专利名称：微波设备用高压硅堆的制作方法
技术领域：
该实用新型涉及一种微波设备部件，特别是涉及一种微波设备用高压硅堆。
背景技术：
现有技术中，微波设备高压变压器次级一般输出AC 2000V左右，且次级绕组一端通过与变压器骨架接触来接地，因此在微波设备次级后面带有一个半波倍压电路，高压变压器在一个正弦波的半个周期内先对半波倍压电路中的电容充电，然后利用高压变压器的另外半个反向周期时的输出，叠加原先已经充完电的电容组成一个DC 4000V左右的电压给磁控管使其工作。在现有微波设备工作中，电路元件中的高压硅堆是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件，但是使用寿命非常短，经常性的损坏，给设备的连续生产造成了非常大的障碍。为了解决这一难题，采用将小型硅堆通过有效的串并联的方式连接在一起，并采用环氧树脂进行浇筑，大大提高了高压硅堆的寿命，为微波设备的连续化作业提供了有力的保障。
实用新型内容本实用新型克服了现有技术中微波设备中的高压硅堆寿命短易损坏，对设备连续生产造成很大障碍的问题，提供一种电流量大、热积累小、使用寿命长的微波设备用高压硅堆。
本实用新型的技术解决方案是，提供一种具有以下结构的微波设备用高压硅堆:含有输入端子、绝缘浇注料、导电体、高压二极管和输出端子，输入端子和输出端子分别连接在首端导电体和末端导电体上，高压二极管两端分别连接在不同的导电体上，导电体至少有两个，两个导电体之间至少有两个高压二极管。导电体材料可以是铜、铝或其它良导体。绝缘浇注料包裹在导电体和高压二极管周围，绝缘浇注料可以为环氧树脂、有机硅树月旨、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、马来酰亚胺树脂，绝缘浇注料的浇筑形状可以是圆形、方形、菱形或矩形。与现有技术相比，本实用新型微波设备用高压硅堆具有以下优点:采用本方案的微波设备用高压硅堆，由于高压二极管通过导电板或其他形式形成串并联电路后，然后用环氧树脂浇注成一体形成硅堆，大大增强了二极管的电流量和散热性能，从而提供其使用寿命。
图1是本实用新型微波设备用高压硅堆内部结构示意图。
具体实施方式
附图说明中标号I是输入端子，2是绝缘浇注料，3是导电体，4是高压二极管，5是输出端子。[0008]
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型微波设备用高压硅堆作进一步说明:如图所示，将高压二极管4采用并联的方式焊接在两个导电体3之间，导电体3可以有多个，焊接时候只要保证高压二极管4的两端是连接在不同的导电体3之间即可。阳极接高压线，阴极接BVR铜线，连接处要进行焊接，焊接要饱满，高压线、BVR铜线的连接处要用热缩管热缩，然后把焊接好的高压二极管4放在绝缘模具里进行浇注，绝缘浇注料2的浇注深度在能没住接线端子，不使电线裸露的情况下不限上限。浇注时要注意不能有气泡，浇注量要保证不能有线裸露，待浇注材料成型即可。连接高压二极管4的导电体3可以是铜线、铜条、铜板、铝线、铝条、铝板等或者其它导电性较好的导电体3。即每层高压二极管4至少一个，每个高压硅堆至少有一层高压二极管4，每层高压二极管4的排列方向可以是横向、纵向、上下等。工作过程中，通过串并联连接后的高压二极管4即使有少量的高压二极管4坏掉，只要还有一条通路，磁控管就可以正常 工作。
权利要求1.一种微波设备用高压硅堆，含有输入端子(I)、绝缘浇注料(2)、导电体(3)、高压二极管(4)和输出端子(5)，输入端子(I)和输出端子(5)分别连接在首端导电体(3)和末端导电体(3)上，高压二极管(4)两端分别连接在不同的导电体(3)上，其特征在于:所述的导电体(3)至少有两个，两个导电体(3)之间至少有两个高压二极管(4)。
2.根据权利要求1所述的微波设备用高压硅堆，其特征在于:所述的导电体(3)材料可以是铜、铝或其它良导体。
3.根据权利要求1所述的微波设备用高压硅堆，其特征在于:所述的绝缘浇注料(2)包裹在导电体(3)和高压二极管(4)周围，绝缘浇注料(2)可以为环氧树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、马来酰亚胺树脂，绝缘浇注料(2)的浇筑形状可以是圆形、方形、菱形或矩形。·
专利摘要本实用新型公开了一种微波设备用高压硅堆，克服了现有技术中微寿命短易损坏，对设备连续生产造成很大障碍的问题。该微波设备用高压硅堆含有输入端子、绝缘浇注料、导电体、高压二极管和输出端子，输入端子和输出端子分别连接在首端导电体和末端导电体上，高压二极管两端分别连接在不同的导电体上，导电体至少有两个，两个导电体之间至少有两个高压二极管。导电体材料可以是铜、铝等。绝缘浇注料包裹在导电体和高压二极管周围，绝缘浇注料可以为环氧树脂等。由于高压二极管通过导电板形成串并联电路后，然后用环氧树脂浇注成一体形成硅堆，大大增强了二极管的电流量和散热性能，从而提供其使用寿命。
文档编号H01L25/07GK203118942SQ20122073137
公开日2013年8月7日 申请日期2012年12月27日 优先权日2012年12月27日
发明者梅怀帅, 张西茂, 夏巧东 申请人:河南勃达微波设备有限责任公司