专利名称：发光装置的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种发光装置，特别是有关于一种串联设计的发光二极管封装结构的接线配置的发光装置。
背景技术：
现有串联设计的发光二极管封装结构主要具有两种类型。第一种类型为直接使用金线串联两颗以上的发光二极管芯片。然而，较长的金线需要较高的成本，且会承受更大的胶材内应力。并且，每一个发光二极管芯片具有两个焊点，为了避免伤害发光二极管芯片，进行打线制程(wire bonding)时，需调整降低相关压力参数，但会造成金线拉力降低的风险。另一种类型为在射出成形制程形成支架时，在支架上设计与发光二极管的置晶座和导电支架隔绝的安全岛，作为金线串联的中继点，上述安全岛在射出成形制程期间会设计以一额外连接部分与导线支架相连，再在后续制程截断上述连接部分。然而，上述额外连接部分会延伸至导线支架的外侧而使导线支架会具有一额外突出部分，因而产生额外的支架模具费用。并且，上述额外突出部分会影响封装结构的外观，因而需重新设计量产生产线的分类和输送带轨道。此外，上述额外突出部分会使发光二极管封装结构的电路回路经过上述额外的突出部分而不会经过原始设计在导线支架的正极或负极，以及设计在导线支架上的齐纳二极管(Zener diode)，因而会使齐纳二极管无法产生电路回路保护作用而造成发光二极管烧毁。在此技术领域中，有需要一种串联设计的发光二极管封装结构，以提高发光二极管封装结构的使 用寿命及避免增加制程成本。
发明内容
有鉴于此，本发明一实施例提供一种发光装置，包括一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于上述第一和第二置晶座上；一接合复合结构，设置在上述第一、第二置晶座之间的上述第一导线支架或上述第二导线支架其中之一的一表面上，其中上述接合复合结构包括一绝缘层；一导电层，堆栈在上述绝缘层上，其中上述导电层电性连接至上述第一发光芯片和上述第二发光芯片，以使上述第一、第二发光芯片达到串联。本发明另一实施例提供一种发光装置，包括一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于上述第一和第二置晶座上；一接合复合结构，设置在上述第一和第二导线支架间之间的凹槽内，其中上述接合复合结构包括一绝缘层；一导电层，堆栈在上述绝缘层上，其中上述导电层电性连接至上述第一发光芯片和上述第二发光芯片，以使上述第一、第二发光芯片达到串联。
图1a为本发明一实施例的发光装置的俯视图；图1b为本发明一实施例的发光装置的剖面图；图2为本发明另一实施例的发光装置的俯视图；图3为本发明一实施例的接合复合结构的示意图。附图标记说明:500a 发光装置；200 支架；202 第一置晶座；302 第一导线支架；204 第二置晶座；304 第二导线支架；206 第一发光芯片；208 第二发光芯片；210 接合复合结构；218a 第一电极；
218b 第二电极；220a 第三电极；220b 第四电极；222 凹槽；224、226、230、232、234 焊线；228 齐纳二极管。
具体实施例方式以下以各实施例详细说明并根据
的范例，做为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。另外，附图中各组件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未绘示或描述的组件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式，另夕卜，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。本发明实施例提供一种发光装置，特别是具有包括至少两个发光二极管(lightemitting diode)串联而成的封装结构,其在承载上述两个发光二极管的不同导线支架之间，或其中一个导线支架上设置用以电性连接上述两个发光二极管的一接合复合结构，以利于缩短用以串联发光二极管的打金线的长度。图1a为本发明一实施例的发光装置的俯视图。图1b为本发明一实施例的发光装置的剖面图。为了方便显示发光装置500a的接线配置，发光装置500a的封装材料在图1a(俯视图)不予显示。如图1a 图1b所示，本发明实施例的发光装置500a可包括一支架200，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座202的第一导线支架302和一具有一第二置晶座204的第二导线支架304。在本发明一实施例中，可利用射出成形方式形成支架200。一第一发光芯片206和一第二发光芯片208,分别置于第一置晶座202和第二置晶座204上。在本发明一实施例中，第一发光芯片206和一第二发光芯片208可包括发光二极管(light emitting diode, LED)。