专利名称：发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光装置。更明确地说，本发明涉及一种具有磁场的发光装置。
背景技术：
与产生热来发光的常规荧光灯或白炽灯不同，例如发光二极管(light-emittingdiode，LED)等半导体发光装置采用半导体的特定特性来发光，其中发光装置发射的光称为冷光(cold luminescence)。发光装置具有长使用寿命、轻重量和低功率消耗等优点，使得发光装置已用于例如光学显示器、交通信号灯、数据存储设备、通信装置、照明设备和医疗设备等广泛种类的应用中。因此，如何改进发光装置的发光效率是此项技术中的一个议题。例如发光二极管(LED)等发光装置可归因于驱动电子电流穿过发光二极管的活性层(active layer)而发光。然而,如果电流密度不均一地分布到整个发光区域,那么光均一'I"生减小。更进一步地，常规设计中的非透明顶部电极(top electrode)通常定位在发光区域的中心区。以此方式，顶部电极下方的电流密度大于其它区，且可发射更多光。然而，顶部电极下方的所发射的光由于顶部电极对于光是不透明的而被阻挡。常规LED的顶部电极在具有最高强度的中心区处阻挡所发射的光，从而导致输出光的减少。图1是说明常规发光装置的横截面图的示意图。参看图1，发光装置100是垂直型发光二极管(LED)，其包含电极110和120，以及半导体发光层130、第一传导型半导体层132和第二传导型半导体层134的半导体堆叠(stack)。电流密度的分布随着偏离电极110和120的距离增加而逐渐减小。如图1所示，紧密的线表示高电流密度，且具有最多数目的线的区域位于电极110与120之间。然而，由于先天缺陷的缘故，具有最高发光效率的区域被电极110阻挡，使得发光装置100的总体发光效率受到影响。图2是说明常规发光装置的俯视图的示意图。参看图2，发光装置200是水平型LED,其包含电极210和220。因为电流始终发射穿过具有最低电阻的路径，所以电流密度的分布在电极210与220之间是不均匀的，其中电流密度的主要分布是沿着电极210与220之间的中心路径。因此，为了增加发光装置200所发射的光的量，需要增大均一电流分布区域，使得发光装置200的大小增大。基于上述描述，断定发光装置的发光效率可受例如如下因素等一些因素的影响。发光装置的电极之间的区域不仅是具有最高电流载流子(current carrier)密度的区域，而且是产生最多光子的区域。然而，电极之间产生的光子大部分被不透明电极阻挡，使得发光效率难以增强。电流始终发射穿过具有最低电阻的路径，其导致发光装置的不均匀亮度，使得发光装置的发光效率和大小也受到限制。
发明内容
本发明在一方面中提供一种发光装置。所述发光装置包括发光结构、导热材料层、第一磁性层、第一电极层及第二电极层。导热材料层与所述发光结构耦合以耗散所述发光结构产生的热。第一磁性层与所述导热材料层耦合以在所述发光结构中产生磁场。所述第一磁性层设置在所述发光结构的一第一侧。所述导热材料层在设置在所述发光结构的所述第一侧且包围所述第一磁性层。第一电极层和第二电极层设置在所述导热材料层上以电连接所述发光结构。本发明在一方面中提供一种发光装置。所述发光装置包含发光结构和磁性结构。所述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层。所述磁性结构邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁场。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构和磁性层。所述发光结构包含下部掺杂结构层。活性层设置在下部掺杂结构层上。上部掺杂结构层设置在活性层上。第一电极以电耦合设置在上部掺杂结构层上。第二电极以电耦合设置在下部掺杂结构层上。第一电极和第二电极处于活性层的相同侧或相对侧。磁性层与发光结构集成以产生具有实质上垂直于和/或平行于活性层的方向的磁场。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构和磁性层。所述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极。所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层。所述磁性层通过封装结构在所述第一电极和所述第二电极上与发光结构率禹合，以在所述发光结构中产生磁场。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构、第一磁性层和第二磁性层。所述发光结构具有第一侧和第二侧，包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、以电耦合设置在第一掺杂结构层上的第一电极、以电耦合设置在第二掺杂结构层上的第二电极，以及在第一侧设置在第一电极上的第一磁性层。第二磁性层在第二侧设置在第二掺杂结构层上。