蓄电装置及其制造方法与流程

文档序号:11407851阅读:266来源:国知局
蓄电装置及其制造方法与流程
本发明涉及能够实现轻量化的蓄电装置及蓄电装置的制造方法。

背景技术:
蓄电装置安装在移动电话或便携式游戏机等的便携式信息终端中。作为这种蓄电装置利用锂蓄电装置。虽然一直在谋求便携式信息终端的轻量化,但是尚未充分实现。通过实现安装在便携式信息终端中的蓄电装置的轻量化,可以实现便携式信息终端的轻量化。作为蓄电装置有固体二次电池(参照专利文献1)。固体二次电池包含固体电解质如无机固体电解质或有机固体电解质。在与蓄电装置不同的技术领域的显示装置的领域中记载了将被剥离层转置到塑料衬底的方法(参照专利文献2)。在专利文献2中记载了如下方法:在衬底上形成氮化物层,在氮化物层上形成氧化物层,使氧化物层的膜应力与氮化物层的膜应力不同,并通过物理方法剥离的方法。[专利文献1]日本专利申请公开2007-123081号公报;[专利文献2]日本专利申请公开2003-109773号公报。在专利文献1中使用石英玻璃,而未记载轻量化。由于蓄电装置不具备氮化物层或氧化物层,所以难以应用专利文献2所记载的在衬底上形成氮化物层并在氮化物层上形成氧化物层的方法。

技术实现要素:
于是,本发明提供一种能够实现轻量化的蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式是集流体被剥离而形成新的集流体的蓄电装置及其制造方法。可以将其形状为箔状的集流体称为金属片。另外,如下所述,可以适当地选择剥离集流体的时序。(1)形成包含负极活性物质的层(负极活性物质层),然后剥离集流体(例如金属片)。(2)在负极活性物质层上形成包含电解质的层(电解质层),然后剥离集流体(例如金属片)。(3)在负极活性物质层上形成电解质层及包含正极活性物质的层(正极活性物质层),然后剥离集流体(例如金属片)。(4)在负极活性物质层上形成电解质层、正极活性物质层及正极集流体,然后剥离集流体(例如金属片)。(5)在负极活性物质层上形成电解质层、正极活性物质层、正极集流体及覆盖它们的保护膜,然后剥离集流体(例如金属片)。如上所述,可以在任何时序进行剥离,通过剥离金属片而可以实现轻量化。为了实现轻量化,至少剥离金属片的一部分即可,而不需要整个金属片被剥离。另外,通过剥离金属片,也可以提供能够弯曲的蓄电装置。为了在制造工序中进行搬运,成为集流体的金属片具备一定硬度,由此不容易弯曲金属片。通过如上所述那样剥离金属片,也可以提供能够弯曲的蓄电装置。为了使蓄电装置具有柔性结构,至少金属片的一部分被剥离即可,但是优选整个金属片被剥离。再者,通过在剥离金属片之后设置保护膜,可以保护蓄电装置。作为该保护膜可以使用柔性膜(也称为柔性衬底)。由于柔性衬底的柔性比金属片高,而柔性衬底可以弯曲,所以可以维持与剥离后相同程度的柔性。另外,由于柔性衬底的重量比金属片轻,即使转置到柔性衬底也可以实现蓄电装置的轻量化。在作为负极活性物质使用硅时,使用包含与该硅起反应的材料的集流体。作为与硅起反应而形成硅化物的金属元素,可以举出锆、钛、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、钴、镍等。可以使用包含上述金属元素的集流体。另外,可以将包含该金属元素且其形状为箔状的集流体称为金属片,作为该金属片可以使用钛片、铝片或镍片等。作为蓄电装置的负极活性物质使用硅,作为金属片使用钛片,这意味着在钛片上形成硅膜。该硅膜可以为非晶或多晶。通过在形成硅膜的同时或形成硅膜之后进行400℃以上的加热处理,在钛片的表面形成反应层(有时钛硅化物)。以反应层附近为边界,可以剥离硅膜和钛片。另外,在形成反应层时,有时形成低密度层。由于利用硅形成反应层,所以硅扩散到反应层而在低密度层中降低硅密度。在上述状态下施加物理性力量而进行剥离时,在很多情况下在低密度层与反应层的界面产生剥离。此外,由于在剥离钛片时失掉负极集流体,所以需要形成新的负极集流体。新的负极集流体的厚度小于金属片,即其厚度可以为10nm以上且1μm以下。另外,通过利用本发明的剥离、转置技术,可以提供从负极集流体一侧层叠有包含正极集流体并具有蓄电功能的叠层体的蓄电装置。例如,在准备多个上述叠层体而称为第一叠层体、第二叠层体时,蓄电装置具有在第一叠层体上层叠有第二叠层体的结构。