第一发光芯片206具有极性相反的一第一电极218a和第二电极218b,皆位于第一发光芯片206的上表面。另夕卜，第二发光芯片208具有极性相反的一第三电极220a与一第四电极220b,皆位于第二发光芯片208的上表面。在本发明一实施例中，第一电极218a和第三电极220a为正极,且第二电极218b和第四电极220b为负极。为了缩短串联发光芯片的焊线长度，可在形成支架200的模具中设计一凹槽222，设置在第一导线支架302和第二导线支架304之间。因此，经过射出成型制程形成的支架200会具有凹槽222，并在凹槽222内设置一接合复合结构210。如图1b所示，在本发明一实施例中，接合复合结构210的顶面可为一不高于第一导线支架302和第二导线支架304的顶面。图3为本发明一实施例的接合复合结构的示意图。如图3所示，在本发明一实施例中，接合复合结构210可为一绝缘层-导电层复合结构，其包括一绝缘层214，以及堆栈在绝缘层214上的一导电层216。在本发明一实施例中，可利用一绝缘材料切割成具合适形状的绝缘层214。之后，进行一电镀制程，在上述绝缘层214的一表面上形成导电层216的方式形成接合复合结构210。在本发明一实施例中，绝缘材料可包括蓝宝石、玻璃、氧化硅或氮化硅，而导电层216的材质可包括例如金或银等金属。如图1a 图lb，以及图3所示，接合复合结构210的导电层216是分别通过焊线224、226电性连接至第一发光芯片206的第二电极218b和第二发光芯片208的第三电极220a。另外，焊线230分别电性连接第一导线支架302和第一发光芯片206的第一电极218a，焊线232分别电性连接第二导线支架304和第二发光芯片208的第四电极220b，以使第一发光芯片206和第二发光芯片208达·到串联。在本发明一实施例中，当第一电极218a和第三电极220a为正极，且第二电极218b和第四电极220b为负极时，第一导线支架302可视为正极导线支架，第二导线支架304可视为负极导线支架。在本发明一实施例中，接合复合结构210的导电层216不具有极性。如图1a所示，发光装置500a还包括一齐纳二极管228，设置在第一导线支架302或第二导线支架304的表面上，并电性连接第一导线支架302和第二导线支架304。在本实施例中，齐纳二极管228设置在第一导线支架302的表面上，通过焊线234电性连接第二导线支架304。在本发明一实施例中，齐纳二极管228是用以保护串联的第一发光芯片206和第二发光芯片208的电路回路。在本发明一实施例中，齐纳二极管228可为一双向齐纳二极管。如图1b所示，发光装置500a还包括一封装材料236，包覆第一导线支架302、第二导线支架304、第一发光芯片206、第二发光芯片208、接合复合结构210、齐纳二极管228和焊线224、226、230、232、234，以保护发光装置500a。在本发明一实施例中，封装材料236可包括例如聚邻苯二酰胺(PPA)等高分子材料。图2为本发明另一实施例的发光装置的俯视图。类似地，为了方便显示发光装置500b的接线配置，发光装置500b的封装材料在图2(俯视图)不予显示。发光装置500b和图1a所示的发光装置500a两者之间的不同处为，发光装置500b的接合复合结构210可以设置在第一置晶座202和第二置晶座204之间的第一导线支架302或第二导线支架304其中之一的表面，而不设置在支架200的凹槽内。另外，齐纳二极管228是设置在相异于接合复合结构210所在的第一导线支架302或第二导线支架304表面上。在本实施例中，接合复合结构210设置在第一置晶座202和第二置晶座204之间的第二导线支架304的表面212上，更详细的说，绝缘层位于第二导线支架304的表面上，导电层堆栈在绝缘层上，而齐纳二极管228是设置在第一导线支架302的表面上。本发明实施例提供一种发光装置，特别是包括至少两个发光二极管(LED)串联而成的封装结构，其在承载上述两个发光二极管的不同导线支架之间，或其中一个导线支架上设置用以电性连接上述两个发光二极管的一接合复合结构，以利于缩短用以串联发光二极管的打线的长度，且可改善现有射出成型的支架因提供额外接合区域(安全岛)所形成的额外突出部分造成支架外观不对称而影响产品外观、增加支架模具费用、且使齐纳二极管无法完全发挥功能等问题。另外，本发明实施例的发光装置可以增加发光二极管串联电路的静电放电(ESD)防护能力，提高发光二极管封装结构的使用寿命及避免增加制程成本，且无须更改原产品设计可直接导入应用。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和 范围。
权利要求
