专利名称：异质结mwt电池及其制作方法、载片舟的制作方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及ー种异质结MWT电池及其制作方法、载片舟。
背景技术：
太阳能电池是ー种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且利用的是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池具有广阔的发展前景。太阳能电池的种类多种多样，其中，异质结电池以其制备エ艺温度低、转换效率高、成本低等优点受到业内越来越多的青睐。MWT (金属缠绕式)技术也是目前太阳能电池技术领域的ー种发展趋势，不仅能够提升电池的光电转换效率，更主要的是其在太阳能电池组件制造方面具有优势。将MWT技术引入异质结电池的制作中，便得到了异质结MWT电池，传统的异质结MWT电池的结构如图1所示，包括:衬底101，位于衬底正面的正面钝化掺杂层102、正面TCO(透明导电薄膜)103及正面栅线107，位于衬底背面的背面钝化掺杂层104、背面TC0105、背面电极层106及接触区108 ;其中正面栅线107通过衬底上过孔内的导电材料与衬底背面的接触区108电性相连，背面电极106通过间隙109实现与接触区108的电性绝缘。现有技术中，通常采用将已经生长好的背面结构切断的方法实现背面电极106与接触区108的电性绝缘，但是，在实际制作过程中发现，上述方法エ艺难度较高，进而导致异质结MWT电池的制作方法エ艺难度较高。
发明内容
本发明提供了ー种异质结MWT电池及其制作方法、载片舟，以达到简化异质结MWT电池制作エ艺的目的。为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案:ー种异质结MWT电池的制作方法，包括:提供衬底，所述衬底的正面覆盖有正面钝化层，背面覆盖有背面钝化层，且所述衬底具有至少ー个贯穿其自身、正面钝化层及背面钝化层的过孔；采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡，在衬底的背面形成背面掺杂层，在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成背面导电层，在所述背面导电层背离衬底一侧的表面上形成背面电极层；去除所述掩膜片，在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。优选的，所述采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡的过程为，将所述衬底置于载片舟上，所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少ー个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构，所述衬底背面的过孔被所述掩膜片完全遮挡。
优选的，所述掩膜片所遮挡的衬底背面的面积大于所述接触区所遮挡的衬底背面的面积。优选的，所述在衬底的背面形成背面掺杂层，与所述在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成背面导电层之间，还包括:在衬底的正面形成正面掺杂层；在所述正面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成正面导电层。优选的，所述背面钝化层、背面掺杂层、背面导电层、背面电极层、正面钝化层、正面掺杂层及正面导电层的形成エ艺相同或不同，所述形成エ艺为化学气相淀积或物理气相淀积。优选的，所述在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区的过程为，采用丝网印刷工艺在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面印刷正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域印刷接触区。本发明还提供了一种载片舟，应用于权利要求1 6任一项所述的制作方法，所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少ー个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构；所述掩膜片所覆盖的衬底背面的面积大于所述过孔所占的衬底背面的面积，所述掩膜片用于完全遮挡所述衬底背面的过孔。优选的，所述掩膜片为圆形。优选的，所述载片舟的支撑结构包括多条形成网状结构的支撑线，所述掩膜片位于所述支撑线的交点处。本发明还提供了ー种异质结MWT电池，包括:衬底，覆盖所述衬底正面的正面钝化层，覆盖所述衬底背面的背面钝化层，至少一个贯穿所述衬底、正面钝化层及背面钝化层的过孔；位于在所述衬底背面的背面掺杂层，位于在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上的背面导电层，位于在所述背面导电层背离衬底ー侧的表面上的背面电极层；位于所述过孔内的导电材料，位于衬底正面的正面栅线，位于衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域上的接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。