发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种发光二极管的制作方法，其包括形成一外延结构于一外延基板之上；形成一保护层于外延结构之上；移除部分保护层、外延结构及外延基板，以形成至少一通道；形成一平坦化层于通道及保护层上；去除外延结构上的平坦化层及保护层；形成一反射层于外延结构之上；形成一第一接合层于反射层之上；提供一导电基板，并形成一第二接合层于导电基板上，且透过第一接合层与第二接合层以接合导电基板于反射层上；分离外延基板及外延结构；以及形成一隔离沟槽于外延结构，隔离沟槽暴露出反射层。
【专利说明】发光二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种制作方法，特别是涉及一种发光二极管的制作方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管是一种由半导体材料制作而成的发光元件，具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性，因此近年来随着技术不断地进步，其应用范围也由指示灯、背光源甚至扩大到了照明领域。
[0003]请参照图1所示，其为现有一种制作发光二极管的流程示意图。首先，在一外延基板11上形成具有一 n-GaN层121、一多重量子井层122及一 ρ-GaN层123的外延结构12，接着，间隔形成具有镍的一掩模层13及一光致抗蚀剂层14于外延结构12之上。其中，具有镍材质的掩模层13可保护外延结构12，避免后续的制作工艺损伤到外延结构12。
[0004]接着，于掩模层13及光致抗蚀剂层14之间，以蚀刻方式去除部分外延结构12，直到暴露出外延基板11，以形成发光二极管元件的排气通道，且透过排气通道可定义出单颗的发光二极管。之后，移除掩模层13及光致抗蚀剂层14，并以蒸镀的方式形成一反射层15及一接合层16于外延结构12上。然后,将一导电基板17接合于接合层16上,并以激光聚焦于与外延基板11相连接的n-GaN层121，使外延基板11与外延结构12剥离(lift-off)。接下来，分别形成二电极18于相对的两侧，其中，一电极18设置于n-GaN层121之上,另一电极18设置于导电基板17之下。最后，再以切割的方式形成多个发光二极管管芯。
[0005]在上述的发光二极管的制作过程中，由于两发光二极管之间排气通道的设置，所以反射层15的周围暴露于空气中，容易因后续制作工艺中化学药剂及高温的影响，使反射层15的边缘有劣化及受损的情形产生，导致发光二极管的反射率下降。
[0006]另外，在另一现有制作发光二极管的技术中，并未于外延结构上设置排气通道，而是在设置反射层及接合层于完整的外延结构之后，以激光的方式聚焦于与外延基板相连接的n-GaN层，使外延基板与外延结构玻璃剥离，最后再以蚀刻的方式去除部分外延结构、反射层、接合层及导电基板，以定义出单颗的发光二极管。虽然此制作技术中的反射层可以得到较好的保护，且不容易有劣化及受损的情况产生，但是另一方面，由于未在外延结构中设置排气通道，因此，外延结构的应力无法得到释放，使得外延结构容易产生翘曲现象，故当以激光聚焦于外延结构的n-GaN层以分离外延结构及外延基板时,外延结构的应力以及n-GaN解离的气体容易使外延结构的边缘破裂及受损。
[0007]因此，如何提供一种发光二极管的制作方法，可改善外延结构及反射层劣化受损的情况，是业者一直努力的目标。
【发明内容】
[0008]有鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种发光二极管的制作方法，可减少外延结构翘曲及反射层劣化受损的情形，以确保外延结构及反射层的完整性，进而提高整体发光二极管的品质及发光效率。[0009]为达上述的目的，本发明提供一种发光二极管的制作方法包括形成一外延结构于一外延基板之上；形成一保护层于外延结构之上；移除部分保护层、外延结构及外延基板，以形成至少一通道；形成一平坦化层于通道及保护层上；去除外延结构上的平坦化层及保护层；形成一反射层于外延结构之上；形成一第一接合层于反射层之上；提供一导电基板；形成一第二接合层于导电基板上，并透过第一接合层与第二接合层以接合导电基板于反射层上；分离外延基板及外延结构；以及形成一隔离沟槽于外延结构，隔离沟槽暴露出反射层。
