专利名称：发光装置以及发光装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及利用了各种发光元件的发光装置以及发光装置的制造方法。
背景技术：
近年来,在基板上形成有机EL (Electroluminescence :电致发光)元件作为发光元件、并将发光元件的发出光从与基板相反侧引出的顶部发光方式的发光装置作为电子设备的显示装置等被广泛使用。顶部发光方式是在隔着发光元件，形 成于基板侧的ー个第I电极(例如阳极)和基板之间形成反射层，从隔着发光元件的另ー个第2电极(例如阴极)侧引出光的方式，是光的利用效率高的方式。并且，在顶部发光方式的发光装置中，公开有使用白色的有机EL元件，在上述第2电极与反射层之间使规定波长的光谐振，提高光的引出效率的技术(例如专利文献I)。在该技术中、利用基板侧的透明膜或者作为上述第I电极的透明导电膜，调整各个红色发出光、绿色发出光以及蓝色发出光各自的谐振长度。因此，在该方式中像素周边容易产生阶梯差，在该处的有机EL元件的膜厚变薄，有时会有电流过剩地流动。因此，为了消除该阶梯差，一般形成限定像素的绝缘膜。并且，若透明膜或透明导电膜的阶梯差过高，则有机EL元件以及在其上形成的第2电极有可能产生阶梯状断开。因此，通过使透明膜或透明导电膜的图案位置阶梯状地错开，尽量减小阶梯差，而确保有机EL元件以及第2电极的导通。专利文献I :日本专利第2797883号但是，若如上述将透明膜或透明导电膜的图案位置阶梯状地错开，并且形成绝缘膜，则产生由于将图案位置错开而与其对应的开ロ面积变小这ー问题。
发明内容
以这样的情况为背景，本发明的目的在于解决在将白色的有机EL元件与谐振构造组合的顶部发光方式的发光装置中，防止电流过剩地流向有机EL元件，以及有机EL元件与第2电极的阶梯状断开，并且抑制开ロ面积减少这ー课题。为了解决以上的课题，本发明所涉及的发光装置的特征在于，具备基板；形成干上述基板上的光反射层；形成于上述光反射层上的透过膜；形成于上述透过膜上的发光层；以及形成于上述发光层上的电极，该发光装置具有通过上述透过膜调整了上述光反射层与电极之间的光路长度的谐振构造，并且形成有矩形的开ロ区域，上述透过膜在上述矩形的开ロ区域的至少ー边以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形，在其他边中以端面一致的方式进行图案成形。在本发明中，在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，透过膜以阶梯状地错开位置的方式被图案成形。因此，由于透过膜的阶梯差变小，发光层的膜厚不变薄，电流不会过剩地流向发光层。并且因为透过膜的阶梯差小，所以不会引起发光层与电极的阶梯状断开，能够确保对于电极的导通。并且在上述ー边以外的其他边中，透过膜以端面一致的方式进行图案成形。因此能够減少与发光无关的区域，增大开ロ面积。作为本发明所涉及的发光装置，也能够按每个发光元件具备上述光反射层以及透过膜，将上述透过膜阶以梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述矩形的开ロ区域的至少ー边是在发光元件中相同侧的ー边。本发明所涉及的发光装置中，上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述矩形的开ロ区域的至少ー边是在发光元件中相同侧的ー边，所以在上述相同侧的ー边能够设置接触孔，在设计上有利。 本发明所涉及的发光装置也能够用绝缘层覆盖上述透过膜的端部。由此，減少因透过膜造成的阶梯差，能够不减少开ロ面积，而防止电流过剩地流向发光层以及产生发光层与电极的阶梯状断开。本发明涉及的所发光装置也能够在图案端的内侧用绝缘层覆盖上述透过膜。由此減少因透过膜造成的段差，能够不减少开ロ面积，而防止电流过剩地流向发光层。本发明所涉及的发光装置也能够在上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述ー边侧，使设置于上述基板侧的驱动元件与上述电极电导通。因此，能够增大开ロ面积，并且可靠地驱动发光装置。本发明所涉及的发光装置也能够在以上述透过膜的端面一致的方式进行了图案成形的上述其他边，设置于上述基板侧的驱动元件与电极没有电导通。因此能够增大开ロ面积。本发明所涉及的发光装置，也能够使上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述ー边，比以上述透过膜的端面一致的方式进行了图案成形的其他边的长度短。