半导体发光结构及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种半导体发光结构制造方法，步骤包括：提供第一基板；于第一基板上形成磊晶层，磊晶层包括第一电性半导体层、第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的第一发光层；分割磊晶层，而定义出第一磊晶结构及第二磊晶结构，并暴露出部分第一电性半导体层，其中第一电性半导体层的暴露部分上具有第一接触区，第二电性半导体层上具有第二接触区；以及形成导电支撑结构，覆盖第一接触区及第二接触区，使得第一磊晶结构电性耦合第二磊晶结构。
【专利说明】半导体发光结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本案是为一种半导体结构及其制造方法，尤其为一种应用于覆晶式半导体发光结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体发光元件,如发光二极管(light emitting diode, LED),可将电信号转变为光信号，其发光原理是利用磊晶结构中P型半导体与N型半导体相接，再于发光二极管的正负两端施予电压，当电流通过时，使电子电洞结合，结合的能量以光的形式发出。与传统光源相比，具有节能、效率较高、反应速度较快、寿命较长等优点，已普及于显示板、指示灯、照明等用途。
[0003]请参见图1，图1为现有发光二极管侧面示意图，发光二极管10及发光二极管11串联，是利用内联机13分别电性耦合发光二极管10的N型接触102及发光二极管11的P型接触111，因此，可利用内联机13将多个发光二极管电性耦合成发光二极管数组，如图2所示(图2是现有发光二极管数组俯视示意图)。然而，为避免联机部分遮住出光区域，内联机需非常纤细，因此于制程中容易因外力碰撞而断裂。
[0004]另外，现有技术经常透过覆晶式(flip)的封装方式尝试解决发光二极管散热问题，请参见图3，图3是现有覆晶式发光二极管侧面示意图。若将图1所绘示的现有发光二极管翻转后，与电路板14做联机，将电路板14的电极141、142分别电性耦合发光二极管的P型接触101与N型接触112后，覆晶式发光二极管元件与电路板14之间仍存有许多空隙。为巩固结构，利用毛细作用将绝缘胶N进行底部填充(underfill)该些空隙,然而,毛细作用无法均匀填满底部空隙，而且发光二极管的磊晶结构厚度很小，底部空隙使整体结构及纤细的内联机更加薄弱。若有轻微外力撞击或于雷射剥离基板时，皆容易造成磊晶结构及内联机13破裂(cracking)。
[0005]有鉴于此，如何使磊晶结构及内联机不易受外力影响而破裂，提高发光二极管的可靠度，及增强散热效率以提高其效能，是发展本发明的主要目的。
【发明内容】
[0006]本发明的一目的在于提供半导体发光结构制造方法，以达发光二极管的可靠度及增强散热效率以提高其效能。为达前述目的，其步骤包括:提供第一基板；于第一基板上形成磊晶层，磊晶层包括第一电性半导体层、第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的第一发光层；分割磊晶层，而定义出第一磊晶结构及第二磊晶结构，并暴露出部分第一电性半导体层，其中第一电性半导体层的暴露部分上具有第一接触区，第二电性半导体层上具有第二接触区；以及形成导电支撑结构，覆盖第一接触区及第二接触区，使得第一磊晶结构电性耦合第二磊晶结构。
[0007]于本发明的一实施例中，上述步骤更包括形成第一奥姆接触层于第一接触区上，使得导电支撑结构电性耦合第一奥姆接触层，并直接奥姆接触第二接触区。[0008]于本发明的一实施例中，上述步骤更包括形成第二奥姆接触层于第二接触区上，使得导电支撑结构电性耦合第二奥姆接触层，并直接奥姆接触第一接触区。
[0009]于本发明的一实施例中，上述步骤更包括于形成磊晶层的步骤中，形成第三电性半导体层于第二电性半导体层上，且其之间具有第二发光层，其中第三电性半导体层与第一电性半导体层具有相同电性，并与第二电性半导体层具有相反电性；于分割磊晶层的步骤中，同时暴露出部分第二电性半导体层，其中第三电性半导体层上具有第三接触区；以及于形成导电支撑结构的步骤中，同时覆盖第一磊晶结构上的第三接触区及第一接触区，以及第二磊晶结构上的第二接触区。