[0010]为达上述的目的，本发明提供一种发光二极管的制作方法包括形成一外延结构于一外延基板之上；形成一反射层于外延结构之上；移除部分外延结构及外延基板，以形成至少一通道；形成一平坦化层于通道及外延结构上；去除外延结构上的平坦化层；形成一反射层于外延结构之上；形成一第一接合层于反射层之上；提供一导电基板；形成一第二接合层于导电基板上，并透过第一接合层与第二接合层以接合导电基板于反射层上；分离外延基板及外延结构以及形成一隔离沟槽于外延结构，隔离沟槽暴露出反射层。
[0011]在本发明的一较佳实施例中，外延结构具有一第一半导体层、一有源层及一第二半导体层。
[0012]在本发明的一较佳实施例中，移除部分保护层、外延结构及外延基板，以激光照射保护层、外延结构及外延基板。
[0013]在本发明的一较佳实施例中，移除部分外延结构及外延基板，以激光照射外延结构及外延基板。
[0014]在本发明的一较佳实施例中，透过一干蚀刻制作工艺去除位于保护层上的平坦化层。
[0015]在本发明的一较佳实施例中，透过一湿蚀刻制作工艺去除位于外延结构上的平坦化层。
[0016]在本发明的一较佳实施例中，透过一化学机械研磨制作工艺去除位于外延结构上的平坦化层。
[0017]在本发明的一较佳实施例中，反射层经过蒸镀以及合金制作工艺，以形成于外延结构之上。
[0018]在本发明的一较佳实施例中，第一接合层及第二接合层以蒸镀方式分别形成于反射层与导电基板之上。
[0019]在本发明的一较佳实施例中，第一接合层与第二接合层分别为复合金属层。
[0020]在本发明的一较佳实施例中，分离外延基板及外延结构的步骤前，还包括以研磨及抛光方式减薄外延基板。
[0021]在本发明的一较佳实施例中，以研磨及抛光方式减薄外延基板。
[0022]在本发明的一较佳实施例中，形成隔离沟槽的步骤之前或形成隔离沟槽的步骤之后，还包括移除通道的平坦化层。
[0023]在本发明的一较佳实施例中，形成隔离沟槽的步骤前，还包括形成一掩模层于外延结构。
[0024]在本发明的一较佳实施例中，形成隔离沟槽的步骤，以蚀刻方式进行。
[0025]在本发明的一较佳实施例中，隔离沟槽与通道位于相同位置。[0026]在本发明的一较佳实施例中，以隔离沟槽定义单颗的发光二极管管芯。
[0027]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一电流散布层于外延结构之上。
[0028]在本发明的一较佳实施例中，制作方法还包括形成一第一电极于外延结构之上及形成一第二电极于导电基板。
[0029]在本发明的一较佳实施例中，平坦化层填满通道。
[0030]在本发明的一较佳实施例中，隔离沟槽的宽度大于通道的宽度。
[0031]承上所述，本发明发光二极管的制作方法形成一外延结构于一外延基板之上，并移除部分外延结构及外延基板后，以形成至少一通道，接着形成一平坦化层于通道内，使通道内具有平坦化层。由此，当透过激光聚焦以分离外延基板及外延结构时，解离所产生的气体因通道内的平坦化层的阻挡，可避免解离气体损害邻近的外延结构。另外，后续制作工艺中，外延结构所产生的应力也可透过通道得到释放，可避免外延结构产生翘曲现象而使其边缘破裂及受损。此外，本发明的制作方法于切割管芯时，才切穿反射层及接合层，据此于制作发光二极管的过程中，能降低反射层与空气接触的面积，有效保护反射层，避免因化学药剂而使反射层产生劣化情形，进而提高发光二极管的品质并延展其寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]图1为现有制作发光二极管的流程示意图；
[0033]图2A为本发明较佳实施例的一种发光二极管制作方法的流程图；
[0034]图2B为本发明较佳实施例的发光二极管的制作方法的另一流程图；
[0035]图3A至图3M分别为本发明的发光二极管的制作过程示意图；
[0036]图4为本发明较佳实施例的一种发光二极管的另一制作方法流程图；以及
[0037]图5A至图5C分别为本发明的发光二极管的制作过程的另一示意图。
[0038]主要元件符号说明
[0039]11,21:外延基板
[0040]12,22:外延结构
