放射线检测器的制造方法

放射线检测器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种放射线检测器，该放射线检测器防止隔着层间绝缘层互相交叉的电配线彼此之间短路，而防止检测元件发生缺损。根据本发明的结构，为了防止非晶硒层（1）和有源矩阵基板（4）的电配线短路而进行了研究。即，电配线设于非晶硒层（1）的被层厚度较厚的中央部覆盖的位置。通过设为这样的结构，由于电配线能够可靠地与电极层隔离，因此能够提供一种能够经得住长时间使用的放射线检测器。
【专利说明】放射线检测器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于将放射线成像的放射线检测器，特别是涉及一种通过抑制缺损像素的增加而提高了耐久性的放射线检测器。
【背景技术】
[0002]用于使放射线成像的放射线检测器应用于以医疗领域为首的各种领域。对该放射线检测器的具体结构进行说明。如图15所示，以往的放射线检测器60包括：非 晶硒层51， 其用于将放射线转换为电子?空穴的载流子对；高电阻膜52、高电阻膜57，其以覆盖非晶硒层51的两表面的方式层叠；有源矩阵基板54，其与高电阻膜57相接触地设置，在玻璃基板上形成有薄膜晶体管、电配线、层间绝缘层；电极层53，其层叠于高电阻膜52 ;绝缘树脂层 55，其设为覆盖非晶硒层51、高电阻膜52及电极层53 ;以及玻璃板56，其设为覆盖绝缘树脂层55 (详细参照专利文献I、专利文献2、专利文献3、专利文献4)。
[0003]这样的放射线检测器60的两表面由玻璃板覆盖。通过设为这样的结构，放射线检测器60不会因温度变化而翘曲，而能够防止放射线检测器60的内部断裂。
[0004]高电阻膜52不仅具有阻止来自电极层53的电荷的注入的载流子选择性的作用， 还具有将非晶硒层51自绝缘树脂层55隔离的作用。设置绝缘树脂层55的目的在于将电极层53电屏蔽。
[0005]设置配线58的目的在于向放射线检测器60所具有的检测元件分别供给接地的电位。该配线58被高电阻膜52和非晶硒层51自电极层53电隔离。通过设为这样的结构， 使电极层53和配线58之间不发生短路。
[0006]图16表示放射线检测器60的端部。如图16所示，非晶硒层51具有在其端部膜厚变为较薄的端部51a以及膜厚并未变薄的中央部51b。另外，上述配线58还被配置在放射线检测器60的端部。放射线检测器60的端部的配线58设置在相当于非晶硒层51的端部51a的位置。根据以往的结构，高电阻膜52设为还将非晶硒层51的端部51a覆盖。另一方面，在非晶硒层51的端部51a未设有电极层53。
[0007]专利文献I :日本特开2004-228448号公报
[0008]专利文献2 ：日本特开2008-227347号公报
[0009]专利文献3 ：日本特开2009-9941号公报
[0010]专利文献4 :日本特开2004-228448号公报
[0011]然而，在以往的放射线检测器存在以下这样的问题。
[0012]即，根据以往的结构，存在由于不同种类的电配线彼此之间短路而放射线检测器 60发生损坏的问题点。
[0013]在放射线检测器60纵横附设有多种电配线。为了不使这些电配线在配线的交点彼此短路，这些电配线隔着层间绝缘层而绝缘。当配线的交点位于非晶硒层51的膜厚较薄的端部时，在该部分容易发生配线的短路。
[0014]对互相立体交叉的、处于立体交叉的位置关系的两个电配线之间短路的情况进行说明。如图17所示，依次层叠配线58、配线59、非晶硒层51、电极层53。不同种类的配线 58与配线59处于立体交叉的位置关系，且立体交叉。
[0015]在配线58与配线59之间的交叉部，当考虑电极层53与配线58之间的电压时，则认为电压被分配到两个电阻。即，非晶硒层51所形成的第I电阻rl和配线58与配线59 之间的省略了图示的层间绝缘层所形成的第2电阻r2 (参照图17)。
[0016]接着，考虑这两个电阻分配有何种程度的电压。如图17左侧所示，在交叉部存在于非晶硒层51的层厚较厚的部分的情况下，非晶硒层51所形成的电阻的电阻值变得较大， 在第I电阻rI施加较高的电压。与其相对应地，在第2电阻r2上并未施加那么高的电压。
