显示基板及其制作方法以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。
【背景技术】
[0002]IGZO是一种含有铟、镓和锌的氧化物，载流子迀移率是非晶硅的20?30倍，用于制作TFT (即薄膜晶体管)的有源层可以极大地提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。
[0003]但是在通过IGZO制作薄膜晶体管中的有源层时，由于IGZO容易受外界光照影响，如图1所示，会使得有源层不稳定，导致薄膜晶体管在存在外界光的环境下工作性能不稳定。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，如何避免薄膜晶体管中的有源层受到外界光的影响。
[0005]为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括:
[0006]薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管中设置有有源层；
[0007]遮光层，设置在所述有源层之上，用于遮挡射向所述有源层的光线。
[0008]优选地，还包括:
[0009]第一钝化层，设置在所述有源层之上；
[0010]树脂层，设置在所述第一钝化层之上；
[0011]像素电极，设置在所述树脂层之上，材料为金属氧化物，
[0012]其中，所述遮光层与所述像素电极位于同一层，由所述像素电极中的金属氧化物还原形成。
[0013]优选地，还包括:
[0014]第一钝化层，设置在所述有源层之上；
[0015]树脂层，设置在所述第一钝化层之上；
[0016]公共电极，设置在所述树脂层之上，材料为金属氧化物，
[0017]其中，所述遮光层与所述公共电极位于同一层，由所述公共电极中的金属氧化物还原形成。
[0018]优选地，还包括:
[0019]第一钝化层，设置在所述有源层之上；
[0020]树脂层，设置在所述第一钝化层之上；
[0021]公共电极，设置在所述树脂层之上，材料为金属氧化物；
[0022]第二钝化层，设置在所述公共电极之上；
[0023]像素电极，设置在所述第二钝化层之上，
[0024]其中，所述遮光层包括:
[0025]第一遮光层，与所述公共电极位于同一层，由所述公共电极中的金属氧化物还原形成，
[0026]第二遮光层，与所述像素电极位于同一层，由所述像素电极中的金属氧化物还原形成。
[0027]优选地，所述薄膜晶体管还包括:
[0028]源极和漏极，设置在所述有源层之上，
[0029]其中，所述源极和漏极分别遮挡所述有源层的部分区域，则所述遮光层的面积大于所述有源层未被所述源极和漏极遮挡区域的面积。
[0030]优选地，所述金属氧化物为ITO，所述遮光层的材料为金属铟。
[0031]本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示基板。
[0032]本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括:
[0033]形成薄膜晶体管中的有源层；
[0034]在有源层之上形成遮光层，以遮挡射向所述有源层的光线。
[0035]优选地，还包括:
[0036]在所述有源层之上形成第一钝化层；
[0037]在所述第一钝化层之上形成树脂层；
[0038]在所述树脂层之上形成材料为金属氧化物的像素电极，
[0039]则形成所述遮光层包括:
[0040]对所述像素电极的第一区域进行还原处理，以作为所述遮光层。
[0041]优选地，形成所述遮光层包括:
[0042]在所述像素电极的第一区域之上形成半色调掩膜，在所述像素电极的其他区域之上形成全色调掩膜；
[0043]对所述像素电极所在层进行蚀刻，以得到所述像素电极的图案；
[0044]对所述像素电极的图案进行灰化工艺，以去除所述像素电极的第一区域之上的半色调掩膜；
[0045]对所述像素电极的第一区域进行等离子还原处理，以作为所述遮光层。
[0046]优选地，还包括:
[0047]在所述有源层之上形成第一钝化层；
[0048]在所述第一钝化层之上形成树脂层；
[0049]在所述树脂层之上形成材料为金属氧化物的公共电极，
[0050]则形成所述遮光层包括:
[0051]对所述公共电极的第二区域进行还原处理，以作为所述遮光层。
[0052]优选地，形成所述遮光层包括:
[0053]在所述公共电极的第二区域之上形成半色调掩膜，在所述公共电极的其他区域之上形成全色调掩膜；
[0054]对所述公共电极所在层进行蚀刻，以得到所述公共电极的图案；
[0055]对所述公共电极的图案进行灰化工艺，以去除所述公共电极的第二区域之上的半色调掩膜；
[0056]对所述公共电极的第二区域进行等离子还原处理，以作为所述遮光层。
[0057]优选地，还包括:
[0058]在所述有源层之上形成第一钝化层；
[0059]在所述第一钝化层之上形成树脂层；
[0060]在所述树脂层之上形成材料为金属氧化物的公共电极；
[0061 ] 在所述公共电极之上形成第二钝化层；
[0062]在所述第二钝化层之上形成材料为金属氧化物的像素电极，
[0063]则形成所述遮光层包括:形成第一遮光层和第二遮光层，
[0064]其中，形成所述第一遮光层包括:
[0065]对所述公共电极的第二区域进行还原处理，以作为所述第一遮光层，
[0066]形成所述第二遮光层包括:
[0067]对所述像素电极的第一区域进行还原处理，以作为所述第二遮光层。
[0068]优选地，形成所述第一遮光层包括:
[0069]在所述公共电极的第二区域之上形成半色调掩膜，在所述公共电极的其他区域之上形成全色调掩膜；
[0070]对所述公共电极所在层进行蚀刻，以得到所述公共电极的图案；
[0071]对所述公共电极的图案进行灰化工艺，以去除所述公共电极的第二区域之上的半色调掩膜；
[0072]对所述公共电极的第二区域进行等离子还原处理，以作为所述第一遮光层，
[0073]形成所述第二遮光层包括:
[0074]在所述像素电极的第一区域之上形成半色调掩膜，在所述像素电极的其他区域之上形成全色调掩膜；
[0075]对所述像素电极所在层进行蚀刻，以得到所述像素电极的图案；
[0076]对所述像素电极的图案进行灰化工艺，以去除所述像素电极的第一区域之上的半色调掩膜；
[0077]对所述像素电极的第一区域进行等离子还原处理，以作为所述第二遮光层。
[0078]优选地，通过流量大于800sccm的行还原处理。
[0079]根据上述技术方案，通过在有源层之上设置遮光层，可以有效避免外界光线照射到薄膜晶体管中的有源层，从而避免有源层受到外界光照影响造成的薄膜晶体管性能不稳定。
【附图说明】
[0080]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0081]图1示出了现有技术中薄膜晶体管的结构示意图；
[0082]图2示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0083]图3示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0084]图4示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0085]图5示出了根据本发明一个实施例的形成遮光层的示意流程图；
[0086]图6示出了根据本发明又一个实施例的形成遮光层的示意流程图；
[0087]图7示出了根据本发明又一个实施例的形成遮光层的示意流程图；
[0088]图8至图12示出了根据本发明又一个实施例的形成遮光层的具体示意流程图。
[0089]附图标号说明:
[0090]1-有源层；2_遮光层；21_第一遮光层；22_第