专利名称：一种uhf频段的rfid应答器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种UHF频段的RFID应答器。
背景技术：
近年来，已提出多种可以应用于金属环境的天线耦合结构，多以双层或三层导电层的形式存在，共同点是均具有ー个导体层的空白区域，且空白区域均处于第一层导体层，但是因为空白区域处于反射层，造成反射面减小，性能受到影响。
发明内容本实用新型所要解决的技术问题是提供ー种UHF频段的RFID应答器，其能増加反射层的面积，使在同样性能要求下产品可以减小尺寸，同时保证性能的稳定和一致性。为此，本实用新型采用以下技术方案:所述的RFID应答器的天线为多层微带天线；所述的多层微带结构天线馈电方式为耦合馈电，耦合馈电区处于中间，耦合馈电区的上方和下方均具有导体层，相邻层的导体用绝缘介质隔开，各层导体从各层之外连通。在采用上述技术方案的基础上，本实用新型还可采用以下进ー步的技术方案:所述微带天线的导体层有三层，耦合馈电区处于中间层导体所在层上。所述上层导体、中间导层体、下层导体由导体层连续翻折形成，中间层导体从下层导体或上层导体翻折入上层导体和下层导体之间。相邻层导体的间隙一致。所述绝缘介质为绝缘板。所述绝缘介质为厚度相同的绝缘板；当中间层导体从下层导体翻折入上层导体和下层导体之间时，上层导体贴在上绝缘板的上表面，下层导体贴在下绝缘板的下表面，中间层导体贴在下绝缘板的上表面；当中间层导体从上层导体翻折入上层导体和下层导体之间时，上层导体贴在上绝缘板的上表面，下层导体贴在下绝缘板的下表面，中间层导体贴在上绝缘板的下表面。由于采用本实用新型的技术方案，本实用新型提供了ー种新型结构，采用耦合的天线结构，这种结构性能稳定性高，可以微调以保证批量生产的一致性；另外，耦合馈电区处于中间层导体层，反射层为第一层导体层，这样増大了反射层的面积，使在同样性能要求下产品可以减小尺寸，同时保证性能的稳定和一致性。
图1为本实用新型所提供的实施例的剖视图。图2为为显示清楚起见，将上绝缘板和下绝缘板拉开后本实用新型的示意图。图3为中间层的投影图。
具体实施方式
[0014]參照附图。本实用新型所提供的的RFID应答器的天线为多层微带天线；所述的多层微带结构天线馈电方式为耦合馈电，耦合馈电区100处于中间，耦合馈电区的上方和下方均具有导体层，相邻层的导体用绝缘介质隔开，各层导体从各层之外连通。所述微带天线的导体层层数只要保证耦合馈电区的上方和下方均具有导体层即可，本实施例中，导体层有三层，耦合馈电区处于中间层导体所在层上。所述上层导体1、中间导层体2、下层导体3由导体层连续翻折形成，中间层导体2从下层导体3或上层导体I翻折入上层导体I和下层导体3之间。相邻层导体的间隙一致。所述绝缘介质为厚度相同的绝缘板；当中间层导体2从下层导体3翻折入上层导体I和下层导体3之间时，上层导体I贴在上绝缘板4的上表面，下层导体3贴在下绝缘板5的下表面，中间层导体2贴在下绝缘板5的上表面。在图中，附图标号6为f禹合馈电区100中的空白区，附图标号7为设直在空白区和中间层导体上的馈电环。附图标号13和23分别表示上层导体I和下层导体3之间以及中间层导体2和下层导体之间的在各层之外的弯折部分，该部分起到了所述的连通作用。
权利要求1.ー种UHF频段的RFID应答器，其特征在于，所述的RFID应答器的天线为多层微带天线；所述的多层微带结构天线馈电方式为耦合馈电，耦合馈电区处于中间，耦合馈电区的上方和下方均具有导体层，相邻层的导体用绝缘介质隔开，各层导体从各层之外连通。
2.如权利要求1要求所述的ー种UHF频段的RFID应答器，其特征在于微带天线的导体层有三层，耦合馈电区处于中间层导体所在层上。
3.如权利要求2要求所述的ー种UHF频段的RFID应答器，其特征在于所述上层导体、中间导层体、下层导体由导体层连续翻折形成，中间层导体从下层导体或上层导体翻折入上层导体和下层导体之间。
4.如权利要求1、2或3要求所述的ー种UHF频段的RFID应答器，其特征在于相邻层导体的间隙一致。
5.如权利要求1、2或3要求所述的ー种UHF频段的RFID应答器，其特征在于所述绝缘介质为绝缘板。
6.如权利要求4要求所述的ー种UHF频段的RFID应答器，其特征在于所述绝缘介质为厚度相同的绝缘板；当中间层导体从下层导体翻折入上层导体和下层导体之间时，上层导体贴在上绝缘板的上表面，下层导体贴在下绝缘板的下表面，中间层导体贴在下绝缘板的上表面；当中间层导体从上层导体翻折入上层导体和下层导体之间时，上层导体贴在上绝缘板的上表面，下层导体贴在下绝缘板的下表面，中间层导体贴在上绝缘板的下表面。
专利摘要本实用新型提供了一种UHF频段的RFID应答器，所述的RFID应答器的天线为多层微带天线；所述的多层微带结构天线馈电方式为耦合馈电，耦合馈电区处于中间，耦合馈电区的上方和下方均具有导体层，相邻层的导体用绝缘介质隔开，各层导体从各层之外连通。本实用新型提供了一种新型结构，采用耦合的天线结构，这种结构性能稳定性高，可以微调以保证批量生产的一致性；另外，耦合馈电区处于中间层导体层，反射层为第一层导体层，这样增大了反射层的面积，使在同样性能要求下产品可以减小尺寸，同时保证性能的稳定和一致性。
文档编号H01Q19/10GK202948463SQ20122056055
公开日2013年5月22日 申请日期2012年10月29日 优先权日2012年10月29日
发明者王俊杰 申请人:杭州中瑞思创科技股份有限公司