法分别在P型GaN层133和N型GaN沟道134内制备金属电极。
[0020]可在绝缘网格的侧壁上形成薄膜晶体管。也就是说，绝缘网格在分隔了各个发光二极管的同时，也作为制备用于控制发光二极管的薄膜晶体管的衬底。从而有效地利用了空间，并且减小了发光装置的尺寸。
[0021]薄膜晶体管的栅极配置来接收扫描信号，并且薄膜晶体管的源极配置来接收数据信号。此外，薄膜晶体管的漏极可与发光二级管的P电极相连接，以根据所接收的扫描信号和数据信号来控制发光二极管。
[0022]图4和图5是示出根据设置与一个发光二极管对应的薄膜晶体管(TFT)的示意性说明图。如图4和图5所示，根据本发明的一个示例，为了方便薄膜晶体管的漏极与发光二级管的P电极的连接，在靠近发光二级管的P电极136的绝缘层上制备与该发光二级管对应的薄膜晶体管。换言之，薄膜晶体管形成在其上的绝缘网格侧壁与该薄膜晶体管所对应的发光二极管的P电极136之间的距离小于与该发光二极管的N电极135之间的距离。
[0023]如图5所示，根据本发明的一个示例，可将发光二极管的N电极135加厚至绝缘层的侧壁的上表面，以便于与显示装置100中的其他布线相连接。在根据本发明的实施例中，可对发光装置100中全部发光二极管的N电极都接入一低电平。
[0024]此外，优选地，图1中所示的发光装置100还可保护层。具体地，发光装置100还可包括形成为该发光装置的最上层的绝缘保护层，以保护发光二极管和薄膜晶体管。图6是示出述发光装置的绝缘保护层160的示意性说明图。如图6所示，绝缘保护层160设置在发光装置100的绝缘层120、发光二极管和薄膜晶体管上。
[0025]此外，根据本发明的另一示例，发光二极管的发光层可用于发出蓝色光。例如，可通过1-1nGaN材料形成发光层，以使得发光二极管发出的光为蓝色。可以三个发光二极管和分别与这三个发光二极管对应的薄膜晶体管为一个像素单元，并且对每个像素单元中的两个发光二极管分别添加其他颜色的荧光粉。例如，可对每个像素单元中的两个发光二极管分别添加红色荧光粉和绿色荧光粉，从而每个像素单元能够发出蓝色光、红色光和绿色光，以使得发光装置100能够进行彩色显示。
[0026]以上已经结合图1至图6对根据本发明实施例的发光装置进行了描述。如上所述，根据本发明实施例的发光装置采用无机材料制成的发光二极管，与有机发光二极管相比，不仅提高了发光效率，而且增强了热稳定性，化学与湿度稳定性差，并且延迟了发光装置的使用寿命。此外，在根据本发明实施例的发光装置中，具有网格结构的绝缘层不仅分隔了各个发光二极管，而且绝缘网格结构方便了与发光二极管一一对应地设置薄膜晶体管。通过将分隔发光二极管的绝缘网格作为制备用于控制发光二极管的薄膜晶体管的衬底，有效地利用了空间，并且减小了发光装置的尺寸。同时，正式通过这些薄膜晶体管实现了对每个发光二极管的单独控制。
[0027]本领域技术人员应该理解，可依赖于设计需求和其它因素对本发明进行各种修改、组合、部分组合和替换，只要它们在所附权利要求书及其等价物的范围内。
【主权项】
1.一种发光装置包括: 衬底； 绝缘层，具有网格结构，形成所述衬底上， 多个发光二极管(LED)，其中每个所述发光二极管形成在所述网格结构的一个中空部分中，并且包含: N型GaN层，形成在所述中空部分中的所述衬底上， 发光层，形成在所述N型GaN层上， P型GaN层，形成在所述发光层上； N电极，形成在所述N型GaN层上； P电极，形成在所述P型GaN层上；以及 多个薄膜晶体管(TFT)，与所述多个LED —一对应，其中每个所述TFT形成在其中形成了与该TFT对应的LED的网格的侧壁上，并且该TFT的漏极与所述P电极相连接以控制所述发光二极管，所述TFT的栅极配置来接收扫描信号，以及所述TFT的源极配置来接收数据信号。2.如权利要求1所述的发光装置，其中 根据所述发光装置所需的像素分辨率来确定所述绝缘层的网格的大小。3.如权利要求1所述的发光装置，其中 所述绝缘层的网格的侧壁高度大于或等于其中形成的LED的高度。4.如权利要求1所述的发光装置，其中 所述绝缘层的材料为不适合三族氮化物生长的绝缘材料。5.如权利要求1所述的发光装置，其中 每个所述TFT形成的侧壁与该TFT所示对应的LED的P电极之间的距离小于与该TFT所对应的LED的N电极之间的距离。6.如权利要求1所述的发光装置，其中 在所述N型GaN层上形成N型沟道， 所述N电极形成在所述N型沟道内，并且被加厚至所述绝缘层的侧壁的上表面。7.如权利要求1所述的发光装置，其中 所述发光层用于发出蓝色光， 以三个LED和分别与该三个LED对应的TFT为一个像素单元，其中对每个所述像素单元中的两个LED分别添加红、绿荧光粉，以使得每个所述像素单元能够发出蓝色光、红色光和绿色光。8.如权利要求1所述的发光装置，还包括: 绝缘保护层，形成为所述发光装置的最上层。
【专利摘要】本发明的实施例提供了一种发光装置。所示发光装置包括：衬底；绝缘层，具有网格结构，形成衬底上，多个发光二极管LED，其中每个发光二极管形成在网格结构的一个中空部分中，并且包含：N型GaN层，形成在中空部分中的衬底上，发光层，形成在N型GaN层上，P型GaN层，形成在发光层上；N电极，形成在N型GaN层上；P电极，形成在P型GaN层上；以及多个薄膜晶体管TFT，其中每个TFT形成在其中形成了与该TFT对应的LED的网格的侧壁上，并且该TFT的漏极与P电极相连接以控制发光二极管，TFT的栅极配置来接收扫描信号，以及TFT的源极配置来接收数据信号。
【IPC分类】H01L27/15
【公开号】CN104934456
【申请号】CN201410105644
【发明人】龙浩, 阳光
【申请人】联想(北京)有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月20日