基板处理装置及基板处理方法

专利名称：基板处理装置及基板处理方法
技术领域：
本发明涉及自承载件取出基板并对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术：
利用基板处理装置来进行作为半导体制造エ序之一的光致抗蚀剂エ序，该基板处理装置包括用于供容纳有多张半导体晶圆(以下记载为晶圆)的承载件输入的承载区、用于对自承载区交接来的晶圆进行处理的处理区。有时通过将用于进行抗蚀剂等各种药液的涂敷处理的涂敷处理用的単位区、用于进行显影处理的显影处理用的単位区中的多个单位区上下层叠而构成上述处理区。在这种 情况下，在设置于承载区的晶圆移载机构的移动路径的背面侧(处理区侧)设有用于相对于各単位区交接晶圆的层叠起来的载置台组。例如在JP2009 — 278027A中，对构成为涂敷、显影装置的这样的基板处理装置进行了记载。但是，对于上述基板处理装置，通过如上所述地层叠单位区，能够谋求减小该基板处理装置所占的地面面积与用于设置基板处理装置的无尘室的地面面积的比例，但要求进一歩减小该比例。另外，在该基板处理装置中，除了正在研究提高生产率之外，还要求即使在上述承载区的晶圆移载机构发生了故障的情况下也能防止生产率降低。另外，在JP2009 — 260087A中记载了ー种基板处理装置，其包括承载区，其设有两个移载机构；处理区，其由层叠起来的两个单位区构成。移载机构分别接近被设于各単位区的入口处的载置台，从而借助该载置台在承载区与単位区之间输送晶圆，但ー个移载机构所接近的载置台仅限于一个单位区的载置台，并不能解决上述的问题。

发明内容
本发明是在这样的情况下做成的。本发明的第I技术方案的目的在于提供ー种能够谋求提高生产率、而且能够减小基板处理装置的占地面积的技木。本发明的第2技术方案的目的在于提供ー种能够减小基板处理装置的占地面积的技木。本发明的第I技术方案的基板处理装置包括承载区，该承载区包含用于对能够收纳多个基板的承载件进行载置的第I承载件载置部和第2承载件载置部，从上述承载区的近前侧看来，左右互相分开地设有第I承载件载置部及第2承载件载置部；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔単元，从上述处理区侧朝向承载区看来，该塔单元设在第I承载件载置部和第2承载件载置部之间的位置，该塔单元包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的基板输送机构交接基板的高度位置；第I基板移载机构，其用于在上述第I承载件载置部上的承载件与上述塔単元的各基板载置部之间移载基板，具有用于保持基板的、进退、升降自由的基板保持构件;第2基板移载机构，其用于在上述第2承载件载置部上的承载件与上述塔単元的各基板载置部之间移载基板，具有用于保持基板的、进退、升降自由的基板保持构件。在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以在上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的ー个基板移载机构发生了故障时，另ー个基板移载机构在与该ー个基板移载机构相对应的承载件载置部上的承载件与塔単元的基板载置部之间移载基板。在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以对上述第I基板移载机构及第2基板移载机构进行控制，使得在上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的ー个基板移载机构进行用于从承载件取出处理前的基板而将基板移载到塔単元的基板载置部的作业时，另ー个基板移载机构进行自塔単元的基板载置部接收处理后的基板而移载到承载件的作业。在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以使上述承载区还具有其他承载件载置部，该其他承载件载置部以与上述第I承载件载置部及第2承载件载置部中的至少ー个承载件载置部上下排列的方式配置。 在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以使与上述第I承载件载置部及第2承载件载置部中的上述至少ー个承载件载置部相对应的基板移载机构为了在上侧的承载件载置部及下侧的承载件载置部之间分别交接基板而具有上侧基板移载机构和下侧基板移载机构。在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以在下侧的承载件载置部的侧方设有承载件临时放置部，该承载件临时放置部用于在该下侧的基板载置部与位于承载区的上方侧的承载件输送机构之间输入或输出承载件时临时放置承载件；该基板处理装置设有用于使承载件在该下侧的承载件载置部与上述承载件临时放置部之间移动的承载件移动机构。在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以使上述承载区还具有第3承载件载置部，其以与第I承载件载置部上下排列的方式配置；第4承载件载置部，其以与第2基板移载机构上下排列的方式配置。在本发明的第I技术方案的基板处理装置中，也可以使第I基板移载机构及第2基板移载机构包含于互相独立的基板移载机构模块；上述基板移载机构模块能够分别独立地向左右拉出。在本发明的第I技术方案的基板处理方法中，该基板处理方法包括以下エ序将承载件载置在基板处理装置的第I承载件载置部或第2承载件载置部上，其中，该基板处理装置包括承载区，其用于配置能够收纳多个基板的承载件；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔単元，从上述处理区侧朝向承载区看来，该塔单元设在左右互相分开的第I承载件载置部和第2承载件载置部之间的位置，该塔单元包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的基板输送机构交接基板的高度位置；第I基板移载机构，其用于在第I承载件载置部上的承载件与上述塔单元的各基板载置部之间移载基板；第2基板移载机构，其用于在第2承载件载置部上的承载件与上述塔単元的各基板载置部之间移载基板；使用上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的所对应的基板移载机构自承载件载置部上的承载件取出基板，移载到上述塔单元的基板载置部；利用上述处理区的基板输送机构接收被载置在上述塔単元的基板载置部上的基板并输送到处理组件，利用处理组件处理基板；将处理后的基板从上述处理区侧输送到上述塔単元的基板载置部；利用第I基板移载机构或第2基板移载机构将处理后的基板从上述塔単元的基板载置部移载到被载置在与该基板移载机构相对应的承载件载置部上的承载件。在本发明的第I技术方案的基板处理方法中，也可以在上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的ー个基板移载机构发生了故障时，另ー个基板移载机构在与该ー个基板移载机构相对应的承载件载置部上的承载件与塔単元的基板载置部之间移载基板。在本发明的第I技术方案的基板处理方法中，也可以使上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的ー个基板移载机构进行用于自承载件取出处理前的基板并将基板移载到塔単元的基板载置部的作业，在该期间内，另ー个基板移载机构自塔单元的基板载置部接收处理后的基板并移载到承载件。在本发明的第I技术方案的基板处理方法中，也能以与上述第I承载件载置部及第2承载件载置部中的至少ー个承载件载置部上下排列的方式配置有另ー承载件载置部，在上下排列的两个承载件载置部中的下侧的承载件载置部的侧方设有承载件的承载件临时放置部，自位于承载区的上方侧的承载件输送机构向上述承载件临时放置部输送承载件，接着，利用承载件移动机构使位于上述承载件临时放置部的承载件移动到上述下侧的承载件载置部。本发明的第I实施方式的存储介质是用于基板处理装置的存储有计算机程序的存储介质，该基板处理装置包括承载区，其用于配置能够收纳多个基板的承载件；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔単元，从上述处理区侧朝向承载区看来，该塔单元设在左右互相分开的第I承载件载置部和第2承载件载置部之间的位置，该塔单元包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的基板输送机构交接基板的高度位置，上述计算机程序能够执行上述第I技术方案的基板处理方法。