叠层体层叠顺序例如有(1)按正极层/负极层的顺序层叠有第一叠层体并按正极层/负极层的顺序层叠有第二叠层体的情况或者(2)按正极层/负极层的顺序层叠有第一叠层体并按负极层/正极层的顺序层叠有第二叠层体的情况。在(2)的情况下,由于负极层与负极层接触,所以可以使第一叠层体与第二叠层体之间的负极集流体为一个层。如此,可以提供层叠叠层体的蓄电装置。此外,通过利用剥离、转置技术,也可以将多个负极活性物质层配置为同一面内。例如,准备形成有电解质层、正极活性物质层及正极集流体的叠层体,并对该叠层体的同一面配置多个负极活性物质层。多个负极活性物质层可以配置为格子状或六角形状。此时,可以在多个负极活性物质层中设置共同的负极集流体。本发明的蓄电装置也可以包括固体电解质层作为电解质层。与包含非水类电解液的二次电池相比,在蓄电装置具有柔性时也不容易泄漏电解质,所以是优选的。例如,有机固体电解质层可以适合具有柔性的蓄电装置的弯曲的状态。因此,可以将蓄电装置安装在手表型电子设备等的带部分。根据本发明,可以提供新的蓄电装置。由于新的蓄电装置的集流体被剥离,所以可以实现轻量化。这种蓄电装置可以包含新的集流体。就是说,具备与形成有负极活性物质层的负极集流体不同的负极集流体。可以在剥离之后转置到柔性衬底。包括柔性衬底的蓄电装置可以弯曲而具备柔性。这种蓄电装置可以被期待安装在新的便携式信息终端中或扩大便携式信息终端之外的市场。附图说明图1A至图1D是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图2A至图2C是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图3A至图3C是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图4A至图4C是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图5A至图5C是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图6A和图6B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图7A和图7B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图8A和图8B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图9A和图9B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图10A和图10B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图11A至图11B3是示出第一实验结果的图;图12A和图12B是示出第二实验样品的图;图13是示出第一实验结果的图;图14A至图14C是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图15A至图15C是示出本发明的蓄电装置的正极层的图;图16A和图16B是示出安装有本发明的蓄电装置的电子设备的图;图17是示出安装有本发明的蓄电装置的电气设备的图;图18A和图18B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图19A和图19B是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图;图20A和图20B是示出第一实验结果的图;图21A至图21C是示出第一实验结果的图;图22A和图22B是示出第一实验结果的图;图23A至图23C是示出本发明的蓄电装置及其制造方法的图。具体实施方式以下,参照附图说明实施方式。但是,实施方式可以以多个不同方式来实施,所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实,就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此,本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。