专利名称：一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及硅太阳能电池，特别是指一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术：
多晶硅薄膜太阳能电池由于具备高效率的潜力以及具有构成电回路开口的双重优势，被认为是最优可能取代常规的太阳能电池。在过去十几年来引起人们极大兴趣并取得广泛研究。研究主要在两个方面一是电池衬底的选择，二是制备工艺。若采用高纯度、高品质的单晶硅片作为衬底材料，制造成本极高，而采用廉价衬底，衬底中的杂质易向薄膜中扩散，容易影响电池的性能，降低电池的效率。
发明内容针对上述已有技术存在的问题，本实用新型的目的是提供一种用价格较低、杂质不易向薄膜中扩散的，同时又具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池。本实用新型为解决上述技术问题采取的技术方案是所述的一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池包括衬底、多晶硅薄膜、上电极和背电极，多晶硅薄膜上制有P-η结，衬底设在背电极上，在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层，在二氧化硅隔离层上设有若干个由背电极和上电极构成的电回路开口。在二氧化硅隔离层上光刻出开口，使电极可设在电池的正反两面，简化了电池的制作工艺。进一步地，所述的二氧化硅隔离层厚度是2微米，采用此数据效果较好。进一步地，所述电回路开口的数量是3-10个，采用此数据效果较好。本实用新型具有以下有益效果在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层，使得低品质的多晶硅片衬底也能作为基材使用，大大降低了制造成本；具有电回路开口的设计能进一步提升多晶硅薄膜太阳能电池的使用性能。
图I是本实用新型所述的一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池的整体结构示意图。附图中标记分述如下I、衬底、2、多晶硅薄膜、3、上电极、4、背电极、5、重掺P+层、6、二氧化硅隔离层、6-1、电回路开口。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。该附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0013]如图I所示的一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池，包括衬底I、多晶硅薄膜2、上电极3和背电极4，多晶硅薄膜2上制有p-n结，衬底I设在背电极4上，在衬底I和多晶硅薄膜2之间设有重掺P+层5和二氧化硅隔离层6，在二氧化硅隔离层6上设有若干个由背电极4和上电极构成的电回路开口 6-1。所述的二氧化硅隔离层6厚度是2微米，电回路开口 6-1的数量是3-10个。采用二氧化硅隔离层6的目的是阻挡衬底杂质向多晶硅薄膜2扩散，在二氧化硅隔离层6上开出的开口，使电极可设在电池的正反两面，大大简化了电池的制作工艺。降低了制造成本，有利于薄膜太阳能电池的产业化。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人 员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于包括衬底(I)、多晶硅薄膜(2)、上电极(3)和背电极(4)，多晶硅薄膜⑵上制有P-η结，衬底⑴设在背电极(4)上，在衬底⑴和多晶硅薄膜⑵之间设有重掺P+层(5)和二氧化硅隔离层(6)，在二氧化硅隔离层(6)上设有若干个由背电极(4)和上电极(3)构成的电回路开口(6-1)。
2.根据权利要求I所述具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述的二氧化硅隔离层(6)的厚度是2微米。
3.根据权利要求I或2所述具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述电回路开口(6-1)的数量是3-10个。
专利摘要本实用新型涉及一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前衬底价格昂贵，品质低衬底的杂质向薄膜扩散影响电池质量的问题。多晶硅薄膜太阳能电池包括衬底、多晶硅薄膜、上电极和背电极，多晶硅薄膜上制有p-n结，衬底设在背电极上，在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层，在二氧化硅隔离层上设有若干个由背电极和上电极构成的电回路开口。在二氧化硅隔离层上光刻出开口，使电极可设在电池的正反两面，简化了电池的制作工艺；在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层，使得低品质的多晶硅片衬底也能作为基材使用，大大降低了制造成本。
文档编号H01L31/0352GK202678328SQ20122028119
公开日2013年1月16日 申请日期2012年6月14日 优先权日2012年6月14日
发明者王桂奋, 谢德兵, 王迎春 申请人:金坛正信光伏电子有限公司