优选的，所述异质结MWT电池还包括:覆盖在衬底正面的正面掺杂层；覆盖在所述正面掺杂层背离衬底ー侧的表面上的正面导电层。与现有技术相比，本发明所提供的技术方案至少具有以下优点:本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法，采用掩膜片将电池正面栅线在背面的接触区完全遮挡，再在衬底上制作背面掺杂层、背面导电层及背面电极层，实现了背面掺杂层、背面导电层及背面电极层的选择性形成，可见，本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法在制作的过程中便已经从根本上杜绝了正面栅线在电池背面的接触区与背面掺杂层、背面导电层及背面电极层的短路问题，无需额外增加其它的使它们电性绝缘的步骤，制作エ艺简单易实现。另外，由于本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法无需额外増加其它步骤便可实现接触区与背面掺杂层、背面导电层及背面电极层电性绝缘，因此也就节省了额外增加的步骤所需的设备、物料及人力等，从而相对于现有技术降低了生产成本。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术异质结MWT电池的剖面图；图2-图5为本发明实施例所提供的异质结MWT电池的制作方法各步骤的剖面图；图6为本发明实施例所提供的异质结MWT电池的制作方法中采用的载片舟的俯视图。
具体实施例方式正如背景技术所述，现有技术中采用将已经生长好的背面结构切断的方法实现背面电极与接触区的电性绝缘，但是，这种方法的エ艺实现难度较高，进ー步导致异质结MWT电池的制作方法エ艺难度较高。发明人经研究发现，造成实现背面电极与接触区的电性绝缘的方法エ艺难度高的主要原因是:现有技术中切断异质结MWT电池背面结构一般采用激光エ艺，而背面结构中的钝化掺杂层、TCO和背面电极层等结构均为纳米级的薄膜，这使得切割步骤对激光エ艺的精准度的要求非常高，切割的深度、形成的激光损伤层的影响等都成为需要考虑的因素，从而造成激光切割实现背面电极与接触区的电性绝缘的方法エ艺难度高。基于此，本发明提供ー种异质结MWT电池的制作方法，该方法包括:提供衬底，所述衬底的正面覆盖有正面钝化层，背面覆盖有背面钝化层，且所述衬底具有至少ー个贯穿其自身、正面钝化层及背面钝化层的过孔；采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡，在衬底的背面形成背面掺杂层，在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成背面导电层，在所述背面导电层背离衬底ー侧的表面上形成背面电极层；去除所述掩膜片，在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法，采用掩膜片将电池正面栅线在背面的接触区完全遮挡，再在衬底上制作背面掺杂层、背面导电层及背面电极层，实现了背面掺杂层、背面导电层及背面电极层的选择性形成，可见，本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法在制作的过程中便已经从根本上杜绝了正面栅线在电池背面的接触区与背面掺杂层、背面导电层及背面电极层的短路问题，无需额外增加其它的使它们电性绝缘的步骤，制作エ艺简单易实现。另外，由于本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法无需额外増加其它步骤便可实现接触区与背面掺杂层、背面导电层及背面电极层电性绝缘，因此也就节省了额外增加的步骤所需的设备、物料及人力等，从而相对与现有技术降低了生产成本。以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。本实施例提供ー种异质结MWT电池的制作方法，利用设置有掩膜片的载片舟，使掩膜片遮挡正面栅线在背面的接触区，再形成背面结构，实现了背面结构的选择性形成。具体的，该方法包括以下步骤:步骤SOl:提供衬底，所述衬底的正面覆盖有正面钝化层，背面覆盖有背面钝化层，且所述衬底具有至少ー个贯穿其自身、正面钝化层及背面钝化层的过孔；如图2所示，首先根据实际需要选择的衬底201的类型，可以选用N型单晶硅、P型单晶硅、N型多晶硅或P型多晶硅，或者其它能够作为太阳能电池的材料，本实施例优选为N型单晶硅片。其次，在所提供的衬底201上制作过孔214，使过孔214贯穿该衬底201，其中制作过孔214可以采用激光打孔エ艺。需要说明的是，所制作的过孔214的大小、形状及数目可以根据实际需要进行相应的设计，本实施例对此并不限定。再次，采用化学气相淀积エ艺在衬底201的正面形成正面钝化层202，在衬底201的背面形成背面钝化层203。另外，本发明中正面钝化层202和背面钝化层203还可以采用物理气相淀积エ艺形成，在此并不进行限定。