实施方式1在本实施方式中,说明作为集流体的金属片被剥离的蓄电装置及其制造方法。另外,说明在形成负极活性物质层、固体电解质层、正极活性物质层及正极集流体之后进行剥离的情况。注意,在本实施方式中,说明作为保护膜使用柔性衬底并在剥离金属片之后转置到柔性衬底上的情况。注意,虽然说明作为金属片使用钛片的情况,但是也可以如上所述那样使用铝片等。如图1A所示,在钛片101上形成硅膜102。可以用于金属片的钛片101具有10μm以上且1000μm以下的厚度。可以用于负极活性物质的硅膜102可以通过等离子体CVD法、减压CVD法、蒸镀法或溅射法等形成,并具有50nm以上且10μm以下的厚度。除了硅之外,作为负极活性物质还可以使用吸收并释放锂离子的材料。另外,作为能够代替锂离子的载流子离子,可以举出钠、钾等碱金属离子、钙、锶、钡等碱土金属离子、铍离子或镁离子等。负极活性物质也可以使用吸收并释放上述离子的材料。如图1B所示,形成电解质层103。作为电解质层,可以使用固体电解质层如有机固体电解质层或无机固体电解质层。这些固体电解质层可以为膜形状。固体电解质层优选具有以20℃的温度下10-5至10-1S/cm的离子传导性。这是因为担负进行负极与正极之间的荷电载流子传输的缘故。有机固体电解质层可以使用含有电解质盐的高分子材料。作为电解质盐,例如可以使用LiPF6、LiClO4、LiBF4、LiCF3SO3、Li(CF3SO2)2N、Li(C2F5SO2)2N、Li(CF3SO2)3C、Li(C2F5SO2)3C等。电解质盐可以使用一种或两种以上的混合。作为高分子材料,可以举出:偏氟乙烯类聚合物如聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物等;丙烯腈类聚合物如丙烯腈-甲基丙烯酸酯共聚物、丙烯腈-丙烯酸甲酯共聚物等;或者聚氧化乙烯等。上述高分子材料既可以是含有电解液的凝胶状的高分子材料,又可以是含有电解质盐的高分子材料。具有高柔性的有机固体电解质层的厚度可以为70nm以上且1.5μm以下。无机固体电解质层可以使用LiPON(对磷酸锂掺杂氮)、Li2O、Li2CO3、Li2MoO4、Li3PO4、Li3VO4、Li4SiO4、LLT(La2/3-xLi3xTiO3)、LLZ(Li7La3Zr2O12)等。由于无机固体电解质层的柔性比有机固体电解质层低,所以优选对无机固体电解质层进行薄膜化,其厚度可以为50nm以上且1μm以下。如图1C所示,依次形成正极活性物质层104及正极集流体105。作为正极活性物质层104,可以使用LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、V2O5、Cr2O5、MnO2等化合物。正极集流体105只要具有导电性就没有限制,而可以举出铝、不锈钢、镍、铜、铁、钛以及以它们为主要成分的合金等。通过利用溅射法、CVD法或蒸镀法,可以形成正极集流体的薄膜。例如,其厚度为10nm以上且10μm以下。至于包括正极活性物质层或正极集流体的正极层的详细内容,在下面的实施方式中进行说明。在形成正极集流体105之后,进行400℃以上且800℃以下的加热处理。由此,如图1D所示,在硅膜102与钛片101的边界形成反应层106。此时,有时在硅膜102中形成低密度层107。可以认为这是因为如下缘故:使用硅形成反应层106,结果,其密度与加热处理之前相比下降。就是说,低密度层是如下区域:在形成反应层时,在硅膜中硅扩散到反应层,由此硅密度下降的区域。有时在这种低密度层107中形成小空间(空隙)。有时在反应层106中反应生成物凝集为粒子状,其结果,有时在低密度层107侧形成小空间(空隙)。另外,根据钛和硅的组成,反应层106有时成为钛硅化物层。进行加热来形成反应层106的工序(加热处理工序)也可以利用形成硅膜时的加热。在通过等离子体CVD法、减压CVD法、蒸镀法或溅射法等形成硅膜时以400℃以上且800℃以下进行加热,此时也可以通过该加热形成反应层。如图2A所示,可以从硅膜102剥离钛片101。在图2A中,示出在形成反应层106时形成低密度层107的状态,并示出以该低密度层107为边界进行剥离的情况。