1.一种发光装置，包括: 一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架； 一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于该第一置晶座和第二置晶座上；以及一接合复合结构，设置在该第一置晶座、第二置晶座之间的该第一导线支架或该第二导线支架其中之一的一表面上，其中该接合复合结构包括: 一绝缘层；以及 一导电层，堆栈在该绝缘层上，其中该导电层电性连接至该第一发光芯片和该第二发光芯片，以使该第一发光芯片、第二发光芯片达到串联。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中该绝缘层的材质包括蓝宝石、玻璃、氧化硅或氮化硅。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中该导电层的材质为金属。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中该接合复合结构的该绝缘层位在该第一导线支架或该第二导线支架的该表面。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中该第一发光芯片具有一第一电极与一第二电极，该第二发光芯片具有一第三电极与一第四电极。
6.根据权利要求5所述的发光装置，还包括: 一第一焊线，分别电性连接该第一导线支架和该第一发光芯片的该第一电极； 一第二焊线，分别电性连接该导电层和该第一发光芯片的该第二电极； 一第三焊线，分别电性连接该导电层和该第二发光芯片的该第三电极；以及 一第四焊线，分别电性连接该第二导线支架和该第二发光芯片的该第四电极。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中该第一电极、第三电极为正极，且该第二电极、第四电极为负极。
8.根据权利要求1 7任一所述的发光装置，还包括一齐纳二极管，设置在相异于该接合复合结构所在的该第一导线支架或第二导线支架表面上。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中该齐纳二极管电性连接该第一导线支架和第二导线支架。
10.根据权利要求8所述的发光装置，其中该齐纳二极管是一双向齐纳二极管。
11.一种发光装置，包括: 一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架； 一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于该第一置晶座和第二置晶座上；以及一接合复合结构，设置在该第一导线支架和第二导线支架间之间的凹槽内，其中该接合复合结构包括: 一绝缘层；以及 一导电层，堆栈在该绝缘层上，其中该导电层电性连接至该第一发光芯片和该第二发光芯片，以使该第一发光芯片、第二发光芯片达到串联。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中该绝缘层的材质包括蓝宝石、玻璃、氧化硅或氮化硅。
13.根据权利要求11所述的发光装置，其中该导电层的材质为金属。
14.根据权利要求11所述的发光装置，其中该第一发光芯片具有一第一电极与一第二电极，该第二发光芯片具有一第三电极与一第四电极。
15.根据权利要求14所述的发光装置，还包括: 一第一焊线，分别电性连接该第一导线支架和该第一发光芯片的该第一电极； 一第二焊线，分别电性连接该导电层和该第一发光芯片的该第二电极； 一第三焊线，分别电性连接该导电层和该第二发光芯片的该第三电极；以及 一第四焊线，分别电性连接该第二导线支架和该第二发光芯片的该第四电极。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其中该第一电极、第三电极为正极，且该第二电极、第四电极为负极。
17.根据权利要求11 16任一所述的发光装置，还包括一齐纳二极管，设置在相异于该接合复合结构所在的该第一导线支架或第二导线支架表面上。
18.根据权利要求17所述的发光装置，其中该齐纳二极管电性连接该第一导线支架和第二导线支架。
19.根据权利要求1 8所述的发光装置，其中该齐纳二极管是一双向齐纳二极管。
全文摘要
本发明提供一种发光装置，上述发光装置包括一支架，其包括彼此分离的一具有一第一置晶座的第一导线支架和一具有一第二置晶座的第二导线支架；一第一发光芯片和一第二发光芯片，分别置于上述第一和第二置晶座上；一接合复合结构，设置于上述第一、第二置晶座之间的上述第一导线支架或上述第二导线支架其中之一的一表面上，其中上述接合复合结构包括一绝缘层；一导电层，堆栈于上述绝缘层上，其中上述导电层电性连接至上述第一发光芯片和上述第二发光芯片，以使上述第一、第二发光芯片达到串联。
文档编号H01L33/62GK103247750SQ20121008763
公开日2013年8月14日 申请日期2012年3月29日 优先权日2012年2月3日
发明者陈冠豪, 李宗翰 申请人:隆达电子股份有限公司