔等形成的膜厚减少部，从而能够除去形成于下部电极的突起部和存在于下部电极上的异物等。因此，能够在下部电极与上部电极之间形成由膜厚减少部产生的空隙，能够抑制下部电极与上部电极的接触或接近，所以能够抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电。技术方案2中记载的发明的效果是通过在膜厚减少部的形成中使用蚀刻，从而能够在下部电极容易地形成膜厚减少部。技术方案3中记载的发明的效果是通过在形成基础绝缘膜的至少一部分之后，以基础绝缘膜作为掩模进行蚀刻，从而能够对形成于下部电极的突起部、存在于下部电极上的异物等进行选择性蚀刻。技术方案4中记载的发明的效果是通过利用湿法形成下部电极和基础绝缘膜中的至少一方，从而能够降低层叠体的成本。技术方案5中记载的发明的效果是通过在基础绝缘膜上形成的层叠绝缘膜能够抑制下部电极与上部电极的接触，能够形成可抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的层叠体。技术方案6中记载的发明的效果是通过利用湿法形成层叠绝缘膜和上部电极中的至少一方，从而能够降低层叠体的成本。
技术方案7中记载的发明的效果是通过使下部电极具有由微细的孔等形成的膜厚减少部，从而能够将层叠体的构成制成除去了形成于下部电极的突起部和存在于下部电极上的异物等的构成。因此，能够抑制下部电极与上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电。技术方案8中记载的发明的效果是通过层叠基础绝缘膜和层叠绝缘膜，从而在下部电极的蚀刻时等中，能够将基础绝缘膜作为掩模使用，能够提高层叠绝缘膜的绝缘性。技术方案9中记载的发明的效果是通过由相同材料形成基础绝缘膜和层叠绝缘膜，从而在将基础绝缘膜作为掩模进行蚀刻等而在下部电极形成膜厚减少部后对层叠绝缘膜进行层叠时，即便在膜厚减少部上也能够高效率地形成层叠绝缘膜。
技术方案10中记载的发明的效果是通过在基础绝缘膜上形成的层叠绝缘膜，能够抑制下部电极与上部电极的接触，能够形成可抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的层叠体。技术方案11中记载的发明的效果是通过用金属或金属氧化物形成下部电极，从而能够利用以往的蚀刻法在下部电极容易地形成膜厚减少部。技术方案12中记载的发明的效果是通过将层叠体用于薄膜晶体管，从而能够得到抑制了在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的可靠性高的薄膜晶体管。技术方案13中记载的发明的效果是通过用有机半导体形成半导体层，从而能够利用印刷法形成薄膜晶体管的全部构成部件，所以能够降低薄膜晶体管的成本。技术方案14中记载的发明的效果是通过将层叠体用于电容器，从而能够得到抑制了在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的可靠性高的电容器。技术方案15中记载的发明的效果是通过将层叠体用于配线间的交叉部，从而能够得到抑制了在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的可靠性高的配线。技术方案16中记载的发明的效果是通过基板具有挠性，从而能够使层叠体的构成成为具有挠性的构成。另外，与由玻璃等硬的材料形成的基板相比，通常，具有挠性的基板中，更有可能因突起物等而表面粗糙度变大，即使形成下部电极的情况下也因表面粗糙度所致的凹凸而引起下部电极与上部电极接触或接近，进而增加下部电极与上部电极之间的短路、漏电。然而，本发明中，由于能够将由具有挠性的基板的突起物等所引起的下部电极的突起部，通过蚀刻制成膜厚减少部，所以，通过膜厚减少部能够抑制下部电极与上部电极的接触，能够增强抑制在下部电极与上部电极之间发生短路、漏电的效果。技术方案17中记载的发明的效果是通过具有挠性的基板由塑料形成，由此能够以低成本得到具有挠性的层叠体。
图I是表示本发明第一实施方式中的层叠体的示意构成的图。图2是图I的II-II线剖面图。图3是表示本发明第一实施方式中的膜厚减少部和基础绝缘膜的形成工序的示意图。
图4是表示本发明第一实施方式中的膜厚减少部和基础绝缘膜的形成工序的示意图。图5是表示本发明第二实施方式中的层叠体的示意构成的剖面图。图6是表示本发明第三实施方式中的层叠体的示意构成的剖面图。图7是表示本发明第四实施方式中的使用了层叠体的薄膜晶体管的概略构成的图。图8是图7的VIII-VIII线剖面图。图9是表示本发明第四实施方式的变形例中的使用了层叠体的薄膜晶体管的示意构成的图。图10是图9的X-X线剖面图。 图11是表示本发明第四实施方式的变形例中的使用了层叠体的薄膜晶体管阵列的示意构成的图。图12是表示图11中所示的薄膜晶体管阵列的一个像元区的示意构成的图，图12(a)是仅表示层叠体的图，图12 (b)是表示薄膜晶体管阵列整体的图。图13是图12 (b)的XIII-XIII线剖面图。图14是表示比较例的使用了层叠体的薄膜晶体管阵列的示意构成的图。