[0017]另一方面，如图17右侧所示，在交叉部存在于非晶硒层51的层厚较薄的部分的情况下，非晶硒层51所形成的电阻的电阻值变得较小。于是，施加于第I电阻rl的电压变得较低。于是，与其相对应地，在第2电阻r2施加更高的电压。另外，在非晶硒层51的层厚较薄的部分，未设有用于供给电压的电极层53，但高电阻膜52具有某种程度的导电性。因而，非晶硒层51在层厚较薄的部分也由电极层53暴露于电场。
[0018]以被夹持在配线58与配线59之间的方式存在的省略了图示的层间绝缘层的绝缘承受性并不是很高。当在配线58与配线59之间的交叉部对层间绝缘层(第2电阻r2)施加较高的电压时，层间绝缘层被破坏，而配线58和配线59之间短路。
[0019]于是，在配线58与配线59之间的短路部发生检测元件的缺损。如图18所示，该检测元件的缺损并不止于放射线检测器60的端部，排列为一列的检测元件会同时缺损，从而呈现为线状的缺损h。线状的缺损的部分已经无法检测放射线。
[0020]这样的线状的缺损h在以放射线检测器60的检测信号为基础生成的放射线图像中呈现为伪影。因而，因不同种类的电配线局部短路而引起线状的伪影呈现在放射线图像。 该线状的伪影成为诊断的障碍。

【发明内容】

[0021]发明要解决的问题
[0022]本发明是鉴于这样的情况而完成的发明，其目的在于提供一种能够防止隔着层间绝缘层互相交叉的电配线彼此之间短路，而能够防止检测元件发生缺损的放射线检测器。
[0023]用于解决问题的方案
[0024]本发明为了解决上述的课题采用以下的结构。
[0025]即，本发明的放射线检测器的特征在于，该放射线检测器依次地层叠有：矩阵基板，其以二维排列且用于自各检测元件读出信号；半导体层，其通过入射放射线而生成载流子；以及电极层，其被施加电压；半导体层具有电极层下的具有层厚的中央部以及厚度比中央部薄的楔形形状的端部，矩阵基板具有分别沿纵向延伸和沿横向延伸的电配线，该电配线处于立体交叉的位置关系，在自半导体层侧看矩阵基板时电配线所重叠的交叉部设于半导体层的被中央部覆盖的位置。
[0026](作用?效果）根据本发明的结构，为了防止不同种类的电配线彼此之间短路而进行了研究。即，电配线的交叉部设于半导体层的被层厚较厚的中央部覆盖的位置。通过设为这样的结构，由于使电配线的交叉部与电极层可靠地隔离，因此互相交叉的电配线不会短路。因而，根据本发明，由于能够防止因不同种类的电配线彼此之间短路而产生的检测元件的缺损，因此能够提供一种能够经得住长时间使用的放射线检测器。
[0027]另外，在上述的放射线检测器中，优选是，电配线为干线配线，该干线配线将电连接于检测元件所具有的电容器的接地电极的总线配线并联连接并供给基准电位。
[0028](作用?效果）上述的结构表示本发明的放射线检测器的具体结构。即，若电极层和将电连接于检测元件所具有的电容器的接地电极的总线配线并联连接并供给基准电位的干线配线构成为利用层厚较厚的半导体层隔绝，则能够防止在放射线检测器中频发的检测元件的缺损的发生。由于干线配线为在放射线检测器中设于最靠周缘部的配线，因此使其他配线可靠地存在于半导体层的层厚较厚的部分。
[0029]另外，本发明的放射线检测器的特征在于，该放射线检测器依次层叠有：矩阵基板，其以二维排列且自各检测元件读出信号；半导体层，其通过入射放射线而生成载流子； 电阻膜，其用于选择性地使载流子通过；以及电极层，其被施加电压；矩阵基板具有分别沿纵向延伸和沿横向延伸的电配线，该电配线处于立体交叉的位置关系，在矩阵基板的端部设有未被电阻膜覆盖的暴露区域，在自半导体层侧看矩阵基板时，电配线所重叠的交叉部避开被电阻膜覆盖的位置而设于上述矩阵基板的暴露区域。
[0030](作用?效果)上述的结构为能够达成本发明的目的的另一种结构。即，容易发生电配线彼此之间的短路的交叉部避开被电阻膜覆盖的位置而设于矩阵基板的暴露区域。由于电阻膜具有选择性地使载流子通过的性质，因此某种程度地具有使电流通过的性质。因而， 在将电配线设置在被电阻膜覆盖的位置时，会发生电流经由电阻膜在电极层到电配线之间流动的现象，而使检测元件发生缺损。根据本发明的结构，由于电配线的交叉部设于矩阵基板的未被电阻膜覆盖的暴露区域，因此电阻膜不存在于电配线的交叉部的位置。通过设为这样的结构，互相交叉的电配线之间不会短路。因而，根据本发明，由于能够防止因电配线彼此之间短路而产生的检测元件的缺损，因此能够提供一种能够经得住长时间使用的放射线检测器。
