技术总结
一种相变存储器及其形成方法，其中所述相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底、位于半导体衬底表面的第一介质层，位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极，所述环形电极上表面与所述第一介质层表面齐平，且所述第一介质层填充所述环形电极内部；形成覆盖所述第一介质层和环形电极的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露部分所述环形电极上表面；在所述第一开口内形成相变层。本发明相变存储器的形成方法，环形电极和相变层的接触面积小于环形电极的顶表面的面积，相变存储器操作功耗低。
技术研发人员：李莹;朱南飞;吴关平
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201210513905
技术研发日：2012.12.04
技术公布日：2017.03.29