具体实施例方式(第一实施方式)以下，参照附图对本发明的第一实施方式(以下，记载为“本实施方式”)进行说明。(构成)首先，使用图I和图2说明本实施方式的层叠体I的构成。图I是表示本实施方式中的层叠体I的示意构成的图。另外，图2是图I的II-II线剖面图。如图I和图2中所示，本实施方式的层叠体I具备基板2、下部电极4和基础绝缘膜6。基板2为以塑料为材料形成的板状部件，具有挠性。下部电极4以金属或金属氧化物作为材料形成在基板2上，具有膜厚减少部8。其中，关于膜厚减少部8的说明如后述。在此，将下部电极4的材料为金属或金属氧化物的理由是为了通过后述的蚀刻在下部电极4容易地形成膜厚减少部8。另外，作为金属、金属氧化物的具体例，可举出金、银、铝、铜、钼、镍、铬、铟锡氧化物等。另外，利用湿法形成下部电极4时，使用将银、金、钯等的粒子分散而成的溶液作为下部电极4的材料。基础绝缘膜6在下部电极4上形成，覆盖下部电极4。在此，对形成基础绝缘膜6的材料没有特别限定，但对下部电极4进行蚀刻而设置膜厚减少部8时，优选使用有耐性的材料。因此，作为形成基础绝缘膜6的材料的具体例，可举出通常使用的聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、环氧树脂等高分子溶液，使氧化铝、二氧化硅凝胶等粒子分散而成的溶液等。另外，作为形成基础绝缘膜6的材料的具体例，也可举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钇、氧化铪、铪铝酸盐、氧化锆、氧化钛等无机材料等。除使用上述材料形成基础绝缘膜6以外，还可以使用PET、PEN、PES等薄膜作为基础绝缘膜6。另外，对基础绝缘膜6的形成方法没有特别限定，可以适当地使用真空蒸镀法、溅射法、CVD等的干法,旋涂、狭缝模头涂布(slit die)等的湿法,或者层压等方法。膜厚减少部8在下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分形成。关于在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法如后述。另外，膜厚减少部8例如为在厚度方向贯通下部电极4 (图2中为上下方向)的贯通孔、或在下部电极4的与基础绝缘膜6相对的面(图2中为上面)上开口的凹部。应予说 明，在图2中显示了膜厚减少部8为贯通孔的状态。即，膜厚减少部8如下地形成下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚薄。另外，与膜厚减少部8为贯通孔的情况相比，膜厚减少部8为凹部的情况下，膜厚减少部8的对具有层叠体I的构成的电容器和薄膜晶体管中的保持的电荷、晶体管部的电压等的影响变小。对膜厚减少部8的大小(开口面积)没有特别限定，但优选尽量小，例如，优选50[nm] 5 [μπι]左右。这是由于以下原因在具有层叠体I的构成的薄膜晶体管和电容器中，I吴厚减少部8的大小影响保持的电荷、晶体管部的电压等。应予说明，在基础绝缘膜6中，膜厚减少部8的上方开口有在厚度方向贯通基础绝缘膜6的小孔10。该小孔10是因下部电极4上的突起部、异物等而在对基础绝缘膜6进行成膜时产生的。(层叠体的制造方法)以下，参照图I和图2，使用图3和图4，说明本实施方式中的层叠体I的制造方法。图3和图4是表不本实施方式中的基础绝缘I旲6和I旲厚减少部8的形成工序的不意图。本实施方式的层叠体的制造方法具有膜厚减少部形成工序，其在下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分形成如下的膜厚减少部8 :该部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚薄。另外，对本实施方式的层叠体的制造方法中利用湿法形成下部电极4和基础绝缘膜6的情况进行说明。在此，下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分在如下情况下产生例如，如图3 (a)中所示，在形成于基板2上的下部电极4上形成有比其他部分突出的突起部12的情况。除此之外，下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分在如下情况下产生例如，如图4 Ca)中所示，在形成于基板2上的下部电极4上存在有微小的尘埃等异物14的情况。
在形成于基板2上的下部电极4上形成有突起部12的状态下，在下部电极4上形成基础绝缘膜6时，例如，如图3 (b)中所示，在下部电极4中的形成有突起部12的部分上将不形成基础绝缘膜6。因此，下部电极4中的形成有突起部12的部分成为未被基础绝缘膜6覆盖的部分。另外，在下部电极4中的形成突起部12的部分中，由于突起部12，基础绝缘膜6的形成受到阻碍。因此，在基础绝缘膜6中的没覆盖下部电极4的部分形成小孔10。特别是在如本实施方式这样用湿法形成基础绝缘膜6的情况下，由于均化作用，突起部12有可能不被基础绝缘膜6覆盖，形成小孔10。另外，在形成于基板2上的下部电极4上存在异物14的状态下，在下部电极4上形成基础绝缘膜6时，例如，如图4 (b)中所示，在下部电极4中的存在异物14的部分上不形成基础绝缘膜6。因此，下部电极4中的存在异物14的部分成为未被基础绝缘膜6覆盖的部分。·另外，在下部电极4中的存在异物14的部分中，由于异物14，基础绝缘膜6的形成受到阻碍。因此，在基础绝缘膜6中的没覆盖下部电极4的部分形成小孔10。如图3 (b)和图4 (b)中所示，在基础绝缘膜6上形成有小孔10，在下部电极4上形成有未被基础绝缘膜6覆盖的部分的状态下，在基础绝缘膜6上形成上部电极(未图示)，则有可能因下部电极4与上部电极的接触或接近，在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。因此，本实施方式中的层叠体I的制造方法中，在膜厚减少部形成工序中，在形成基础绝缘膜6之后，通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来除去突起部12 (参照图3)或异物14 (参照图4)的同时在下部电极4上形成膜厚减少部8 (参照图2)。