本实施例中，正面钝化层202和背面钝化层203优选为本征的非晶硅薄膜，该本征非晶硅薄膜含有大量的钝化基(如氢原子)，在薄膜形成的过程中，其内部含有的钝化基会进入衬底201的表面和内部发挥钝化作用，修复衬底201的缺陷，从而提高少子寿命，减少载流子复合。需要说明的是，本实施例中的背面钝化层203并没有采用掩膜的方法形成，这是由于背面钝化层203的材料为本征的非晶硅，电阻率极高，几乎不会导电，所以后续步骤中形成的接触区与背面掺杂层虽然同时与背面钝化层203接触，但是，接触区与背面掺杂层并不会通过背面钝化层203产生电性接触；因此，背面钝化层203可以不采用掩膜的方法形成。步骤S02:采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡，在衬底的背面形成背面掺杂层，在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成背面导电层，在所述背面导电层背离衬底ー侧的表面上形成背面电极层；其中，本实施例采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡的方式优选为将所述衬底201置于具有掩膜片211的载片舟上，使载片舟上的掩膜片211完全遮挡所述衬底201背面的过孔。为此，本实施例还提供了一种应用于本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法的载片舟，将衬底201置于该载片舟上后，衬底201与载片舟的位置关系如图3所示，衬底201正面(受光面)朝上，背面(背光面)朝下，与载片舟直接接触，过孔214被载片舟上的掩膜片211完全遮挡。本实施例中，所采用的载片舟包括边框213、位于所述边框围成的区域内的至少ー个掩膜片211及与掩膜片211和边框213相连接的支撑结构212，其中，所述掩膜片211所覆盖的衬底201背面的面积大于所述过孔214所占的衬底201背面的面积，所述掩膜片211用于完全遮挡所述衬底背面的过孔。具体的，边框213用于支持掩膜片211和支撑结构212，使二者不发生形变、位移等，便于操作；掩膜片211用于遮挡衬底201背面的过孔和承托衬底201，为使后续步骤中形成的背面结构与接触区更好的绝缘，掩膜片211的面积优选的远大于背面过孔的面积，以掩膜片和过孔均为圆形为例，通常情况下，掩膜片的直径为毫米级，过孔的直径为微米级；支撑结构212用于将掩膜片211和边框213连接，并支撑掩膜片211。如图6所示，为本发明实施例所提供的一种载片舟的俯视图，掩膜片211的形状优选与过孔214在衬底201背面上所呈现的形状一致，本实施例中优选为圆形；并且，载片舟的支撑结构212包括多条形成网状结构的支撑线，所述掩膜片211位于所述支撑线的交点处，支撑结构212的四周被边框213包围；其中由干支撑线非常细，并且不与电池直接接触，所以不会对电池产生遮挡，影响电池上膜层的形成。需要说明的是，本实施例中所采用的载片舟创造性的将掩膜片加入舟底，使后续步骤中形成膜层时，电池片上被掩膜片遮挡的部分不会形成膜层，由此实现膜层的选择性形成，而现有技术中的载片舟为框状，会将电池的整个一面暴露出来，无法实现膜层的选择性生长，因此，本实施例所提供的载片舟能够使仅需要在部分区域形成膜层的电池的制作步骤简化。此外，本实施例仅以上述结构的载片舟进行说明，但是本发明并不限定该载片舟的具体结构，在其它实施例中，掩膜片211的大小、形状及与支撑结构212的位置关系、支撑结构212的结构等均可根据实际需要相应变化。如图4所示，当形成背面掺杂层204、背面导电层207及背面电极层208时，衬底201是背面朝下置于上述的载片舟上的，载片舟上的掩膜片211完全遮挡了衬底201背面的过孔，因此，当去除掩膜片211后，所形成的背面掺杂层204、背面导电层207及背面电极层208并不存在于衬底201上掩膜片所遮挡的区域，也就是说，通过采用掩膜的方法，实现了背面掺杂层204、背面导电层207及背面电极层208的选择性形成。另外，本实施例中，在形成背面掺杂层204与形成背面导电层207之间，还包括:在衬底201的正面形成正面掺杂层205 ;在正面掺杂层205背离衬底201 —侧的表面上形成正面导电层206。所述背面掺杂层204的材料优选为重掺杂的非晶硅，且掺杂类型与衬底201的掺杂类型相同；所述正面掺杂层205的材料优选为掺杂的非晶硅，掺杂类型与衬底201的掺杂类型相反，该正面掺杂层205在形成的过程中，与衬底结合形成PN结。所述背面导电层207和正面导电层206的材料优选为ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、AZO (掺铝氧化锌)、BZ0 (硼锌氧化物)、IMO (掺钥氧化铟)或IWO (铟钨氧化物)中的任意ー种或几种，并且二者的材料可以相同也可以不同。背面导电层207和正面导电层206具有高透过率和高导电性的优点，对电池的光电转换效率具有有利的影响。所述背面电极层208的材料优选为导电性好的金属材料。形成所述背面钝化层203、背面掺杂层204、背面导电层207、背面电极层208、正面钝化层202、正面掺杂层205及正面导电层206的过程中可以采用化学气相淀积エ艺或物理气相淀积エ艺。本实施例优选的采用化学气相淀积エ艺。