[0031]另外，优选是，在上述的放射线检测器中，包括覆盖电极层和矩阵基板的暴露区域的环氧树脂层(绝缘层)，电配线的交叉部设于被绝缘层覆盖的位置。
[0032](作用?效果)上述的结构表示本发明的放射线检测器的具体结构。若将电配线的交叉部设置在被绝缘层覆盖的位置，则能够以可靠地避开被电阻膜覆盖的位置的方式设置电配线的交叉部。
[0033]另外，优选是，在上述的放射线检测器中，包括绝缘层，该绝缘层覆盖电极层和矩阵基板的暴露区域，该放射线检测器包括：辅助板，其覆盖绝缘层；以及间隔件，其仿照矩阵基板的周缘部的形状而成为筒状，设为在辅助板的周缘部和矩阵基板的周缘部将辅助板和矩阵基板之间桥接；电配线的交叉部设于被间隔件覆盖的位置。
[0034](作用?效果)上述的结构表示本发明的放射线检测器的具体结构。若将电配线的交叉部设置在被间隔件覆盖的位置，则能够以可靠地避开被电阻膜覆盖的位置的方式设置电配线的交叉部。
[0035]发明的效果
[0036]根据本发明的结构，为了防止电配线彼此之间短路而进行了研究。即，电配线的交叉部设于半导体层的被层厚较厚的中央部覆盖的位置。通过设为这样的结构，由于电配线能够可靠地与电极层隔离，因此电配线彼此之间不会短路。因而，根据本发明，由于能够防
5止因电配线彼此之间短路而产生的检测元件的缺损，因此能够提供一种能够经得住长时间使用的放射线检测器。
【专利附图】

【附图说明】
[0037]图I是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0038]图2是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0039]图3是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的俯视图。
[0040]图4是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的示意图。
[0041]图5是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的示意图。
[0042]图6是用于 说明实施例I的X射线检测器的结构的示意图。
[0043]图7是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的示意图。
[0044]图8是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0045]图9是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0046]图10是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0047]图11是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0048]图12是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0049]图13是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的示意图。
[0050]图14是用于说明实施例I的X射线检测器的结构的剖视图。
[0051]图15是用于说明以往结构的X射线检测器的剖视图。
[0052]图16是用于说明以往结构的X射线检测器的剖视图。
[0053]图17是用于说明以往结构的X射线检测器的剖视图。
[0054]图18是用于说明以往结构的X射线检测器的俯视图。
[0055]附图标记说明
[0056]R、暴露区域；S、干线配线（电配线）；1、非晶硒层(半导体层）；la、端部；lb、中央部；