此时，随着突起部12、异物14的除去，小孔10在基础绝缘膜6中在膜厚减少部8的上方开口(参照图2)。在此，作为在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法，例如，优选使用湿式蚀刻法、干式蚀刻法等。本实施方式中，将在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法为湿式蚀刻法的情况，作为一个例子进行说明。另外，本实施方式中，说明在膜厚减少部形成工序中，以形成了全部基础绝缘膜6的状态下通过将基础绝缘膜6作为掩模进行蚀刻来形成膜厚减少部8的情况。应予说明，在下部电极4上形成膜厚减少部8的方法为湿式蚀刻法的情况下，蚀刻不仅在下部电极4的膜厚方向，还在与基板2的表面平行方向微观地进行(边缘蚀刻)。因此，下部电极4上形成膜厚减少部8的方法为湿式蚀刻法时，如图2中所示，有时在侧视图中，与在成为掩模的基础绝缘膜6上开口的小孔10相比，膜厚减少部8变大。如上所述，通过以基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来除去突起部12、异物14的同时在下部电极4上形成膜厚减少部8，则与以在下部电极4没形成膜厚减少部8的状态下在基础绝缘膜6上形成上部电极的情况相比，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电的可能性。这是由以下记载的理由导致的。在基础绝缘膜6上形成上部电极时，首先，在基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜之后，在层叠绝缘膜上形成上部电极。在此，对于用本实施方式中的层叠体I的制造方法制造的层叠体I而言，在下部电极4上形成有膜厚减少部8，除去了突起部12、异物14。因此，在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜在覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的同时覆盖在基础绝缘膜6上开口的小孔10。因此，本实施方式中的层叠体I的制造方法中，能够在由基础绝缘膜6和层叠绝缘膜构成的绝缘膜上不形成小孔10，在下部电极4上不存在未被绝缘膜(基础绝缘膜6和层叠绝缘膜)覆盖的部分的状态下，在绝缘膜上形成上部电极。
因此，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。(第一实施方式的效果)以下，列举本实施方式的效果。(I)本实施方式的层叠体I中，下部电极4具有下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚薄的膜厚减少部8。因此，在下部电极4上形成膜厚减少部8之际，能够除去形成于下部电极上的突起部12和存在于下部电极4上的异物14等。其结果，由于在下部电极4与上部电极之间，能够形成由膜厚减少部8产生的空隙，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，所以能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。(2)本实施方式的层叠体I中，下部电极4由金属或金属氧化物形成。因此，能够通过现有的蚀刻法在下部电极4上容易地形成膜厚减少部8。其结果，能够提高层叠体I的制造效率。另外，能够降低层叠体I的制造成本。(3)本实施方式的层叠体I中，由于基板2具有挠性，所以能够使层叠体I的构成成为具有挠性的构成。另外，与由玻璃等硬材料形成的基板相比，具有挠性的基板2虽然因基板变形而特别容易产生短路、漏电，但通过蚀刻能够将由基板2的突起物等导致的下部电极4的突起部12成为膜厚减少部8。其结果，通过膜厚减少部8能够抑制下部电极4与上部电极的接触，所以能够增强抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电的效果。(4)本实施方式的层叠体I中，由于具有挠性的基板2由塑料形成，所以能够以低成本得到具有挠性的层叠体。(5)本实施方式的层叠体的制造方法中，具有如下的膜厚减少部形成工序，S卩，在下部电极4中的未被基础绝缘膜6覆盖的部分上形成该部分的下部电极4的膜厚比被基础绝缘膜6覆盖的部分的下部电极4的膜厚薄的膜厚减少部8。因此，在下部电极4上形成膜厚减少部8之际，能够除去形成于下部电极上的突起部12和存在于下部电极4上的异物14等。其结果，由于在下部电极4与上部电极之间不存在突起部、异物，所以能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。(6)本实施方式的层叠体的制造方法中，在膜厚减少部形成工序中，通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8。因此，能够在下部电极4上容易地形成膜厚减少部8。其结果，能够提高层叠体I的制造效率。另外，能够降低层叠体I的制造成本。( 7 )本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成下部电极4和基础绝缘膜6中的至少一方。其结果，能够降低层叠体I的成本。(应用例)以下，列举本实施方式的应用例。