采用本发明的第I技术方案，利用第I基板移载机构及第2基板移载机构并行地将基板从被载置在各承载件载置部的承载件输送到基板载置部，因此，能够提高生产率。另夕卜，采用本发明的第I技术方案，能够抑制塔部与各承载件载置部之间的距离变长，能够防止基板处理装置大型化。在本发明的第2技术方案的基板处理装置中，该基板处理装置包括承载区，其沿上下方向具有多个用于对能够收纳多个基板的承载件的进行载置的承载件载置部；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将用于按顺序处理基板的多个层部分上下配置而成的构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔単元，其包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用该多个基板载置部各自所对应的层部分的上述基板输送机构交接基板的高度位置；基板移载机构，其用于在各个上述承载件载置部上的承载件与上述塔単元的基板载置部之间、以及上述塔単元所包含的两个基板载置部之间移载基板，上述基板移载机构包括在承载件与基板载置部之间移载基板时专用的第I基板保持构件和在塔単元的基板载置部之间移载基板时专用的第2基板保持构件。在本发明的第2技术方案的基板处理装置中，也可以使上述第I基板保持构件与基板的下表面的比周缘部靠中央的部位接触而保持该基板，上述第2基板保持构件包括支承部，其以将基板的周围的至少一部分包围的方式设置；保持爪，其设在该支承部的内周缘，用于从下方支承基板的下表面的周缘部，利用上述第2基板保持构件交接基板的基板载置部具有用于载置基板的载置板，在该载置板的外周形成有能够供上述保持爪通过的缺ロ部。在本发明的第2技术方案的基板处理装置中，也可以使利用上述第I基板保持构件交接基板的基板载置部为了能够在基板载置部与第I基板保持构件之间移换基板而在不与该第I基板保持构件平面地干渉的位置具有用于使基板升降的升降构件。 在本发明的第2技术方案的基板处理方法中，该基板处理方法包括以下エ序利用基板移载机构的第I基板保持构件从基板处理装置的各承载件载置部上的承载件取出基板，移载塔单元的基板载置部，其中，该基板处理装置包括承载区，其沿上下方向具有多个用于对能够收纳多个基板的承载件进行载置的承载件载置部；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将用于按顺序处理基板的多个层部分上下配置而成的构造，并且各层部分具有基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔単元，其含有多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的上述基板输送机构交接基板的高度位置；基板移载机构，其用于在各个上述承载件载置部上的承载件与上述塔单元的基板载置部之间、以及在上述塔単元所含有的两个基板载置部之间移载基板；接着，利用上述处理区中的所对应的基板输送机构接收上述基板载置部上的基板，输送到处理组件，利用该处理组件处理基板；利用基板输送机构将处理后的基板输送到上述塔単元的基板载置部；利用上述基板移载机构的与第I保持构件不同的第2保持构件接收被载置在上述基板载置部的基板，移载到上述塔単元的与用于进行下ー处理的层部分相对应的其他基板载置部；利用用于上述进行下ー处理的层部分的基板输送机构接收上述其他基板载置部上的基板，输送到处理组件，利用该处理组件处理基板。在本发明的第2技术方案的基板处理方法中，也可以使上述第I基板保持构件与基板的下表面的比周缘部靠中央的部位接触而保持该基板，上述第2基板保持构件包括支承部，其以将基板的周围的至少一部分包围的方式设置；保持爪，其设在该支承部的内周缘，用于从下方支承基板的下表面的周缘部，利用上述第2基板保持构件交接基板的基板载置部具有用于载置基板的载置板，在该载置板的外周形成有能够供上述保持爪通过的缺ロ部。在本发明的第2技术方案的基板处理方法中，也可以使利用上述第I基板保持构件交接基板的基板载置部为了能够在基板载置部与上述第I基板保持构件之间移换基板而在不与该第I基板保持构件平面地干渉的位置具有用于使基板升降的升降构件。本发明的第2技术方案的存储介质存储有用于基板处理装置的计算机程序，该基板处理装置包括承载区，其用于配置能够收纳多个基板的承载件；处理区，其具有将用于按顺序处理基板的多个层部分上下配置而成的构造，并且各层部分具有基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔単元，其含有多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的上述基板输送机构交接基板的高度位置，上述计算机程序能够执行上述第2技术方案所述的基板处理方法。采用本发明的第2技术方案，能够谋求基板移载机构的小型化，由此，基板移载机构的配置的布局的自由度变高。另外，基板载置部的构成的自由度也变高。因而，能够抑制装置的占地面积。


图1是本发明的基板处理装置的涂敷、显影装置的俯视图。图2是上述涂敷、显影装置的立体图。
图3是上述涂敷、显影装置的纵剖侧视图。图4是设于上述涂敷、显影装置的承载区中的晶圆移载机构的立体图。图5是设于承载区的交接组件的立体图。图6是用于说明利用上述交接组件交接晶圆的说明图。图7是用于说明利用上述交接组件交接晶圆的说明图。图8是将构成上述承载区的基板移载机构模块拉出后的状态的承载区的主视图。图9是上述承载区的俯视图。图10是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图11是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图12是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图13是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图14是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图15是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图16是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图17是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图18是表示第2实施方式的承载区的主视图。图19是表示设于上述承载区的承载件移动机构的俯视图。图20是表示设于上述承载区的承载件移动机构的俯视图。图21是表示设于上述承载区的承载件移动机构的俯视图。图22是第3实施方式的承载区的主视图。图23是上述承载区的横剖俯视图。图24是第4实施方式的承载区的主视图。图25是上述承载区的横剖俯视图。图26是表示晶圆移载机构的其他构造的主视图。图27是第5实施方式的涂敷装置的概略侧视图。图28是上述涂敷装置中的晶圆输送路径的概略图。图29是上述涂敷装置中的晶圆输送路径的概略图。图30是上述涂敷装置中的晶圆输送路径的概略图。图31是第6实施方式的涂敷、显影装置的概略侧视图。图32是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图33是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。
图34是第7实施方式的涂敷、显影装置的概略侧视图。图35是上述涂敷、显影装置中的晶圆输送路径的概略图。图36是第8实施方式的涂敷、显影装置的概略侧视图。
具体实施例方式第I实施方式首先，说明本发明的第I实施方式。第I实施方式的基板处理装置构成为涂敷、显影装置I。该涂敷、显影装置与曝光装置连接而形成抗蚀剂图案形成系统。图1是上述抗蚀图案形成系统的俯视图，图2是其概略立体图，图3是其概略侧视图。涂敷、显影装置I是通过将承载区Al、处理区A2和转接区A3呈直线状连接而构成的。在转接区A3的与处理区A2的相反的一侧还连接有曝光装置A4。在该例子中，曝光装置A4在曝光用的透镜与作为 基板的晶圆W之间为气相的状态下对该晶圆W进行曝光。涂敷、显影装置I包括与该曝光装置A4相对应的处理组件。另外，将载置晶圆W的场所记载为组件，将对晶圆W进行液处理、加热处理等各种处理的组件作为处理组件。在以后的说明中，将区Al 区A4的排列方向作为前后方向，将承载区Al侧作为前表面侧，将曝光装置A4侧作为背面侧。首先，说明处理区A2的概略。处理区A2按照编号顺序从下方开始层叠有被层叠起来的6个单位区BI 单位区B6，如图3所示，在各単位区BI 单位区B6中分别设有作为单位区用的基板输送机构的主晶圆输送机构51 56。主晶圆输送机构51 56能够互相独立且并行地在设于各単位区的处理组件之间输送晶圆I在単位区B1、B2中，对晶圆W进行防反射膜的形成处理和抗蚀剂膜的形成处理。在单位区B3、B4中，进行被层叠在上述抗蚀剂膜的上层的防反射膜的形成处理。在单位区B5、B6中，在利用曝光装置A4曝光之后对曝光后的晶圆W进行显影处理。接着，说明承载区Al。承载区Al用于将容纳有多张晶圆W的被称作FOUP的作为输送容器的承载件C在该承载区Al与图2所示的顶部输送机构21之间交接。另外，承载区Al还具有在承载件C与处理区A2之间交接晶圆W的作用、以及为了能够在不同的単位区B之间交接晶圆W而对晶圆W进行升降输送的作用。承载区Al包括方形的壳体11，在壳体11的前表面形成有与壳体11内连通的4个晶圆W的输送ロ 12A 输送ロ 12D。输送ロ 12A、12B在壳体11的下层侧左右隔开间隔地形成在相同高度，输送ロ 12C、12D分别在输送ロ 12A、12B的上方形成在相同高度。上述的输送ロ 12A 输送ロ 12D被开闭部13封堵。开闭部13在将设于承载件C的前表面的盖体Cl拆下并保持被拆下的盖体Cl的状态下如图3所示那样自输送ロ 12A 输送ロ 12D进行后退及下降动作，使得能够在承载件C内与壳体11内之间输送晶圆W。在壳体11的前表面中，输送ロ 12A、12B的下方形成为向前方侧突出的支承台14，由此，壳体11构成为侧视L字。在该支承台14的上表面上设有左右互相分开的承载件载置部15A、15B。上述的承载件载置部15A、15B设在各输送ロ 12A、12B的前方侧，在支承台14的近前侧的用于交接承载件C的卸载位置与在支承台14的进深侧的用于自所载置的承载件C取出晶圆W的装载位置之间沿前后方向移动。图中的附图标记16是自各承载件载置部15A、15B向上方突出的销，用干与在承载件C的底面切出的槽C3 (在该实施方式中省略了图示)嵌合。由此，能够限制承载件C相对于承载件载置部15的位置。支承台14上表面的承载件载置部15A、15B之间构成为承载件临时放置部17A、17B。各承载件临时放置部17A、17B是为了在顶部输送机构21与承载件载置部15A、15B之间交接承载件C而临时载置该承载件C的区域，承载件临时放置部17A设在承载件载置部15A侧，承载件临时放置部17B设在承载件载置部15B侧。在此，简单说明顶部输送机构21。