2、第2高电阻膜（电阻膜）；3、共用电极（电极层）；4、有源矩阵基板(矩阵基板）；5、环氧树脂层(绝缘层）；6、辅助板。
【具体实施方式】
[0057]以下，对本发明的最佳的实施方式进行说明。实施例中的X射线相当于本发明的放射线。
[0058]实施例I
[0059]X射线检测器的整体结构
[0060]如图I所示，实施例I的X射线检测器10具有：有源矩阵基板4，其用于积蓄并读出利用载流子的移动诱发的电荷；非晶硒层1，其用于将X射线转换为载流子对；第2高电阻膜2 ;共用电极3 ;环氧树脂层5，其是常温固化型环氧树脂固化而构成的；以及辅助板6， 其利用玻璃构成。另外，X射线检测器10构成为依次层叠有源矩阵基板4、第I高电阻膜7、 非晶硒层I、第2高电阻膜2、共用电极3、环氧树脂层5及辅助板6。X射线检测器相当于本发明的放射线检测器。
[0061]非晶硒层I相当于本发明的半导体层，第2高电阻膜2相当于本发明的电阻膜。另CN 103534808 A
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外，共用电极3相当于本发明的电极层，有源矩阵基板4相当于本发明的矩阵基板。而且， 环氧树脂层5相当于本发明的绝缘层。
[0062]非晶硒层I利用电阻率在IO9 Q cm以上(优选在IO11 Q cm以上)的高纯度的非晶硒 构成。其层叠方向的厚度为0.2mm?3. 0mm。当X射线入射于该非晶硒层I时，产生空穴和 电子这一对载流子对。由于非晶硒层I放置在较强的电场，因此载流子随着电场而移动，且 向形成于有源矩阵基板4的收集电极4a诱发电荷。
[0063]图2是用于说明非晶硒层I的结构的图。非晶硒层I在端部Ia成为层厚较薄的 楔形形状。这是因为在有源矩阵基板4上沉积形成非晶硒层I时，化合物渗出到掩模的外 侧且粘附在有源矩阵基板4。另一方面，在非晶硒层I中，位于比端部Ia靠非晶硒层I的另 一端侧（内部侧）的中央部Ib的层厚成为并不变薄的平坦部。共用电极3设于非晶硒层I 的中央部lb。若将中央部Ib的平均层厚设为100%，则端部Ia的层厚为0%以上且80%以 下。
[0064]图3是表示了非晶硒层I的端部Ia与中央部Ib的位置关系的俯视图。在成为矩 形的有源矩阵基板4，具有未设有第2高电阻膜2、非晶硒层I及第I高电阻膜7的边框状 的暴露部R。非晶硒层I分为位于有源矩阵基板4的暴露部R的内侧的边框状的端部Ia以 及设于该端部Ia的内侧的中央部lb。
[0065]有源矩阵基板4构成为以二维排列且用于自各检测元件读出信号。对其详情进行 说明。在有源矩阵基板4中，在玻璃基板上形成有用于收集载流子的收集电极4a。收集电 极4a与第I高电阻膜7相接触，并且二维排列在有源矩阵基板4的表面。如图I所示，该 收集电极4a连接于用于积蓄电荷的电容器4c。电容器4c积蓄利用收集电极4a收集的电 荷。电容器4c连接于晶体管4t。该晶体管4t除具有与电容器4c连接的输入端子以外， 还具有用于控制电流的栅极G以及用于读出检测信号的读出电极P。当晶体管4t的栅极G 打开时，积蓄于电容器4c的电荷朝向读出电极P流动。
[0066]二维排列的晶体管4t连接于沿纵横方向以格子状延伸的配线。即，图4中的纵向 排列的晶体管4t的读出电极P连接于所有共用电极放大器Ql?Q4中的任一者，图4中的 横向排列的晶体管4t的栅极G连接于所有共用栅极控制电极Hl?H4中的任一者。栅极 控制电极Hl?H4与栅极驱动器13连接，电极放大器Ql?Q4与放大器阵列14连接。
[0067]对用于读出积蓄于各电容器4c的电荷的结构进行说明。使图4的各电容器4c积 蓄有电荷。栅极驱动器13通过栅极控制电极Hl将晶体管4t同时打开。打开后的横向排 列的四个晶体管4t通过电极放大器Ql?Q4将电荷(原信号）传递到放大器阵列14。
[0068]接着，栅极驱动器13通过栅极控制电极H2将晶体管4t同时打开。这样，栅极驱 动器13按顺序地打开栅极控制电极Hl?H4。每次打开不同行的晶体管4t。这样，FPD4构 成为逐行读出积蓄于各电容器4c的电荷。