因此能够极カ减少与发光无关的区域并增加开ロ面积。本发明所涉及的发光装置也能够在比上述其他边短的对置的两边，将上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形。因此，即使在高精度的发光装置中，也不会使开ロ面积减少，能够可靠地驱动。本发明所涉及的发光装置也能够使上述透过膜为透明导电膜。并且，也能够使上述透过膜为绝缘体。本发明所涉及的发光装置的制造方法的特征在于，具备在基板上形成光反射层的エ序；在上述光反射层上形成透过膜的エ序；在上述透过膜上形成发光层的エ序；以及在上述发光层上形成电极的エ序，上述发光装置具有通过上述透过膜调整了上述光反射层与电极之间的光路长度的谐振构造，形成有矩形的开ロ区域，并且该发光装置的制造方法具备在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，将上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形的エ序；在上述矩形的其他边，将上述透过膜以端面一致的方式进行图案成形的ェ序。在本发明中，在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形。因此，由于透过膜的阶梯差变小、发光层的膜厚不变薄，所以电流不过剩地流向发光层。并且，因为透过膜的阶梯差小，所以发光层与电极不产生阶梯状断开，能够确保对电极的导通。并且，在上述ー边以外的其他边，透过膜以端面一致的方式进行图案成形。所以能够减少与发光无关的区域，增加开ロ面积。本发明所涉及的发光装置也能够在透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的ー边，形成使透明膜与驱动元件电导通的接触孔。因此能够有效利用与发光无关的区域。本发明所涉及的发光装置的制造方法，还具备按每个发光元件形成上述光反射层以及透过膜的エ序，作为在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，将上述透过膜以阶梯状错开位置的方式进行图案成形的エ序，是在发光元件中相同侧的ー边，将上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形的エ序。在本发明所涉及的发光装置中，因为上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述矩形的开ロ区域的至少ー边是在发光元 件中相同侧的ー边，所以能够在上述相同侧的ー边设置接触孔，在设计上有利。
图I是表示本发明的ー实施方式所涉及的发光装置中红色发光元件的构造的俯视图。图2是图I中的y-y’方向的剖视图。图3是图I中的x-x’方向的剖视图。图4是在绝缘膜以及基板侧电极上形成了有机EL元件和光引出侧电极的状态的图I中的y-y’方向的剖视图。图5是在绝缘膜以及基板侧电极上形成了有机EL元件和光引出侧电极的状态的图I中的x-x’方向的剖视图。图6是表示对比例的发光装置的构造的剖视图。图7是表示在图6的发光装置中形成了有机EL元件和光引出侧电极的状态的剖视图。图8是表示对比例的发光装置的各色的开ロ区域的俯视图。图9是表示本实施方式的发光装置的各色的开ロ区域的俯视图。图10是表示对比例的发光装置的各色的开ロ区域的俯视图。图11是表示本实施方式的发光装置的开ロ率的计算结果的图表。图12是表示对比例的发光装置的开ロ率的计算结果的图表。图13是表示本发明的应用例的发光装置中的红色发光元件的构造的俯视图。图14是表示利用了本发明的发光装置的电子设备的一例的立体图。图15是表示利用了本发明的发光装置的电子设备的一例的立体图。图16是表示利用了本发明的发光装置的电子设备的一例的立体图。
具体实施例方式以下參照附图对本发明所涉及的各种各样的实施方式进行说明。在附图中，各部分的尺寸比例与实际的产品有一定差异。A :实施方式A-I :发光装置的构造图I是表示本发明的ー实施方式所涉及的发光装置中的红色发光元件的构造的俯视图。图2是图I中的y-y’方向的剖视图。图3是图I中的x-x’方向的剖视图。图4是在绝缘膜以及基板侧电极上形成了有机EL元件和光引出侧电极的状态的图I中的y-y’方向的剖视图。图5是在绝缘膜以及基板侧电极上形成了有机EL元件和光引出侧电极的状态的图I中的x-x’方向的剖视图。本实施方式的发光装置为发光元件排列在未图示的基板面上的构成。各发光元件是产生与多个色彩(红色·緑色·蓝色)中的任意一个对应的波长的光的要素。在本实施方式中，为了简化说明，对射出红色光的发光元件的构造进行说明。