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构、导热材料层和磁性层。导热材料层与发光结构耦合以耗散发光结构产生的热。磁性层与导热材料层耦合以在发光结构中产生磁场。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含散热片、结构载体和发光结构。所述结构载体堆叠在散热片上。发光结构堆叠在结构载体上。结构载体和散热片的至少一个部分具有磁性以在发光结构中提供磁场。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含散热片、结构载体、发光结构和囊封剂。所述结构载体堆叠在散热片上，其中结构载体具有带有侧壁的凹穴区。发光结构在凹穴区内堆叠在结构载体上。囊封剂填充在凹穴区中，其中囊封剂含有磁性材料粉末或不含有磁性材料粉末。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构和用以以电连接来固持发光结构的磁性固持载体。
本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含发光结构、发光结构下方的磁性层、用以固持磁性层与发光结构的固持载体。囊封剂包裹发光结构和磁性固持载体的一部分。本发明在一方面中提供一种发光装置，所述发光装置包含载体、设置在载体上以具有容纳空间的磁性层，以及在容纳空间内设置在载体上的发光结构。应理解，以上大体描述和以下详细描述两者均为示范性的，且希望提供对如所主张的本发明的进一步阐释。
包含附图以提供对本发明的进一步理解，且附图并入在本说明书中并组成本说明书的一部分。图式说明本发明的实施例，并与描述内容一起用以阐释本发明的原理。图1是说明常规发光装置的横截面图的示意图。图2是说明常规发光装置的俯视图的示意图。图3 (a)和图3 (b)是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的横截面图的示意图。图4是根据本发明的另一实施例的发光装置的俯视图。图5是说明根据本发明的一个实施例的LED的结构的横截面图。图6是展示根据本发明的一个实施例的具有磁性衬底424的LED发射的光的输出功率的曲线图。图7是说明根据本发明的一个实施例的LED的结构的横截面图。图8是说明根据本发明的一个实施例的LED的结构的横截面图。图9是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图10是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图11是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图12 (a)、图12 (b)和图12 (C)是示意说明根据本发明的实施例的发光装置的结构的横截面图。图13是示意说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。图14是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图15是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图16是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图17是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。图18是示意说明根据本发明的实施例的通过封装与磁性层耦合的发光装置的结构的横截面图。图19是示意说明根据本发明的一实施例的与磁性层集成的发光装置的另一结构的横截面图。图20是示意说明相对于图19的结构的透视图。图21是示意说明根据本发明的一实施例的通过封装与磁性层集成的发光装置的结构的横截面图。图22是示意说明根据本发明的一实施例的具有正在施加的磁场的发光装置的结构的横截面图。图23是示意说明根据本发明的另一实施例的具有磁场的发光装置的结构的横截面图。图24是示意说明根据本发明的另一实施例的具有磁场的发光装置的结构的横截面图。图25是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图26是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图27是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图28是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图29是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图30是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