[0069]在放大器阵列14中，在各电极放大器Ql?Q4设有用于放大信号的放大器。自电 极放大器Ql?Q4输入到放大器阵列14的原信号在此以预定放大率被放大。图像生成部 15以自放大器阵列14输出的原信号为基准生成X射线透视图像。
[0070]收集电极4a、电容器4c及晶体管4t构成用于检测X射线的检测元件。检测元件 在有源矩阵基板4形成例如以3072X3072的长宽排列的二维矩阵。
[0071]共用电极3利用金构成，设置共用电极3的目的在于借助第2高电阻膜2对非晶
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硒层I施加偏置电压。如图I所示，共用电极3连接于节点3a。通过对节点3a供给高电 位，而在共用电极3施加有电位，例如施加有IOkV的正偏置电压。
[0072]第I高电阻膜7和第2高电阻膜2例如由Sb2S3构成，为选择性地使电子或空穴中 的任一者通过的膜。其膜厚为0. Iiim?5iim水平，电阻率在IO9Qcm以上。
[0073]图5是用于说明干线配线（CS干线配线）S的图。如图5所示，干线配线S配线为 在检测元件4a、4c、4t的矩阵排列的两端沿纵向延伸。而且，在横向排列的检测元件4a、4c、 4t分别设有沿横向延伸的总线配线b，干线配线S将各个总线配线b并联连接地构成，干线 配线S的粗细大于总线配线b的粗细。总线配线b电连接于图I中的电容器4c的接地电 极GND。在干线配线S施加有接地电位等基准电位。干线配线S也相当于本发明的电配线。
[0074]对电配线的交叉部进行说明。图6表示沿横向延伸的总线配线b与沿纵向延伸的 电极放大器Q的配线之间相交叉的状态。如图6所示，总线配线b与在有源矩阵基板4的 上层部配置的电极放大器Q的配线（图6中利用虚线表示）立体交叉，各配线处于立体交叉 的位置关系。将在自非晶硒层I看有源矩阵基板4时两配线Q、b重叠的交叉点称为交叉部 Dl。由于两配线Q、b立体交叉，因此两配线Q、b的交叉部Dl成为两配线Q、b互相最接近 的地点。该交叉部Dl在各个以沿纵向排列的方式配置的多个总线配线b与以沿横向排列 的方式配置的多个电极放大器Q的配线之间都能够看到，在自非晶硒层I看有源矩阵基板 4时,交叉部Dl配置为二维矩阵状。
[0075]将彼此在横向相邻的交叉部Dl之间的宽度设为W2。该宽度W2成为与检测元件的 排列间距相同的宽度。将干线配线S与自横向与该干线配线S相邻的交叉部Dl之间的宽 度设为W1。该宽度Wl不受检测元件的排列间距限制，能够自由地进行设计变更。
[0076]进一步对电配线的交叉部进行说明。图7表示沿横向延伸的栅极控制电极H的配 线与沿纵向延伸的干线配线S之间相交叉的状态。如图7所示，干线总线配线Sb与配置在 有源矩阵基板4的上层部的栅极控制电极H的配线（图7中利用虚线表示）立体交叉，各配 线处于立体交叉的位置关系。在自非晶硒层I看有源矩阵基板4时，将两配线H、Sb重叠的 交叉点称为交叉部D2。由于两配线H、Sb立体交叉，因此，两配线H、Sb的交叉部D2成为两 配线H、Sb互相最接近的地点。该交叉部D2在各个以沿横向排列的方式配置的多个栅极控 制电极H的配线与以沿纵向延伸的配置的干线配线S之间都能够看到，在自非晶硒层I看 有源矩阵基板4时，交叉部D2沿纵向排列。
[0077]绝缘性的环氧树脂层5设为将共用电极3覆盖。通过使环氧树脂层5覆盖共用电 极3，能够封锁共用电极3的高电位。环氧树脂层5设为还将使用图3说明的有源矩阵基板 4的边框状的暴露部R覆盖。
[0078]也就是说，环氧树脂层5在X射线检测器10的周缘部还覆盖第2高电阻膜2、非晶 硒层I及第I高电阻膜7的侧端。因而，在X射线检测器10的周缘部，环氧树脂层5成为 与有源矩阵基板4相接触。也就是说，共用电极3、第2高电阻膜2、非晶硒层I及第I高电 阻膜7被有源矩阵基板4和环氧树脂层5密封。换言之，共用电极3、第2高电阻膜2、非晶 硒层I及第I高电阻膜7的侧端利用环氧树脂层5覆盖。通过这样，能够防止由施加于共 用电极3的电压导致的沿未密封的侧端向外部放电的沿面放电。
[0079]辅助板6为绝缘性的玻璃制的板，面向环氧树脂层5。辅助板6的厚度为0. 5mm?
