一种白光有机发光二极管器件及制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及有机发光材料领域，尤其设及一种白光有机发光二极管器件及制备方 法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管（OLED)主要是采用有机发光小分子W及高分子聚合物作为发光 材料，并采用蒸锻或者旋涂的方式制备，目前OL邸照明产品和OL邸显示面板已经量产在手 机显示终端、照明灯具等领域中被广泛应用。OL邸具有自发光、驱动电压低、响应速度快、高 效率、高亮度、轻薄、可卷曲等优点。白光技术是实现全彩显示和照明的必要技术，为了取得 白光，在加工工艺上，通常采用渗杂手段，但是渗杂工艺复杂、调控时间长、不易操作且重复 性差，给批量加工和生产带来很大障碍。
[0003] 因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0004] 鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种白光有机发光二极管器件 及制备方法，旨在解决现有的白光OL邸工艺复杂、不易操作且重复性差的问题。 阳0化]本发明的技术方案如下：
[0006] 一种白光有机发光二极管器件，其中，包括自下而上设置的ITO阳极、空穴注入 层、空穴传输电子阻挡层、光发射功能层、电子传输空穴阻挡层、电子注入层及侣阴极，其 中，光发射功能层包括=层：第一层为超薄黄光巧光发光层，第二层为主体材料光色调控 层，第=层为超薄蓝光巧光发光层。
[0007] 所述的白光有机发光二极管器件，其中，所述超薄黄光巧光发光层的厚度为 0. 1 ~0. 5nm。
[0008] 所述的白光有机发光二极管器件，其中，所述主体材料光色调控层的厚度为5~ 20nm。
[0009] 所述的白光有机发光二极管器件，其中，所述超薄蓝光巧光发光层的厚度为 0. 1 ~0. 5nm。
[0010] 所述的白光有机发光二极管器件，其中，所述超薄黄光巧光发光层采用TB化材料 制成。
[0011] 所述的白光有机发光二极管器件，其中，所述主体材料光色调控层采用MADN材料 制成。
[0012] 所述的白光有机发光二极管器件，其中，所述超薄蓝光巧光发光层采用DSA-地材 料制成。
[0013] 一种如上所述的白光有机发光二极管器件的制备方法，其中，包括步骤：
[0014] A、对ITO玻璃进行刻蚀和清洗作为ITO基底；
[0015] B、将ITO基底固定于锻膜仪器中，抽真空，然后按照器件结构依次在基底上锻膜， 制得各个功能层。
[0016] 所述的制备方法，其中，所述步骤A具体包括：
[0017] AU使用清洗剂对ITO玻璃超声清洗；
[0018] A2、使用超纯水对ITO玻璃超声清洗；
[0019] A3、使用丙酬对ITO玻璃超声清洗；
[0020] A4、使用异丙醇对ITO玻璃超声清洗，然后用氮气吹干；
[0021] A5、最后采用紫外臭氧处理ITO玻璃表面。
[0022] 所述的制备方法，其中，所述步骤B之后还包括：
[0023] C、采用玻璃盖板涂膜环氧树脂胶后覆盖在器件上。
[0024] 有益效果：本发明的OL邸器件性能优良，色品质高，光谱稳定性好，而且制备过程 简单，成本低廉，节约能源，容易实现大规模生产。本发明对高色品质性能互补色白光OL邸 研究和开发具有重要推动作用，且在未来固态白光照明领域有着巨大的产业化应用潜力。
【附图说明】
[00巧]图1为本发明的白光有机发光二极管器件结构示意图。
[00%] 图2为本发明器件中超薄黄光巧光发光层所使用的黄发光材料TB化的分子结构 式。
[0027] 图3为本发明器件中超薄蓝光巧光发光层所使用的天蓝光发光材料DSA-Ph的分 子结构式。
[0028] 图4为本发明制备的白光有机发光二极管器件的发光光谱图。
[0029] 图5为本发明制备的白光有机发光二极管器件的CIE色坐标图。
[0030] 图6为本发明制备的白光有机发光二极管器件的电流密度-电压-亮度曲线。
[0031] 图7为本发明制备的白光有机发光二极管器件的电流效率-亮度-功率效率特性 曲线。
【具体实施方式】
[0032] 本发明提供一种白光有机发光二极管器件及制备方法，为使本发明的目的、技术 方案及效果更加清楚、明确，W下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用W解释本发明，并不用于限定本发明。
[0033] 请参阅图1，图1为本发明一种白光有机发光二极管（白光OL邸）器件较佳实施例 的结构示意图，其包括自下而上设置的ITO阳极1、空穴注入层2、空穴传输电子阻挡层3、光 发射功能层4、电子传输空穴阻挡层5、电子注入层6及侣阴极7,其中，光发射功能层4包括 自下而上的=层：第一层为超薄黄光巧光发光层8,第二层为主体材料光色调控层9,第= 层为超薄蓝光巧光发光层10。
[0034] 所述超薄黄光巧光发光层8的厚度为0. 1~0. 5nm。所述超薄黄光巧光发光层8 优选采用TB化材料制成。TB化材料的分子结构式如图2所示。
[0035] 所述主体材料光色调控层9的厚度为5~20皿。所述主体材料光色调控层9优 选采用MADN材料巧，10-二（2-糞基）-2-甲基蔥；2-甲基-9, 10-双（糞-2-基）蔥）制 成。
[0036] 所述超薄蓝光巧光发光层10的厚度为0.1 ~0. 5nm。所述超薄蓝光巧光发光层 10优选采用DSA-ph材料制成。DSA-ph材料的分子结构式如图3所示。
[0037] 此外，其中的空穴注入层2其可采用=氧化钢材料，厚度优选为1~3nm。
[0038] 空穴传输电子阻挡层3可采用WB材料（N，N'-二苯基-N，N'-(1-糞基）-1，1'-联 苯-4, 4' -二胺），厚度优选为40~70nm。电子传输空穴阻挡层5可采用TPBI材料 (1，3, 5- S (1-苯基-IH-苯并咪挫-2-基）苯），厚度优选为30~50皿。
[0039] 电子注入层6可采用氣化裡材料，厚度优选为0. 5~3皿。 W40] 侣阴极7的厚度优选为120皿。
[0041] 本发明还提供一种如上所述的白光有机发光二极管器件的制备方法，其包括步 骤：
[0042] Sl、对ITO玻璃进行刻蚀和清洗作为ITO基底；ITO玻璃放阻10-15欧姆/□。
[0043] S2、将ITO基底固定于锻膜仪器中，抽真空（4X 10 6Torr.)，然后按照器件结构依 次在基底上锻膜（蒸锻或旋涂），制得各个功能层。
[0044] 具体地，先在ITO基底上沉积第一层空穴注入层材料Mo〇3,沉积速率控制在 0.1 A/S，厚度为 1 ~3n