图31是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图32是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图33是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图34是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图35是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图36是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图37是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。图38是根据本发明的一实施例的发光装置封装的横截面图。图39是根据本发明的一实施例的发光装置封装的横截面图。
具体实施例方式本发明提出一种发光装置，其中包含磁性结构或磁性层以改进光输出效率。例如磁性层等磁性结构可为例如具有足够厚度的磁性材料膜或块体。本发明提供一种具有磁场的发光装置，其使用霍耳效应(Hall Effect)的机制来布置电极的位置，以便至少改进光输出效率。另外，本发明提供一种具有磁场的发光装置，其使用磁阻效应(magnetoresistanceeffect)的机制来匹配阻抗以减少不均匀的电流散布，以便至少改进光输出效率。所述磁阻可以是在半导体与铁磁材料中的一般磁阻。半导体例如是GaN或GaAs。铁磁材料例如是Fe、Co或Ni。所述磁阻还可为例如是巨磁阻(giant magnetoresistance,GMR)，其是由例如Fe、Co或Ni等的磁性层与例如Cr、Cu、Ag或Au等的非磁性层所堆叠的堆叠层。提供若干实施例以用于描述本发明。然而，本发明不仅限于所述实施例。此外，所述实施例彼此也可适当组合以得到其它实施例。图3是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的横截面图的示意图。参看图3 (a)，发光装置300是垂直型LED，其包含电极310和320，以及半导体发光层330、第一传导型层332和第二传导型层334的堆叠。发光装置300由磁场覆盖，所述磁场由放置在发光装置300的外侧上并朝发光装置300的横截面平面内部导向的磁性源(magnetic source)340产生。磁场引起的磁力推动电子，以便使电流向左漂移。如图3(a)所示，电流密度的主要分布(由电流线表示)从电极310与320之间的区域移动到光输出平面下方的区域，其指示具有最高发光效率的区域不再被电极310阻挡，且发光装置300的总体发光效率可实质上增强。参看图3(b)，发光装置300的光输出平面经扩展且其上设置有多个电极310、350和360。如图3(b)所示，电极320与电极310、350和360中的每一者之间的电流密度的分布(由电流线表示)全部从电极之间的区域移动到光输出平面下方的区域，使得发光装置300的总体发光效率实质上增强。此外，两个电极310和350与两个电极350和360之间的光输出平面下方的电流密度的分布相同。因此，本发明的发光装置300能够在不影响光的均匀性的情况下提供较高亮度。如图3所示，实施例中的磁场针对垂直型LED的LED的纵向方向上改变电子流。然而，从横向视图来看，磁场还可在电极平面上，尤其针对水平型LED，会横向地影响电子流。图4是根据本发明的另一实施例的发光装置的俯视图。参看图4，发光装置400是水平型LED，其包含电极410和404。类似于以上实施例，当磁场406使电子漂移离开电极410与404之间的路径时，电流密度的分布例如移动到发光装置400的左侧部分。如图4所示，电流路径扩展到较大区域(左侧区域)，其形成电流密度的较均匀分布。图5是说明根据本发明的一个实施例的LED的结构的横截面图。参看图5，LED420是水平型LED，其包含电极426和428，以及衬底424，其中活性层430位于电极426与428之间用于当电流流动穿过其中时产生光。更详细来说，活性层430位于第一掺杂结构层432与第二掺杂结构层434之间，所述掺杂结构层为例如掺杂半导体层。如通常已知，掺杂结构层可以是半导体堆叠层或任何其它适当的结构。磁性衬底422进一步设置在衬底424下方以用于向LED420提供磁场。图6是展示根据本发明的一个实施例的具有磁性衬底422的LED发射的光的输出功率的曲线图，其中X坐标表示注射到LED中的电流且y坐标表示由LED发射的光的输出功率。参看图6，当例如将0.25T磁场添加到LED时，光电子变换(optoelectronictransformation)的效率升高0.04mW/mA,且光的总输出功率增强22.6百分比。另一方面，当将0.15T磁场添加到LED时，光电子变换的效率升高0.025mW/mA，且光的总输出功率增强15百分比。