就是说,在低密度层107的内部、低密度层107与反应层106的界面或低密度层107与硅膜102的界面进行剥离。或者,在组合上述界面的地方进行剥离。此外,可以再次利用剥离后的钛片101。如图2B所示,在硅膜102一侧形成新的负极集流体108。负极集流体108只要具有导电性就没有限制,而可以举出铝、不锈钢、镍、铜、锡、铌、铁、钛以及以它们为主要成分的合金等。作为钛合金可以举出钛酸锂。也可以使用铌氧化物的Nb2O5。通过利用溅射法、CVD法或蒸镀法,可以形成负极集流体的薄膜。例如,其厚度为10nm以上且1μm以下。因这种新的负极集流体而不需要在硅膜102与新的负极集流体108之间设置粘合剂。这种新的负极集流体108与上述集流体的钛片101不同。“不同”包括溅射法等制造方法不同的情况。通过溅射法等形成的新的负极集流体108成为上述厚度,其厚度小于钛片。另外,只要在反应之后不剥离,就可以新的负极集流体108中的一部分与负极活性物质起反应。例如,在负极活性物质为硅时,作为新的负极集流体108,也可以选择上述钛酸锂。钛酸锂是与该硅起反应而之后不剥离的材料之一。钛酸锂和钛片都使用钛。如图2C所示,可以使用保护膜110覆盖蓄电装置。保护膜具有保护蓄电装置的功能,可以采用包含有机材料、无机材料或金属材料的薄膜。另外,作为保护膜也可以使用包含上述材料的衬底。例如有塑料衬底或铝衬底。由于这些衬底被进行薄膜化,所以可以称为片、薄膜、柔性衬底。此外,作为保护膜也可以采用层压加工用层压薄膜。在该层压薄膜中设置有粘合剂,只要该粘合剂设置在至少层压薄膜彼此重叠的区域,就可以覆盖蓄电装置而保护。另外,保护膜也可以具有叠层结构,例如也可以层叠具有不使杂质或水分侵入到层压薄膜的密封功能的保护膜。由于厚钛片被剥离,所以即使采用上述使用保护膜覆盖的蓄电装置也明显实现了轻量化。另外,如本实施方式那样,活性物质层、集流体或固体电解质层可以通过溅射法或CVD法等薄膜形成法形成。其结果,可以进一步实现蓄电装置的轻量化、薄膜化。再者,如本实施方式那样的蓄电装置的柔性可以得到提高而成为各种各样的形状。另外,在半导体的领域中,有时在硅膜上形成钛来形成钛硅化物,以使源区及漏区低电阻化。此时,没有用钛硅化物进行剥离。就是说,该钛硅化物与本发明的在钛片上形成硅膜时形成的钛硅化物层在技术上也不同。实施方式2在本实施方式中,说明作为保护膜之一采用柔性衬底的例子。就是说,说明将负极活性物质层等转置到柔性衬底上的蓄电装置的制造方法。另外,说明在形成负极活性物质层、固体电解质层、正极活性物质层、正极集流体及柔性衬底之后进行剥离的情况。图3A示出与图1C同样的结构。就是说,与实施方式1同样在钛片101上形成硅膜102、电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105。但是,使电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105的宽度小于硅膜102,并使硅膜102中的一部分露出。如图3B所示,形成保护膜210。保护膜210可以使用包含无机材料的膜,例如包含氧化硅的膜、包含氮化硅的膜等包含硅的膜。或者,保护膜210可以使用包含有机材料的膜、包含聚酰亚胺的膜、包含丙烯酸树脂的膜等。另外,保护膜210也可以使用包含铝等金属材料的膜。此外,保护膜210也可以使用包含有机材料的膜与包含硅或金属的膜的叠层膜。根据包含有机材料的膜也可以具有平坦性。保护膜210可以通过CVD法、溅射法或涂敷法形成。此外,电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105的宽度至少小于钛片101的宽度,即可。由此,例如也可以处于如图19A所示那样的钛片101中的一部分露出的状态。在此情况下,保护膜210可以覆盖到硅膜102的侧面。然后,进行400℃以上且800℃以下的加热。由此,如图3C所示,在硅膜102与钛片101的边界形成反应层106。此时,有时在硅膜102中形成低密度层107。可以认为这是因为如下缘故:使用硅形成反应层106,结果,其密度下降。有时在低密度层107中形成小空间(空隙)。有时在反应层106中反应生成物凝集为粒子状。其结果,有时在反应层106中也形成小空间(空隙)。