图2中的附图标记22是导轨，被引绕在用于设置涂敷、显影装置I的无尘室内的顶部。附图标记23是沿着导轨22移动的驱动机构。附图标记24是连接于驱动机构23的连接部，其利用驱动机构23向下方自由伸长。附图标记25是把持部，其设在连接部24的下端，用于把持被设在承载件C的上部的被把持部C2。在支承台14的左右分别设有承载件移动机构26A、26B，用于在各承载件临时放置部17A、17B与承载件载置部15A、15B之间分别交接承载件C。另外，在图2中，为了使图易于观察而省略了承载件移动机构26B。參照图2说明承载件移动机构26A，承载件移动机构 26A包括把持部27、自把持部27沿横向伸展的杆28、用于使杆28向横向移动的杆移动机构29、用于使杆移动机构20升降的升降机构30。上述把持部27包括间隔变更自由的爪部27a、27a，能够自由地把持并释放承载件C的被把持部C2。承载件移动机构26B与承载件移动机构26A同样地构成，因此省略详细的说明。在输送ロ 12C、12D的下方且输送ロ 12A、12B的上方以自壳体11向前方突出的方式分别设有上方支承台31C、31D，在上方支承台31C、31D的上表面上分别设有承载件载置部15C、15D。该承载件载置部15C、15D与承载件载置部15A、15B同样地构成。在上述的承载件载置部15C、1 与顶部输送机构21之间，不经由上述承载件临时放置部17A、17B而直接交接承载件C。上方支承台31C、31D互相隔开间隔地形成，利用该间隔在已述的承载件临时放置部17A、17B与顶部输送机构21之间交接承载件C。即，上方支承台31C、31D以不与承载件临时放置部17A、17B重叠的方式配置。如图1所示，在壳体11内的左右的中央部设有上下延伸的塔单元31，为了向各单位区B中输入晶圆W并自各単位区B输出晶圆W，在该塔单元31中层叠地设有多个用于临时载置晶圆W的交接组件。在壳体11内以从左右夹着该塔単元31的方式设有第I晶圆移载单元41和第2晶圆移载单元42。第I晶圆移载单元41设在面对承载件载置部15A、15C的位置，用于在分别被载置于上述承载件载置部15A、15C的承载件C与设于塔単元31的交接组件之间输送晶圆W。第2晶圆移载单元42设在面对承载件载置部15B、15D的位置，用于在分别被载置于上述承载件载置部15B、15D的承载件C与设于塔単元31的交接组件之间输送晶圆W。所谓的面对承载件载置部的位置是指设于晶圆移载单元的后述的移载部主体40能够相对于被载置在该承载件载置部的承载件C交接晶圆W的位置。也參照图4说明第I晶圆移载单元41。第I晶圆移载单元41包括导轨43、支承框44和移载部主体40。导轨43沿左右方向铺设在壳体11的底部，支承框44以沿上下方向延伸的方式形成，其沿着导轨43移动自由。移载部主体40由升降基座45、旋转台46、第I保持臂47和第2保持臂48构成。升降基座45被支承在支承框44上，并相对干支承框44升降自由。旋转台46设在升降基座45上，并绕铅垂轴线旋转自由。作为基板保持构件的第I保持臂47构成为具有基部47a和自该基部47a分岔成两个并水平伸出的顶端部47b、47b的细长且扁平型的叉形状，并沿着其长度方向在旋转台46上进退自由。在将该第I保持臂47的伸长方向作为前后方向的情况下，第I保持臂47通过这样构成来保持晶圆W的下表面的比左右周缘部靠中央的部位。而且，该第I保持臂47向盖体Cl被打开的承载件C内进入自由，能够在其与承载件C之间交接晶圆W。作为基板保持构件的第2保持臂48在旋转台46上以与第I保持臂47重叠的方式设在该第I保持臂47的下方，沿着与第I保持臂47相同的方向进退自由。能够相对于第I保持臂47独立地进行该进退动作。第2保持臂48包括基部48a、自基部48a朝向第2保持臂48的前进方向以包围晶圆W的侧周的方式分岔成两个地伸出的支承部(顶端部)48b、48b、及设在各支承部48b、48b的下方的内周缘的3个保持爪48c。一个支承部48b比另ー个支承部48b长，基部48a和支承部48b、48b俯视看来构成为大致C字形。保持爪48c被隔开间隔地配置，用于保持晶圆W的背面周缘部。接着，參照图5对设于塔単元31的作为基板载置部的交接组件CPL和交接组件SCPL进行说明。交接组件CPL包括多张、例如4张互相隔开间隔地层叠的圆板形状的晶圆载置部32，能够在各个晶圆载置部32上载置晶圆。在晶圆载置部32的背面形成有自来水 的流路，能够将载置于晶圆载置部32的晶圆W调整到上述水的温度。晶圆载置部32的圆周的一部分伸出到外侧，利用该伸出的部分构成了用于支承晶圆载置部32的支承部33。另外，在晶圆载置部32的周围还形成有朝向内侧的多个缺ロ34。在各晶圆移载单元41、42的第2保持臂48相对于晶圆载置部32上下移动时，该第2保持臂48能够通过晶圆载置部32的外周。此时，如图6所示，第2保持臂48的保持爪48c通过缺ロ 34。由此，能够在晶圆载置部32与各第2保持臂48之间交接晶圆W。在此，说明处理区A2的主晶圆输送机构51 56。主晶圆输送机构51 56彼此同样地构成，包括与第2保持臂48大致同样地构成的保持臂(基板保持构件)57。S卩，主晶圆输送机构51 56的保持臂57包括基部57a、自基部57a朝向保持臂57的前进方向以围绕晶圆W的侧周的方式分岔成两个地伸出的支承部(顶端部)57b、57b、以及设在各支承部57b,57b的下方的内周缘的保持爪57c。主晶圆输送机构51 56的保持臂57与晶圆移载単元41、42的第2保持臂48的不同点在于，两个支承部(顶端部)57b、57b形成为相同的长度、以及设有4个保持爪57c。在保持臂57沿晶圆载置部32的上下移动时，保持臂57能够与第2保持臂48同样地通过晶圆载置部32的外周，此时，保持臂57的保持爪57c通过缺ロ 34。由此，能够在交接组件CPL与保持臂57之间交接晶圆W。返回到图5，说明交接组件SCPL。交接组件SCPL包括扁平的圆形的晶圆W的载置部35。在该晶圆载置部35的内部形成有未图示的冷却水的流路，能够将载置于晶圆载置部35的晶圆W的温度调整到上述冷却水的温度。该冷却水是利用冷机调整了温度后的水，因而，交接组件SCPL能够比交接组件CPL更高精度地将所载置的晶圆W调整到规定的温度。另外，也可以替代这样地供给冷却水，而将恒温单元组装到晶圆载置部35中，该恒温単元例如由珀尔帖元件等构成，能够控制晶圆载置部35的表面的温度。晶圆载置部35包括3根作为升降构件的升降销36。升降销36经由开ロ于晶圆载置部35的表面的3个孔37在该表面上突出或没入自由。如图7所示，该升降销36配置为能够通过在晶圆载置部35上移动的第I保持臂47的一对支承部47b、47b之间、第2保持臂48的一对支承部48b、48b之间、主晶圆输送机构的保持臂57的一对支承部57b、57b之间，由此，能够在上述的第I保持臂47、第2保持臂48、保持臂57与晶圆载置部35之间交接晶圆W。因而，能够借助交接组件SCPL、CPL在第I晶圆移载单元41、第2晶圆移载单元42与设在该交接组件CPL、SCPL所处的高度的単位区中的主输送机构之间交接晶圆W。如图3所示，在塔单元31中，在单位区BI B4的主晶圆输送机构51 54能够接近的各高度位置设有交接组件CPL和交接组件SCPL，分别表示为CPLl CPL4和SCPLl SCPL4。另外，在单位区B5和单位区B6的各主晶圆输送机构55、56能够接近的高度位置设有交接组件SCPL，分别表示为SCPL5、SCPL6。并且，在塔単元31中的主晶圆输送机构55、56能够接近的高度位置设有缓冲组·件BU1、BU2。上述缓冲组件BU1、BU2构成为与交接组件CPL大致同样，能够将多张晶圆W沿上下方向载置而使多张晶圆W滞留。在不便晶圆W返回到承载件C的情况下，将晶圆W输送到上述缓冲组件BU1、BU2。例如能够在缓冲组件BU1、BU2中滞留合计15张晶圆W。承载区Al的壳体11被分割，由多个分割部构成。ー个分割部由构成供第I晶圆移载单元41移动的区域的底面部、顶面部和与塔単元31相对的侧面部构成，将该分割部和第I晶圆移载单元41作为晶圆移载单元模块61A。另外，ー个分割部由构成供第2晶圆移载单元42移动的区域的底面部、顶面部和与塔単元31相对的侧面部构成，将该分割部和第2晶圆移载单元42作为晶圆移载单元模块61B。从正面观察承载区Al，晶圆移载单元模块61A、61B能够以远离塔单元31的方式分别向左方向、右方向被拉出。图8、图9表示拉出晶圆移载単元模块61A后的状态。图8中的附图标记62是朝向左右方向形成的导轨。图8中的附图标记63是分别设在晶圆移载单元模块61A、61B的外侧的连接部。连接部63沿着导轨62滑动自由，由此，能够如上所述那样拉出晶圆移载単元模块61A、61B。通过采用这样的构造，能够容易地对晶圆移载单元41、42进行维护。另外，即使晶圆移载単元41、42中的任ー个在工作过程中，也能够维护另ー个，由此，能够防止生产率降低。另外，在图2中省略了对导轨62和连接部63的图示。接着，以图1所示的第I単位区BI为代表说明处理区A2的各単位区。在从近前侧朝向背面侧观察处理区A2时，在左右的中央部形成有从塔单元31朝向转接区A3的输送区域R1。该输送区域Rl是主晶圆输送机构51的移动路径，主晶圆输送机构51能够在该输送区域Rl中移动，接近被设于第I単位区BI的各组件、及在已述的塔単元31和后述的转接塔单元75中配置在与第I单位区B I相同的高度的组件。在输送区域Rl的左侧，沿前后方向配置有架单元Ul U6，在输送区域Rl的右侧，与架单元Ul U6相对地配置有液处理单元71。在液处理单元71中，在前后方向上设有防反射膜形成组件BCT和抗蚀剂涂敷组件C0T。防反射膜形成组件BCT包括两个杯状件72，其分别用于处理晶圆W ;旋转吸盘73，其用于在杯状件72内支承晶圆W的背面并使晶圆W绕铅垂轴线旋转；由两个杯状件72共用的药液供给喷嘴74。通过旋涂将防反射膜形成用的药液涂敷在晶圆W上。抗蚀剂涂敷组件COT除了上述药液是抗蚀剂之外，与防反射膜形成组件BCT同样地构成。架単元Ul U5是通过将用于对晶圆W进行加热处理的加热组件例如层叠两层而构成的。