[0041]121:n_GaN 层
[0042]122:多重量子井层
[0043]123:p-GaN 层
[0044]13、R:掩模层
[0045]14:光致抗蚀剂层
[0046]15、26:反射层
[0047]16:接合层
[0048]17、28:导电基板
[0049]18:电极
[0050]221:第一半导体层
[0051]222:有源层
[0052]223:第二半导体层
[0053]23:保护层[0054]24:通道
[0055]25:平坦化层
[0056]27:第一接合层
[0057]29:第二接合层
[0058]30:电流散布层
[0059]31:第一电极
[0060]32:第二电极
[0061]SOl ?S13、S031、S041、S051:步骤
[0062]T:隔离沟槽
【具体实施方式】
[0063]以下将参照相关附图，说明依本发明较佳实施例的一种发光二极管的制作方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
[0064]请分别参照图2A、图3A至图3M所示，其中，图2A为本发明较佳实施例的一种发光二极管的制作方法流程图，而图3A至图3M分别为本发明的发光二极管的制作过程示意图。
[0065]本发明的发光二极管的制作方法包括步骤SOl至步骤S10。
[0066]在步骤SOl中，如图3A所示，形成一外延结构22于一外延基板21之上。本实施例的外延基板21以蓝宝石基板(Sapphire)为例。当然，外延基板21还可以是碳化硅、氧化铝、氮化镓、玻璃、石英、磷化镓或砷化镓基板等等。其中，形成外延结构22的主要外延方法有液相外延法(Liquid PhaseEpitaxy, LPE)、气相外延法(Vapor Phase Epitaxy, VPE)及有机金属气相外延法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, M0CVD),并不加以限制。
[0067]另外，外延结构22以材料能隙来看，常用的III族-V族元素组成大至可分成四类，分别为:GaP/GaAsP系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列、以及GaN系列。在此，外延结构22以具有一第一半导体层221、一有源层222及一第二半导体层223为例。靠近外延基板21至远离外延基板21依序为第一半导体层221、有源层222及第二半导体层223。第一半导体层221与第二半导体层223具有不同电性，且当第一半导体层221为P型时，第二电性半导体层223为N型；而当第一半导体221层为N型时，第二半导体层223则为P型。在此，第一半导体层221为N型氮化镓(GaN)，有源层222为多重量子井(Multiple quantum-well, MQff)结构，而第二半导体层223以P型氮化镓为例。
[0068]在步骤S02中，形成一保护层23于外延结构22之上。在此，在外延结构22的上表面沉积一层氧化层(例如二氧化硅)，以作为后续蚀刻制作工艺的保护层(或可称停止层)。
[0069]在步骤S03中，如图3B所示，移除部分保护层23、外延结构22及外延基板21，以形成至少一通道24。在此，以同一道激光制作工艺移除部分保护层23、部分外延结构22及部分外延基板21，以形成至少一通道24。更详细来说，步骤S03例如以激光切割机由保护层23的上表面照射保护层23、外延结构22及外延基板21，由图3B的图面来说，自保护层23的上表面由上往下，以激光照射并切割保护层23、外延结构22及部分外延基板21，但未完全切穿外延基板21，由此形成至少一通道24于保护层23、外延结构22及外延基板21之间。
[0070]值得注意的是，以实质上垂直外延结构22的堆积方向来说，步骤S03是移除部分保护层23、外延结构22及外延基板21，其中，移除部分外延基板21的厚度范围并非用于限制本发明，可依据实施例的不同，而移除不同厚度的外延基板21，例如但不限于3μπι或5 μ m等，以不切穿外延基板21为最佳。另外，由图3B的俯视方向来看的话，如图3C所不，本实施例的通道24可以形成于预设的发光二极管管芯的周围，以形成至少一多边形为例，然而非限用于本发明，在其他实施例中，可依设计及应用的环境不同，而将通道形成不同尺寸及形状，如长方形或圆形等等。另外，如图3D所示，也可于发光二极管管芯的周围切割两道或三道的通道24，由此，可提高后续剥离(lift-off)制作工艺的稳定性。