(I)本实施方式的层叠体I中，用金属或金属氧化物形成下部电极4，但并不限定于此，也可以用金属和金属氧化物以外的材料形成下部电极4。(2)本实施方式的层叠体I中，将基板2制成具有挠性的构成，但并不限定于此，也可以将基板2制成不具有挠性的构成。此时，例如可以使用玻璃、石英的基板，也可以使用不锈钢等金属基板。(3)本实施方式的层叠体I中，用塑料形成具有挠性的基板2，但并不限定于此，也可以用塑料以外的材料形成具有挠性的基板2。(4)本实施方式的层叠体的制造方法中，通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8，但并不限定于此，也可以通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻以外的方法来形成膜厚减少部8。(5)本实施方式的层叠体的制造方法中,在膜厚减少部形成工序中,在形成了全部基础绝缘膜6的状态下通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8，但并不限定于此。即，在膜厚减少部形成工序中，也可以在仅形成了一部分的基础绝缘膜6的状态下，通过将基础绝缘膜6作为掩模的蚀刻来形成膜厚减少部8。此时，能够对形成于下部电极4的突起部和存在于下部电极4上的异物等进行选择性蚀刻。(6)本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成下部电极4和基础绝缘膜6中的至少一方，但并不限定于此，也可以利用湿法以外的方法形成下部电极4和基础绝缘膜6中的至少一方。(7)本实施方式的层叠体的制造方法和通过该制造方法制造的层叠体I中,在基础绝缘膜6上形成上部电极时，在形成于基础绝缘膜6上的层叠绝缘膜上形成上部电极，但并不限定于此，也可以不形成层叠绝缘膜，在基础绝缘膜6上直接形成上部电极。即便这种情况下，也能够在下部电极4与上部电极之间形成由膜厚减少部8产生的空隙。因此，与下部电极4不具有膜厚减少部8的情况相比，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。(第二实施方式)以下，参照附图对本发明的第二实施方式(以下，记载为“本实施方式”)进行说明。(构成)首先，参照图I 图4的同时使用图5，说明本实施方式的层叠体I的构成。图5是表示本实施方式中的层叠体I的示意构成的剖面图。如图I和图2中所示，本实施方式的层叠体I具备基板2、下部电极4、基础绝缘膜6以及层叠绝缘膜16。由于基板2、下部电极4以及基础绝缘膜6的构成与上述第一实施方式同样，因此省略其说明。层叠绝缘膜16形成在基础绝缘膜6上，覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8。由此，层叠绝缘膜16的与基础绝缘膜6相反的一侧的面(图5中为上面)成为不存在突出部分的均匀平面。另外，层叠绝缘膜16由与基础绝缘膜6相同的材料形成。其他构成与上述第一实施方式同样。(层叠体的制造方法) 以下，参照图I 图5，说明本实施方式中的层叠体I的制造方法。本实施方式的层叠体的制造方法如下在形成基础绝缘膜6后，在除去突起部12(参照图3)或异物14 (参照图4)的同时在下部电极4上形成膜厚减少部8 (参照图2)，之后在基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜16。应予说明，本实施方式中，对基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜16的方法为湿法的情况进行说明。在基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜16，则该层叠绝缘膜16在覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的同时覆盖在基础绝缘膜6上开口的小孔10。即，本实施方式的层叠体的制造方法作为膜厚减少部形成工序的后续工序具有层叠绝缘膜形成工序，其在基础绝缘膜6上形成覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的层叠绝缘膜16。因此，本实施方式中的层叠体I的制造方法中，能够与上述第一实施方式同样地，在由基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16构成的绝缘膜上不形成小孔10，在下部电极4上不存在未被绝缘膜(基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16)覆盖的部分的状态下，在层叠绝缘膜16上形成上部电极。因此，能够抑制下部电极4与上部电极的接触或接近，能够抑制在下部电极4与上部电极之间发生短路、漏电。其他制造工序与上述第一实施方式同样。(第二实施方式的效果)以下，列举本实施方式的效果。(I)本实施方式的层叠体I中，层叠体I具备在基础绝缘膜6上形成的、覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的层叠绝缘膜16。其结果，通过层叠基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16，从而在对下部电极4进行蚀刻时等中，可以将基础绝缘膜6作为掩模使用，能够提高层叠绝缘膜16的绝缘性。(2)本实施方式的层叠体I中，由相同材料形成基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16。其结果，通过将基础绝缘膜6作为掩模，进行蚀刻等而在下部电极4上形成膜厚减少部8后对层叠绝缘膜16进行层叠时，对膜厚减少部8也能够高效率地形成层叠绝缘膜16。(3)本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成层叠绝缘膜16。其结果，能够降低层叠体I的成本。