架单元U6例如由互相层叠的两台周缘曝光组件构成。说明其他的单位区B2 单位区B6。单位区B2与单位区BI同样地构成。单位区B3、B4除了替代周缘曝光组件而设有加热组件、替代防反射膜形成组件BCT和抗蚀剂涂敷组件COT而包括所供给的药液与上述的组件所供给的药液不同的组件TCT之外，是与单位区B1、B2同样的构造。上述组件TCT向晶圆W供给的药液在该例子中是用于在抗蚀剂膜的上层形成防反射膜或者后述的抗蚀剂保护膜的药液。単位区B5、B6除了液处理单元71的组件构成为用于供给显影液的显影组件DEV之外，与単位区B3、B4同样地构成。接着，说明转接区A3。在转接区A3的左右的中心部设有沿上下方向伸展的转接塔单元75。在转接塔单元75的与单位区B3 B6相对应的位置设有交接组件TRS，在图3中表示为TRS13 TRS16。各标有TRS的附图标记的交接组件除了不流通冷却水之外，与上述CPL是同样的。另外，在与单位区B5、B6相对应的位置分别设有交接组件SCPL和缓冲组件BU0各交接组件SCPL表示为SCPL15、SCPL16,缓冲组件BU表示为BU11、BU12。另外，还在缓冲组件BU11、BU12的下方设有缓冲组件BU13、BU14。该转接区A3的各缓冲组件BU具有在曝光之前、曝光之后使晶圆W临时滞留的作用，缓冲组件BU11、BU12 除此作用之外，还与上述塔単元31的缓冲组件BU1、BU2同样地具有在不便晶圆W返回到承载件C的情况下使晶圆W滞留的作用。例如在缓冲组件BU11、BU12中分别能够滞留25张晶圆W。此外，在转接塔单元75的下方侧设有交接组件SCPL10、TRSlO0另外，在转接区A3中以从左右夹着转接塔単元75的方式设有转接臂(转接基板保持构件)76、77，用于在转接塔单元75的各组件之间输送晶圆W。在转接臂76、77的下方设有转接臂78，用于在曝光装置A4与交接组件SCPL10、TRSlO之间输送晶圆W。在涂敷、显影装置I中设有例如由计算机构成的控制部70。控制部70包括由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等。在上述程序中編入有命令(各步骤)，以便自控制部70向涂敷、显影装置I的各部发送控制信号，进行后述的晶圆W的输送以及在处理组件中进行的各处理工序。另外，例如在存储器中设有用于写入处理温度、处理时间、各药液的供给量或者电カ值等处理參数的值的区域，在CPU执行程序的各命令时，读出上述的处理參数，将与该參数值相应的控制信号发送到该涂敷、显影装置I的各部位。该程序(也包含与处理參数的输入操作、显示相关的程序)存储在计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、MO (光磁盘)、存储卡等存储介质中，并被安装到控制部70中。对该抗蚀图案形成系统的承载件C的交接以及自承载件C取出的晶圆W的输送路径进行说明。自顶部输送机构21将承载件C依次交接到处于卸载位置的承载件载置部15C、15D和承载件临时放置部17A、17B。利用承载件移动机构26A、26B将被输送到承载件临时放置部17A、17B的承载件C分别交接到承载件载置部15A、15B。载置有承载件C的承载件载置部15A 承载件载置部15D向装载位置前迸，将承载件C的前表面按压于承载区Al的壳体11的前表面，开闭部13拆下承载件C的盖体Cl,并且输送ロ 12A 输送ロ 12D开放。图10、图11概略地表示在该系统中第I晶圆移载单元41和第2晶圆移载单元42能够使用的通常时的晶圆W的输送路径。另外，在图10、图11中表示了在该输送路径中晶圆移载単元41、42所使用的保持臂(基板保持构件)。如图10所示，在该例子中，自载置于承载件载置部15A、15C的承载件C取出的晶圆W通过单位区BI —单位区B3 —曝光装置A4 —单位区B5而被处理。而且，自载置于承载件载置部15B、15D的承载件C取出的晶圆W通过单位区B2 —单位区B4 —曝光装置A4 —单位区B6而被处理。然后，如图11所示，在単位区B5、B6中被处理后的各晶圆W返回到该晶圆W被取出的承载件C。上述自承载件载置部15A、15C的承载件C取出的晶圆W及自承载件载置部15B、15D的承载件C取出的晶圆W被互相并行且独立地输送。承载区Al的第I晶圆移载单元41利用第I保持臂47从承载件载置部15A、15C的承载件C中的、盖体Cl先开放的承载件C将晶圆W依次输送到交接组件SCPLl。然后，在将该承载件C的晶圆W全部取出之后，同样利用第I保持臂47将后续的承载件C的晶圆W取出到交接组件SCPLl。利用主晶圆输送机构51将在交接组件SCPLl中被调整了温度后的晶圆W放入到第I単位区BI中。按照防反射膜形成组件BCT —加热组件一抗蚀剂涂敷组件COT —加热组件一周缘曝光组件的顺序输送该晶圆W。在晶圆W的表面依次层叠了防反射膜、抗蚀剂膜之后，将该晶圆W输入到承载区Al的交接组件CPL1。第I晶圆移载单元41利用第2保持臂48接受交接组件CPLl的晶圆W，并交接到交接组件SCPL3。利用主晶圆输送机构53将在交接组件SCPL3中被调整了温度后的晶圆W·放入到第3単位区B3中。利用主晶圆输送机构53按照上层侧防反射膜形成组件TCT —加热组件一交接组件TRS13的顺序输送该晶圆W。由此，在晶圆W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜，将晶圆W输入到转接区A3。按照转接臂76 —缓冲组件BUll 缓冲组件BU14 —转接臂77 —交接组件SCPLlO —转接臂78 —曝光装置A4的顺序输送上述晶圆W，使该晶圆W接受曝光处理。按照转接臂78 —交接组件TRSlO —转接臂77 —缓冲组件BUll 缓冲组件BU14 —转接臂76 —交接组件TRS15的顺序对曝光完毕的晶圆W进行输送。利用主晶圆输送机构55将上述晶圆W放入到第5单位区B5中。按照加热组件一交接组件SCPL15 —显影组件DEV —加热组件一交接组件SCPL5的顺序输送该晶圆W，对抗蚀剂膜进行显影，返回到承载区Al。利用第I晶圆移载单元41的第I保持臂47将交接组件SCPL5的晶圆W返回到原来存储该晶圆W的承载件C。自承载件载置部15B、15D的承载件C取出的晶圆W除了通过的单位区不同、被输送到与该单位区相对应的高度的交接组件CPL、SCPL、以及替代第I晶圆移载单元41而利用第2晶圆移载单元42进行输送之外，与自承载件载置部15A、15C的承载件C取出的晶圆W同样地被输送并被处理。简单地说明，利用第2晶圆移载单元42的第I保持臂47将承载件载置部15B、15D的承载件C的晶圆W输送到交接组件SCPL2。之后，利用第2単位区B2的主晶圆输送机构52按照防反射膜形成组件BCT —加热组件一抗蚀剂涂敷组件COT —加热组件一周缘曝光组件一交接组件CPL2的顺序输送晶圆W。然后，利用第2晶圆移载单元42的第2保持臂48将上述晶圆W从交接组件CPL2输送到交接组件SCPL4。接着，利用第4単位区B4的主晶圆输送机构54按照上层侧防反射膜形成组件TCT —加热组件一交接组件TRS14的顺序输送晶圆W。利用转接臂76 转接臂78与自承载件载置部15A、15C的承载件C取出的晶圆W同样输送该晶圆W，在曝光处理之后，经由缓冲组件BU将该晶圆W输送到交接组件TRS16。接着，利用第6单位区B6的主晶圆输送机构56按照加热组件一交接组件SCPL16 —显影组件DEV —加热组件一交接组件SCPL6的顺序输送晶圆W。之后，利用第2晶圆移载单元42的第I保持臂47将晶圆W返回到原来存储该晶圆W的承载件C。所有的晶圆W返回后的承载件C的盖体Cl被开闭部13关闭，该承载件C所面对的输送ロ 12被关闭。载置有该承载件C的承载件载置部15向卸载位置后退。载置于承载件载置部15C、15D的承载件C直接被交接到顶部输送机构21。利用承载件移动机构26A、26B将载置于承载件载置部15A、15B的承载件C临时移载到承载件临时放置部17A、17B之后，交接到顶部输送机构21。后续的承载件C从顶部输送机构21被交接到这样地将承载件C交接到顶部输送机构21后的承载件载置部15。这样，利用抗蚀图案形成系统连续地对晶圆W进行处理。接着，对在晶圆W的输送过程中第I晶圆移载单元41变得不可使用的情况下的晶圆W的输送路径进行说明。图12、图13是表示此时的晶圆W输送路径的概略图。与通常时同样地对载置于承载件载置部15B、15D的承载件C的晶圆W进行输送。如图12所示，停止自承载件载置部15A和承载件载置部15C的承载件C输出晶圆W及向上述承载件C中输入晶圆W。
在单位区B1、B3、B5中，直到完成单位区B5的各处理组件中的处理为止与通常时大致同样地输送已经被输入到各个单位区中的晶圆W。作为与通常时的输送的不同点，能够列举出如图12所示那样利用第2晶圆移载单元42的第2保持臂48将在第I単位区BI中被处理而被取出到交接组件CPLl的晶圆W输送到交接组件SCPL3，放入到第3单位区B3中。并且，如图13所示那样利用主晶圆输送机构55将在单位区B5中被进行了各处理后的晶圆W输送到承载区Al的缓冲组件BUl、BU2或者转接区A3的缓冲组件BUl1、BU12并滞