[0010]于本发明的一实施例中，上述步骤更包括形成第二绝缘结构，用以覆盖导电支撑结构，但暴露部分的导电支撑结构；提供第二基板，电性耦合导电支撑结构的暴露部分；以及移除第一基板，用以暴露出该等磊晶结构的一侧。
[0011]于本发明的一实施例中，上述步骤更包括将该等磊晶结构的该侧进行粗糙化制程。
[0012]于本发明的一实施例中，上述步骤更包括形成电极于第二磊晶结构或第一磊晶结构的该侧。
[0013]于本发明的一实施例中，上述步骤中形成导电支撑结构的方法包括进行电镀或蒸镀制程。
[0014]本发明的一目的在于提供半导体发光结构，以达发光二极管的可靠度及增强散热效率以提高其效能。为达前述目的，其包括第一磊晶结构、第二磊晶结构及导电支撑结构。其中，第一磊晶结构具有第一接触区；第二磊晶结构具有第二接触区；以及导电支撑结构包覆第一接触区及第二接触区，使得第一磊晶结构电性耦合第二磊晶结构。
[0015]于本发明的一实施例中，上述半导体发光结构更包括第一奥姆接触层，形成于第一接触区上，且导电支撑结构电性耦合第一奥姆接触层，并直接奥姆接触第二接触区。
[0016]于本发明的一实施例中，上述半导体发光结构更包括第二奥姆接触层，形成于第二接触区上，且导电支撑结构电性耦合第二奥姆接触层，并直接奥姆接触第一接触区。
[0017]于本发明的一实施例中，上述半导体发光结构更包括第一奥姆接触层及第二奥姆接触层，分别形成于第一接触区及第二接触区上，其中导电支撑结构的材料与第一奥姆接触层或第二奥姆接触层的材料相同。
[0018]于本发明的一实施例中，上述第一磊晶结构及第二磊晶结构皆包括第一电性半导体层、第二电性半导体层及第一发光层。其中，第一电性半导体层具有第一接触区；第二电性半导体层具有第二接触区，并与第一电性半导体层具有相反电性；以及第一发光层位于第一电性半导体层及第二电性半导体层之间。
[0019]于本发明的一实施例中，上述第一磊晶结构及第二磊晶结构皆包括第二发光层及第三电性半导体层，且第二发光层位于第三电性半导体层与第二电性半导体层之间，第三电性半导体层与第一电性半导体层具有相同电性，且其上具有第三接触区，导电支撑结构覆盖第一磊晶结构上的第三接触区及第一接触区，以及第二磊晶结构上的第二接触区。
[0020]于本发明的一实施例中，上述导电支撑结构的材料为金属，且其厚度系介于20至50微米之间。
[0021]于本发明的一实施例中，上述半导体发光结构更包括电极，位于第二磊晶结构相对第二接触区的一侧。
[0022]于本发明的一实施例中，上述该等磊晶结构相对该等接触区的一侧具有粗糙结构。
[0023]于本发明的一实施例中，上述半导体发光结构更包括绝缘层及基板，绝缘层包覆导电支撑结构，但暴露部分的导电支撑结构，基板电性耦合导电支撑结构的暴露部分。
[0024]为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】 [0025]图1是现有发光二极管侧面示意图。
[0026]图2是现有发光二极管数组俯视示意图。
[0027]图3是现有覆晶式发光二极管侧面示意图。
[0028]图4A至4H是本发明的一实施例关于覆晶式半导体发光结构侧向剖面示意图。
[0029]图41是图4E的发光二极管的俯视示意图。
[0030]图5是图4H的发光二极管结构中电流方向示意图。
[0031]图6A至6B是本发明的另一实施例所发展出关于半导体发光结构的侧向剖面示意图。
[0032]图6C是本发明的另一实施例所发展出半导体发光结构的电路示意图。
[0033]图7A至7B是本发明的另一实施例所发展出关于半导体发光结构的侧向剖面示意图。
[0034]图7C是本发明的另一实施例所发展出半导体发光结构的电路示意图。
【具体实施方式】
[0035]本发明技术适于应用在发光二极管，尤其是覆晶式发光二极管。请参见图4A至4H，图4A至4H是本发明的一实施例关于覆晶式半导体发光结构侧向剖面示意图。首先，提供基板20，其材料可为硅、碳化硅、铝、氧化铝、氮化镓、氮化铟、氮化铝、氧化锌、蓝宝石、玻璃、石英或其组合，但不限定于此。此外，基板包括极化(polar)基板、半极化(sem1-polar)基板或非极化(non-polar)基板。
