阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]随着TFT (薄膜晶体管)产业的进步及工艺的改善，液晶显示器件已被应用到越来越多的平板显示产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。
[0003]随着液晶显示技术的发展，液晶显示装置朝着大尺寸、高解析度以及低成本的方向发展。随着大尺寸技术的发展，阻抗效应的影响越来越大。为解决这个问题，低电阻材料如Cu金属被引进来降低走线电阻，但其容易氧化、良率低且容易扩散的特性，极大的限制了其应用。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀，提高阵列基板的性能和良率。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0006]一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。
[0007]进一步地，所述导电金属图形为源电极、漏电极和数据线。
[0008]进一步地，所述阻氧薄膜覆盖所述导电金属图形的上表面及斜侧面。
[0009]进一步地，所述导电金属图形的材料为Cu或Al、Mo、W中的至少一种与Cu的合金。
[0010]进一步地，所述阻氧薄膜为a-Si薄膜。
[0011]进一步地，所述a-Si薄膜的厚度为100_180nm。
[0012]进一步地，所述阵列基板还包括:
[0013]位于覆盖有所述阻氧薄膜的导电金属图形上的钝化层。
[0014]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
[0015]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
[0016]本发明实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法，在形成导电金属图形之后，形成覆盖所述导电金属图形的阻氧薄膜。
[0017]本发明的实施例具有以下有益效果:
[0018]上述方案中，阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜，该阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护，防止氧化性气体作用到导电金属图形上。这样在阵列基板的制作过程中，形成导电金属图形之后，在进行富含02或N 20等氧化性气体的工艺中，能够避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀，保证导电金属图形的导电性能，同时还能避免导电金属的扩散，提高阵列基板的性能和良率。
【附图说明】
[0019]图1为本发明实施例在衬底基板上形成公共电极后的截面示意图；
[0020]图2为本发明实施例形成栅电极、栅线和公共电极线后的截面示意图；
[0021]图3为本发明实施例形成栅绝缘层和有源层后的截面示意图；
[0022]图4为本发明实施例形成刻蚀阻挡层后的截面示意图；
[0023]图5为本发明实施例形成源电极、漏电极和数据线后的截面示意图；
[0024]图6为本发明实施例形成a-Si薄膜后的截面示意图；
[0025]图7为本发明实施例形成钝化层后的截面示意图；
[0026]图8为本发明实施例形成像素电极后的截面示意图。
[0027]附图标记
[0028]I衬底基板 2公共电极3栅金属层4栅绝缘层
[0029]5有源层 6刻蚀阻挡层7源漏金属层8a_Si薄膜
[0030]9钝化层 10像素电极
【具体实施方式】
[0031]为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0032]本发明的实施例针对现有技术中Cu金属容易氧化且容易扩散，影响阵列基板的性能的问题，提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀，提高阵列基板的性能和良率。
[0033]本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。该阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护，防止氧化性气体作用到导电金属图形上。这样在阵列基板的制作过程中，形成导电金属图形之后，在进行富含02或N2O等氧化性气体的工艺中，能够避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀，保证导电金属图形的导电性能，同时还能避免导电金属的扩散，提高阵列基板的性能和良率。
[0034]具体地，所述导电金属图形为源电极、漏电极和数据线。
[0035]优选地，所述阻氧薄膜覆盖所述导电金属图形的上表面及斜侧面，这样能够完全覆盖导电金属图形。
[0036]进一步地，所述导电金属图形的材料为Cu或Al、Mo、W中的至少一种与Cu的合金。采用Cu基的低电阻金属制作导电金属图形，可以有效降低导电金属图形的电阻，提高导电金属图形的导电性能。
[0037]具体地，所述阻氧薄膜为a-Si薄膜。所述a_Si薄膜的厚度优选为100_180nm，这样既可以有效地对导电金属图形进行保护，又可以避免对阵列基板的段差以及其他膜层造成影响。
[0038]进一步地，所述阵列基板还包括:
[0039]位于覆盖有所述阻氧薄膜的导电金属图形上的钝化层。形成钝化层的工艺需要在富含02或\0等氧化性气体的环境中进行，这时阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护，避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀，保证导电金属图形的导电性能。
[0040]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。
[0041]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。所述显示装置可以为:液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
[0042]本发明实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法，在形成导电金属图形之后，形成覆盖所述导电金属图形的阻氧薄膜。
[0043]本发明的阵列基板可以为水平电场型的阵列基板，还可以为垂直电场型的阵列基板，下面以ADS (高级超维场转换)模式的阵列基板为例，结合附图对本发明的阵列基板及其制作方法进行进一步地介绍:
[0044]本实施例的阵列基板的制作方法包括以下步骤:
[0045]步骤1:如图1所示，提供一衬底基板1，该衬底基板可为玻璃基板或石英基板。具体地，可以采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法在经清洗后洁净无杂质的衬底基板I上沉积厚度为30-50nm的透明导电层，透明导电层可以是ITO、IZO或AZO。在透明导电层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于公共电极2的图形，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层，剥离剩余的光刻胶，形成公共电极2。
[0046]步骤2:如图2所示，在完成步骤I的衬底基板I上采用溅射或热蒸发的方法沉积一层厚度为200-400nm的栅金属层3，栅金属层3可以采用Cu、Cu/Mo、Cu/T1、Cu/MoW、Cu/MoNb、Cu/MoTi等Cu基的低电阻金属，栅金属层3可以为单层结构或者多层结构。在栅金属层3上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅电极、栅线、公共电极线所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅电极、栅线、公共电极线，公共电极线与公共电极2连接。
[0047]步骤3:如图3所示，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在完成步骤2的衬底基板I上沉