本实施方式的发光装置是由各发光元件产生的光向与基板相反侧前进的顶部发光型。因此，除了采用玻璃等具有透光性的板材之外，可以采用陶瓷或金属板等不透明的板材作为基板。在基板上设置有未图示的器件层，该器件层上形 成有作为驱动元件的TFT、保持电容，器件层的整个表面通过由SiO2或SiN构成的平坦化膜10进行了平坦化。平坦化膜10的表面侧的内部设置有反射膜11。反射膜11由具有光反射性的材料形成。作为这种材料优选采用例如铝或银等単一金属，或以铝或银为主要成分的合金等。在平坦化膜10上设置有由SiO2或SiN构成的透明膜12。与未图示的TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶体管)的电极连接的配线20经由以贯通平坦化膜10以及透明膜12的方式形成的接触孔13与基板侧电极14连接。基板侧电极14为阳极，形成于反射膜11上的位置。基板侧电极14由IT0(indiumtin oxide :铟锡氧化物)、IZO(indium zinc oxide :铟锌氧化物、出光兴产株式会社的注册·商标)、或ZNO2这样的透明氧化物导电材料形成。形成于红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件的基板侧电极14分别具有不同的构成。形成于在本实施方式说明的红色发光元件的基板侧电极14由透明导电膜14a、14b、14c这3层透明导电膜构成。虽然在图2以及图3未图示，但形成于绿色发光元件的基板侧电极14由透明导电膜14b、14c这2层透明导电膜构成，形成于蓝色发光元件的基板侧电极14由I层透明导电膜14c构成。像这样，在本实施方式中通过层叠透明导电膜来在基板侧调整谐振长度。基板侧电极14的端部如图4所示，被由SiO2或SiN构成的绝缘膜15覆盖，并且其上面形成有机EL层16。有机EL层16以覆盖基板侧电极14的方式形成。S卩，有机EL层16在多个发光元件上连续，针对多个发光元件，有机EL层16的特性通用。虽然省略详细的图示，有机EL层16由形成于基板侧电极14上的空穴注入层、形成于空穴注入层上的空穴输送层、形成于空穴输送层上的发光层、形成于发光层上的电子输送层、和形成于电子输送层上的电子注入层构成。另外，也能够将空穴注入层以及空穴输送层以兼有空穴注入层和空穴输送层的功能的単一的层形成。发光层由电子与空穴结合而发光的有机EL物质形成。在本实施方式中有机EL物质为低分子材料。作为发光层的基质材料使用出光兴产株式会社制造的商品名“BH-232”，在该基质材料中，混合有红色、緑色、蓝色的掺杂物。在本实施方式中，作为红色掺杂物的材料使用出光兴产株式会社制造的商品名“ RD-001”，作为绿色掺杂物的材料使用出光兴产株式会社制造的商品名“⑶-206”，作为蓝色掺杂物的材料使用出光兴产株式会社制造的商品名 “BD-102”。在本实施方式中，电子输送层由Alq3(三(8_羟基喹啉)铝配合物)形成。并且电子注入层由LiF(氟化锂)形成。另外也能够将电子输送层以及电子注入层以兼有电子注入层和电子输送层的功能的単一的层形成。
图4所示的光引出侧电极17为阴扱，以覆盖有机EL层16的方式形成。即光引出侧电极17在多个发光元件上连续。光引出侧电极17作为具有使到达其表面的光的一部分透过并且使其他的一部分反射的性质(即半透过反射性)的半透过反射层起作用，例如由镁或银等単一金属，或以镁或银为主要成分的合金形成。在本实施方式中光引出侧电极17由MgAg(镁银合金)形成。在本实施方式所涉及的发光装置中，形成有在反射膜11与光引出侧电极17之间使有机EL层16发出的光谐振的谐振器构造。即，有机EL层16发出的光在反射膜11与光引出侧电极17之间往复，通过谐振加强特定的波长的光井使之透过光引出侧电极17向观察侧(图2、图4的上方)前进(顶部发光)。 调整各发光元件中的基板侧电极14的膜厚，以使得在红色发光元件中由有机EL层16发出的光中红色被加强，在绿色发光元件中绿色被加强，在蓝色发光元件中蓝色被加強。虽然在图I至图5未图示，但以覆盖光引出侧电极17的方式形成有应カ缓和层。应カ缓和层由具有光透过性以及耐湿性并且比光引出侧电极17柔软的材料形成。应カ缓和层由与有机EL层16中的电子注入层相同的材料形成，例如由LiF、Li02、Liq、Mg0、MgF2、CaF2> SrF2> NaF> WF中的任意ー种形成。并且，在光引出侧电极17上形成有由无机材料构成的未图示的钝化层，其是用于防止水或外界气体侵入发光元件的保护层。钝化层由氮化硅或氮氧化硅等气体透过率低的无机材料构成。