(应用例)以下，记载本实施方式的应用例。(I)本实施方式的层叠体I中，由相同材料形成基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16，但并不限定于此，也可以用不同的材料形成基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16。(第三实施方式)以下，参照附图，说明本发明的第三实施方式(以下，记载为“本实施方式”)。(构成)首先，参照图I 图5的同时使用图6说明本实施方式的层叠体I的构成。图6是表示本实施方式中的层叠体I的示意构成的剖面图。 如图I和图2中所示，本实施方式的层叠体I具备基板2、下部电极4、基础绝缘膜6、层叠绝缘膜16以及上部电极18。由于基板2、下部电极4、基础绝缘膜6以及层叠绝缘膜16的构成与上述第二实施方式同样，因此省略其说明。上部电极18在层叠绝缘膜16上形成，以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16夹在中间的方式与下部电极4对置。其他构成与上述第二实施方式同样。(层叠体的制造方法)以下，参照图I 图6，说明本实施方式中的层叠体I的制造方法。本实施方式的层叠体的制造方法如下在基础绝缘膜6上形成层叠绝缘膜16 (参照图5)后，在层叠绝缘膜16上，以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16夹在中间的方式与下部电极4对置地形成上部电极18。S卩，本实施方式的层叠体的制造方法具有层叠绝缘膜形成工序和上部电极形成工序，该上部电极形成工序作为层叠绝缘膜形成工序的后续工序，在层叠绝缘膜16上形成以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16夹在中间的方式与下部电极4对置的上部电极18。应予说明，本实施方式中，对层叠绝缘膜16上形成上部电极18的方法为湿法的情况进行说明。在此，在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜16，覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的同时覆盖在基础绝缘膜6上开口的小孔10。因此，本实施方式中的层叠体I的制造方法中，能够与上述第一实施方式同样地，在由基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16构成的绝缘膜上不形成小孔10，在下部电极4上不存在未被绝缘膜(基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16)覆盖的部分的状态下，在层叠绝缘膜16上形成上部电极18。因此，能够抑制下部电极4与上部电极18的接触或接近，能够抑制在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电。其他制造工序与上述第二实施方式同样。(第三实施方式的效果)以下，列举本实施方式的效果。(I)本实施方式的层叠体I中，层叠体I具备上部电极18，其在层叠绝缘膜16上形成，以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜16夹在中间的方式与下部电极4对置。
其结果，通过在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜16，能够抑制下部电极4与上部电极18的接触，能够形成可抑制在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电的层叠体
Io(2)本实施方式的层叠体的制造方法中，具有层叠绝缘膜形成工序，其作为膜厚减少部形成工序的后续工序，在基础绝缘膜6上形成覆盖基础绝缘膜6和膜厚减少部8的层叠绝缘膜16。加之，作为层叠绝缘膜形成工序的后续工序具有上部电极形成工序，其在层叠绝缘膜16上形成以将基础绝缘膜6和层叠绝缘膜8夹在中间的方式与下部电极4对置的上部电极18。其结果，通过在基础绝缘膜6上形成的层叠绝缘膜16，能够抑制下部电极4与上部电极18的接触，能够形成可抑制在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电的层叠体
Io
(3)本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成上部电极18。其结果，能够降低层叠体I的成本。(应用例)以下，记载本实施方式的应用例。(I)本实施方式的层叠体的制造方法中，用湿法形成上部电极18，但并不限定于此，也可以用湿法以外的方法形成上部电极18。(第四实施方式)以下，参照附图，说明本发明的第四实施方式(以下，记载为“本实施方式”)。(构成)首先，参照图I 图6的同时使用图7和图8说明本实施方式的使用了层叠体I的薄膜晶体管20的构成。图7是表示本实施方式中的使用了层叠体I的薄膜晶体管20的示意构成的图。另夕卜，图8是图7的VIII-VIII线剖面图。如图7和图8中所示，使用了层叠体I的薄膜晶体管20具备层叠体I和半导体层22。即，将本实施方式的层叠体I用于薄膜晶体管20。