[0036]接着，请参见图4A，于基板20上形成磊晶层21，例如，于基板20上形成第一电性半导体层211,再于第一电性半导体层211上形成第一发光层(图未不),再于第一发光层上形成第二电性半导体层212。该些电性半导体层211、212的电性相反，例如，第一电性半导体层211为N型掺杂层，则第二电性半导体层212则为P型掺杂层，而两者的电性可互换，其掺杂的材料可为三族氮化物，例如氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铟铝镓(InAlGaN)等，但不限定于上述。而基板20的材料可根据磊晶结构的材料做改变。另外，发光层可为单层量子井结构或多重量子井结构。
[0037]接着，定义磊晶层21，定义方式可利用微影蚀刻制程，可于磊晶层21中形成至少两个磊晶结构，为便于说明，本实施例以三个磊晶结构为例，分别是第一磊晶结构31、第二嘉晶结构32、第二嘉晶结构33 (如图4B所不)，且第二嘉晶结构32位于第一嘉晶结构31及第三磊晶结构33之间，并于该些磊晶结构31、32、33之间形成孔洞22、23，且孔洞22、23的底面22a、23a深入至第一电性半导体层211中，而该些磊晶结构31、32、33的表面分别具有第二接触区31s、32s、33s。另外，值得注意的是，孔洞22、23的面积宽度与该些磊晶结构
31、32、33的宽度几乎相当，以便于后续制程中形成板状的导电支撑结构。
[0038]请参见图4A至图4C，于本实施例中，可于该些第二接触区31s、32s、33s上通过微影蚀刻制程，分别形成第二奥姆接触层311、321、331，接着，微影蚀刻孔洞22、23的部分底面22a、23a，蚀刻至露出基板20表面，以分离该些磊晶结构31、32、33，使彼此之间形成第一开口 22，、23，。另外，定义第二奥姆接触层311、321、331及第一开口 22’、23’，可于同一道微影蚀刻制程中完成，以节省工时。
[0039]请参考图4C及图4D，第一磊晶结构31与第二磊晶结构32的相对侧壁即为第一开口 22’的两侧壁221、222，而第二磊晶结构32与第三磊晶结构33的相对侧壁即为第一开口23’的两侧壁231、232，于该些侧壁221、222、231、232及第二奥姆接触层311、321、331边缘形成第一绝缘结构34、34a、34b，而且，第一绝缘结构34a分别从第二奥姆接触层311、321边缘沿着侧壁221、231延伸至第一开口 22’中第一电性半导体层211的表面，而未被第一绝缘结构34a覆盖住的第一电性半导体层211的表面为第一接触区22s、23s,换言之,第一接触区22s及23s分别位于第一磊晶结构31的第一电性半导体层211上及第二磊晶结构32的第一电性半导体层211上。另外，第一绝缘结构34b分别从第二奥姆接触层321、331边缘沿着侧壁222、232延伸至第一开口 23’中基板20的表面。
[0040]其中，第一绝缘结构的材料可包括透明氧化物，例如二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、二氧化钛(Ti02)、氧化钽(Tantalum pentoxide,Ta205)等,但不限于此。值得注意的是，透过第一绝缘结构34、34a、34b包覆磊晶结构31、32、33，可达到保护磊晶结构稳定性的目的。
[0041]接着，请参考图 4C、图4E及图41,图41是图4E的发光二极管的俯视不意图。于第一接触区22s、23s上及第二奥姆接触层311、321、331上形成导电支撑结构37a、37b，以及于第一绝缘结构34b上形成导电支撑结构37c，而且第一开口 22’中的导电支撑结构37a、37b与第二奥姆接触层321上的37c导电支撑结构依序连接在一起，而形成导电支撑结构37，而位于第一开口 23’及第二奥姆接触层331的导电支撑结构37亦是如此。另外，形成导电支撑结构37的方法可包含电镀或蒸镀制程。
[0042]于本实施例中，第二接触区31s、32s、33s上具有第二奥姆接触层311、321、331，而导电支撑结构37电性耦合第二奥姆接触层311、321、331，并直接奥姆接触第一接触区22s、23s，使该些磊晶结构31、32、33之间依序电性耦合。