1.5mm。辅助板6的热膨胀系数为与有源矩阵基板4的热膨胀系数相同的水平。通过这样，
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在外界气温的变化时，辅助板6和有源矩阵基板4相同地伸缩。于是，X射线检测器10整 体不会根据外界气温的变化而翘曲，而能够防止各层的断裂。
[0080]间隔件8仿照有源矩阵基板4的周缘部的形状而成为方筒状，设为在辅助板6的 周缘部和有源矩阵基板4的周缘部将辅助板6和有源矩阵基板4之间桥接。间隔件8的一 端的开口部抵接于有源矩阵基板4，另一端的开口部抵接于辅助板6。这样，间隔件8设为 将源矩阵基板4和辅助板6之间桥接，间隔件8的开口的内部存在共用电极3、第2高电阻 膜2、非晶硒层I、第I高电阻膜7及环氧树脂层5。
[0081]图8为X射线检测器10的端部的剖视图，用于说明本发明的特征性的结构。即， 如图8所示，沿有源矩阵基板4的周缘的一边设置的干线配线S与栅极控制电极H之间的 交叉部D2设于有源矩阵基板4的被非晶硒层I的中央部Ib覆盖的位置。即，交叉部D2避 开被端部Ia覆盖的位置，而设于被中央部Ib覆盖的位置。
[0082]通过设为这样的结构，设于共用电极3与干线配线S之间的非晶硒层I的膜厚成 为足够用于防止两配线H、S之间短路的膜厚。由于干线配线S设于离开非晶硒层I的端部 的位置，因此，不会发生电流在第2高电阻膜2、第I高电阻膜7传导而流入两配线H、S之 间的情况。
[0083]这样的结构并不限定于交叉部D2。即，位于有源矩阵基板4的周缘部的两配线Q、 b之间的交叉部Dl也避开被端部Ia覆盖的位置而设于被中央部Ib覆盖的位置。在有源矩 阵基板4存在各种配线的交叉部。其中，干线配线S和栅极控制电极H的配线之间的交叉 部D2位于有源矩阵基板4的距周缘部最近的位置。若通过将交叉部D2设在被非晶硒层I 的中央部Ib覆盖的位置，则能够使比交叉部D2更位于有源矩阵基板4的内侧的交叉部Dl 可靠地位于非晶硒层I的中央部lb。由此，不仅能够在交叉部D2防止配线的短路，还能够 在交叉部Dl防止配线的短路。
[0084]图9是X射线检测器10的端部的剖视图，表示与图8不同的另一种结构。即，图 9中的在有源矩阵基板4的周缘沿其一边设置的干线配线S与栅极控制电极H的配线的交 叉部D2避开被第2高电阻膜2、第I高电阻膜7覆盖的位置而设于相当于有源矩阵基板4 的暴露部R的位置。另一方面，如图8所示，两配线Q、b的交叉部Dl避开被端部Ia覆盖的 位置而设于被中央部Ib覆盖的位置。由此，两配线Q、b不会短路。
[0085]通过设为这样的结构，由于干线配线S设于离开非晶硒层I的端部的位置，因此不 会发生电流在第2高电阻膜2、第I高电阻膜7传导而流入两配线H、S之间的情况。
[0086]该暴露部R被环氧树脂层5或间隔件8覆盖。图10表示交叉部D2设于被环氧树 脂层5覆盖的位置的例子，图11表示交叉部D2设于被间隔件8覆盖的位置的例子。在任 一情况下，都能实现利用图9所说明的结构。如利用图6所说明的那样，由于能够自由地变 更交叉部Dl与干线配线S之间的宽度W1，因此能够容易地实现图9、图10这样的结构。
[0087]图8、图9所示的两个结构虽然设有干线配线S的位置是不同的，但在任一结构中， 都能够防止栅极控制电极H的配线与干线配线S之间的短路，能够防止在X射线图像中产 生线状的伪影。
[0088]图12表示本发明的与图9类似的结构。S卩，图12的非晶硒层I的端部Ia较大地 向有源矩阵基板4的外侧扩展。在图12中，有源矩阵基板4的未被非晶硒层I覆盖的区域 过于狭窄，而无法在未被非晶硒层I覆盖的区域设置干线配线S。