而且，在本实施方式中，以与多个发光元件对置的方式配置有未图示的第2基板。第2基板由玻璃等具有透光性的材料形成。在第2基板中的与形成有上述平坦化膜10的基板的对置面形成有滤色片以及遮光膜。遮光膜是与各发光元件对应地形成有开ロ的遮光性的膜体。在开口内形成有滤色片。在本实施方式中，在与红色发光元件对应的开口内形成有选择性地使红色光透过的红色用滤色片，在与绿色发光元件对应的开口内形成有选择性地使緑色光透过的绿色用滤色片，在与蓝色发光元件对应的开ロ 36内形成有选择性地使蓝色光透过的蓝色用滤色片。形成有滤色片以及遮光膜的第2基板隔着未图示的密封层与形成有上述的平坦化膜10的基板贴合。密封层由透明的树脂材料，例如环氧树脂等硬化树脂形成。以上是本实施方式的发光装置的构造。A-2 :透明导电膜的图案成形接下来，对本实施方式中的基板侧电极14的透明导电膜的图案成形进行说明。将透明导电膜层叠而通过膜厚调整谐振长度的情况下，因透明导电膜的层叠在像素周边部分会产生大的阶梯差。在该状态下若将有机EL层和光引出电极成膜，则在成膜后产生阶梯状断开。因此为了防止这样的阶梯状断开，执行如图6所示将各个透明导电膜的图案位置阶梯状地错开形成。因此像素周边部分的阶梯差变小，能够防止有机EL层和光引出电极的成膜后的阶梯状断开。并且，如上述将图案位置阶梯状地错开的透明导电膜的阶梯差露出，则形成于其上的有机EL层的膜厚变薄，过剩的电流会流向该处。并且反射膜的宽度比最下层的透明导电膜的宽度形成得宽。在反射膜的上方形成有适当调整膜厚的透明导电膜处，以适当的颜色进行发光。但是，在反射膜向最下层的透明导电膜的外侧露出部分的上方因为不存在透明导电膜所以发出不期望的顔色。因此、为了将如上述那样的透明导电膜的阶梯差露出处覆盖，并且将反射膜的上方的不存在透明导电膜的区域覆盖，所以如图6所示在透明导电膜的端部设置绝缘膜。这样做的话，如图7所示，能够不引起阶梯状断开，而形成有机EL层和光引出侧电扱。但是，将图案位置错开地层叠的透明导电膜中被绝 缘膜覆盖的区域，如图8所示不參与发光，其结果是开ロ面积变小。因此，本实施方式中，如图I、图2以及图4所示，对于发光元件的短边侧的ー边而言，将透明导电膜14a、14b、14c的图案位置阶梯状地错开而形成透明导电膜14a、14b、14c，对于其他边，如图I至图5所示，以透明导电膜14a、14b、14c的端面一致的图案位置，形成透明导电膜14a、14b、14c。其结果，至少在发光元件的短边侧的ー边，像素周边部分的阶梯差变小，不会引起阶梯状断开，向有机EL层16以及光引出侧电极17的导通变得可能。并且，在其他边，因为透明导电膜14a、14b、14c的端面一致，所以能够减少不參与发光的区域的面积，扩大开ロ面积。并且，在本实施方式的发光元件中，如图2以及图4所示、虽然有形成接触孔13的必要，但是该接触孔13设置于将图案位置阶梯状地错开而形成透明导电膜的ー边侧(參照图9)。将图案位置阶梯状地错开而形成透明导电膜后，在其上形成绝缘膜的区域原来就是不參与发光的区域，因此即使将接触孔13设置于该区域对于发光也不会带来障碍。并且，在本实施方式中，在红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件中，分别在相同侧的短边侧的一边设置有将图案位置阶梯状地错开而形成透明导电膜的区域，所以在任ー发光元件的相同侧都能够形成接触孔13，在设计上有利。而且，如果形成接触孔13则有产生阶梯差的情况，但是由于如上述将透明导电膜的图案位置错开地形成阶梯形状，本实施方式的接触孔13形成在设置绝缘膜的区域，所以能够防止电流集中。A-3:开ロ率的提高接下来，对于在本实施方式中开ロ率提高到怎样的程度进行说明。图9是本实施方式的发光装置的例子。即，分别在红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件中的相同侧的短边侧的一边将图案位置阶梯状地错开而形成透明导电膜，对于其他边，以端面一致的图案位置形成透明导电膜。另ー方面，图10是在图6至图8那样的红色发光元件、绿色发光素子以及蓝色发光元件的各边将透明导电膜的图案位置错开地形成的例子。为了简化说明，在图9以及图10中不考虑接触孔的区域。为了计算像素开ロ率，将I像素宽度定义为3x，子像素间距定义为X、最小加工尺寸定义为I。各个开ロ部的面积如下。图9 (本实施方式)的情况下，A 处的面积SA = (3x_2*2y) (x_2*2y)B 处的面积SB = (3x_(2+3)y) (x_2*2y)C 处的面积SC = (3x-(2+4) y) (x_2*2y)(其中 x > 2*4y)。图10 (对比例)的情况下，