需要说明的是，本实施例仅以背面钝化层、正面钝化层-背面掺杂层-正面掺杂层-正面导电层-背面导电层-背面电极层的形成顺序为例进行说明，但是本发明并不限定上述几部分的形成顺序，在其它实施例中，可以根据实际的情况需要，选择不同的形成顺序，如:背面钝化层、正面钝化层-背面掺杂层-背面导电层-背面电极层-正面掺杂层-正面导电层等。步骤S03:去除所述掩膜片，在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。如图5所示，本步骤是将MWT技术引入异质结电池的关键步骤，去除掩膜片211后，在过孔214内填充导电材料，同时在电池正面形成正面栅线209，在电池背面形成接触区210，并使正面栅线209、过孔内的导电材料及接触区210三者电性相连，采用这种方式，将正面栅线209通过衬底201上的过孔214引至电池背面，并在电池背面形成接触区210，使电池的正面不再需要遮挡面积大的主栅线，进而减小遮光损失，提高短路电流，最终提高异质结电池的转换效率。在实际发电的过程中，接触区210内的电流为电池正面产生的电流，而背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208内的电流为电池背面产生的电流，因此，为了避免正背面的电流发生短路，所以，需要使接触区210与背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208电性绝缘。需要说明的是，为了使接触区210顺利实现与背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208的电性绝缘，优选的可以使掩膜片211所遮挡的衬底201背面的面积大于接触区210所遮挡的衬底201背面的面积。结合步骤SOl 步骤S03能够发现，本实施例所提供的方法，在电池制作过程中就实现了接触区210与背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208的电性绝缘，无需再额外增加其它实现绝缘的步骤。而现有技术中，通常是在电池各部分均形成完毕之后，再对背面掺杂层、背面导电层和背面电极层进行切割，以实现它们与接触区的电性绝缘，进行切割所采用的激光エ艺，不仅难以达到纳米级的背面掺杂层、背面导电层和背面电极层所需求的精准度，使制作エ艺难度大，并且无法实现完全绝缘，而且在切割的同时所造成的激光损伤层影响电池本身的性能，同时，激光切割所需的设备、人力及物料等也増加了制作的成本。因此，本实施例所提供的方法不仅能够做到接触区210与背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208完全绝缘，实现エ艺简单易行，并且节省了生产成本。本步骤中，在过孔214内填充导电材料，并在衬底201正面形成正面栅线209，在衬底背面被掩膜片211遮挡的区域上形成接触区210优选的采用丝网印刷工艺。
与上述方法实施例对应的，本发明还提供了ー种异质结MWT电池，采用上述方法制作，其结构如图5所示,包括:衬底201，覆盖所述衬底201正面的正面钝化层202，覆盖所述衬底201背面的背面钝化层203，至少ー个贯穿所述衬底201、正面钝化层202及背面钝化层203的过孔；位于在所述衬底201背面的背面掺杂层204，位于在所述背面掺杂层204背离衬底201 ー侧的表面上的背面导电层207，位于在所述背面导电层207背离衬底201 —侧的表面上的背面电极层208 ；位于所述过孔内的导电材料，位于衬底201正面的正面栅线209，位于衬底201背面未被背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208覆盖的区域接触区210，所述正面栅线209通过所述过孔内的导电材料与所述接触区210电性相连，且所述接触区210与所述背面掺杂层204、背面导电层207和背面电极层208电性绝缘。本实施例所提供的异质结MWT电池通过掩膜的方法，实现了背面掺杂层204、背面导电层207及背面电极层208的选择性生长，从根本上使接触区210与背面掺杂层204、背面导电层207及背面电极层208彻底绝缘；而现有技术中，由于采用激光切割技术切割背面掺杂层、背面导电层及背面电极层，难以达到较高切割的精准度，所以，无法实现彻底的绝缘，进而増加了电池正背面载流子的复合；因此，本实施例所提供的异质结MWT电池较现有技术的载流子复合减小，光电转换效率升高。本实施例所提供的异质结MWT电池，还包括:覆盖在衬底201正面的正面掺杂层205 ;覆盖在所述正面掺杂层205背离衬底ー侧的表面上的正面导电层206。本发明实施例所提供的异质结MWT电池及其制作方法，采用掩膜片将电池正面栅线在背面的接触区完全遮挡，再在衬底上制作背面掺杂层、背面导电层及背面电极层，实现了背面掺杂层、背面导电层及背面电极层的选择性形成，可见，本发明所提供的异质结MWT电池的制作方法在制作的过程中便已经从根本上杜绝了正面栅线在电池背面的接触区与背面掺杂层、背面导电层及背面电极层的短路问题，无需额外增加其它的使它们电性绝缘的步骤，制作エ艺简单易实现。