[0071 ] 接着，在步骤S04中，如图3E所示，形成一平坦化层25于通道24及保护层23上。在本实施例中，以旋涂式玻璃(Spin-on glass, SOG)制作工艺将液态的二氧化娃形成于通道24内及保护层23上，由此，使通道24内及保护层23上具有平坦化层25。其中，旋涂制作工艺可增加芯片的平坦性，使后续的制作工艺得以顺利进行。值得注意的是，平坦化层25必须完全填满通道24，如此，在后续的基板移除制作工艺中才有足够的强度阻挡解离气体，避免解离气体伤害到邻近的芯片。在其它的实施例中，平坦化层25也可为一高分子材料(例如为polyimide)。
[0072]另外，在步骤S05中，如图3F所示，去除外延结构22上的平坦化层25及保护层23。在此,透过一感应稱合等离子体离子蚀刻(InductivelyCoupled Plasma Reactive 1nEtch, ICP-RIE)技术进行干蚀刻，以去除位于保护层23上的平坦化层25。值得注意的是，通常感应耦合等离子体离子蚀刻容易损伤外延结构22的表面，而造成发光二极管的电性异常，在此实施例中，由于保护层23的缘故，干蚀刻将只蚀刻至保护层23为止，并不会损伤外延结构22的表面。接着，再将保护层23去除，以露出外延结构22。其中，如图3F所示，平坦化层25与外延结构22形成一平面。另外，去除位于外延结构22上的平坦化层25与保护层23也可使用化学机械研磨(chemicalmechanical polishing, CMP)制作工艺来达成。
[0073]在步骤S06中，如图3G所示，形成一反射层26于外延结构22之上。其中，经由电子枪(E-Gun)蒸镀或溅镀(sputter)制作工艺将反射层26设置于外延结构22上，并于325?550°C的温度中进行合金(annealing)步骤,透过合金步骤以热量来减少外延结构22与反射层26间的接触电阻，并能提高反射层26对光线的反射率。另外，本实施例的反射层26为复合层，反射层26的材质依蒸镀顺序可依序为镍/银/镍/钼/金或镍/银/钛/钼/金°
[0074]接着，执行步骤S07，以形成一第一接合层27于反射层26之上。第一接合层27也以蒸镀方式形成于反射层26之上。本实施例的第一接合层27也为复合金属层，其材质例如依序为铬/钼/金或钛/钼/金。其中，铬或钛是作为与反射层26接着之用，而钼则作为阻挡层用以阻止铬与金原子互相扩散，金则是用以后续制作工艺的接合。
[0075]另外，在步骤S08中，如图3H及图31所示，提供一导电基板28，并形成一第二接合层29于导电基板28上,且透过第一接合层27与第二接合层29以接合导电基板28于反射层26上。更详细来说，先将第二接合层29以例如蒸镀的方式形成于导电基板28之上，再将第二接合层29接合于第一接合层27，以使导电基板28可接合于反射层26。其中，第二接合层29的材质依序为铬/钼/金或钛/钼/金，透过将第一接合层27的金与第二接合层29的金加热加压而使第一接合层27与第二接合层29相接合，因此，第二接合层29的最下层的材质为金，而第一接合层27的最上层的材质也为金。[0076]在接合导电基板28于反射层26之后及执行下一步骤S09之前，如图3J所示，制作方法还可包括减薄外延基板21。本实施例以研磨及抛光等制作工艺减少外延基板21的厚度。原本外延基板21的厚度约为440 μ m,可先将外延基板21研磨至50?100 μ m,最后再以抛光制作工艺将外延基板21减薄至20?40 μ m。
[0077]接着，再执行步骤S09，分离外延基板21及外延结构22 (图未显示)。本实施例以激光聚焦于外延结构22的第一半导体层221靠近外延基板21的一侧，透过激光聚焦解离部分的第一半导体层221，以分离外延基板21及外延结构22。由于，以激光聚焦于半导体层而造成解离时会产生气体，但因通道24内的平坦化层25 (例如二氧化硅或高分子材料)可当成这些气体的阻挡层，因此，可避免解离气体损害邻近的外延结构22。另外，由于本实施例中预先以激光在外延结构22与外延基板21中形成通道24，所以可以释放形成外延结构22的应力，而减轻外延基板21与外延结构22的翘曲问题，所以当执行步骤S09时，使用激光分离外延结构22及外延基板21时，也可以避免因为翘曲造成的聚焦不良，而导致分离外延基板21及外延结构22失败的问题。