另外,可以认为:在图19A中进行400℃以上且800℃以下的加热时,如图19B所示,在钛片101不与硅膜102重叠的区域中逐渐减少形成有反应层106的区域。而且,可以认为低密度层107也沿着反应层106形成。在将包含硅的膜用于保护膜210时,在硅膜102的外侧保护膜210与钛片101接触,由此有时保护膜210的硅与钛片101起反应。如图4A所示,通过利用低密度层107与反应层106的状态,至少可以从硅膜102剥离钛片101。以低密度层107为边界进行剥离。就是说,在低密度层107的内部、低密度层107与反应层106的界面或低密度层107与硅膜102的界面进行剥离。此外,在图19B的结构中进行剥离时,可以使用保护膜210覆盖硅膜102的侧面。如图4B所示,在硅膜102一侧形成新的负极集流体108。负极集流体108只要具有导电性就没有限制,具体而言,可以使用上述实施方式1所示的材料。如图4C所示,使用粘合剂211固定柔性衬底212。如此,可以将负极活性物质层等转置到柔性衬底。柔性衬底212使用包含有机材料的衬底,例如可以使用树脂衬底。可以实现蓄电装置的轻量化并赋予柔性。实施方式3在本实施方式中,说明将负极活性物质层转置到形成有正极集流体、正极活性物质层及固体电解质层等的叠层体的蓄电装置的制造方法。就是说,说明剥离的时序与上述实施方式不同的情况。图5A示出与图1A同样的结构。就是说,与实施方式1同样,在钛片101上形成硅膜102。然后,进行400℃以上且800℃以下的加热。由此,如图5B所示,在硅膜102与钛片101的边界形成反应层106。此时,在硅膜102中形成低密度层107。有时在低密度层107中形成小空间(空隙)。有时在反应层106中反应生成物凝集为粒子状。其结果,有时在反应层106中也形成小空间(空隙)。如图5C所示,通过利用低密度层107与反应层106的状态,至少可以从硅膜102剥离钛片101。以低密度层107为边界进行剥离。就是说,在低密度层107的内部、低密度层107与反应层106的界面或低密度层107与硅膜102的界面进行剥离。可以获得被剥离的硅膜102。如图6A所示,将硅膜转置到层叠有电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105的叠层体。图6A是透视图。电解质层可以使用凝胶状物质。这是因为通过利用凝胶状物质的粘合性来可以保持与此接触的硅膜102的缘故。图6B是沿图6A的X-Y的截面图,并示出覆盖硅膜102形成负极集流体108的状态。然后,例如覆盖成为保护膜110的层压薄膜,而成为蓄电装置。另外,参照图7A和图7B说明另一个实施方式。在图7A的透视图中,将多个硅膜102转置到层叠有电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105的叠层体。图7B是沿图7A的X-Y的截面图,并覆盖多个硅膜102形成负极集流体108。然后,例如覆盖成为保护膜110的层压薄膜,而成为蓄电装置。根据多个硅膜102的配置可以设置不存在硅膜102的区域。由此,与图6A和图6B所示的结构相比,不存在硅膜102的区域的柔性可以得到提高。其结果,也可以制造圆筒形的蓄电装置。如此,通过选择剥离的时序,可以赋予蓄电装置的柔性的提高等附加价值。实施方式4在本实施方式中,说明通过使用辊子并利用来自该辊子的力量而成为剥离的开端的情况。如图1D所示,图23A示出形成钛片101、硅膜102、电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105,在形成正极集流体105之后,进行400℃以上且800℃以下的加热,而形成反应层106及低密度层107的状态。作为保护膜,使用包含有机材料的衬底如树脂衬底。如图23B所示,在正极集流体105上粘合树脂衬底180。也可以在正极集流体105与树脂衬底180之间设置粘合剂。在树脂衬底180上使辊子181移动。由于受到来自辊子的力量,所以正极集流体105与树脂衬底180的粘合被促进。再者,由于受到来自辊子的力量,所以可以给予在低密度层107的内部、低密度层107与反应层106的界面或低密度层107与硅膜102的界面进行剥离的开端或者进行剥离的物理力量。如图23C所示,在剥离之后形成负极集流体108及保护膜210。