层叠体I具备基板2、下部电极4、基础绝缘膜6、层叠绝缘膜16以及上部电极18。应予说明，由于基板2、基础绝缘膜6、层叠绝缘膜16的构成与上述第三实施方式同样，因此省略其说明。下部电极4构成栅电极或电容器电极。即，本实施方式的层叠体I成为底栅构造。由于下部电极4的其他构成与上述第三实施方式同样，因此省略其说明。上部电极18由源电极18a和漏电极18b构成。由于上部电极18的其他构成与上述第三实施方式同样，因此省略其说明。使用湿法在层叠绝缘膜16上形成半导体层22，覆盖整个上部电极18。另外，半导体层22以有机半导体为材料形成。这是由于以下原因由于使用了具有挠性的软性基板2，作为半导体层22的材料优选使用有机半导体的材料、氧化物半导体的材料，另外，在使用湿法形成半导体层22时，优选将有机半导体作为材料。在此，作为有机半导体的材料，可以使用聚噻吩、聚烯丙胺、芴-并噻吩聚合物以及它们的衍生物这种高分子有机半导体材料；并五苯、并四苯、铜酞菁、茈以及它们的衍生物这种低分子有机半导体材料。另外，作为有机半导体的材料，碳纳米管、或者富勒烯等碳化合物、半导体纳米粒子分散液等也可以用作半导体层的材料。作为有机半导体的印刷方法，可以使用凹版印刷、胶版印刷、丝网印刷以及喷墨法等公知的方法。通常，作为以如上所述的有机半导体为材料的半导体层22的形成方法，由于有机半导体对溶剂的溶解度低，所以优选使用适合低粘度溶液的印刷的柔版印刷、转印胶版印刷、喷墨法、点胶法(dispenser)。特别是由于柔版印刷的印刷时间短，油墨使用量少，所以最优选。另外，作为氧化物半导体的材料，例如，可以使用含锌、铟、锡、钨、镁、镓中的一种以上的元素的氧化物。
可以进一步使用氧化锌、氧化铟、氧化铟锌、氧化锡、氧化鹤、氧化锌镓铟(In-Ga-Zn-O)等公知的材料。上述氧化物半导体的材料的构造可以为单晶、多晶、微晶、结晶/非晶质的混晶、散在有纳米结晶的非晶质、非晶质中的任一种。另外，作为以氧化物半导体为材料的半导体层22的形成方法，可以使用如下方法使用溅射法、脉冲激光沉积法、真空蒸镀法、CVD法、溶胶凝胶法等方法进行成膜之后，使用光刻法、剥离法等形成图案。其他构成与上述第三实施方式同样。(第四实施方式的效果)以下，列举本实施方式的效果。(I)本实施方式的层叠体I中，将层叠体I用于薄膜晶体管20。其结果，能够得到抑制了在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电的可靠性高的薄膜晶体管20。(2)本实施方式的层叠体的制造方法中，薄膜晶体管20的半导体层22由有机半导体形成。其结果，由于能够利用印刷法形成薄膜晶体管20的全部构成部件，所以能够降低薄膜晶体管20的成本。(应用例)以下，列举本实施方式的应用例。(I)本实施方式的层叠体的制造方法中，下部电极4构成栅电极或电容器电极，但并不限定于此，例如，如图9和图10中所示，下部电极4也可以构成源电极4a和漏电极4b。即，也可以使层叠体I成为顶栅构造。应予说明，图9是表示本实施方式的变形例中的使用了层叠体I的薄膜晶体管20的示意构成的图。另外，图10是图9的X-X线剖面图。为了不给半导体层22带来蚀刻等的影响，最优选使层叠体I成为底栅·底接触(Bottom Contact)构造。(2)本实施方式的层叠体的制造方法中，将层叠体I用于薄膜晶体管20，但并不限定于此，可以将层叠体I用于电容器、配线的交叉部。此时，如果将层叠体I用于电容器，则能够得到抑制了在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电的可靠性高的电容器。同样地，如果将层叠体I用于配线间的交叉部，则能够得到抑制了在下部电极4与上部电极18之间发生短路、漏电的可靠性高的配线间的交叉部。(3)本实施方式的层叠体的制造方法中，将层叠体I用于薄膜晶体管20，但并不限定于此，例如，如图11 图13中所示，也可以将层叠体I用于组合了薄膜晶体管20、电容器、配线的交叉部的薄膜晶体管阵列24。应予说明，图11是表示本实施方式的变形例中的使用了层叠体I的薄膜晶体管阵列24的示意构成的图。另外，图12是表示图11中所示的薄膜晶体管阵列24的一个像元区的示意构成的图，图12 (a)是仅表示层叠体I的图，图12 (b)是表示薄膜晶体管阵列24整体的图。另外，图13是图12 (b)的XIII-XIII线剖面图。应予说明，在图11 图13中，作为下部电极4，分别示出了栅电极4c、栅配线4d、 电容器电极4e、电容器配线4f。同样地，在图11 图13中，作为上部电极18，分别示出了源电极18a、漏电极18b、源配线18c、像素电极18d。(第一实施例)以下，参照图7和图8，对使用了层叠体I的薄膜晶体管20的制造方法的实施例进行说明。基板2使用钠石灰玻璃形成。下部电极4 (栅电极)使用铬作为材料，通过EB蒸镀法以膜厚50nm进行成膜，在基板2上形成。下部电极4使用铬作为材料，通过光刻法图案化为所希望的形状。基础绝缘膜6使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作为材料，通过旋涂法以膜厚IOOnm形成。膜厚减少部8是通过使用以“硝酸铈铵高氯酸水=34:16:150”的比例混合而成的水溶液作为蚀刻液，将形成了下部电极4和基础绝缘膜6的基板2浸溃在该水溶液中15分钟而形成的。应予说明，图7和图8中所示的膜厚减少部8的位置、大小为示意性绘制的位置、大小，与实际的位置、大小不同。层叠绝缘膜16使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作为材料，通过旋涂法以膜厚500nm形成。