如图6所示，显然，当外部磁场的强度增加时，光的输出功率增强。基本上，磁场的强度可为0.0lT或更大。图7是说明根据本发明的一个实施例的LED的结构的横截面图。参看图7，LED450是垂直型LED，其包含电极452和458，以及半导体结构堆叠层454，其中半导体结构堆叠层454中有活性层456位于电极458与452之间，用于当电流流动穿过其中时产生光。磁性衬底460进一步设置在电极452下方以用于向LED450提供磁场。此外，本发明可利用外延横向过度生长(epitaxial lateral overgrowth, ELOG)结构来形成LED,如图8中所说明。参看图8,磁性物质用作掩模(mask)且半导体经由外延工艺生长在衬底上，使得磁性物质可内嵌在LED芯片中以增加以外部磁场升高LED的亮度的效果。在实际应用中，发光装置可经由例如环氧树脂、金属连接(bonding)、晶片连接、夕卜延内嵌和涂覆等各种方式与磁性材料组合。另外，磁性材料可耦合到发光装置本身，并制作为衬底、基台(submount)、电磁体、金属块(slug)、保持器(holder)或磁性散热片或制作为磁性膜或磁性块体，以便为发光装置提供磁场。磁性材料可为例如Rb、Ru、Nd、Fe、Pg、Co、N1、Mn、Cr、Cu、Cr、Pt、Sm、Sb、Pt或其合金等铁磁材料。磁性材料还可为例如Mn、Fe、Co、Cu 或 V 的氧化物、Cr2O3> CrS, MnS, MnSe, MnTe, Mn、Fe、Co 或 Ni 的氟化物、V、Cr、Fe、Co、Ni 或 Cu 的氯化物、Cu 的溴化物、CrSb, MnAs, MnB1、α -Mn、MnCl2.4H20、MnBr2.4Η20、CuCl2.2Η20、Co (NH4) χ (SO4) xC12.6Η20、FeCo3 或 FeCo3.2MgC03 等陶瓷材料。发光装置可为有机LED(organic LED，0LED)、无机LED、垂直型LED、水平型LED、薄膜LED或倒装芯片LED(flip chip LED)。下文分别描述采用以上结构的发光装置的实施例。图9是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。参看图9，当前实施例的发光装置500为垂直型LED，其包含发光芯片510和磁性基台520。透明传导层(transparent conductive layer, TCL)562 例如为 Ni/Au 或氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)，其进一步设置在第一掺杂层512上，以便增强电流扩展。发光芯片510经由环氧树脂、金属结合、晶片结合、外延内嵌或涂覆工艺而设置在磁性基台520上。发光芯片510从顶部到底部包含第一电极511、第一掺杂层512、活性层513、第二掺杂层514、衬底515和第二电极516，其中第一掺杂层512、活性层513和第二掺杂层514形成发光堆叠层，其设置在衬底515上。第一电极511设置在第一掺杂层512上且电f禹合到第一掺杂层512,且第二电极516设置在衬底515下方且电稱合到第二掺杂层514,以便形成垂直型LED结构。活性层513设置在第一电极511与第二电极516之间，且能够当电流流动穿过其中时产生光。在本文中应注意，衬底515的材料可为S1、SiC、GaN、GaP、GaAs、蓝宝石、ZnO或A1N，且发光堆叠层的材料可为例如GaAs、InP、GaN、GaP, A1P、AlAs、InAs,GaSb, InSb、CdS, CdSe, ZnS或ZnSe等无机半导体材料，或例如聚合物等有机半导体材料。磁性基台520引起的磁场施加在发光芯片510上，使得发光芯片510中的电流密度的主要分布从第一电极511与第二电极516之间的区域移动到光输出平面下方的区域，以便增强电流均匀性且增加发光装置500的总体亮度。此外，在设计选择中，发光装置500可进一步包含反射层560例如镜层，其设置在衬底515与第二电极516之间以用于反射从活性层513发射的光，以便增加发光装置的亮度。在本文中应注意，在其它实施例中，反射层560还可设置在第二掺杂层514与衬底515之间或第二电极516与磁性基台520之间用于反射光，但不限于所提供的选择。图10是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。参看图10，在当前实施例的发光装置中，当前实施例的此发光装置为垂直型LED，其包含例如发光芯片564和磁性基台550。发光芯片564经由例如环氧树脂、金属结合、晶片结合、夕卜延内嵌或涂覆工艺等常见方式设置在磁性基台550上。在一实例中，发光芯片564包含第一电极568、衬底561、第一掺杂层558、活性层556、第二掺杂层554和第二电极552,其中第一掺杂层558、活性层556和第二掺杂层554形成发光堆叠结构，其设置在衬底561下方。第一电极568设置在第一掺杂层558上且电率禹合到第一掺杂层558，其中衬底561可为传导衬底，例如掺杂半导体层。第二电极552设置在第二掺杂层554下方且电耦合到第二掺杂层554，以便形成垂直型LED结构。活性层556设置在第一电极568与第二电极552之间，且能够当电流流动穿过其中时产生光。磁性基台550引起的磁场施加在发光芯片564上，使得发光芯片564中的电流密度的主要分布从第一电极568与第二电极552之间的区域移动到光输出平面下方的区域，以便增强电流均匀性且增加发光装置的总体亮度。
