专利名称：图像传感器制造方法以及图像传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种图像传感器制造方法以及由此制成的图像传感器。
背景技术：
图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD (Charge Coupled Device,电荷稱合兀件)和 CMOS (Complementary Metal-OxideSemiconductor,金属氧化物半导体元件)两大类。在图像传感器设计及制造过程中需要在硅片上制造像素单元，这些像素结构必须 与其周围的器件或区域进行有效隔离，例如与周围的像素结构进行隔离。而且，实际上，如果没有隔离，则图像传感器容易在两个像素结构区之间形成串扰信号(电子)，所以，在现有技术中，一般在二极管周围的浅沟槽区域上制造掩膜孔，并进行离子注入以便在底部隔离相邻的有源区。这个隔离可形成了一个'四面墙'围绕的注入隔离区形状。图I示意性地示出了图像传感器的相邻像素区域之间的注入隔离区的示意图。如图I所示，在现有技术中，用于相邻像素结构区之间的防止电串扰信号的注入隔离区2是在形成(光刻并刻蚀)各个像素区域I内的感光二极管(未示出)之后通过利用一个附加的掩膜来形成的。其中，由于注入隔离区2最后形成，所以注入隔离区2可能与各个像素区域I之间的浅沟槽区域(未示出)部分重叠。但是，在现有技术的图像传感器制造方法，需要一个附加掩膜来形成相邻像素区域之间的注入隔离区，由此增大了图像传感器的制造成本，并且增加了单独的制造注入隔离区的工艺步骤，由此增加了工艺复杂性。所以，希望能够提供一种能够省略为了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性的图像传感器制造方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够省略为了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性的图像传感器制造方法，并且提供一种根据该图像传感器制造方法制成的图像传感器。根据本发明的第一方面，提供了一种图像传感器制造方法，其包括第一步骤执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；第二步骤形成浅沟槽区域，并且对浅沟槽区域的衬里进行氧化；第三步骤利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，并且利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入；第四步骤执行像素工艺以便对感光二极管进行离子注入；以及第五步骤不采用掩膜，对整个图像传感器执行整片注入，以完成注入隔离区第二次离子注入。
优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第三步骤S3中的注入隔离区第一次离子注入包括在50kev的离子掺杂能量以及6X IO12的剂量的条件下进行硼元素注入。 优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在750kev的离子掺杂能量以及14X IO12的剂量的条件下进行B硼元素注入。优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在500kev的离子掺杂能量以及IOX IO12的剂量的条件下进行B硼元素注入。优选地，所述图像传感器制造方法用于制造接触式图像传感器。根据本发明的第二方面，提供了一种根据本发明第一方面所述图像传感器制造方法制成的图像传感器。根据本发明的图像传感器制造方法把原来的注入隔离区的离子注入分成两部分来实现第一、借助沟槽区域的掩膜注入进行注入隔离区第一次离子注入；在完成感光二 极管的离子注入之后，不做掩膜，直接整片注入。由此，根据本发明实施例的图像传感器制造方法省略了利用附加掩膜进行的注入隔离区的离子注入，由此省略了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性。
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图I示意性地示出了图像传感器的相邻像素区域之间的注入隔离区的示意图。图2示意性地示出了根据本发明实施例的图像传感器制造方法的流程图。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。图2示意性地示出了根据本发明实施例的图像传感器制造方法的流程图。如图2所示，根据本发明实施例的图像传感器制造方法包括第一步骤SI :执行针对图像传感器的有源区的刻蚀。第二步骤S2 :形成沟槽区域(例如浅沟槽区域)，并且对沟槽区域(浅沟槽区域)的衬里进行氧化；第三步骤S3 :利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，并且利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入。例如，第三步骤S3中的注入隔离区第一次离子注入包括在50kev的离子掺杂能量以及6X IO12的剂量的条件下进行B (硼)元素注入。可以看出，第三步骤S3虽然进行了沟槽区域离子注入和注入隔离区第一次离子注入这两次离子注入，但是这两次离子注入采用同一掩膜，因此并未增加掩膜的数量。第四步骤S4 :执行像素工艺以便对感光二极管进行离子注入；第五步骤S5 :不采用掩膜，对整个图像传感器执行整片注入，以完成注入隔离区第二次离子注入。例如，优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在750kev的离子掺杂能量以及14X IO12的剂量的条件下进行B硼元
素注入。又例如，优选地，在上述图像传感器制造方法中，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在500kev的离子掺杂能量以及IOX IO12的剂量的条件下进行B硼
元素注入。以上描述了在根据本发明实施例的图像传感器制造方法中涉及的全部或者部分与尚子注入有关的步骤。在现有技术中，在执行针对图像传感器的有源区的刻蚀、以及形成浅沟槽区域并 且对浅沟槽区域的衬里进行氧化之后，仅仅利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，而不会利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入；此外，现有技术也不会对整个图像传感器执行整片注入(第五步骤S5)，而是通过利用一个附加的掩膜来进行注入隔离区2的离子注入。但是，根据本发明实施例的图像传感器制造方法把原来的注入隔离区的离子注入分成两部分来实现第一、借助沟槽区域的掩膜注入进行注入隔离区第一次离子注入；在完成感光二极管的离子注入之后，不做掩膜，直接整片注入。由此，根据本发明实施例的图像传感器制造方法省略了利用附加掩膜进行的注入隔离区的离子注入，由此省略了形成相邻像素区域之间的注入隔离区而增加的附加掩膜从而降低图像传感器的制造成本并降低工艺复杂性。例如，根据本发明实施例的所述图像传感器制造方法可有利地用于制造接触式图像传感器。根据本发明的另一优选实施例，本发明还提供了一种根据本发明上述实施例所描述的图像传感器制造方法制成的图像传感器。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种图像传感器制造方法，其特征在于包括 第一步骤执行针对图像传感器的有源区的刻蚀； 第二步骤形成浅沟槽区域，并且对浅沟槽区域的衬里进行氧化； 第三步骤利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，并且利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入； 第四步骤执行像素工艺以便对感光二极管进行离子注入；以及 第五步骤不采用掩膜，对整个图像传感器执行整片注入，以完成注入隔离区第二次离子注入。
2.根据权利要求I所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述第三步骤S3中的注入隔离区第一次离子注入包括在50kev的离子掺杂能量以及6 X IO12的剂量的条件下进行硼元素注入。
3.根据权利要求I或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在750kev的离子掺杂能量以及14X1012的剂量的条件下进行B硼元素注入。
4.根据权利要求I或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述第五步骤S5中的注入隔离区第二次离子注入包括在500kev的离子掺杂能量以及IOX IO12的剂量的条件下进行B硼元素注入。
5.根据权利要求I或2所述的图像传感器制造方法，其特征在于，所述图像传感器制造方法用于制造接触式图像传感器。
6.一种根据权利要求I至5之一所述的图像传感器制造方法制成的图像传感器。
全文摘要
本发明提供了一种图像传感器制造方法以及图像传感器。根据本发明的图像传感器制造方法包括第一步骤执行针对图像传感器的有源区的刻蚀；第二步骤形成浅沟槽区域，并且对浅沟槽区域的衬里进行氧化；第三步骤利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，并且利用沟槽掩膜进行注入隔离区第一次离子注入；第四步骤执行像素工艺以便对感光二极管进行离子注入；以及第五步骤不采用掩膜，对整个图像传感器执行整片注入，以完成注入隔离区第二次离子注入。
文档编号H01L27/146GK102751303SQ20121026201
公开日2012年10月24日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日
发明者令海阳, 黄庆丰 申请人:上海宏力半导体制造有限公司