上部电极18 (源电极18a、漏电极18b)使用纳米银油墨(住友电工公司制纳米银Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (质量比))作为材料，通过转印胶印法进行印刷后，在180°C烘烤I小时而形成。半导体层22使用将LisiconSP200 (Merck公司制)用四氢化萘(关东化学公司制)以成为I. O质量％的方式溶解而成的溶液作为材料，通过旋涂法进行成膜而形成。使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶体管20的结果，制造出了在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管20。(第二实施例)以下，参照图7和图8，对使用了层叠体I的薄膜晶体管20的制造方法的实施例进行说明。
基板2使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜(Teijin DuPont公司制)作为材料而形成。下部电极4 (栅电极)使用铝作为材料，通过EB蒸镀法以膜厚50nm进行成膜，将铝通过光刻法图案化为所希望的形状。基础绝缘膜6使用聚酰亚胺(Mitsubishi Gas Chemical公司制Neopulim)作为材料，通过旋涂法以膜厚IOOnm形成。膜厚减少部8是通过使用以“磷酸硝酸乙酸水=85:5:5:5”的比例混合而成的水溶液作为蚀刻液，在该水溶液中，将形成了下部电极4和基础绝缘膜6的基板2浸溃在水溶液中60分钟而形成。应予说明，如同上述第一实施例，图7和图8中所示的膜厚减少部8的位置、大小为示意性绘制的位置、大小，与实际的位置、大小不同。
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层叠绝缘膜16使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作为材料，通过旋涂法以膜厚500nm形成。上部电极18 (源电极18a，漏电极18b)使用纳米银油墨(住友电工公司制纳米银Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (质量比))作为材料，通过转印胶印法进行印刷后，在180°C烘烤I小时而形成。半导体层22使用将LisiconSP200 (Merck公司制)用四氢化萘(关东化学公司制)以成为I. O质量％的方式溶解而成的溶液作为材料，通过旋涂法进行成膜而形成。使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶体管20的结果，如同第一实施例，制造出了在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管20。(第三实施例)以下，参照图11 图13，对使用了层叠体I的薄膜晶体管阵列24的制造方法的实施例进行说明。基板2使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜(Teijin DuPont公司制)作为材料而形成。下部电极4 (栅电极4c、栅配线4d、电容器电极4e、电容器配线4f)使用纳米银油墨(住友电工公司制纳米银Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (质量比))作为材料，通过转印胶印法进行印刷，在180°C烘烤I小时而形成。基础绝缘膜6使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作为材料，通过旋涂法以膜厚IOOnm来形成。膜厚减少部8使用以“磷酸硝酸乙酸水=85:5:5:5”的比例混合而成的水溶液作为蚀刻液，将形成了下部电极4和基础绝缘膜6的基板2浸溃在水溶液中60分钟而形成。应予说明，如同上述第一实施例，图11 图13中所示的膜厚减少部8的位置、大小为示意性绘制的位置、大小，与实际的位置、大小不同。层叠绝缘膜16使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作为材料，通过旋涂法以膜厚500nm形成。上部电极18 (源电极18a、漏电极18b、源配线18c、像素电极18d)使用纳米银油墨(住友电工公司制纳米银Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (质量比))作为材料，通过转印胶印法进行印刷后，在180°C烘烤I小时而形成。半导体层22使用将LisiConSP200 (Merck公司制)用四氢化萘(关东化学公司制)以成为I. O质量％的方式溶解而成的溶液作为材料，通过柔版印刷对半导体图案进行印刷后,在100°C干燥60分钟而形成。密封层26使用CYTOP (旭硝子公司制)作为材料，通过柔版印刷对密封图案进行印刷后，在100°C干燥90分钟而形成。使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶体管阵列24的结果，制造出了下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管阵列24。(比较例)以下，使用图14，对使用了层叠体I的薄膜晶体管阵列24的比较例进行说明。应予说明，图14是表示比较例的使用了层叠体I的薄膜晶体管阵列24的示意构成的图。 