[0043]关于第二奥姆接触层311、321、331与导电支撑结构37的材料，若第二电性半导体层212为N型掺杂层，则第二奥姆接触层311、321、331则为N型奥姆接触，其材料可由钛、铝、铬、钼、金所构成群组之一或其组合，例如铬/钼/金(&外^^11)、钛/铝/钼/金(Ti/Al/Pt/Au)或钛/钼/金(Ti/Pt/Au);而第一电性半导体层211则为P型半导体层，与之电性率禹合的导电支撑结构37则为P型反射式奥姆接触(reflective ohmic contact),材料可由镍、钼、银、氧化铟锡所构成群组之一或其组合，例如镍/银(Ni/Ag)、镍/钼/银(Ni/Pt/Ag)或氧化铟锡/银(ΙΤΟ/Ag)，于覆晶式发光二极管中，可有效将光线反射至出光面。反之，若第一电性半导体层211与第二电性半导体层212的电性互换，则第二奥姆接触层311、321,331为P型反射式奥姆接触，而导电支撑结构37为N型奥姆接触。[0044]于本发明另一实施例中(图未示)，可不形成第二奥姆接触层，但分别于第一接触区22s、23s上形成第一奥姆接触层，之后再形成导电支撑结构，使导电支撑结构电性耦合第一奥姆接触层，并直接奥姆接触第二接触区31s、32s、33s，据此使该些磊晶结构31、32、33之间依序电性耦合。另外，与前例类似，若第一电性半导体层211为P型半导体层，与之电性耦合的第一奥姆接触层则为P型反射式奥姆接触，则与第二电性半导体层212电性耦合的导电支撑结构则为N型奥姆接触；反之亦然。
[0045]值得注意的是，本发明的导电支撑结构37非如现有技术的内联机13般纤细(如图2)，承如前述，孔洞22、23的宽度与该些磊晶结构31、32、33的宽度几乎相当，换言之，第一开口 22’、23’的宽度W I与该些磊晶结构31、32、33的宽度W2几乎相当(如图41)，因此，导电支撑结构37可形成为板状结构，且具有20至50微米的厚度，透过具有一定宽度及厚度的板状结构，使导电支撑结构不易因外力撞击而破裂，且能保护磊晶结构，以达到改善现有技术缺失的目的。
[0046]请参考图4C及图4F，除了第一磊晶结构31上的导电支撑结构37b维持暴露，其它部份的导电支撑结构上皆被第二绝缘结构40覆盖，因此，第一开口 22’、23’亦填满第二绝缘结构40。接着，将导电基板41形成于第二绝缘结构40上，并电性耦合第一磊晶结构31上的导电支撑结构37b。导电基板41例如为电路板，或是可通过导电基板41，便于之后耦接至电路板上(图未示)，并加强发光二极管结构的稳固性。关于电路板(Printed circuitboard,简称PCB)的材质可为金属基印刷电路板(metal core PCB)、铜箔印刷式电路板、陶瓷基板或硅基板。
[0047]请参考图4G，将图4F所绘的结构翻转(flip) 180度，若基板20为不透明的材质，可将基板20移除，暴露出该些磊晶结构31、32、33的底面，底面可为第一电性半导体层211，或是其它功能层，如未掺杂氮化镓层(U-GaN)或成核层(nucleation),将该底面进行粗糙化制程，以形成粗糙结构R，使磊晶结构中因电子电洞复合所产生的光被散射而增加发光面积或效率。
[0048]接着，请参考图4H，于粗糙结构R上形成电极42，电极42可包含奥姆接触结构(ohmic contact)，其材料如同前述，取决于与之相邻的半导体层的电性，于此不再赘述。据此如图4H所示，完成本发明的一实施例所发展的发光二极管100，对其施加电压而于其内产生的电流E可从电极42穿过第三磊晶结构33，依序经由导电支撑结构37b、37c、37a，传到第二磊晶结构32，再依此顺序传到第一磊晶结构31的导电支撑结构37b (如图5所示)。
[0049]值得注意的是，如前所述，本发明于磊晶层21定义磊晶结构时，至少形成两个磊晶结构，因此，于另一实施例中，亦可只形成第一磊晶结构31及第三磊晶结构33，想象于图4B及图4H中，不存在第二磊晶结构32及第一开口 23，留下第一开口 22，用以完成两个具有导电支撑结构的发光二极管串联结构。
[0050]当然，于另一实施例中，亦可于第一磊晶结构31与第三磊晶结构33之间，定义出多个第二磊晶结构32，形成多个具有导电支撑结构的发光二极管串联结构。
