发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置，更具体地说，本发明涉及一种具有多个发光二极管(LED)的发光装置。
【背景技术】
[0002]随着技术的发展，显示设备已经被广泛应用。然而，由于液晶和吸收片会阻挡、吸收超过90%的背光，因此传统的利用液晶显示器(LCD)进行显示的显示设备效率低，并且显示器功耗浪费大。
[0003]虽然目前提出的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)技术相对于液晶显示技术能够有效地提高效率，但是红光有机发光二极管(OLED)的发光效率较低，通常只能达到101m/W左右,而蓝光有机发光二极管的效率更低。此外,蓝光有机发光二极管的发光波长不纯，色坐标偏离纯蓝色，导致整体发光色域不宽，显示效果不佳。此外，有机发光二极管采用有机材料，其热稳定性，化学与湿度稳定性差，并且寿命有限。
【发明内容】
[0004]本发明实施例的目的在于提供一种发光装置，以解决上述问题。
[0005]本发明实施例提供了一种发光装置。该发光装置包括:衬底；绝缘层，具有网格结构，形成衬底上，多个发光二极管(LED)，其中每个发光二极管形成在网格结构的一个中空部分中，并且包含:N型GaN层，形成在中空部分中的衬底上，发光层，形成在N型GaN层上，P型GaN层，形成在发光层上；N电极，形成在N型GaN层上；P电极，形成在P型GaN层上；以及多个薄膜晶体管(TFT)，与多个发光二极管一一对应，其中每个薄膜晶体管形成在其中形成了与该TFT对应的发光二极管的网格的侧壁上，并且该薄膜晶体管的漏极与P电极相连接以控制发光二极管，薄膜晶体管的栅极配置来接收扫描信号，以及薄膜晶体管的源极配置来接收数据信号。
[0006]根据本发明实施例的发光装置采用无机材料制成的发光二极管，与有机发光二极管相比，不仅提高了发光效率，而且增强了热稳定性，化学与湿度稳定性差，并且延迟了发光装置的使用寿命。此外，在根据本发明实施例的发光装置中，具有网格结构的绝缘层不仅分隔了各个发光二极管，而且绝缘网格结构方便了与发光二极管一一对应地设置薄膜晶体管。通过将分隔发光二极管的绝缘网格作为制备用于控制发光二极管的薄膜晶体管的衬底，有效地利用了空间，并且减小了发光装置的尺寸。同时，正式通过这些薄膜晶体管实现了对每个发光二极管的单独控制。
【附图说明】
[0007]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。下面描述中的附图仅仅是本发明的示例性实施例。
[0008]图1是示出根据本发明实施例衬底以及绝缘层的示意性说明图。
[0009]图2是示意性示出根据本发明实施例的发光装置的绝缘层一部分的俯视图。
[0010]图3是示出根据本发明实施例在绝缘层网格的中空部分中设置发光二极管的示意性说明图。
[0011]图4和图5是示出根据设置与发光二极管对应的薄膜晶体管的示意性说明图。
[0012]图6是示出述发光装置的绝缘保护层的示意性说明图。
【具体实施方式】
[0013]在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施例。注意，在本说明书和附图中，具有基本上相同步骤和元素用相同的附图标记来表示，且对这些步骤和元素的重复解释将被省略。
[0014]下面，参照图1至图5说明本发明的实施例的发光装置。本实施例的发光装置100包括衬底110、绝缘层120、发光二极管和薄膜晶体管。
[0015]图1是示出根据本发明实施例衬底110以及绝缘层120的示意性说明图。在根据本发明的实施例中，衬底110可以由例如蓝宝石、碳化硅、(111)硅等适合GaN材料生长的材料制成。如图1所示，绝缘层120设置在衬底110上。例如，可利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)、光刻、ICP刻蚀等方法在衬底材料上制备绝缘层。此外，绝缘层材料可采用二氧化硅、氮化硅等不适合三族氮化物生长的材料制成。
[0016]图2是示意性示出根据本发明实施例的发光装置的绝缘层一部分的俯视图。根据本发明的一个示例，可根据发光装置所需要的像素分辨率来确定绝缘层的网格的大小。例如，根据发光装置所需要的像素分辨率，绝缘层120的网格结构中每个网格可间隔10-500um。应注意，虽然在图2中以绝缘层120的网格结构中每个网格为矩形为例进行了描述，但是本发明的不限于此。例如，还可根据具体设计需要，采用三角形、五边形、六边形等网格形状。
[0017]此外，优选地，绝缘层120的高度大于或等于在网格的中空部分中生长的发光二极管结构的高度。也就是说，绝缘层的120的网格侧壁的高度大于或等于其中形成的发光二极管结构的高度。以下将结合图3来描述根据本发明实施例的发光二极管的结构。
[0018]图3是示出根据本发明实施例在绝缘层网格的中空部分中设置发光二极管的示意性说明图。在根据本发明的实施例中，每个发光二极管形成在网格结构的一个中空部分中。每个发光二极管包括N型GaN层131、发光层132、P型GaN层133、N电极(未示出)和P电极(未示出)。如图3所示，N型GaN层131形成在绝缘网格120的中空部分中的衬底110上。可利用光刻、ICP刻蚀等方法制备发光二极管的N型沟道134。如图3所示，刻蚀深度以达到但不耗尽N型GaN层131为准。发光层132形成在N型GaN131层上。具体地，发光层132覆盖在N型GaN层131的除了 N型沟道134以外的区域上。P型GaN层133形成在发光层132上。可利用M0CVD、MBE、HVPE等方法在绝缘网格内生长N型GaN层131、发光层132和P型GaN层133。此外，优选地，每个发光二极管还可包括位于N型GaN层和衬底之间的非掺杂的GaN层(如图3中的黑色区域所示)，以提供发光二极管的发光效率。
[0019]此外，N电极形成在N型GaN层上，并且P电极形成在P型GaN层上。例如，N电极形成在N型沟道134内。具体地，可利用蒸镀、溅射等方