技术总结
提供在高应力操作条件下电子电路保护的装置和方法。在一个实施方案中，一种装置包括衬底(47)，其具有第一p阱(44c)、邻近第一p阱的第二p阱(44b)，以及使第一p阱与第二p阱分离的n型区(46)。n型有源区(43b)在第一p阱上面并且p型有源区(42b)在第二p阱上面。n型有源区和p型有源区分别电连接到高反向阻断电压(HRBV)设备(40)的阴极和阳极。n型有源区、第一p阱和n型区操作为NPN双极晶体管(58a)，并且第二p阱、n型区和第一p阱操作为PNP双极晶体管(53a)。NPN双极晶体管定义HRBV设备的相对较低的正向触发电压，并且PNP双极晶体管定义HRBV设备的相对较高的反向击穿电压。
技术研发人员：J·A·萨尔塞多;D·H·惠特尼
受保护的技术使用者：美国亚德诺半导体公司
文档号码：201280008277
技术研发日：2012.01.30
技术公布日：2016.11.30