比较例中，如图14中所示，在下部电极4 (栅电极4c、栅配线4d、电容器电极4e、电容器配线4f )上不形成膜厚减少部8，除此以外，使用与上述第三实施例同样的材料和制造方法制造薄膜晶体管阵列24。在下部电极4上不形成膜厚减少部8，使用与上述第三实施例同样的材料和制造方法制造了薄膜晶体管阵列24的结果，出现了在下部电极4与上部电极18之间发生短路的地方。(各实施例与比较例的对比)因此，确认到了在上述第一和第二实施例的薄膜晶体管20以及第三实施例的薄膜晶体管阵列24中，由于在下部电极4上形成有膜厚减少部8，所以在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电，与此相对，在比较例的薄膜晶体管阵列24中，由于在下部电极4上没形成膜厚减少部8，所以在下部电极4与上部电极18之间发生短路。S卩，确认到了通过使用本发明的层叠体1，能够制造在下部电极4与上部电极18之间不发生短路、漏电的薄膜晶体管20、薄膜晶体管阵列24等。
I…层叠体，2…基板,4…下部电极,4a…源电极，4b…漏电极,4c…栅电极,4d…栅配线，4e···电容器电极，4f···电容器配线，6…基础绝缘膜，8…膜厚减少部，10···小孔，12···突起部，14···异物，16···层叠绝缘膜，18···上部电极，18a···源电极，18b···漏电极，18c…源配线，18d···像素电极，20…薄膜晶体管，22…半导体层，24···薄膜晶体管阵列，26···密封层。
权利要求
1.一种层叠体的制造方法，其特征在于，是在形成于基板上的下部电极上形成覆盖该下部电极的基础绝缘膜的层叠体的制造方法，其具有 膜厚减少部形成工序，在所述下部电极中的未被所述基础绝缘膜覆盖的部分形成如下的膜厚减少部该未被覆盖的部分的所述下部电极的膜厚比被所述基础绝缘膜覆盖的部分的所述下部电极的膜厚薄。
2.根据权利要求I所述的层叠体的制造方法，其特征在于，在所述膜厚减少部形成工序中，通过将所述基础绝缘膜作为掩模的蚀刻来形成所述膜厚减少部。
3.根据权利要求2所述的层叠体的制造方法，其特征在于，在所述膜厚减少部形成工序中，在形成了所述基础绝缘膜的至少一部分的状态下，通过将所述基础绝缘膜作为掩模的蚀刻来形成所述膜厚减少部。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的层叠体的制造方法，其特征在于，用湿法形成所述下部电极和所述基础绝缘膜中的至少一方。
5.根据权利要求I 4中任一项所述的层叠体的制造方法，其特征在于，作为所述膜厚减少部形成工序的后续工序具有如下的层叠绝缘膜形成工序在所述基础绝缘膜上形成覆盖该基础绝缘膜和所述膜厚减少部的层叠绝缘膜；作为所述层叠绝缘膜形成工序的后续工序具有如下的上部电极形成工序在所述层叠绝缘膜上形成上部电极，所述上部电极以将所述基础绝缘膜和所述层叠绝缘膜夹在中间的方式与所述下部电极对置。
6.根据权利要求5所述的层叠体的制造方法，其特征在于，用湿法形成所述层叠绝缘膜和所述上部电极中的至少一方。
7.一种层叠体，其特征在于，具备形成在基板上的下部电极和在所述基板上形成于所述下部电极上且覆盖下部电极的基础绝缘膜，其中，所述下部电极具有如下的膜厚减少部所述下部电极中的未被所述基础绝缘膜覆盖的部分的所述下部电极的膜厚比被所述基础绝缘膜覆盖的部分的所述下部电极的膜厚薄。
8.根据权利要求7所述的层叠体，其特征在于，所述层叠体具备如下的层叠绝缘膜形成在所述基础绝缘膜上，覆盖基础绝缘膜和所述膜厚减少部。
9.根据权利要求8所述的层叠体，其特征在于，所述基础绝缘膜和所述层叠绝缘膜由相同材料形成。
10.根据权利要求8或9所述的层叠体，其特征在于，所述层叠体具备如下的上部电极形成在所述层叠绝缘膜上，以将所述基础绝缘膜和所述层叠绝缘膜夹在中间的方式与所述下部电极对置。
11.根据权利要求7 10中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述下部电极由金属或金属氧化物形成。
12.根据权利要求7 11中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述层叠体用于薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的层叠体，其特征在于，所述薄膜晶体管的半导体层由有机半导体形成。
14.根据权利要求7 11中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述层叠体用于电容 器。
15.根据权利要求7 11中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述层叠体用于配线间的交叉部。
16.根据权利要求7 15中任一项所述的层叠体，其特征在于，所述基板具有挠性。
17.根据权利要求16所述的层叠体，其特征在于，所述具有挠性的基板由塑料形成。
全文摘要
本发明提供能够抑制在下部电极与上部电极之间发生短路或漏电的层叠体的制造方法和层叠体。层叠体(1)具备形成在基板(2)上的下部电极(4)和在基板(2)上形成于下部电极(4)上且覆盖下部电极(4)的基础绝缘膜(6)，下部电极(4)具有如下的膜厚减少部(8)下部电极(4)中的未被基础绝缘膜(6)覆盖的部分的下部电极(4)的膜厚比被基础绝缘膜(6)覆盖的部分的下部电极(4)的膜厚薄。
文档编号H01L21/28GK102834914SQ20118001714
公开日2012年12月19日 申请日期2011年3月1日 优先权日2010年3月30日
发明者松原亮平 申请人:凸版印刷株式会社