另外，由于本发明所提供的异质结MWT电池及其制作方法无需额外増加其它步骤便可实现接触区与背面掺杂层、背面导电层及背面电极层电性绝缘，因此也就节省了额外増加的步骤所需的设备、物料及人力等，从而相对与现有技术降低了生产成本。虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述掲示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.ー种异质结MWT电池的制作方法，其特征在于，包括: 提供衬底，所述衬底的正面覆盖有正面钝化层，背面覆盖有背面钝化层，且所述衬底具有至少ー个贯穿其自身、正面钝化层及背面钝化层的过孔； 采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡，在衬底的背面形成背面掺杂层，在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成背面导电层，在所述背面导电层背离衬底一侧的表面上形成背面电极层； 去除所述掩膜片，在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用掩膜片将所述衬底背面的过孔完全遮挡的过程为，将所述衬底置于载片舟上，所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少ー个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构，所述衬底背面的过孔被所述掩膜片完全遮挡。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜片所遮挡的衬底背面的面积大于所述接触区所遮挡的衬底背面的面积。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底的背面形成背面掺杂层，与所述在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成背面导电层之间，还包括: 在衬底的正面形成正面掺杂层； 在所述正面掺杂层背离衬底ー侧的表面上形成正面导电层。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述背面钝化层、背面掺杂层、背面导电层、背面电极层、正面钝化层、正面掺杂层及正面导电层的形成エ艺相同或不同，所述形成エ艺为化学气相淀积或物理气相淀积。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域形成接触区的过程为，采用丝网印刷工艺在所述过孔内填充导电材料，并在衬底正面印刷正面栅线，在衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域印刷接触区。
7.—种载片舟,应用于权利要求1 6任一项所述的制作方法,其特征在于,所述载片舟包括边框、位于所述边框围成的区域内的至少ー个掩膜片及与所述掩膜片和边框相连接的支撑结构； 所述掩膜片所覆盖的衬底背面的面积大于所述过孔所占的衬底背面的面积，所述掩膜片用于完全遮挡所述衬底背面的过孔。
8.根据权利要求7所述的载片舟，其特征在于，所述掩膜片为圆形。
9.根据权利要求8所述的载片舟，其特征在干，所述载片舟的支撑结构包括多条形成网状结构的支撑线，所述掩膜片位于所述支撑线的交点处。
10.ー种异质结MWT电池，其特征在于，包括: 衬底，覆盖所述衬底正面的正面钝化层，覆盖所述衬底背面的背面钝化层，至少ー个贯穿所述衬底、正面钝化层及背面钝化层的过孔；位于在所述衬底背面的背面掺杂层，位于在所述背面掺杂层背离衬底ー侧的表面上的背面导电层，位于在所述背面导电层背离衬底ー侧的表面上的背面电极层； 位于所述过孔内的导电材料，位于衬底正面的正面栅线，位于衬底背面未被背面掺杂层、背面导电层和背面电极层覆盖的区域上的接触区，所述正面栅线通过所述过孔内的导电材料与所述接触区电性相连，且所述接触区与所述背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。
11.根据权利要求10所述的异质结MWT电池， 其特征在于，还包括: 覆盖在衬底正面的正面掺杂层； 覆盖在所述正面掺杂层背离衬底ー侧的表面上的正面导电层。
全文摘要
本发明提供了一种异质结MWT电池的制作方法，包括提供衬底；采用掩膜片将衬底背面的过孔完全遮挡，在衬底的背面形成背面掺杂层、背面导电层、背面电极层；去除掩膜片，在过孔内填充导电材料，在衬底正面形成正面栅线，在衬底背面形成接触区，正面栅线通过过孔内的导电材料与接触区电性相连，且接触区与背面掺杂层、背面导电层和背面电极层电性绝缘。本发明所提供的制作方法，采用掩膜片将电池正面栅线在背面的接触区完全遮挡，再在衬底背面制作各膜层，实现了背面各膜层的选择性形成，从根本上杜绝了背面接触区与背面各膜层的短路问题，无需额外增加其它步骤，制作工艺简单易实现，相对于现有技术降低了生产成本。
文档编号H01L31/0224GK103117329SQ20131005127
公开日2013年5月22日 申请日期2013年2月17日 优先权日2013年2月17日
发明者陈剑辉, 李锋, 沈燕龙, 赵文超, 李高非, 胡志岩, 熊景峰, 宋登元 申请人:英利集团有限公司