[0051]于本发明另一实施例中，磊晶层可比前述实施例中的磊晶层包含更多半导体层，以完成多个具有导电支撑结构的发光二极管串并联的结构。请参考图6A，图6A是本发明的另一实施例所发展出半导体发光结构的侧向剖面示意图。磊晶层21’与前述磊晶层21相比较，于第二电性半导体层212上再形成第二发光层21b,于第二发光层21b上再形成第一电性半导体层213，据此，定义磊晶层21’，形成多个磊晶结构，该些磊晶结构之间具有第一开口，其中两个磊晶结构分别是第一磊晶结构51及第二磊晶结构52，第一开口的两侧壁由第一绝缘结构54a、54b所覆盖，第一开口的底部暴露出第一电性半导体层211，分别做为第一磊晶结构51及第二磊晶结构52的第一接触区51s、52s。接着，于该些磊晶结构51、52之间定义蚀刻出第二开口，用以暴露出第二电性半导体层212的表面，以形成第二接触区，而未被蚀刻掉的第一电性半导体层213的表面则形成第三接触区213s。接着，可于该等磊晶结构51、52的第二接触区上分别形成第二奥姆接触层511、521。
[0052]于本实施例中，于磊晶结构51、52之间形成导电支撑结构57a、57b、57c，分别覆盖于第一接触区51s、52s及第二奥姆接触层511、521以及第三接触区213s。再于导电支撑结构57a、57b、57c上覆盖第二绝缘结构40，但可保留第一磊晶结构51上的导电支撑结构57c,用以跟导体基板41耦合，再将结构翻转180度，于第二磊晶结构52的底面形成电极42 (如图6B所示)。于本实施例中，第一电性半导体层211、213为N型掺杂层，第二电性半导体层212为P型掺杂层，则形成NPN发光二极管串并联的结构，其电路示意图如图6C所
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[0053]请参考图7A，图7A为本发明另一实施例所发展出关于半导体发光结构的侧向剖面示意图。于另一实施例中，为前一实施例的类似结构，差别之处在于置换磊晶结构中半导体层的电性，例如，第一电性半导体层211、213为P型掺杂层，第二电性半导体层212为N型掺杂层，且该些磊晶结构同样具有第一开口及第二开口。接着，第二开口中所暴露的第二电性半导体层212，其上具有第二接触区212s，而未被蚀刻掉的第一电性半导体层213上具有第三接触区，第三接触区上可具有第三奥姆接触层61、62，分别位于第一磊晶结构51及第二磊晶结构52上。覆晶后可完成如图7B所示的PNP发光二极管串并联的结构，其电路示意图如图7C所示。
[0054]此外，发光二极管适用h V =Eg (普朗克常数h、频率V、能量间隙Eg)理论，若改变磊晶结构的材料种类，即可改变Eg值，也就能改变光的波长(λ =1/ V )，也就能发出不同颜色的光。
[0055]综上所述，通过板状的导电支撑结构及绝缘结构，以增强半导体发光结构的稳固性，即使受到外力撞击或进行雷射切割元件时，导电支撑结构与磊晶结构较不易因此受损，以提高元件的可靠度。再搭配覆晶式发光二极管的封装方式，通过导电支撑结构的设置，以增强发光效率及散热效能。
[0056]以上所述，仅是本发明的实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种半导体发光结构的制造方法，其步骤包括: 提供一第一基板； 于该第一基板上形成一嘉晶层，其中该嘉晶层包括一第一电性半导体层、一第二电性半导体层及位于该等电性半导体层之间的一第一发光层； 分割该磊晶层，而定义出一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，并暴露出部分该第一电性半导体层，其中该第一电性半导体层的暴露部分上具有一第一接触区，该第二电性半导体层上具有一第二接触区；以及 形成一导电支撑结构，覆盖该第一接触区及该第二接触区，使得该第一磊晶结构电性率禹合该第 嘉晶结构。
2.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于:其步骤更包括形成一第一奥姆接触层于该第一接触区上，使得该导电支撑结构电性耦合该第一奥姆接触层，并直接奥姆接触该第二接触区。
3.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于:其步骤更包括形成一第二奥姆接触层于该第二接触区上，使得该导电支撑结构电性耦合该第二奥姆接触层，并直接奥姆接触该第一接触区。
4.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于其步骤更包括: 于形成该磊晶层的步骤中，形成一第三电性半导体层于该第二电性半导体层上，且其之间具有一第二发光层，其中该第三电性半导体层与该第一电性半导体层具有相同电性，并与该第二电性半导体层具有相反电性； 于分割该磊晶层的步骤中，同时`暴露出部分该第二电性半导体层，其中该第三电性半导体层上具有一第三接触区；以及 于形成该导电支撑结构的步骤中，同时覆盖该第一磊晶结构上的该第三接触区及该第一接触区，以及该第二磊晶结构上的该第二接触区。