&3甶o在第2晶圆移载单元42变得不可使用的情况下，与第I晶圆移载单元41变得不可使用的情况同样，使在単位区B6中完成了处理后的晶圆W滞留在缓冲组件BU中。然后，利用第I晶圆移载单元41的第2保持臂48将在第2単位区B2中被处理并被取出到交接组件CPL2的晶圆W输送到交接组件SCPL4，将该晶圆W输入到第4単位区B4中。然后，对该晶圆W进行与通常时同样的处理。缓冲组件BU11、BU12的晶圆W既可以在使装置停止运转之后由用户回收，也可以在不可使用的晶圆移载单元41、42变为能够使用之后利用该晶圆移载单元41、42返回到承载件C。另外，在该涂敷、显影装置I中，在晶圆移载单元41、42能够使用的通常时，能够切换输送模式，从而将自承载件载置部15A 承载件载置部15D中的任一个承载件载置部15的承载件C取出的处理之前的晶圆W在处理之后输送到被放置在其他的承载件载置部15上的承载件C中。以下，在这样输送晶圆W的情况下，将用于存储被处理之前的晶圆W的承载件C记载为发送承载件SC，将用于存储被处理之后的晶圆W的承载件C记载为接收承载件RC。使用图14、图15说明在该发送承载件SC与接收承载件RC之间进行的输送。在此，在涂敷、显影装置I内的晶圆W全部被取出的状态下，在承载件载置部15A、15C上载置发送承载件SC，在承载件载置部15B、1 上载置接收承载件RC。利用第I晶圆移载单元41将承载件载置部15A的发送承载件SC、承载件载置部15C的发送承载件SC的各晶圆W分别输入到交接组件SCPLl、SCPL2，如图14所示那样放入到第I単位区B1、第2単位区B2中。与作为ー个例子參照图12说明的方法同样地对这样被分别输送到単位区B1、B2中的晶圆W进行输送，在単位区B5、B6中进行处理，井能够输送到交接组件SCPL5、SCPL6。利用第2晶圆移载单元42的第I保持臂47使被输送到交接组件SCPL5、SCPL6的晶圆W返回到承载件载置部15B、15D的接收承载件Re。S卩，在单位区B1、B3、B5中对自承载件载置部15A的发送承载件SC取出来的晶圆W进行处理，输送到承载件载置部15B的接收承载件RC，在単位区B2、B4、B6中对自承载件载置部15C的发送承载件SC取出来的晶圆W进行处理，输送到承载件载置部15D的接收承载件RC。使用图16、图17详细说明进行这样的输送时的晶圆移载単元41、42的动作。图16概略地表示在上述输送过程中自发送承载件SC取出来的最先的晶圆W被输送到交接组件SCPL5或者交接组件SCPL6为止的晶圆W的输送路径、以及在路径中使用的晶圆移载单元41、42。第I晶圆移载单元41利用第I保持臂47自发送承载件SC取出晶圆W，而第2 晶圆移载单元42单独地从交接组件CPLl、CPL2向交接组件SCPL3、SCPL4输送晶圆W。在上述最先的晶圆W被输送到交接组件SCPL5、SCPL6时，利用第2晶圆移载单元42的第I保持臂47开始从上述交接组件SCPL5和交接组件SCPL6向接收承载件RC输送晶圆W。作为另ー个例子，如图17所示，也可以利用第I晶圆移载单元41的第2保持臂48从交接组件CPLl向交接组件SCPL3进行输送。S卩，第I晶圆移载单元41接着承担从发送承载件SC向交接组件SCPL1、SCPL2进行的输送，除此之外，承担从交接组件CPLl向SCPL3进行的输送。第2晶圆移载单元42接着承担从交接组件CPL2向交接组件SCPL4进行的输送，除此之外，承担从交接组件SCPL5、SCPL6向接收承载件RC进行的输送。采用该涂敷、显影装置1，能够相对于载置于承载件载置部15A和承载件载置部15C的承载件C交接晶圆W的第I晶圆移载单元41、能够相对于载置于承载件载置部15B和承载件载置部15D的承载件C交接晶圆W的第2晶圆移载单元42以左右夹着塔単元的方式设置，该塔单元包括多个设在与各単位区相对应的高度的交接组件。因而，能够抑制涂敷、显影装置I的占地面积，并且，能够利用各晶圆移载单元41、42并行地相对于多个承载件C交接晶圆W，因此，能够提高生产率。而且，晶圆移载单元41、42包括在各承载件C与交接组件之间移载晶圆W时专门使用的第I保持臂47、及为了在不同高度的交接组件之间交接晶圆W而专门使用的第2保持臂48，因此，与设有多个包括上述保持臂中的ー个保持臂的输送机构的情况相比，能够抑制涂敷、显影装置I的規模。另外，如之后作为其他实施方式所示，能够提高晶圆移载单元41、42的构造、配置布局的自由度。另外，塔单元31的交接组件例如也不必在所有的交接组件中包括升降销。因而，能够提高交接组件的构造的自由度。例如也不必将交接组件横向排列地配置。由此，能够抑制上述占地面积，能够抑制装置的大型化。另外，在如上所述那样第I晶圆移载单元41和第2晶圆移载单元42中的ー个晶圆移载单元变得不可使用的情况下，另ー个晶圆移载单元代行在通常时由ー个晶圆移载单元进行的从交接组件CPL1、CPL2向交接组件SCPL3、SCPL4的输送。因而，能够更可靠地抑制生产率降低。另外，如上所述那样在发送承载件SC与接收承载件RC之间输送晶圆W的情况下，在不必从交接组件SCPL5、SCPL6向接收承载件RC输送晶圆W的期间内，第2晶圆移载单元42的负荷变少。在该期间内，将第I晶圆移载单元41专用于从发送承载件SC取出晶圆W，将第2晶圆移载单元42专用于在交接组件之间进行交接，从而能够迅速进行上述取出和在交接组件之间的输送。而且，在将晶圆W输入到交接组件SCPL5、SCPL6之后，第I晶圆移载単元41进行由第2晶圆移载单元42进行的在交接组件之间的输送的一部分，从而能够抑制晶圆移载单元41、42的负荷的不平衡。因而，能够谋求提高生产率。也可以设定为在上述相同地构成的単位区中在互不相同的处理条件下进行处理。即，针对载置于承载件载置部15A、15C的承载件C的晶圆W和载置于承载件载置部15B、15D的承载件C的晶圆W，分别改变各组件中的药液供给量、加热温度等的设定而进行处理，能够以使各膜的膜厚互不相同的方式进行处理。另外，例如也能够将相同地构成的単位区B设定为在互相相同的处理条件下对晶圆W进行处理，并将同一承载件C的晶圆W交替地分配到通过单位区B1、B3、B5的路径和通过单位区B2、B4、B6的路径而进行输送。另外，在上述输送过程中用于向单位区B1、B2输入晶圆W的交接组件和用于对从単位区B1、B2输出来的晶圆W进行交接的交接组件也可以是同一个交接组件。具体地讲， 例如也可以利用交接组件SCPLl将晶圆W输入到单位区BI，在从单位区BI输出晶圆W时，向上述交接组件SCPLl输送晶圆W，之后利用晶圆移载单元41的第I保持臂47或者第2保持臂48向交接组件SCPL3输送晶圆W。 在上述输送过程中，发送承载件SC及接收承载件RC的配置并不限于上述例子，例如也可以在上侧的承载件载置部15C和承载件载置部15D、下侧的承载件载置部15A和承载件载置部15B中的ー侧配置发送承载件SC，并在另ー侧配置接收承载件RC。在上述曝光装置A4使曝光透镜与晶圆W之间为液相地进行曝光的浸液曝光的情况下，也能够应用上述涂敷、显影装置I。在这种情况下，例如将设于単位区B1、B2的各架单元Ul中的两台加热组件构成为两台疏水化处理组件，向晶圆W供给疏水化处理用的气体来进行疏水化处理的做法是有效的。在这种情况下，例如在塔単元31中追加配置用于在该疏水化处理之后调节晶圆W的温度的交接组件SCPL，输送到交接组件SCPL1、SCPL2 —疏水化处理组件一交接组件SCPL —防反射膜形成组件BCT而进行处理。另外，例如也可以将液处理组件TCT构成为用于涂敷防水性的保护膜形成用的药液的组件，在抗蚀剂膜的上层替代形成防反射膜而形成上述保护膜，防止在浸没曝光时使用的液体浸透到抗蚀剂膜中。另外，也可以在转接臂76、77能够接近的范围内设置背面清洗组件和曝光后清洗组件，该背面清洗组件用于在曝光之前利用刷清洗在単位区B3、B4中处理后的晶圆W的背面，该曝光后清洗组件用于在曝光之后向単位区B5、B6输入之前清洗晶圆W的表面。第2实施方式以下，以与第I实施方式的不同点为中心说明其他实施方式。图18是第2实施方式的承载区A5的主视图。该承载区A5中包括承载件移动机构81A、81B来代替承载件移动机构26A、26B。在支承台14上形成有从与上述承载件临时放置部17A、17B相当的部位分别朝向承载件载置部15A、15B的槽部82、82。在该槽部82、82中分别设有用于构成各承载件移动机构81A、81B的承载件底面支承部83。由于承载件移动机构81A、81B互相同样地构成，因此，在此，作为代表，也參照表不承载件移动机构81A的俯视图的图19说明该承载件移动机构81A。承载件底面支承部83沿着槽部82在左右方向上移动自由，并且在槽部82内和槽部82的上方升降自由。图中的附图标记84是驱动机构，其用于使承载件底面支承部83升降并使承载件底面支承部83在左右方向上移动。图中的附图标记85是用于在左右方向上引导驱动机构84的导轨。图中的附图标记84a是供连接驱动机构84和承载件底面支承部83的连接部85通过的狭縫。在承载件底面支承部83上设有朝向上方的销83a。如图19所示，各销83a与设在承载件C的底面的3个槽C3嵌合，用于限制承载件C的位置。在该例子中，承载件载置部15A、15B形成为俯视コ字形，如图20所示，通过使承载件底面支承部83进入到被该コ字形包围的区域内，能够使承载件底面支承部83位于输送ロ 12A的近前。图18中的附图标记86是用于使承载件载置部15A在前后方向上移动的驱动机构，图19中的附图标记86a是狭缝，其供连接驱动机构88和承载件载置部15A的连接部87通过。说明利用承载件移动机构81A交接承载件C。如图18及图19所示，自顶部输送机构21向移动到不与上方支承台31C重叠的待机位置的承载件底面支承部83交接承载件C，销83a嵌合于承载件C的槽C3。此时，承载件底面支承部83以使承载件C的底面位置比承载件载置部15A的销16高的方式在槽部82的上方接收承载件C。然后，承载件底面支承部83在移动到输送ロ 12A的近前之后下降，承载件载置部15A的销16进入到槽C3中并与槽 C3嵌合，将承载件C载置于承载件载置部15A并固定于该位置。承载件底面支承部83在槽部82内进ー步下降，销83a自槽C3伸出，承载件底面支承部83与槽部82的嵌合被解除。然后，承载件底面支承部83在水平移动之后上升，返回到上述待机位置。然后，如图21所示，在接收了承载件C后的承载件载置部15A前进之后，像上述那样取出晶圆W。在向顶部输送机构21交接承载件C时，承载件载置部15A和承载件底面支承部83进行相反的动作，将承载件C交接到承载件底面支承部83，顶部输送机构21自承载件底面支承部83接收该承载件C。第3实施方式图22、图23是第3实施方式的承载区A6的主视图、纵剖俯视图。说明与承载区Al的不同点，在该承载区A6中未设置上方支承台31C、31D，从承载区A6的前表面侧横跨到侧面侧地形成有支承台14。