图11是说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。此外，取具有垂直型结构的薄膜LED作为另一实例。参看图11，当前实施例的发光装置600为垂直型LED，其包含发光芯片610和磁性基台620。发光芯片610经由例如环氧树脂、金属结合、晶片结合、外延内嵌、涂覆工艺或任何适当工艺而设置在磁性基台620上。发光芯片610包含例如第一电极611、第一掺杂层612、活性层613、第二掺杂层614和第二电极615,其中第一掺杂层612、活性层613和第二掺杂层614形成发光堆叠层。依据实际需要，也可形成反射层660，使得向后的光被反射回去。第一电极611设置在第一掺杂层612上且电稱合到第一掺杂层612,且第二电极615设置在第二掺杂层614下方且电耦合到第二掺杂层614，以便形成垂直型LED结构，其中反射层660是例如金属层，其也用于起到电连接作用。活性层613设置在第一电极611与第二电极615之间，且能够当电流流动穿过其中时产生光。磁性基台620引起的磁场施加在发光芯片610上，使得发光芯片610中的电流密度的主要分布从第一电极611与第二电极615之间的区域移动到光输出平面下方的区域，以便增强电流均匀性且增加发光装置600的总体亮度。在本发明的一个实施例中，透明传导层(TCL)进一步设置在第一掺杂层612与电极611之间以增强其亮度。更进一步地，例如充当镜的金属层等反射层660进一步设置在第二掺杂层614与第二电极615之间以用于反射从活性层613发射的光，以便增加发光装置600的亮度。在本文中应注意，在其它实施例中，反射层660还可设置在第二电极615与磁性基台620之间用于反射光，但不限于此。图12是示意说明根据本发明的实施例的发光装置的结构的横截面图。参看图12 (a)，当前实施例的发光装置700a为垂直型LED，其包含发光芯片710和磁性材料720。发光芯片710包含例如第一电极711、第一掺杂层712、活性层713、第二掺杂层714和第二电极715，其中第一掺杂层712、活性层713和第二掺杂层714形成发光堆叠层。第一电极711设置在第一掺杂层712上且电耦合到第一掺杂层712。第二电极715设置在第二掺杂层714下方且电耦合到第二掺杂层714，以便形成垂直型LED结构。活性层713设置在第一电极711与第二电极715之间，且能够当电流流动穿过其中时产生光。磁性材料720设置在第一电极711上且在发光芯片710上施加磁场,使得发光芯片710中的电流密度的主要分布从第一电极711与第二电极715之间的区域移动到光输出平面下方的区域，以便增强电流均匀性且增加发光装置700a的总体亮度。在如图12(b)所示的其它实施例中，基于图12(a)中的实施例，磁性层730可设置在发光堆叠层上且覆盖第一电极711。或者，如图12(c)所示，磁性层740设置在第一掺杂层712的暴露区上。第一掺杂层712的暴露区不被第一电极711覆盖。图13是示意说明根据本发明的一个实施例的发光装置的结构的横截面图。参看图13，磁性材料制造为具有多个凹穴(concave)的基台810。所述凹穴中的每一者与发光芯片820到850中的一者一起设置。在另一选择中，所述凹穴中的每一者可具有反射表面以用于反射对应发光芯片所发射的光。图14是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。在图14中，发光结构可包含设置在衬底952上的基本结构964。基本结构964可包含(例如)底部掺杂堆叠层954,其可为有机/无机半导体或用于发光的任何适宜的掺杂材料。基本结构964例如可包含底部掺杂堆叠层954、活性层956、上部掺杂堆叠层958。此处，底部掺杂堆叠层954和上部掺杂堆叠层958为不同的传导类型。然而，依据操作电压，底部掺杂堆叠层954或上部掺杂堆叠层958可为P型或η型。另外，由于例如电极与掺杂半导体材料之间的相对不良接触的缘故，还可包含例如透明传导层(TCU960。另外，为了具有发光区域970中光输出的较好性能，可形成粗糙表面(rough surface)962,其例如形成在TCL960上或上部掺杂堆叠层958上。实际上，粗糙表面962可依据光输出方向而处于任何适当的表面处。分别设置于在底部掺杂堆叠层954和上部掺杂堆叠层958上的两个电极966和968处于发光结构(其也称为水平型发光装置)的相同侧。在此水平设计中，在上部掺杂堆叠层958中或甚至在TCL960中(如果包含TCL的话)存在驱动电流的水平分量。明确地说，基本结构964为薄膜设计以减小厚度，且因而驱动电流的水平分量相对较大。