二遮光层；3_第一钝化层；4_树脂层；5_像素电极；6_公共电极；7_第二钝化层；8-源极；9-漏极；11_半色调掩膜；12_全色调掩膜。
【具体实施方式】
[0091]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0092]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0093]如图2所示，根据本发明一个实施例的显示基板，包括:
[0094]薄膜晶体管，在薄膜晶体管中设置有有源层1，其中，有源层I的材料可以是IGZO ；
[0095]遮光层2，设置在有源层I之上，用于遮挡射向有源层I的光线。
[0096]通过在有源层I之上设置遮光层2，可以有效避免外界光线照射到薄膜晶体管中的有源层1，从而避免有源层I受到外界光照影响造成的薄膜晶体管性能不稳定。
[0097]其中遮光层2可以接触式地设置在有源层I之上，也可以非接触式地设置在有源层I之上，具体结构可以根据需要设置。
[0098]优选地，还包括:
[0099]第一钝化层3，设置在有源层I之上；
[0100]树脂层4，设置在第一钝化层3之上；
[0101]像素电极5，设置在树脂层4之上，材料为金属氧化物，
[0102]其中，遮光层2与像素电极位5于同一层，由像素电极5中的金属氧化物还原形成。
[0103]例如像素电极5的材料为ITO，那么可以通过对ITO进行还原反应，得到金属铟(即In)，由于金属铟是不透光的，因此可以有效遮挡射向有源层I的光线。
[0104]其中遮光层2直接从像素电极5中生成，无需为形成遮光层2单独形成层结构，简化了制作遮光层2的工艺。其中树脂层4可以为像素电极提供平坦化条件。
[0105]如图3所示，优选地，还包括:
[0106]第一钝化层3，设置在有源层I之上；
[0107]树脂层4，设置在第一钝化层3之上；
[0108]公共电极6，设置在树脂层4之上，材料为金属氧化物，
[0109]其中，遮光层与公共电极6位于同一层，由公共电极6中的金属氧化物还原形成。
[0110]例如公共电极6的材料为ITO，那么可以通过对ITO进行还原反应，得到金属铟(即In)，由于金属铟是不透光的，因此可以有效遮挡射向有源层I的光线。
[0111]并且遮光层直接从公共电极6中生成，无需为形成遮光层2单独形成层结构，简化了制作遮光层2的工艺。
[0112]如图4所示，优选地，还包括:
[0113]第一钝化层3，设置在有源层I之上；
[0114]树脂层4，设置在第一钝化层3之上；
[0115]公共电极6，设置在树脂层4之上，材料为金属氧化物；
[0116]第二钝化层7，设置在公共电极6之上；
[0117]像素电极5，设置在第二钝化层7之上，
[0118]其中，遮光层2包括:
[0119]第一遮光层21，与公共电极6位于同一层，由公共电极6中的金属氧化物还原形成，
[0120]第二遮光层22，与像素电极5位于同一层，由像素电极5中的金属氧化物还原形成。
[0121]本实施例中的遮光层2包括两层遮光结构，相对于一层遮光结构，可以更有效地遮挡射向有源层I的光线。并且可以根据需要调整两层遮光层的宽度，将两层遮光层的宽度设置为相同或不同。
[0122]并且第一遮光层21直接由公共电极6中的金属氧化物还原形成，第二遮光层22直接由像素电极5中的金属氧化物还原形成，无需再微第一遮光层21或第二遮光层22形成额外的层，简化了制作遮光层的工艺。
[0123]本实施例中的显示基板可以是ADS或IPS模式的显示基板，其中公共电极6和像素电极5都设置在阵列基板上。
[0124]优选地，薄膜晶体管还包括:
[0125]源极8和漏极9，设置在有源层I之上，
[0126]其中，源极8和漏极9分别遮挡有源层I的部分区域，则遮光层2的面积大于有源层I未被源极8和漏极9遮挡区域的面积。从而保证遮光层2能够良好遮挡射向有源层I的光线。
[0127]优选地，金属氧化物为ITO，遮光层的材料为金属铟。
[0128]本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的显示基板。
[0129]需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0130]如图5所示，根据本发明一个实施例的显示基板制作方法，包括:
[0131]形成薄膜晶体管中的有源层I ;
[0132]在有源层I之上形成遮光层2，以遮挡射向有源层I的光线。
[0133]优选地，还包括:
[0134]在有源层I之上形成第一钝化层3 ;
[0135]在第一钝化层3之上形成树脂层4 ;
[0136]在树脂层4之上形成材料为金属氧化物的像素电极5，
[0137]则形成遮光层2包括:
[0138]对像素电极5的第一区域进行还原处理，以作为遮光层2。
[0139]如图5所示，优选地，形成遮光层2包括:
[0140]Al，在像素电极5的第一区域之上形成半色调掩膜，在像素电极5的其他区域之上形成全色调掩膜；
[0141]A2，对像素电极5所在层进行蚀刻，以得到像素电极5的图案；
[0142]A3，对像素电极5的图案进行灰化工艺，以去除像素电极5的第一区域之上的半色调掩膜；
[0143]A4，对像素电极5的第一区域进行等离子还原处理，以作为遮光层2。
[0144]优选地，还包括:
[0145]在有源层I之上形成第一钝化层3 ;
[0146]在第一钝化层3之上形成树脂层4 ;
[0147]在树脂层4之上形成材料为金属氧化物的公共电极6，
[0148]则形成遮光层2包括:
[0149]对公共电极6的第二区域进行还原处理，以作为遮光层2。
[0150]如图6所示，优选地，形成遮光层包括:
[0151]BI,在公共电极6的第二区域之上形成半色调掩膜11，在公共电极6的其他区域之上形成全色调掩膜12，如图8所示；
[0152]B2，对公共电极6所在层进行蚀刻，以得到公共电极6的图案，如图9所示；
[0153]B3，对公共电极6的图案进行灰化工艺，以去除公共电极6的第二区域之上的半色调掩膜11，如图10所示;
[0154]B4，对公共电极6的第二区域进行等离子还原处理，以作为遮光层2，如图11所示，当然，在形成遮光层2之后还需要去除公共电极6其他区域上的全色调掩膜12，如图12所不O
[0155]优选地，还包括:
[0156]在有源层I之上形成第一钝化层3 ;
[0157]在第一钝化层3之上形成树脂层4 ;
[0158]在树脂层4之上形成材料为金属氧化物的公共电极6 ；
[0159]在公共电极6之上形成第二钝化层7 ；
[0160]在第二钝化层7之上形成材料为金属氧化物的像素电极5，
[0161]则形成遮光层2包括:形成第一遮光层21和第二遮光层22，
[0162]其中，形成第一遮光层21包括:
[0163]对公共电极6的第二区域进行还原处理，以作为第一遮光层21，
[0164]形成第二遮光层包括:
[0165]对像素电极5的第一区域进行还原处理，以作为第二遮光层22。
[0166]如图8所不，优选地，形成第一遮光层21包括:
[0167]Cl，在公共电极6的第二区域之上形成半色调掩膜，在公共电极6的其他区域之上形成全色调掩膜；
[0168]C2，对公共电极6所在层进行蚀刻，以得到公共电极的图案；
[0169]C3，对公共电极6的图案进行灰化工艺，以去除公共电极6的第二区域之上的半色调掩膜；
[0170]C4，对公共电极6的第二区域进行等离子还原处理，以作为第一遮光层21，
[0171]形成第二遮