A 处的面积SA = (3x_2*2y) (x_2*2y)B 处的面积SB = (3x_2*3y) (x_2*3y)C 处的面积SC = (3x_2*4y) (x_2*4y)(其中，x > 2*4y)。使子像素间距X在I 5 μ m的范围内变化，并使最小加工尺寸y在O. I O. 5 μ m的范围内变化，计算开ロ率((SA+SB+SC)/3x2)而得的结果如图11和图12的图表所示。图11与图9 (本实施方式)的情况对应，图12与图10 (对比例)的情况对应。
对比图11与图12则可以清楚了解到本实施方式中开ロ率取较大值。例如，在子像素间距X为3. O μ m、最小加工尺寸y为O. 2 μ m的情况下，相对于对比例中52. 40%的开ロ率，在本实施方式中为65. 19%，有10%以上的差。如上所述，根据本实施方式，分别在红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件中的相同侧的短边侧的一边将图案位置阶梯状地错开而形成透明导电膜。其结果是通过減少透明导电膜的阶梯差，能够防止电流过剩地流向有机EL层。并且因为阶梯差小，所以不会引起有机EL层以及光引出侧电极的阶梯状断开，能够确保对有机EL层以及光引出侧电极的导通。并且，对于上述短边侧的ー边以外的边因为以端面一致图案位置形成透明导电膜，所以能够扩大开ロ面积，増加开ロ率。因此能够提高有机EL层的亮度寿命。B :应用例图13是表示本发明的实施方式的应用例所涉及的发光装置的构造的图。如图13所示，也可以在发光元件的两个短边侧将图案位置错开而阶梯状地形成透明导电膜，对于其他边以端面一致的图案位置形成透明导电膜。在发光元件的最小加工尺寸与像素间距接近的高精度的有机EL显示器中，面板尺寸也小，例如I英寸以下。因此光引出电极需要的电阻值为IOnm左右的金属膜的电阻值就足够，例如，是10 50Ω/ロ。因此可以认为不需要所谓的辅助配线。但是，上述的实施方式的发光装置中，虽然在阶梯状地形成透明导电膜的区域中确保对于光引出电极的导通，但是在与该区域对置的短边的区域不能确保导通。因此对于该不能确保导通的区域中的光引出电极，有在长边侧的细长区域内设置细的配线的必要，电阻值会变大。其结果、会发生显示不均。因此、在该应用例中，在发光元件两侧的短边侧将图案位置错开而阶梯状地形成透明导电膜，对于其他边在端面一致的图案位置形成透明导电膜。因此，开ロ面积不会极端地減少，能够在两侧的短边侧确保对光引出电极的导通。其結果，能够在EVF(ElectricView Finder :电子取景器)或HMD (Head Mount Display :头戴式显示器)等那样高精度的有机EL显示器中应用本发明。另外，在上述地实施方式以及应用例中，对通过调整基板侧电极的透明导电膜的膜厚来调整谐振长度的例子进行了说明，但是本发明并不限定于此。也可以通过调整作为透明导电膜的下层而形成的透明膜的膜厚来调整谐振长度。C 电子设备接下来对应用了上述的实施方式以及应用例所涉及的发光装置I的电子设备进行说明。图14表示应用了发光装置I的便携型的个人电脑的构成。个人电脑2000具备作为显示单元的发光装置I和主体部2010。在主体部2010设置有电源开关2001以及键盘2002。
图15表示应用了发光装置I的便携式电话机的构成。便携式电话机3000具备多个操作按钮3001、滚动按钮3002以及作为显示単元的发光装置I。通过操作滚动按钮3002使显示于发光装置I的画面滚动。图16表示应用了发光装置I的移动信息终端(PVA personal VigitalAssistants)的构成。移动信息终端4000具备多个操作按钮4001、电源开关4002以及作为显示単元的发光装置I。若操作电源开关4002则使通信簿或行程表这样的各种信息显示于发光装置I。另外，作为应用发光装置I的电子设备，除了图14 16所示的电子设备之外，还可以举出数码照相机、液晶电视、取景器型、监视器直视 型的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事簿、计算器、文字处理机、工作站、可视电话、POS終端、具有触摸面板的设备、以及电子纸等。并且作为这些各种电子设备的显示部，能够应用上述的发光装置。符号说明10...平坦化基板；11...反射膜；12...透明膜；13...接触孔；14...基板侧电极；14a，14b，14c...透明导电膜；15...绝缘膜；16...有机EL层；17...光引出侧电极。
权利要求