在该承载区A6的两侧面形成有用于输送晶圆W的输送ロ 12C、12D，输送ロ 12A 输送ロ 12D例如设在相同的高度。与输送ロ 12C、12D相对应地设有承载件载置部15C、15D。从正面观察承载区A6，承载件载置部15C、1 能够在卸载位置与装载位置之间左右移动。而且，在该例子中，支承台14的各角部构成为承载件临时放置部17A、17B。自顶部输送机构21将承载件C以盖体Cl朝向装置的背面侧(后方侧)的方式交接到承载件临时放置部17A、17B、承载件载置部15A、15B。利用承载件移动机构91A、91B将载置于承载件临时放置部17A、17B的承载件C的朝向改变为盖体Cl朝向输送ロ 12C、12D，载置到承载件载置部15C、15D。承载件移动机构91A、91B与第I实施方式的承载件移动机构26A、26B大致同样地构成，作为不同点，能够列举出在杆28的顶端侧隔着转动部93设有把持部27、杆28的基端侧经由前后移动机构94连接于升降机构。利用转动部93使把持部27在把持着承载件C的被把持部C2的状态下绕铅垂轴线转动自由，利用上述前后移动机构94使把持部27能够在前后方向上移动。另外，在该承载区A6中，未设置导轨43，第I晶圆移载单元41和第2晶圆移载单元42的支承框44不会在左右方向上移动。第I晶圆移载单元41的移载部主体40利用升降、旋转以及第I保持臂47的进退动作在承载件载置部15A及承载件载置部15C的各承载件C与塔単元31之间交接晶圆W。同样，第2晶圆移载单元42的移载部主体40利用升降、旋转以及第I保持臂47的进退动作在承载件载置部15B及承载件载置部15D的各承载件C与塔単元31之间交接晶圆W。即使利用这样的承载区A6构成装置，也能够得到与第I实施方式同样的效果。另外，在承载区A6的布局中，晶圆移载单元41、42不必在左右方向上移动，因此，能够在承载件C与塔単元31之间更迅速地输送晶圆W。因而，能够更可靠地谋求提高生产率。另外，由于晶圆移载单元41、42不在左右方向上移动，因此，能够谋求进ー步缩小装置的占地面积。此外，只要第I晶圆移载单元41和第2晶圆移载单元42能够接近各承载件C，各承载件载置部15就并不限于已述的布局，例如既可以在横向上配置成一列，也可以全部位于不同的高度。另外，配置数量也不限于4个，例如也可以仅配置两个，也不限于配置成上下两层，也可以构成为3层以上的层数。第4实施方式
图24、图25是第4实施方式的承载区A7的主视图、纵剖俯视图。在该承载区A7中，与承载区A6同样地未设置导轨43，晶圆移载单元41、42的支承框44不会在左右方向上移动。该承载区A7的壳体11的前表面侧中的面对第I晶圆移载单元41、第2晶圆移载単元42的部分向前方侧突出，该壳体11的前表面侧如图25所示那样俯视成为两个山并列而成的形状。而且，在壳体11的这样形成为俯视山形的上述山的各斜面形成有各输送ロ12A 输送ロ 12D，如图24所示，形成在I个山的各倾斜面上的输送ロ 12的各高度位置互不相同。与承载区Al同样，在下方侧形成有输送ロ 12A、12B，在上方侧形成有输送ロ 12C、12D。各承载件载置部15A 承载件载置部KD相对于各输送ロ 12的开ロ方向进退，能够向各承载件载置部15交接承载件C以及自承载件C取出晶圆W。与第I实施方式同样，第I晶圆移载单元41经由输送ロ 12A、12C输送晶圆W，第2晶圆移载单元42经由输送ロ 12B、12D输送晶圆W。在该承载区A7中设有承载件更换机构101。该承载件更换机构101包括升降轴102、沿着升降轴102升降自由并在左右方向上伸展的水平轴103、及基端侧沿着水平轴103水平移动自由的多关节臂104。在多关节臂104的顶端侧设有把持部105，能够把持承载件C的被把持部C2。通过这样构成，承载件更换机构101能够在承载件载置部15A 承载件载置部I 之间自由地移载承载件C。在顶部输送机构21与承载件载置部15A、15B、1 之间能够直接交接承载件C。由于承载件载置部15C位于承载件载置部15B的上方，因此，在将承载件C交接到承载件载置部15B的情况下，顶部输送机构21将载置承载件C临时于承载件载置部15A、15B、1 中的任一个承载件载置部，承载件更换机构101将该承载件C输送到承载件载置部15B。在将承载件C从承载件载置部15B交接到顶部输送机构21的情况下，进行与此相反的动作。这样构成承载区，也能够得到与第3实施方式同样的效果。另外，该承载件更换机构101也可以设在其他的各实施方式中。例如可以在承载区Al中设置承载件更换机构101。在这样构成的承载区Al中，也可以除了上述15A 15D之外还设置多个承载件载置部，在如上所述不使用第I晶圆移载单元41的情况下，也可以利用承载件更换机构101的把持部105在该载置部与承载件载置部15A 承载件载置部15D之间替换承载件C。除了上述15A I 之外，设于承载区的承载件载置部被设在承载件更换机构101能够接近的范围内，例如构成为多层的架状。即，能够在架的各层中载置承载件C。针对在这种情况的承载区Al的承载件C的输送具体说明一例子。首先，从配置于承载件载置部15A、15C的承载件C取出晶圆W。完成从配置于承载件载置部15A、15C的承载件C取出晶圆W时，在承载件载置部15B、15D上配置有其他的承载件C的情况下，利用承载件更换机构101将在上述承载件载置部15A、15C被取出了晶圆W后的承载件C转移到上述架上，使该承载件C待机。在承载件载置部15B、15D变空时，将该架的承载件C移载到承载件载置部15B、15D。然后，利用第2晶圆移载单元42将蓄积在缓冲组件BU中的晶圆W交接到承载件载置部15B、15D的承载件C来回收。采用该方法，能够使晶圆W返回到被取出了该晶圆W后的承载件C。将后续的承载件C移载到所载置的承载件C被转移到架之后的承载件载置部15A、15C，取出晶圆W。同样，在不使用第2晶圆移载单元42的情况下，利用承载件更换机构101将在承载件载置部15B、15D被取出了晶圆W后的承载件C转移到上述架上并使其待机之后，移载到承载件载置部15A、15C。然后，利用第I晶圆移载单元41将晶圆W回收到被移载到承载件载置部15A、15C的上述承载件C中。由此，能够节省用户自缓冲组件BU回收晶圆W的劳カ和时间。除了使用承载件更换机构101这样在左右的承载件载置部15之间输送承载件C之外，也可以在上下的承载件载置部15之间交接承载件C。例如在第I实施方式中在设有承载件更换机构101和上述架的装置中，自载置于下层侧的承载件载置部15A、15B的承载件C取出晶圆W。利用承载件更换机构101将上述各承载件C经由上述架移载到上层侧的承载件载置部15C、15D。然后，利用晶圆移载单元41、42使处理完毕的上述晶圆W返回到例如被取出了该晶圆W后的承载件C。向承载件C被转移到架之后的承载件载置部15A、15B输送后续的承载件C，继续将晶圆W输入到装置内。也可以与此相反，自上层侧的承载件载置部15C、15D的承载件C取出晶圆W，将被取出了晶圆W后的承载件C分别移载到下层侧的承载件载置部15A、15B，使处理完毕的晶圆W返回到该承载件C。在像承载区A1、A5、A7那样将承载件载置部15沿上下方向配置的情况下，如图26所示，也可以在ー个支承框44中将移载部主体40上下配置。上侧的移载部主体用于接近被载置于上侧的承载件载置部15的承载件C，下侧的移载部主体用于接近被载置于下侧的承载件载置部15的承载件C。即，在功能方面看来，采用将作为基板移载机构的晶圆移载单元41、42分别上下分割而成的构造。在第I晶圆移载单元41中，将上侧的移载部主体设为40C，将下侧的移载部主体设为40A。在第2晶圆移载单元42中，将上侧的移载部主体设为40D，将下侧的移载部主体设为40B。对这样包括移载部主体40A、40C的第I晶圆移载单元41的构造进行简单的说明。在图26中，附图标记111、111是导轨，其分别设于支承框44的上下延伸的两根柱部分，用于分别沿上下方向引导移载部主体40A、40C。图中的附图标记112、112是皮带轮。图中的附图标记113、113是带，其分别卡定有移载部主体40A、40C的各升降基座45。图中的附图标记114、114是电动机，其分别与皮带轮112、112相对应地设置。带113、113分别独立地被电动机114、114驱动，使各升降基座45沿着导轨111、111互相独立地升降。第2晶圆移载单元42是与第I晶圆移载单元41同样的构造， 因此省略说明。第5实施方式
对应用包括移载部主体40A 移载部主体40D的承载区A7的装置的结构例和上述装置中的晶圆W的输送例进行说明。图27表示连接有该承载区AS和处理区A9的涂敷装置121。承载区AS除了这样设有移载部主体40A 移载部主体40D、塔単元31的交接组件为与处理区A9相对应的配置之外，与承载区A7同样地构成。另外，在图27中，为了方便起见，将塔単元31和晶圆移载单元41、42前后错开地表示。处理区A9由上述単位区BI 单位区B6构成，但设于液处理单元71的液处理组件与第I实施方式不同，在単位区B1、B4中搭载有防反射膜形成组件BCT，在単位区B2、B5中搭载有抗蚀剂涂敷组件COT，在单位区B3、B6中搭载有上层侧防反射膜形成组件TCT。在承载区的塔単元31中，作为用于向各単位区BI 单位区B6输入的交接组件，分别设有交接组件SCPL21 SCPL26。另外，作为用于自单位区B1、B2、B4、B5输出的交接组件，分别设有交接组件CPL21、CPL22、CPL24、CPL25，作为用于自单位区B3、B6输出的交接组件，设有交接组件 SCPL27、SCPL28。图28、图29表示涂敷装置121中的晶圆W的输送路径，在该例子中，使从承载件C输出的晶圆W返回到被输出了该晶圆W后的承载件C。在载置于承载件载置部15A、15B的承载件C与単位区BI 单位区B3之间输送晶圆W，在载置于承载件载置部15C、15D的承载件C与単位区B4 单位区B6之间输送晶圆W。与第I实施方式同样，上述两个路径的输送能够互相并行地进行。承载区A8的各移载部主体40A、40B利用第I保持臂47自承载件载置部15A、15B的各承载件C分别将晶圆W交接到交接组件SCPL21。