一种goa单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件。
【背景技术】
[0002]GOA (Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术是液晶面板的栅极驱动技术之一，其基本概念是将液晶面板的栅极驱动电路集成在阵列基板上，形成对液晶面板的行扫描驱动。GOA技术不仅节省成本，而且可以使得液晶面板做到两边对称的美观设计，也省去了栅极驱动电路的焊接区域，可以实现窄边框的设计。
[0003]现有技术中，如图1所示，图1为GOA单元的俯视示意图，GOA单元包括TFT (ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)模块和电容模块。图2为图1中01区域沿AA’线和02区域沿BB’线的剖视示意图，以“底栅”型TFT为例进行说明。参考图2所示，GOA单元的一种制作方法是在基板10上依次制作第一导电层图形的栅极111和第一电极112、绝缘层12、半导体层13以及第二导电层图形的源极141、漏极142和第二电极143。其中源极141和漏极142之间存在沟道144，第一电极112和第二电极143形成电容结构。
[0004]现有技术在制作TFT模块中的第二导电层图形时，通常使用的方法是在涂布有光刻胶的导体层中采用掩模板进行曝光、显影，使第二导电层图形对应的区域的光刻胶完全保留、使TFT模块的沟道144对应的区域的光刻胶半保留、其余区域的光刻胶完全去除；然后刻蚀掉光刻胶完全去除区域的导体层和半导体层13。然而在采用掩模板对光刻胶层进行曝光、显影时，随着显影操作的进行，需要光刻胶半保留的沟道144所对应区域的光刻胶厚度减少，需要光刻胶完全保留的第二电极143所对应区域的光刻胶厚度不变，由于第二电极143为一个具有较大面积的整体结构，所以第二电极143所对应的光刻胶也为一个整体结构，因此较多的显影液就会流向光刻胶厚度较小的沟道144，导致沟道144对应区域的光刻胶处显影液量变大，这样积聚在沟道144对应区域的较多的显影液会对沟道144两边对应区域的光刻胶进行显影，导致原本光刻胶完全保留的源极141和漏极142对应区域的部分光刻胶被显影去除，进而导致在接下来的刻蚀工艺中，源极141和漏极142中光刻胶被显影去除区域的导体层和半导体层13被刻蚀，这样导致源极141和漏极142变窄，而TFT沟道变宽。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件，能够避免由于GOA单元中电容的存在而导致在显影工艺中过多的显影液流向TFT单元区域，造成TFT沟道过宽的问题。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例一方面提供一种GOA单元，包括:在基板上形成的TFT模块和电容结构，所述TFT模块包括:栅极、源极和漏极，所述电容结构包括:用于形成第一电容的第一电极和第二电极；
[0008]所述TFT模块的栅极与所述电容结构的第一电极同层设置，所述TFT模块的源极、漏极与所述电容结构的第二电极同层设置，且所述第二电极具有沟槽。
[0009]可选的，所述沟槽为多个且多个所述沟槽的分布密度与所述TFT模块的沟道分布密度相当。
[0010]可选的，多个所述沟槽均匀分布。
[0011]可选的，在所述第二电极远离所述第一电极的表面依次形成有保护层和第三电极，所述第一电极与所述第三电极形成第二电容，所述保护层设有过孔，所述第二电极与所述第三电极通过所述过孔电连接。
[0012]可选的，所述第三电极的制作材料为ΙΤ0。
[0013]本发明实施例另一方面提供一种栅极驱动电路，包括上述任意一种GOA单元。
[0014]本发明实施例又一方面提供一种显示器件，包括上述的栅极驱动电路。
[0015]本发明实施例再一方面提供一种GOA单元的制作方法，包括:
[0016]在基板上形成包括电容结构的第一电极和TFT模块的栅极的第一导电层图形；
[0017]形成覆盖所述第一导电层图形的绝缘层；
[0018]在所述绝缘层上对应所述栅极的位置形成包括有源层图形的半导体层图形，并形成包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形，所述第二电极与所述第一电极用于形成第一电容，所述第二电极具有沟槽。
[0019]可选的，所述在所述绝缘层上对应所述栅极的位置形成包括有源层图形的半导体层图形，并形成包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形包括:
[0020]在所述绝缘层上依次制作半导体层和覆盖所述半导体层的导体层；
[0021 ] 在所述导体层上形成光刻胶层；
[0022]采用灰阶掩模板或半阶掩模板对光刻胶层进行曝光、显影，使所述第二导电层图形对应的区域的光刻胶完全保留、使所述TFT模块的沟道图形对应的区域的光刻胶半保留、其余区域的光刻胶完全去除；
[0023]刻蚀掉光刻胶完全去除区域的导体层和半导体层；
[0024]采用灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，光刻胶完全保留区域的光刻胶被减薄；
[0025]刻蚀光刻胶半保留区域的导体层，形成所述TFT模块的沟道图形；
[0026]剥离光刻胶，得到包括有源层图形的半导体层图形以及包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形。
[0027]可选的，在所述绝缘层上对应所述栅极的位置形成包括有源层图形的半导体层图形，并形成包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形后，还包括以下步骤:
[0028]形成覆盖所述第二导电层图形的保护层，所述保护层具有过孔；
[0029]在所述保护层上形成包括第三电极的第三导电层图形，将所述第二电极与所述第三电极通过所述保护层的过孔电连接，所述第三电极与所述第一电极用于形成第二电容。
[0030]本发明实施例又另一方面提供一种GOA单元的制作方法，包括:
[0031]在基板上形成包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形，所述电容结构的第二电极具有沟槽；
[0032]形成包括有源层图形的半导体层图形；
[0033]形成覆盖所述半导体层图形的绝缘层；
[0034]在形成有所述绝缘层的基板上形成包括电容结构的第一电极和TFT模块的栅极的第一导电层图形，所述第一电极与所述第二电极用于形成第一电容。
[0035]可选的，在所述在基板上形成包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形之前，所述方法还包括:
[0036]在基板上形成包括第三电极的第三导电层图形；
[0037]形成覆盖所述第三导电层图形的保护层，所述保护层在对应待形成第二电极的区域具有过孔；
[0038]所述在基板上形成包括电容结构的第二电极和TFT模块的源极、漏极的第二导电层图形具体为:
[0039]在所述保护层上形成第二电极和TFT模块的源极，所述第二电极通过所述过孔与所述第三电极电连接。
[0040]本发明实施例提供的GOA单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件，GOA单元包括:在基板上形成的TFT模块和电容结构，TFT模块包括:栅极、源极和漏极，电容结构包括:用于形成第一电容的第一电极和第二电极；TFT模块的栅极与电容结构的第一电极同层设置，TFT模块的源极、漏极与电容结构的第二电极同层设置，且第二电极具有沟槽。相较于现有技术，本发明实施例提供的GOA单元通过在第二电极上设置沟槽，使得在制作第二电极的过程中，当采用掩模板对第二电极所对应的光刻胶层进行曝光、显影时，显影液会流向第二电极的沟槽对应的光刻胶区域，而不会过多地流向沟道对应的光刻胶区域，因此沟道对应区域不会积聚过多的显影液，进而不会造成过多的显影液对沟道两边对应区域的光刻胶进行显影，这样避免了 TFT沟道过宽的问题。
【附图说明】
[0041]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1为现有技术提供的一种GOA单元俯视示意图；
[0043]图2为现有技术提供的一种GOA单元剖视示意图；
[0044]图3为本发明实施例提供的一