保护膜210可以使用包含无机材料的膜,例如包含氧化硅的膜、包含氮化硅的膜等包含硅的膜。或者,保护膜210可以使用包含有机材料的膜、包含聚酰亚胺的膜、包含丙烯酸树脂的膜等。另外,保护膜210也可以使用包含铝等金属材料的膜。此外,保护膜210也可以使用包含有机材料的膜与包含硅或金属的膜的叠层膜。根据包含有机材料的膜也可以具有平坦性。保护膜210可以通过CVD法、溅射法或涂敷法形成。如上所述,可以提供由保护膜210覆盖的蓄电装置。保护膜210可以接触于树脂衬底180的外周。实施方式5在本实施方式中,说明作为保护膜使用树脂并夹在树脂之间的蓄电装置的结构。图8A和图8B示出将实施方式1所示的蓄电装置夹在树脂160之间而不由层压薄膜覆盖的截面图。图8A是膜状叠层体,并通过由树脂160围绕该叠层体成为立方体或长方体的蓄电装置。也可以制造在卷成膜状叠层体的状态下由树脂160围绕的圆筒状的蓄电装置。图8B是圆筒状的蓄电装置的截面图。在实施方式2所示的蓄电装置中,也可以在转置到柔性衬底之后夹在树脂160之间。图9A和图9B示出其截面图。图9A是膜状叠层体,并通过由树脂160围绕该叠层体成为立方体或长方体的蓄电装置。也可以制造在卷成膜状叠层体的状态下由树脂160围绕的圆筒状的蓄电装置。图9B是圆筒状的蓄电装置的截面图。图10A和图10B示出:在实施方式3所示的蓄电装置中的具备多个硅膜102的结构中,将蓄电装置夹在树脂160之间而不由层压薄膜覆盖的截面图。图10A是膜状叠层体,并通过由树脂160围绕该叠层体成为立方体或长方体的蓄电装置。图10B示出卷成膜状叠层体的状态,并通过由树脂160围绕该叠层体成为圆筒状的蓄电装置。注意,实施方式3所示的蓄电装置中的具备一个硅膜102的结构与上述图8A和图8B同样,由此省略说明。如上所述,可以提供由树脂围绕的蓄电装置。即使使由树脂围绕的蓄电装置落下也不容易被破坏。实施方式6在本实施方式中说明具有叠层结构的蓄电装置。在图14A中示出层叠有图2B所示的负极集流体108、成为负极活性物质层的硅膜102、电解质层103、正极活性物质层104及正极集流体105的叠层体。在图14B中示出进一步层叠上述叠层体的情况。就是说,从图14B的上方依次设置有正极集流体105A、正极活性物质层104A、电解质层103A、负极活性物质层102A、负极集流体108A、绝缘膜120、正极集流体105B、正极活性物质层104B、电解质层103B、负极活性物质层102B及负极集流体108B,即从上方依次层叠有正极层/负极层/正极层/负极层。绝缘膜120可以使用与电解质层同样的材料。在如上述那样层叠时,绝缘膜120以正极集流体105B不接触于负极集流体108A的方式设置。在绝缘膜120中形成用作正极层的布线及用作负极层的布线。通过选择串联连接或并联连接,可以决定布线的布局。而且,可以在绝缘膜中形成接触孔,在包括接触孔的区域形成导电材料,来形成布线。也可以设置各向异性导电粘合剂和柔性印刷衬底代替形成有布线的绝缘膜120。准备用作正极集流体105B的各向异性导电粘合剂及柔性印刷衬底,并准备用作负极集流体108A的各向异性导电粘合剂及柔性印刷衬底。各向异性导电粘合剂包括用来固定电极之间的粘合剂及均匀地被分散的导电粒子。在柔性印刷衬底中设置有布线。可以通过该导电粒子电连接正极集流体与该布线。与此同样,可以通过该导电粒子电连接负极集流体与该布线。如图14C所示,可以提供由层压薄膜覆盖的蓄电装置。另外,层叠顺序不局限于从上方依次层叠有正极层/负极层/正极层/负极层的顺序。如图18A所示,也可以从附图的上方依次层叠有正极层/负极层/负极层/正极层。就是说,也可以从上方依次层叠有正极集流体105A、正极活性物质层104A、电解质层103A、负极活性物质层102A、负极集流体108A、负极集流体108B、负极活性物质层102B、电解质层103B、正极活性物质层104B及正极集流体105B。在采用如图18A所示那样的负极彼此接近的叠层结构时不需要设置绝缘膜120。再者,彼此接触层叠的负极集流体108A和负极集流体108B也可以为一个负极集流体。另外,如图18B所示,也可以从附图的上方...
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