专利名称：一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及硅太阳能电池，特别是指一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术：
光伏行业的相关技术人员为了提高太阳能电池的转化效率，在传统结构的基础上做了大量的技术创新及改进，例如已经研发出一种结构包括表层、缓冲层、含至少一个P-N结的光吸收区、过渡层、P或N型区的集电栅和电极的非晶硅薄膜太阳能电池。这是一种受光面可以得到充分利用的结构，同时由于底部P-N结的集栅型排布，增加了 P-N结的有效长度，从而提高了薄膜太阳能电池的转化率，然而其结构过于复杂，重复性不好；另一种利用N型晶体硅制成的单面电极太阳能电池，具有合理的结构，较高的转化效率，远远优于常规晶硅太阳能电池。然而由于硅片的脆性，考虑到产品的良率，在大规模生产中也不容易达到最理想的结构尺寸。·发明内容针对上述已有技术存在的问题，本实用新型的目的是提供了一种不易向薄膜中扩散杂质且能增加转化率的高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。本实用新型为解决上述技术问题采取的技术方案是一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池包括透明衬底、N型多晶硅薄膜、上电极、背电极和钝化层，N型多晶硅薄膜上制有P-n结，透明衬底设在背电极上，透明衬底上设有钝化层，在上电极和N型多晶硅薄膜之间设有N+掺杂层。由于N型多晶娃薄膜中光生载流子寿命较长,故选择N型多晶娃薄膜。进一步地，所述的N型多晶硅薄膜的厚度是I微米-40微米，最优值为3 O微米；透明衬底上还设有用于增加透光率的绒面层，可通过控制镀膜工艺在薄膜表面生成绒面层。本实用新型具有以下有益效果本实用新型在晶硅薄膜的膜面使用钝化层，可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散，钝化多晶硅薄膜表面的化学活性，减小载流子在薄膜表面的复合率，从而增加转换效率。同时由于避免了使用易碎的晶硅而降低了使用材料的厚度，在节省了材料和提高光电转化效率的同时也降低了生产的难度，易于形成大规模生产。
图I是本实用新型所述的一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池整体结构示意图。附图中分述标记如下1、透明衬底，1-1、绒面层，2、N型多晶硅薄膜，3、上电极，4、背电极，5、钝化层,6、N+掺杂层。
具体实施方式
现在结合附图I对本实用新型作进一步详细的说明。该附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图I所示的一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池，包括透明衬底I、N型多晶硅薄膜2、上电极3、背电极4和钝化层5，N型多晶硅薄膜2上制有p-n结，透明衬底I设在背电极4上，透明衬底I上设有钝化层5，在上电极3和N型多晶硅薄膜2之间设有N+掺杂层6。在晶硅薄膜的膜面使用钝化层，可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散，钝化多晶硅薄膜表面的化学活性，减小载流子在薄膜表面的复合率，从而增加转换效率。采用的N型多晶硅薄膜2的厚度为I微米-40微米；透明衬底I上还设有用于增加透光率的绒面层1-1。可通过控制镀膜工艺在薄膜表面生成绒面层。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人 员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于包括透明衬底(I)、N型多晶硅薄膜(2)、上电极(3)、背电极(4)和钝化层(5)，N型多晶硅薄膜⑵上制有p-n结，透明衬底⑴设在背电极⑷上，透明衬底⑴上设有钝化层(5)，在上电极(3)和N型多晶硅薄膜⑵之间设有N+掺杂层(6)。
2.根据权利要求I所述高转化率多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述N型多晶硅薄膜(2)的厚度是I微米-40微米。
3.根据权利要求I或2所述高转化率多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述的透明衬底(I)上还设有用于增加透光率的绒面层(1-1)。
专利摘要本实用新型涉及一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前电池易向薄膜中扩散杂质且转化率降低的问题。所述的多晶硅薄膜太阳能电池包括透明衬底、N型多晶硅薄膜、上电极、背电极和钝化层，N型多晶硅薄膜上制有p-n结，透明衬底设在背电极上，透明衬底上设有钝化层，在上电极和N型多晶硅薄膜之间设有N+掺杂层。本实用新型在晶硅薄膜的膜面使用钝化层，可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散，钝化多晶硅薄膜表面的化学活性，减小载流子在薄膜表面的复合率，从而增加转换效率。
文档编号H01L31/0368GK202678330SQ201220281200
公开日2013年1月16日 申请日期2012年6月14日 优先权日2012年6月14日
发明者王桂奋, 谢德兵, 王迎春 申请人:金坛正信光伏电子有限公司