5.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于其步骤更包括: 形成一第二绝缘结构，用以覆盖该导电支撑结构，但暴露部分的该导电支撑结构； 提供一第二基板，电性耦合该导电支撑结构的暴露部分；以及 移除该第一基板，用以暴露出该等磊晶结构的一侧。
6.如权利要求5所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于其步骤更包括将该等磊晶结构的该侧进行一粗糙化制程。
7.如权利要求5所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于:其步骤更包括形成一电极于该第二磊晶结构或该第一磊晶结构的该侧。
8.如权利要求1所述的半导体发光结构的制造方法，其特征在于:形成该导电支撑结构的方法包括进行一电镀或蒸镀制程。
9.一种半导体发光结构,其包括: 一第一嘉晶结构，具有一第一接触区； 一第二磊晶结构，具有一第二接触区；以及 一导电支撑结构，包覆该第一接触区及该第二接触区，使得该第一磊晶结构电性耦合该第二磊晶结构。
10.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:所述半导体发光结构更包括一第一奥姆接触层，形成于该第一接触区上，且该导电支撑结构电性耦合该第一奥姆接触层，并直接奥姆接触该第二接触区。
11.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:所述半导体发光结构更包括一第二奥姆接触层，形成于该第二接触区上，且该导电支撑结构电性耦合该第二奥姆接触层，并直接奥姆接触该第一接触区。
12.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:所述半导体发光结构更包括一第一奥姆接触层及一第二奥姆接触层，分别形成于该第一接触区及该第二接触区上，其中该导电支撑结构的材料与该第一奥姆接触层或该第二奥姆接触层的材料相同。
13.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于该第一磊晶结构及该第二磊晶结构皆包括: 一第一电性半导体层，具有该第一接触区； 一第二电性半导体层，具有该第二接触区，并与该第一电性半导体层具有相反电性；以及 一第一发光层，位于该第一电性半导体层及该第二电性半导体层之间。
14.如权利要求13所述的半导 体发光结构，其特征在于:该第一磊晶结构及该第二磊晶结构皆包括一第二发光层及一第三电性半导体层，且该第二发光层位于该第三电性半导体层与该第二电性半导体层之间，该第三电性半导体层与该第一电性半导体层具有相同电性，且其上具有一第三接触区，该导电支撑结构覆盖该第一磊晶结构上的该第三接触区及该第一接触区，以及该第二磊晶结构上的该第二接触区。
15.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:该导电支撑结构的材料为金属，且其厚度是介于20至50微米之间。
16.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:所述半导体发光结构更包括一电极，位于该第二磊晶结构相对该第二接触区的一侧。
17.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:该等磊晶结构相对该等接触区的一侧具有一粗糙结构。
18.如权利要求9所述的半导体发光结构，其特征在于:所述半导体发光结构更包括一绝缘层及一基板，该绝缘层包覆该导电支撑结构，但暴露部分的该导电支撑结构，该基板电性耦合该导电支撑结构的暴露部分。
【文档编号】H01L33/16GK103579431SQ201210279540
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年8月7日 优先权日:2012年8月7日
【发明者】张源孝, 刘恒 申请人:华夏光股份有限公司