9[0089]在该情况下，如图12所示，第I高电阻膜7形成为不覆盖所有非晶硒层I的端部。 于是，如图12所示，非晶硒层I的端部自第I高电阻膜7暴露。而且，干线配线S避开被第 I高电阻膜7覆盖的位置而设于有源矩阵基板4的暴露区域R。交叉部D2也设于暴露区域 R0在该情况下的暴露区域R指的是自第I高电阻膜7暴露，并不是指自非晶硒层I暴露。 未图示的交叉部Dl设于被非晶硒层I的中央部Ib覆盖的位置。
[0090]由于通过实验确认出根据这样的图12的结构也能够获得本发明的效果，因此对该结果进行说明。图13表示实际测量出的在基板上沉积了的非晶硒层I的端部的膜厚的结果。如图13所示，由非晶硒组成的厚度为0 y m以上且5 u m以下的较薄层存在于基板的较广的范围内。对在该5 um以下的较薄层的部分设置了干线配线S的情况下的X射线检测器10进行了耐久试验。
[0091]表1
[0092]
【权利要求】
1.一种放射线检测器，其特征在于，该放射线检测器依次层叠有：矩阵基板，其以二维排列且用于自各检测元件读出信号；半导体层，其通过入射放射线而生成载流子；以及 电极层，其被施加电压；上述半导体层具有：上述电极层下的具有层厚的中央部；以及 厚度比上述中央部薄的楔形形状的端部；上述矩阵基板具有分别沿纵向延伸和沿横向延伸的电配线，该电配线处于立体交叉的 位置关系，在自上述半导体层侧看上述矩阵基板时，上述电配线所重叠的交叉部设于上述半导体 层的被上述中央部覆盖的位置。
2.根据权利要求I所述的放射线检测器，其特征在于，上述电配线为干线配线，该干线配线将电连接于检测元件所具有的电容器的接地电极 的总线配线并联连接并供给基准电位。
3.一种放射线检测器，其特征在于，该放射线检测器依次层叠有：矩阵基板，其以二维排列且自各检测元件读出信号；半导体层，其通过入射放射线而生成载流子；电阻膜，其用于选择性地使载流子通过；以及 电极层，其被施加电压；上述矩阵基板具有分别沿纵向延伸和沿横向延伸的电配线，该电配线处于立体交叉的 位置关系，在上述矩阵基板的端部设有未被上述电阻膜覆盖的暴露区域，在自上述半导体层侧看上述矩阵基板时，上述电配线所重叠的交叉部避开被上述电阻 膜覆盖的位置而设于上述矩阵基板的暴露区域。
4.根据权利要求3所述的放射线检测器，其特征在于，上述电配线为干线配线，该干线配线将电连接于检测元件所具有的电容器的接地电极 的总线配线并联连接并供给基准电位。
5.根据权利要求3或4所述的放射线检测器，其特征在于，该放射线检测器包括绝缘层，该绝缘层覆盖上述电极层和上述矩阵基板的暴露区域， 上述电配线的交叉部设于被上述绝缘层覆盖的位置。
6.根据权利要求3或4所述的放射线检测器，其特征在于，该放射线检测器包括绝缘层，该绝缘层覆盖上述电极层和上述矩阵基板的暴露区域， 该放射线检测器包括：辅助板，其覆盖上述绝缘层；以及间隔件，其仿照上述矩阵基板的周缘部的形状而成为筒状，设为在上述辅助板的周缘 部和上述矩阵基板的周缘部将上述辅助板和上述矩阵基板之间桥接；上述电配线的交叉部设于被上述间隔件覆盖的位置。2
【文档编号】H01L27/146GK103534808SQ201180070671
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2011年5月30日 优先权日:2011年5月30日
【发明者】佐藤贤治, 辻久男 申请人:株式会社岛津制作所