[0078]在步骤S09之后及执行步骤SlO之前，如图3K所示，还可形成一掩模层R于外延结构22上。在图3K中，将分离外延基板21之后的结构上下翻转，使导电基板28位于外延结构22之下。其中，掩模层R可透过光刻、蒸镀与浮离(lift-off)等制作工艺而间隔设置于外延结构22，而通道24 (图未显示)于掩模层R之间，并未被掩模层R覆盖。在此，掩模层R的材质是例如可包含钛、镍或两者的组合。
[0079]接着，在步骤SlO中，如图3K所示，形成一隔离沟槽T于外延结构22，且隔离沟槽T暴露出反射层26。更详细来说，可利用蚀刻制作工艺且以掩模层R为蚀刻掩模，以移除未被掩模层R所覆盖的部分外延结构22，直至暴露反射层26，而形成于后续可定义发光二极管管芯的隔离沟槽T，之后，再去除掩模层R。在本实施例中，由于通道24位于掩模层R之间，亦即由通道24以蚀刻方式移除部分外延结构22，进而形成隔离沟槽T，因此，隔离沟槽T的位置实质上对应于通道24的位置，而且隔离沟槽T的宽度大于通道24的宽度。
[0080]透过隔离沟槽T的形成可以定义出单颗的发光二极管管芯。以垂直方向来说，隔离沟槽T切穿外延结构22直至暴露部分反射层26。其中，蚀刻的技术可为感应耦合等离子体离子蚀刻。值得一提的是，由于原先图3J的通道24内具有平坦化层25，因此，在形成隔离沟槽T的步骤SlO之前或之后，可透过例如湿蚀刻移除通道24内的平坦化层25。
[0081]另外，请参照图2B所示，其为本发明较佳实施例的发光二极管的制作方法的另一流程图。本发明的发光二极管的制作方法还可包括步骤Sll至步骤S13。
[0082]在步骤Sll中，如图3L所示，形成一电流散布层30于外延结构22之上。其中，可以光刻、蒸镀与浮离制作工艺的方式形成电流散布层30。本实施例的电流散布层30为一铟锡氧化物(ITO)的透明导电膜。
[0083]接着，在步骤S12中，形成一第一电极31于外延结构22之上及形成一第二电极32于导电基板28。更详细来说，第一电极31及第二电极32分别设置于发光二极管的相对两侦牝第一电极31形成于电流散布层30上；而第二电极32形成于导电基板28之下。其中，第一电极31及第二电极32也可为复合金属层,其材质可为钛/钼/金或铬/钼/金。
[0084]最后，在步骤S 13中，如图3M所示，切割发光二极管以形成多个发光二极管管芯。在此，发光二极管为一垂直导通式发光二极管。[0085]请参照图4所示，其为本发明较佳实施例的一种发光二极管的另一制作方法流程图。
[0086]图4的流程图与图2B主要的不同在于，图4的发光二极管的制作过程中，并不形成一保护层于外延结构22之上(即无图2B的步骤S02)，而是在步骤SOl之后，执行步骤S031，如图5A所示，步骤S031是在外延结构22及外延基板21上，移除部分外延结构22及外延基板21，以形成至少一通道24。换言之，即同样以激光照射并切割外延结构22及部分外延基板21，但未完全切穿外延基板21，由此形成至少一通道24于外延结构22及外延基板21之间。
[0087]另外，在图4的步骤S041中，如图5B所示，形成一平坦化层25于通道24及外延结构22上(平坦化层25与外延结构22之间并没有保护层)。平坦化层25的形成过程可参照上述步骤S04。
[0088]接着，在图4的步骤S051中，如图5C所示(图5C与图3F相同)，去除外延结构22上的平坦化层25，并使通道24内保有平坦化层25。在此，平坦化层25必须完全填满通道24，如此，在后续的基板移除制作工艺中才有足够的强度阻挡解离气体，避免解离气体伤害到邻近的芯片。平坦化层25例如可为一高分子材料，并可例如以缓冲氧化硅蚀刻液(Buffered OxideEtchant)去除(湿蚀刻),值得注意的是,在此实施例中由于采用缓冲氧化硅蚀刻液以湿蚀刻的方式去除位于外延结构22上的平坦化层25，此种蚀刻液几乎不会对外延结构22产生反应，所以可以不用在外延结构22与平坦化层25之间设置保护层保护外延结构22的表面。另外，去除平坦化层25也可使用化学机械研磨制作工艺来达成。