另外，移载部主体40A、40B利用第2保持臂48将在单位区BI中形成防反射膜并被输送到交接组件CPL21的晶圆W输送到交接组件SCPL22，并且，将在单位区B2中形成抗蚀剂膜并被输送到交接组件CPL22的晶圆W输送到交接组件SCPL23 (图28)。然后，移载部主体40A、40B利用第I保持臂47使在単位区B3中形成上层侧防反射膜的晶圆W返回到载置于承载件载置部15A、15B的承载件C(图29)。承载区AS的上侧的移载部主体40C、40D除了所接近的承载件C分别是承载件载置部15C、15D的承载件C、接近与单位区B4 单位区B6相对应的高度的交接组件CPL、SCPL之外，与移载部主体40A、40B同样地动作，如图28所示，将自上述承载件C取出的晶圆W依次在単位区B4、B5、B6中输送而形成了各膜之后，如图29所示那样返回到上述承载件C。使用图30说明涂敷装置121的另ー输送例。在该例子中，在承载件载置部15A、15C上载置上述发送承载件SC，在承载件载置部15B、15D上载置接收承载件RC而进行输送。将自承载件载置部15A的发送承载件SC取出来的晶圆W如上所述在单位区BI 单位区B3中输送，在形成了各膜之后输入到承载件载置部15B的接收承载件RC。另外，将自承载件载置部15C的发送承载件SC取出来的晶圆W如上所述在单位区B4 单位区B6中输送，在形成了各膜之后输入到承载件载置部15D的接收承载件RC。另外，也可以分别在承载件载置部15A、15C上载置接收承载件RC、在承载件载置部15B、15D上载置发送承载件SC而进行输送。在这样将承载区和处理区构成为涂敷装置的情况下，也能够与构成为涂敷、显影装置的情况同样得到提高生产率及降低占地面积的效果。第6实施方式也可以以能够在单位区BI 单位区B3之间、単位区B4 单位区B6之间分别并行地输送晶圆W来进行涂敷、显影处理的方式构成装置。图31表示这样构成的涂敷、显影装置131。作为与涂敷装置121的不同点，能够列举出构成处理区AlO的単位区B2、B4中包括抗蚀剂涂敷组件COT和上层侧防反射膜形成组件TCT、且单位区B3、B6中包括显影组件DEV0该实施方式的承载区AS除了塔単元31的交接组件为与处理区相对应的配置之外，与第5实施方式同样。在转接塔单元75中配置有交接组件TRS，以便能够将在单位区B2、B5中处理完毕的晶圆W输送到曝光装置，并将曝光完毕的晶圆W输送到単位区B3、B6。在该涂敷、显影装置131中，与涂敷装置121大致同样地输送晶圆W。參照图32、图33，以不同点为中心进行说明，承载区AS的移载部主体40A、40B利用第I保持臂47自承载件载置部15A、15B的各承载件C将晶圆W经由交接组件SCPL取出到単位区BI，之后，借助移载部主体40A、40B的第2保持臂48输送到単位区B2的晶圆W在形成抗蚀剂膜之后形成上层侧防反射膜。然后，在将上述晶圆W经由转接区A3输入到曝光装置A4之后，输入到単位区B3使该晶圆W接受显影处理(图32)。然后，利用移载部主体40A、40B的第I保持臂47使该晶圆W返回到上述承载件C (图33)。
对于承载件载置部15C、15D的各承载件C的晶圆W，除了将移载部主体40C、40D用于输送来代替移载部主体40A、40B、在単位区B4 单位区B6中接受处理、被输送到与上述单位区B4 单位区B6相对应的高度的交接组件之外，与自承载件载置部15A、15B的各承载件C取出来的晶圆W同样进行输送。另外，与涂敷装置121同样，在涂敷、显影装置131中，也既可以在承载件载置部15A、15B中的任一个承载件载置部上载置发送承载件SC，并在另ー个承载件载置部上载置接收承载件RC而输送晶圆W，也可以在承载件载置部15C、15D中的任一个承载件载置部上载置发送承载件SC，在另ー个承载件载置部上载置接收承载件RC而输送晶圆W。这样的涂敷、显影装置131也起到与涂敷、显影装置I同样的效果。第7实施方式图34表示涂敷、显影装置141。作为与涂敷、显影装置131的不同点，可列举出构成处理区All的単位区B1、B2中包括防反射膜形成组件BCT、単位区B3、B4中包括抗蚀剂涂敷组件COT和上层侧防反射膜形成组件TCT、単位区B5、B6中包括显影组件DEV。图35表示涂敷、显影装置141中的晶圆W的输送路径。在该例子中，在承载件载置部15A、15B上载置发送承载件SC，在承载件载置部15C、15D上载置接收承载件RC。然后，将承载件载置部15A的发送承载件SC的晶圆W在単位区B1、B3、B5中依次处理并交接到承载件载置部15C的接收承载件RC，将承载件载置部15B的发送承载件SC的晶圆W在单位区B2、B4、B6中依次处理并交接到承载件载置部15D的接收承载件RC。进ー步说明自上述承载件载置部15A的发送承载件SC输送的晶圆W的路径。利用移载部主体40A的第I保持臂47将该晶圆W输送到塔単元31的交接组件SCPL，在単位区BI中进行处理之后，利用移载部主体40A或者移载部主体40B的第2保持臂48输送到交接组件SCPL，输送到単位区B3。由此，在表面形成了各种膜之后，与涂敷、显影装置131同样将晶圆W输送到曝光装置A4而进行曝光，然后，在输送到単位区B5而进行显影处理之后，输送到交接组件SCPL，利用移载部主体40C的第I保持臂47交接到承载件载置部15C的接收承载件RC。对于自承载件载置部15B的发送承载件SC取出的晶圆W，除了在自该发送承载件SC取出时使用移载部主体40B来代替移载部主体40A、在单位区B2、B4、B6中接受处理、被输送到与上述単位区B2、B4、B6相对应的高度的交接组件、被输送到接收承载件RC时使用移载部主体40D来代替移载部主体40C之外，与承载件载置部15A的发送承载件SC的晶圆W同样进行输送。另外，在该例子中，以不使用移载部主体40C、40D的第2保持臂48的方式进行输送。此外，在已述的各实施方式中，与第I实施方式同样，也是既可以将从同一承载件C取出来的晶圆W分配到不同的単位区进行输送，也可以在构成得相同的単位区中在不同的处理条件下处理晶圆W。另外，在发送承载件SC与接收承载件RC之间进行输送的情况下，也可以将各移载部主体按作用分为用于取出晶圆W和用于将晶圆W升降输送而使用，直到将晶圆W输入到用于向塔単元31的接收承载件RC进行输入的交接组件为止。第8实施方式处理区的构造不限于将同样构成的単位区各设置两个。例如在图36的涂敷、显影装置151的处理区A12中，単位区BI中包括防反射膜形成组件BCT、単位区B2中包括抗蚀剂涂敷组件C0T、単位区B3中包括上层侧防反射膜形成组件TCT，単位区B4 单位区B6中包括显影组件DEV。按照移载部主体40A、40B的第I保持臂47 —交接组件SCPL —单位区BI —交接组件CPL —移载部主体40A、40B的第2保持臂48 —交接组件SCPL —单位区B2 —交接组件CPL —移载部主体40A、40B的第2保持臂48 —单位区B3 —曝光装置A4的顺序对自承载件载置部15A、15B的发送承载件SC取出来的晶圆W进行输送。之后，在将该晶圆W输送到単位区B4 单位区B6中的任一个单位区之后，利用移载部主体40C、40D的第I保持臂47交接到承载件载置部15C、15D的接收承载件RC。

对于该涂敷、显影装置151，也是既可以将从同一承载件C取出来的晶圆W交接到単位区B4 单位区B6中的同一単位区，例如也可以按照从同一承载件C取出来的顺序分配到単位区B4 单位区B6而进行输送。另外，在涂敷、显影装置141、151中，也可以利用承载件更换机构101使在承载件载置部15A、15B上晶圆W全部被取出了的承载件C移动到承载件载置部15C、15D，在该移动后的承载件C中存储处理完毕的晶圆W。另外，単位区的层叠数只要是多个即可，并不限于6个。另外，处理区A2也可以是通过仅层叠显影用的单位区而构成的。另外，在第5实施方式 第8实施方式中，不限于使用承载区AS，也可以使用在承载区Al等已述的其他构造的承载区中应用了上下的移载部主体的构造的承载区来构成装置。本申请基于2011年9月22日提出的日本专利申请特愿2011 — 208097及2011年9月22日提出的日本专利申请特愿2011 — 208100主张优先权，參照并引用了日本特愿2011 — 208097及日本特愿2011 — 208100的全部内容。
权利要求
1.一种基板处理装置，其中， 该基板处理装置包括 承载区，该承载区包含用于对能够收纳多个基板的承载件进行载置的第I承载件载置部和第2承载件载置部，从上述承载区的近前侧看来，左右互相分开地设有第I承载件载置部及第2承载件载置部； 处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件； 塔单元，从上述处理区侧朝向承载区看来该塔单元设在第I承载件载置部和第2承载件载置部之间的位置，该塔单元包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的基板输送机构交接基板的高度位置； 第I基板移载机构，其用于在上述第I承载件载置部上的承载件与上述塔单元的各基板载置部之间移载基板，具有用于保持基板的、进退、升降自由的基板保持构件； 第2基板移载机构，其用于在上述第2承载件载置部上的承载件与上述塔单元的各基板载置部之间移载基板，具有用于保持基板的、进退、升降自由的基板保持构件。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 在上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的一个基板移载机构发生了故障时，另一个基板移载机构在与该另一个基板移载机构相对应的、承载件载置部上的承载件与塔单元的基板载置部之间移载基板。