阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器（LCD，LiquidCrystalDisplay)具有体积小、重量轻、功耗低、福射低 及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等 数字电子设备。其中，TFT_LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体 管液晶显示器）是一种主要的平板显示装置（FH)，FlatPanelDisplay)。
[0003] 根据驱动液晶的电场方向，TFT-IXD分为垂直电场型、水平电场型和多维电场型。 其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极； 水平电场型和多维电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。垂直 电场型TFT-LCD包括：扭曲向列TN(TwistNematic)型TFT-LCD;水平电场型TFT-LCD包 括：共平面切换IPS(In-PlaneSwitching)型TFT-LCD;多维电场型TFT-LCD包括：高级超 维场转换技术ADvancedSuperDimensionSwitch，简称ADS)型TFT-LCD。以ADS结构为 例，ADS技术主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极 层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都 能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提 高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、 无挤压水波纹（pushMura)等优点。
[0004] 传统的HADS阵列基板是将ADS阵列基板的公共电极和像素电极的位置进行对调， HADS阵列基板的工艺流程为：形成栅电极2和栅线一形成有源层4-形成源电极5、漏电极 6、数据线和像素电极7 -形成公共电极，如图1和图2所示，像素电极7与漏电极6同层设 置，像素电极7直接搭接在漏电极6上，但是由于像素电极7的厚度一般都比较薄，在搭接 坡度角的地方容易出现断层，导致漏电极6和像素电极7断路，使得漏电极6不能为像素电 极7提供数据信号，从而影响阵列基板的正常工作，降低了阵列基板的产品良率。
【发明内容】
[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够优 化像素电极和漏电极之间的连接状况，提高阵列基板的产品良率。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0007] -方面，提供一种阵列基板，包括多个像素区域，每个所述像素区域包括：
[0008] 同层设置、相互独立的像素电极和漏电极，所述像素电极和漏电极之间通过异层 的导电部件连接；
[0009] 其中，所述像素电极、漏电极与所述导电部件之间间隔有绝缘层，所述绝缘层与所 述漏电极对应的位置具有贯穿所述绝缘层的第一过孔，所述绝缘层与所述像素电极对应的 位置具有贯穿所述绝缘层的第二过孔，所述漏电极通过所述第一过孔与所述导电部件连 接，所述像素电极通过所述第二过孔与所述导电部件连接。
[0010] 进一步地，所述绝缘层为钝化层或栅绝缘层。
[0011] 进一步地，在所述绝缘层为钝化层时，所述导电部件与公共电极同层设置，且采用 相同的材料。
[0012] 进一步地，在所述绝缘层为栅绝缘层时，所述导电部件与栅电极同层设置，且采用 相同的材料。
[0013] 进一步地，所述第一过孔和/或所述第二过孔内形成有台阶结构。
[0014] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
[0015] 本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个像素区 域，所述制作方法包括：
[0016] 在每个所述像素区域形成同层设置、相互独立的像素电极和漏电极，并形成异层 的导电部件连接所述像素电极和漏电极；
[0017] 其中，所述像素电极、漏电极与所述导电部件之间间隔有绝缘层，所述绝缘层与所 述漏电极对应的位置具有贯穿所述绝缘层的第一过孔，所述绝缘层与所述像素电极对应的 位置具有贯穿所述绝缘层的第二过孔，所述漏电极通过所述第一过孔与所述导电部件连 接，所述像素电极通过所述第二过孔与所述导电部件连接。
[0018] 进一步地，所述绝缘层为钝化层，形成所述导电部件、像素电极和漏电极包括：
[0019] 形成同层设置、相互独立的像素电极和漏电极；
[0020] 形成覆盖所述像素电极和漏电极的钝化层，所述钝化层与所述漏电极对应的位置 具有贯穿所述钝化层的第一过孔，所述钝化层与所述像素电极对应的位置具有贯穿所述钝 化层的第二过孔；
[0021] 在所述钝化层上通过一次构图工艺形成公共电极和所述导电部件，所述导电部件 通过所述第一过孔与所述漏电极连接，所述导电部件通过所述第二过孔与所述像素电极连 接。
[0022] 进一步地，形成所述钝化层包括：
[0023] 形成一层钝化层材料；
[0024] 在所述钝化层材料上涂覆光刻胶，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对所述光 刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区 域；
[0025] 对所述光刻胶未保留区域的钝化层材料进行刻蚀，形成第一过孔的第一部分和第 二过孔的第一部分；
[0026] 灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，对所述光刻胶部分保留区域的钝化层材料 进行刻蚀，形成第一过孔的第二部分和第二过孔的第二部分，所述第一过孔的第一部分和 第二部分组成具有台阶结构的第一过孔，所述第二过孔的第一部分和第二部分组成具有台 阶结构的第二过孔；
[0027] 去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
[0028] 进一步地，所述绝缘层为栅绝缘层，形成所述导电部件、像素电极和漏电极包括：
[0029] 通过一次构图工艺形成栅电极和所述导电部件；
[0030] 形成覆盖所述栅电极和所述导电部件的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述漏电极对 应的位置具有贯穿所述栅绝缘层的第一过孔，所述栅绝缘层与所述像素电极对应的位置具 有贯穿所述栅绝缘层的第二过孔；
[0031] 在所述栅绝缘层上形成相互独立的像素电极和漏电极，所述漏电极通过所述第一 过孔与所述导电部件连接，所述像素电极通过所述第二过孔与所述导电部件连接。
[0032] 进一步地，形成所述栅绝缘层包括：
[0033] 形成一层栅绝缘层材料；
[0034] 在所述栅绝缘层材料上涂覆光刻胶，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对所述光 刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区 域；
[0035] 对所述光刻胶未保留区域的栅绝缘层材料进行刻蚀，形成第一过孔的第一部分和 第二过孔的第一部分；
[0036] 灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，对所述光刻胶部分保留区域的栅绝缘层材 料进行刻蚀，形成第一过孔的第二部分和第二过孔的第二部分，所述第一过孔的第一部分 和第二部分组成具有台阶结构的第一过孔，所述第二过孔的第一部分和第二部分组成具有 台阶结构的第二过孔；
[0037] 去除光刻胶完