[0089]此外，图4的步骤S01、步骤S06至步骤S13可参照上述，在此不再赘述。
[0090]综上所述，本发明发光二极管的制作方法形成一外延结构于一外延基板之上，并移除部分外延结构及外延基板后，以形成至少一通道，接着形成一平坦化层于通道内，使通道内具有平坦化层。由此，当透过激光聚焦以分离外延基板及外延结构时，解离所产生的气体因通道内的平坦化层的阻挡，可避免解离气体损害邻近的外延结构。另外，外延结构所产生的应力也可透过通道得到释放，可减轻外延结构产生翘曲现象，当使用激光分离外延结构及外延基板时，可以避免因为翘曲造成的聚焦不良，而导致分离外延基板及外延结构失败的问题。此外，本发明的制作方法是在切割管芯时，才切穿反射层及接合层，据此在制作发光二极管的过程中，能降低反射层与空气接触的面积，有效保护反射层，避免因化学药剂而使反射层产生劣化情形，进而提高发光二极管的品质并延展其寿命。
[0091]以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于所附的权利要求中。
【权利要求】
1.一种发光二极管的制作方法，包括: 形成一外延结构于一外延基板之上； 形成一保护层于该外延结构之上； 移除部分该保护层、该外延结构及该外延基板，以形成至少一通道； 形成一平坦化层于该通道及该保护层上，其中该平坦化层填满该通道； 去除该外延结构上的该平坦化层及该保护层； 形成一反射层于该外延结构之上； 形成一第一接合层于该反射层之上； 提供一导电基板； 形成一第二接合层于该导电基板上，并透过该第一接合层与该第二接合层以接合该导电基板于该反射层上； 分离该外延基板及该外延结构；以及 形成一隔离沟槽于该外延结构，该隔离沟槽暴露出该反射层。
2.一种发光二极管的制作方法，包括: 形成一外延结构于一外延基板之上； 移除部分该外延结构及该外延 基板，以形成至少一通道； 形成一平坦化层于该通道及该外延结构上，其中该平坦化层填满该通道； 去除该外延结构上的该平坦化层； 形成一反射层于该外延结构之上； 形成一第一接合层于该反射层之上； 提供一导电基板； 形成一第二接合层于该导电基板上，并透过该第一接合层与该第二接合层以接合该导电基板于该反射层上； 分离该外延基板及该外延结构；以及 形成一隔离沟槽于该外延结构，该隔离沟槽暴露出该反射层。
3.如权利要求1或2所述的制作方法，其中该外延结构具有第一半导体层、有源层及第二半导体层。
4.如权利要求1或2所述的制作方法，其中移除部分该外延结构及该外延基板，以激光照射该外延结构及该外延基板。
5.如权利要求1或2所述的制作方法，其中透过一蚀刻或化学机械研磨制作工艺去除位于该保护层上的该平坦化层。
6.如权利要求1或2所述的制作方法，其中该反射层经过蒸镀以及合金制作工艺，以形成于该外延结构之上。
7.如权利要求1或2所述的制作方法，其中该第一接合层及该第二接合层以蒸镀方式分别形成于该反射层与该导电基板之上。
8.如权利要求1或2所述的制作方法，其中分离该外延基板及该外延结构的步骤前，还包括: 以研磨及抛光方式减薄该外延基板。
9.如权利要求1或2所述的制作方法，其中形成该隔离沟槽的步骤之前或形成该隔离沟槽的步骤之后，还包括: 移除该通道的该平坦化层。
10.如权利要求1或2所述的制作方法，其中形成该隔离沟槽的步骤，以蚀刻方式进行。
11.如权利要求1或2所述的制作方法，其中该隔离沟槽与该通道位于相同位置。
12.如权利要求1或2所述的制作方法，其中以该隔离沟槽定义单颗的发光二极管管-!-H Λ ο
13.如权利要求1或2所述的制作方法，还包括: 形成一电流散布层于该外延结构之上。
14.如权利要求1或2所述的制作方法，还包括: 形成一第一电极于该外延结构之上；及 形成一第二电极于该导电基板。
15.如权利要求1或2所述的制`作方法，其中该隔离沟槽的宽度大于该通道的宽度。
【文档编号】H01L33/00GK103594565SQ201210459218
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2012年11月15日 优先权日:2012年8月16日
【发明者】林忠欣, 吴奇隆, 邱信嘉, 张瑞君, 朱长信 申请人:奇力光电科技股份有限公司, 佛山市奇明光电有限公司