专利名称：GaN基LED网孔电极的制作方法
技术领域：
本发明属于半导体技术领域，特别是指ー种GaN基LED网孔电极的制作方法。
背景技术：
发光二极管是节能环保型光源，具有体积小、响应时间短、发光效率高、寿命长，在照明和显示领域得到了广泛的应用。GaN基LED的研究对白光照明具有重要意义，得到很大的关注度。在LED的制作エ艺过程中，电极的制作通常存在接触电阻大、透过率低，造成出光效率低以及电流分布不均匀等方面的问题，限制了 LED输出功率的提高
发明内容
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本发明的目的在于，提供ー种GaN基LED网孔电极的制作方法，其是在GaN基外延片的ITO膜上形成网孔电极，可以得到较好的电流扩展均匀性，提高出光效率。本发明提供ー种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤I)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列ー单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。
为使审查员能进ー步了解本发明的结构、特征及其目的，以下结合附图及较佳具体实施例的详细说明如后，其中图I是本发明GaN基LED外延片及ITO膜的结构示意图；图2是本发明制作自组装球后的俯视图；图3是本发明的自组装球覆盖在ITO膜上的截面图；图4是本发明采用ICP刻蚀自组装球后的截面图；图5是本发明在自组装球间隙及ITO膜表面蒸金属后的截面图；图6是本发明高温去除自组装球后的截面图。
具体实施例方式请參阅图I至图6所示，本发明提供ー种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤
I)在GaN基外延片10的表面蒸镀ITO膜11，此处也可以是其它AZO，PET导电薄膜；2)在ITO膜11的表面排列ー单层紧密排列的自组装球20，所述的自组装球20的材料为聚苯こ烯或者氧化硅，等有机高分子球，球的直径为O. 5-lum(參阅图2)；3)加热，使自组装球20与ITO膜11结合牢固，所述的加热的温度为80°C ；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球20，经过刻蚀后，自组装球20间距变大，球半径减小，所述的刻蚀气体为氧气，300W的启辉功率，IOW刻蚀功率，刻蚀时间为l-2min ；5)再加热，使自组装球20在ITO膜11表面有稍微塌陷(參阅图4)，把点接触变成面接触，所述的再加热的温度为105°C，时间为l_5min ；
6)在自组装球20的表面、间隙里及ITO膜11的表面蒸镀金属50，该金属50为Ni和Au，Ni的厚度为l_5nm，Au的厚度为10_50nm ;或者是Ni\Ag\Pt\Au，Cr\Pt\Au等其它金属电极体系。7)采用甲苯超声方法，去除自组装球20表面的金属50，保留ITO膜11表面金属50,所述的甲苯超声方法处理的时间为4-6min ；8)高温处理，使自组装球20气化，使ITO膜11表面的金属50形成网孔状电极，所述的高温处理的温度为500-600°C，时间为25-35min，完成网孔电极的制作。以上所述，仅为本发明中的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换，都应涵盖在本发明的包含范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
权利要求
1.ー种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤 1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜； 2)在ITO膜的表面排列ー单层紧密排列的自组装球； 3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固； 4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小； 5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触； 6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属； 7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属； 8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。
2.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中所述的自组装球的材料为聚苯こ烯，或者氧化硅，等有机高分子球，球的直径为O. 5-lum。
3.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中加热的温度为80°C。
4.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中采用ICP方法，刻蚀气体为氧气，300W的启辉功率，IOW刻蚀功率，刻蚀时间为l-2min。
5.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中再加热的温度为105°C，时间为ト5min。
6.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中蒸镀的金属为Ni和Au, Ni的厚度为l_5nm, Au的厚度为10_50nm。
7.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中采用甲苯超声方法的时间为4_6min。
8.根据权利要求I所述的GaN基LED网孔电极的制作方法，其中高温处理的温度为500-600°C，时间为 25-35min。
全文摘要
一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。具有电极的接触电阻小、透过率高、出光效率高以及电流分布均匀的优点。
文档编号H01L33/00GK102709433SQ20121017497
公开日2012年10月3日 申请日期2012年5月30日 优先权日2012年5月30日
发明者吴奎, 曾一平, 王家鑫 申请人:中国科学院半导体研究所