发光芯片组合及其制造方法
【专利摘要】一种发光芯片组合，包括软性基座及安装于基座上的发光芯片，发光芯片包括依次堆叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极，电极通过掺杂有导电粒子的软性绝缘层接合至基座，导电粒子将电极与基座导通。由于软性绝缘层的作用，发光芯片不易从基座上脱落，并且可确保二者之间的电连接。本发明还提供一种发光芯片组合的制造方法。
【专利说明】发光芯片组合及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种芯片组合，特别是指一种发光芯片组合。
【背景技术】
[0002]发光二极管作为新兴的光源，已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管通常包括基座、安装于基座上的芯片及覆盖芯片的封装体。芯片由基板及依次生长于基板上的N型半导体层、发光层及P型半导体层组成。芯片还分别在其N型半导体层及P型半导体层上形成P电极及N电极，以与基座电连接，从而将电流引入芯片内以驱动发光层发光。
[0003]为提升出光效率，当前有部分芯片是采用倒装的形式固定于基座上。倒装的芯片的二电极分别通过二锡球焊接至基座上的二导电层，从而实现与基座的电连接。有业者采用软性材料来制造基座，以得到具有可挠性的发光二极管。然而，由于芯片的二电极是通过刚性的锡球焊接在软性基座的导电层上，在软性基座发生弯曲的过程中，电极、锡球及导电层之间极易由于内部的应力作用发生分离，导致发光二极管出现断路。
【发明内容】
[0004]因此，有必要提供一种不易发生断路的发光芯片组合及其制造方法。
[0005]一种发光芯片组合，包括芯片及承载芯片的软性基座，芯片包括基板及依次堆叠于基板上的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极，电极通过掺杂有导电粒子的软性绝缘层接合在基座上而实现芯片与基座之间的电连接。
[0006]一种发光芯片组合的制造方法，包括:提供软性基座及发光芯片，发光芯片包括依次堆叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极；在基座上涂覆包含导电粒子的软性绝缘层；将发光芯片置于软性绝缘层上，使电极于软性绝缘层接触；施加压力，使发光芯片相对基板逐渐靠近，直至电极通过导电粒子与基座导通。
[0007]由于采用软性绝缘层来接合芯片的电极及基座，其可抵消由于基座的弯曲而给芯片的电极所造成的应力，使电极与基座之间不易发生脱落。并且，软性绝缘层中所掺杂的导电粒子可确保电极与基座之间的电连接，从而使电流能够从基座进入芯片内，驱动芯片正常发光。
[0008]下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1不出本发明一实施例的发光芯片组合。
[0010]图2为图1中的发光芯片组合的制造过程。
[0011]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光芯片组合，包括软性基座及安装于基座上的发光芯片，发光芯片包括依次堆叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极，其特征在于:电极通过掺杂有导电粒子的软性绝缘层接合至基座，导电粒子将电极与基座导通。
2.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于:第二半导体层及发光层嵌入软性绝缘层内。
3.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于:导电粒子为弹性的镀镍树脂球。
4.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于:导电粒子沿着软性绝缘层的厚度方向相互挤压。
5.一种发光芯片组合的制造方法，包括: 提供软性基座及发光芯片，发光芯片包括依次堆叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极； 在基座上涂覆包含导电粒子的软性绝缘层； 将发光芯片置于软性绝缘层上，使电极与软性绝缘层接触； 施加压力，使发光芯片相对基板逐渐靠近，直至电极通过导电粒子与基座导通。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于:在施加压力的过程中还对软性绝缘层进行加热，直至软性绝缘层固化成凝胶状再释放压力。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于:导电粒子在施加压力的过程中发生形变，并在释放压力之后恢复部分形变而沿着软性绝缘层的厚度方向相互挤压。
8.如权利要求7所述的方法 ，其特征在于:导电粒子在恢复部分形变之后的的形变量仍大于40%。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于:在软性绝缘层固化之后第二半导体层及发光层均嵌入软性绝缘层内。
10.如权利要求5所述的方法，其特征在于:导电粒子为镀镍的树脂球。
【文档编号】H01L33/62GK103904189SQ201210569121
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月25日 优先权日:2012年12月25日
【发明者】赖志成 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司