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 对上述第I基板移载机构及第2基板移载机构进行控制，使得在上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的一个基板移载机构进行用于从承载件取出处理前的基板而将基板移载到塔单元的基板载置部的作业时，另一个基板移载机构进行自塔单元的基板载置部接收处理后的基板而移载到承载件的作业。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 上述承载区还具有其他承载件载置部，该其他承载件载置部以与上述第I承载件载置部及第2承载件载置部中的至少一个承载件载置部上下排列的方式配置。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中， 与上述第I承载件载置部及第2承载件载置部中的上述至少一个承载件载置部相对应的基板移载机构为了在上侧的承载件载置部及下侧的承载件载置部之间分别交接基板而具有上侧基板移载机构和下侧基板移载机构。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中， 在下侧的承载件载置部的侧方设有承载件临时放置部，该承载件临时放置部用于在该下侧的承载件载置部与位于承载区的上方侧的承载件输送机构之间输入或输出承载件时临时放置承载件； 该基板处理装置设有用于使承载件在该下侧的承载件载置部与上述承载件临时放置部之间移动的承载件移动机构。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 针对第I基板移载机构及第2基板移载机构中的任一个基板移载机构中都上下排列地配置有多个承载件载置部。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 第I基板移载机构及第2基板移载机构包含于互相独立的基板移载机构模块； 上述基板移载机构模块能够分别独立地向左右拉出。
9.一种基板处理装置，其中， 该基板处理装置包括 承载区，其沿上下方向具有多个用于对能够收纳多个基板的承载件的进行载置的承载件载置部； 处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将用于按顺序处理基板的多个层部分上下配置而成的构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件； 塔单元，其包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用该多个基板载置部各自所对应的层部分的上述基板输送机构交接基板的高度位置； 基板移载机构，其用于在各个上述承载件载置部上的承载件与上述塔单元的基板载置部之间、以及上述塔单元所包含的两个基板载置部之间移载基板， 上述基板移载机构包括在承载件与基板载置部之间移载基板时专用的第I基板保持构件和在塔单元的基板载置部之间移载基板时专用的第2基板保持构件。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中， 上述第I基板保持构件与基板的下表面的比周缘部靠中央的部位接触而保持该基板，上述第2基板保持构件包括支承部，其以将基板的周围的至少一部分包围的方式设置；保持爪，其设在该支承部的内周缘，用于从下方支承基板的下表面的周缘部， 利用上述第2基板保持构件交接基板的基板载置部具有用于载置基板的载置板，在该载置板的外周形成有能够供上述保持爪通过的缺口部。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中， 利用上述第I基板保持构件交接基板的基板载置部为了能够在基板载置部与第I基板保持构件之间移换基板而在不与该第I基板保持构件平面地干涉的位置具有用于使基板升降的升降构件。
12.—种基板处理方法，其中， 该基板处理方法包括以下工序 将承载件载置在基板处理装置的第I承载件载置部或第2承载件载置部上，其中，该基板处理装置包括承载区，其用于配置能够收纳多个基板的承载件；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔单元，从上述处理区侧朝向承载区看来，该塔单元设在左右互相分开的第I承载件载置部和第2承载件载置部之间的位置，该塔单元包含多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的基板输送机构交接基板的高度位置；第I基板移载机构，其用于在第I承载件载置部上的承载件与上述塔单元的各基板载置部之间移载基板；第2基板移载机构，其用于在第2承载件载置部上的承载件与上述塔单元的各基板载置部之间移载基板； 使用上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的所对应的基板移载机构自承载件载置部上的承载件取出基板，移载到上述塔单元的基板载置部；利用上述处理区的基板输送机构接收被载置在上述塔单元的基板载置部上的基板并输送到处理组件，利用处理组件处理基板； 将处理后的基板从上述处理区侧输送到上述塔单元的基板载置部； 利用第I基板移载机构或第2基板移载机构将处理后的基板从上述塔单元的基板载置部移载到被载置在与该基板移载机构相对应的承载件载置部上的承载件。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中， 在上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的一个基板移载机构发生了故障时，另一个基板移载机构在与该另一个基板移载机构相对应的承载件载置部上的承载件与塔单元的基板载置部之间移载基板。
14.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中， 上述第I基板移载机构及第2基板移载机构中的一个基板移载机构进行用于自承载件取出处理前的基板并将基板移载到塔单元的基板载置部的作业，在该期间内，另一个基板移载机构自塔单元的基板载置部接收处理后的基板并移载到承载件。
15.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中， 还以与上述第I承载件载置部及第2承载件载置部中的至少一个承载件载置部上下排列的方式配置有其他承载件载置部，在上下排列的两个承载件载置部中的下侧的承载件载置部的侧方设有承载件的承载件临时放置部， 自位于承载区的上方侧的承载件输送机构向上述承载件临时放置部输送承载件，接着，利用承载件移动机构使位于上述承载件临时放置部的承载件移动到上述下侧的承载件载置部。
16.一种基板处理方法，其中， 该基板处理方法包括以下工序 利用基板移载机构的第I基板保持构件从基板处理装置的各承载件载置部上的承载件取出基板，移载到塔单元的基板载置部，其中，该基板处理装置包括承载区，其沿上下方向具有多个用于对能够收纳多个基板的承载件进行载置的承载件载置部；处理区，其设在上述承载区的背面侧，具有将用于按顺序处理基板的多个层部分上下配置而成的构造，并且各层部分具有基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔单元，其含有多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的上述基板输送机构交接基板的高度位置；基板移载机构，其用于在各个上述的承载件载置部上的承载件与上述塔单元的基板载置部之间、以及在上述塔单元所含有的两个基板载置部之间移载基板； 接着，利用上述处理区中的所对应的基板输送机构接收上述基板载置部上的基板，输送到处理组件，利用该处理组件处理基板； 利用基板输送机构将处理后的基板输送到上述塔单元的基板载置部； 利用上述基板移载机构的与第I保持构件不同的第2保持构件接收被载置在上述基板载置部的基板，移载到上述塔单元的与用于进行下一处理的层部分相对应的其他基板载置部; 利用上述进行下一处理的层部分的基板输送机构接收上述其他基板载置部上的基板，输送到处理组件，利用该处理组件处理基板。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中， 上述第I基板保持构件与基板的下表面的比周缘部靠中央的部位接触而保持该基板，上述第2基板保持构件包括支承部，其以将基板的周围的至少一部分包围的方式设置；保持爪，其设在该支承部的内周缘，用于从下方支承基板的下表面的周缘部， 利用上述第2基板保持构件交接基板的基板载置部具有用于载置基板的载置板，在该载置板的外周形成有能够供上述保持爪通过的缺口部。
18.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中， 利用上述第I基板保持构件交接基板的基板载置部为了能够在基板载置部与上述第I基板保持构件之间移换基板而在不与该第I基板保持构件平面地干涉的位置具有用于使基板升降的升降构件。
全文摘要
本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置具有承载区，其包含左右分开地设置的第1承载件载置部及第2承载件载置部；处理区，其具有将多个层部分上下配置而成的层构造，并且各层部分具有用于输送基板的基板输送机构和用于处理基板的处理组件；塔单元，其含有多个基板载置部，该多个基板载置部配置在可利用多个基板载置部各自所对应的层部分的基板输送机构交接基板的高度位置；第1基板移载机构，其用于在第1承载件载置部上的承载件与塔单元的各基板载置部之间移载基板；第2基板移载机构，其用于在第2承载件载置部上的承载件与塔单元的各基板载置部之间移载基板。
文档编号H01L21/67GK103021906SQ20121033734
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月12日 优先权日2011年9月22日
发明者榎木田卓, 中原田雅弘, 宫田亮, 木山秀和, 饭田成昭 申请人:东京毅力科创株式会社