1.一种发光装置，其特征在于，具备 基板； 形成于上述基板上的光反射层； 形成于上述光反射层上的透过膜； 形成于上述透过膜上的发光层；以及 形成于上述发光层上的电极， 该发光装置具有通过上述透过膜调整了上述光反射层与电极之间的光路长度的谐振构造，并且形成有矩形的开ロ区域， 上述透过膜在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形，在其他边，以端面一致的方式进行图案成形。
2.根据权利要求I所述的发光装置，其特征在干， 按每个发光元件具备上述光反射层以及透过膜，上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述矩形的开ロ区域的至少ー边是在发光元件中相同侧的ー边。
3.根据权利要求I或2所述的发光装置，其特征在干， 上述透过膜的端部被绝缘层覆盖。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在干， 上述透过膜在图案端的内侧具有被绝缘层覆盖的区域。
5.根据权利要求I至4中任一项所述的发光装置，其特征在于，在上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述一边侧，设置于上述基板侧的驱动元件与上述电极电导通。
6.根据权利要求I至4中任一项所述的发光装置，其特征在干， 在以上述透过膜的端面一致的方式进行了图案成形的上述其他边侧，设置于上述基板侧的驱动元件与电极没有电导通。
7.根据权利要求I至6中任一项所述的发光装置，其特征在干， 上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述一边比以上述透过膜的端面一致的方式进行了图案成形的其他边的长度短。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在干， 在比上述其他边的长度短的对置的两边，上述透过膜以阶梯状地错开位置方式进行图案成形。
9.根据权利要求I至8中任一项所述的发光装置，其特征在干， 上述透过膜是透明导电膜。
10.根据权利要求I至8中任一项所述的发光装置，其特征在干， 上述透过膜是绝缘体。
11.根据权利要求I至10中任一项所述的发光装置，其特征在干， 在上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行了图案成形的上述ー边，形成有使上述透明膜与驱动元件电导通的接触孔。
12.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具备 在基板上形成光反射层的エ序； 在上述光反射层上形成透过膜的エ序；在上述透过膜上形成发光层的エ序；以及 在上述发光层上形成电极的エ序， 上述发光装置具有通过上述透过膜调整了上述光反射层与电极之间的光路长度的谐振构造，形成有矩形的开ロ区域， 并且上述发光装置的制造方法具备 在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，将上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形的エ序； 在上述矩形的其他边，将上述透过膜以端面一致的方式进行图案成形的エ序。
13.根据权利要求12所述的发光装置的制造方法，其特征在干， 还具备按每个发光元件形成上述光反射层以及透过膜的エ序， 在上述矩形的开ロ区域的至少ー边，将上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形的エ序，是在发光元件中相同侧的ー边将上述透过膜以阶梯状地错开位置的方式进行图案成形的エ序。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种发光装置以及发光装置的制造方法，在使白色的有机EL元件与谐振构造组合的顶部发光方式的发光装置中，防止电流过剩地流向有机EL元件以及有机EL元件与第2电极的阶梯状断开，并且抑制开口面积减少。在矩形的开口区域的一个短边侧，将透明导电膜(14a、14b、14c)阶梯状错开地进行图案成形。在其他边侧，以透明导电膜(14a、14b、14c)的端面一致的方式进行图案成形。透明导电膜(14a、14b、14c)的端部被绝缘膜(15)覆盖。
文档编号H01L51/52GK102683611SQ20121005572
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月5日 优先权日2011年3月7日
发明者白鸟幸也 申请人:精工爱普生株式会社