在本实施例中，磁性层950是额外添加的且在另一侧实施在衬底952上。磁性层950用于产生磁场，以便基于图4的机制在上部掺杂堆叠层958中重新分布水平分量的电流密度。磁性层950可例如为人工铁磁层，其具有磁化以提供实质上垂直于发光区域970的磁场，以便重新分布水平分量的电流密度。电极966和968的位置是根据所产生的磁场来设定。可了解，磁性层950用于产生既定磁场以用于使驱动电流移位，且可实施任何适当经修改设计。磁性层950还可充当另一衬底。甚至例如，磁性层950可为外部结构或单元而无物理接触。换句话说，磁性层950可为用于施加磁场的外部单元或发光结构中的集成结构层。图15是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。在图15中，磁性层984可通过此项技术中已知的倒装芯片封装工艺通过连接突块980和982来实施。此处，当考虑光输出方向，其朝向衬底952时，粗糙表面962可形成在衬底952的外表面上，且例如金属层等反射层960’可实施在基本结构964’中。然而，这不是实施磁性层984的唯一封装方式。本實施例的衬底952例如是透明衬底，其相對於發出的光是可穿透的。或者，例如，连接突块980和982可省略，且电极966和968可通过例如镀敷或任何适当的半导体制造工艺而制造为具有相同高度。因为电极966和968具有相同高度，所以磁性层984可接着例如直接粘附到电极。换句话说，磁性层984可通过任何适当的方式形成。更进一步地，例如，图15中的结构也可通过在底部添加磁性层950而与图14组合。因此，可实施两个磁性层。图16是示意说明根据本发明的一实施例的发光装置的结构的横截面图。在图16中，或者，磁性层984还可充当衬底。在此情形中，基本结构964’’如先前所描述可与磁性层984 —起封装。类似于图15，反射层960’实施在基本结构964’’中。另外，底部掺杂层954具有粗糙表面962。因此，光可以较好性能穿过粗糙表面962。图17是示意说明根据本发明的一实施例的用于设定电极的发光装置的结构的俯视图。在图17中，其为电极992和994的另一设计，其中电极992不位于到电极994的成对角的隅角(diagonal corner)处。这种电极设计是基于待施加的磁场。磁场的强度和方向可导致不同结果。明确地说，如果施加磁场，如图4中类似地描述，那么电极992并不根据磁场处于对称位置。基于图17中的电极，已进行调查。施加例如垂直方向的420mT的磁场和200mA的驱动电流。取图17中的电极，改进例如也可具有约5.6%。从调查可知，本发明中所添加的磁场可确实改进性能，其中电极的位置相应地设定。图18是示意说明根据本发明的实施例的通过封装而与磁性层集成的发光装置的结构的横截面图。在图18中，例如，第一掺杂半导体结构层1002设置在衬底1000上。活性层1004形成在第一掺杂半导体结构层1002上。第二掺杂半导体结构层1006形成在活性层1004上。此处，掺杂半导体结构层可为单一层或具有经设计结构的堆叠层。然而，本发明并不明确地限制半导体结构层。更进一步地，例如，透明传导层1008可进一步形成在第一半导体掺杂结构层1002上。TCL1008与电极1012接触，以便如常规上已知改进发光效率。更进一步地，依据发光方向，还可实施镜。在此实例中，电极1010设置在第一半导体掺杂结构层1002上。电极1012设置在TCL层1008上。通常，此结构部件例如称为LED。本发明不必限于特定无磁场LED。在一实施例中，为了实施磁性源，可采用例如倒装芯片封装等封装结构将磁性层集成在发光装置中。磁性层1018可形成在基台1020上。磁性层1018例如是在所需方向上具有磁化的铁磁层。用以形成铁磁层的材料包含，例如？6、&)、附、作...等等。此外，代替于人工磁性材料，也可通过将天然磁铁粘附在其上而使用天然磁铁。然而，磁场方向应适当布置。接着通过连接结构1014和1016，例如连接突块或直接连接，将LED与磁性层1018一起封装到基台1020上。因此，磁性层1018可产生进入LED中的磁场。在一个实例中，如果磁性层1018的磁化方向是从图纸出来，那么磁场就会在所需方向上。具有带有磁性层1018的基台1020的LED可单独使用，其中既定磁场在单一芯片中自给。图19是示意说明根据本发明的一实施例的与磁性层集成的发光装置的另一结构的横截面图。图20是示意说明相对于图19的结构的透视图。基于相同方面，磁性层可通过各种方式与作为发光装置的LED集成。在图19中，对于替代性结构，如其它实施例中描述的LED结构包含第一掺杂半导体结构层1002、活性层1004和第二掺杂半导体结构层1006。此外，还可包含TCL1008。还针对以下实施例将LED结构取作实例以实施磁性层。第一电极层1034在一侧形成在第一掺杂半导体结构层1002上，且第二电极层1036在与第一电极层1034的相对侧形成在TCL1008上。发光区域1040既定形成。在作为基底的此结构中，第一磁性层1038可例如形成在第二电极层1036上，且较佳地刚好形成在第二电极层1036上。第一磁性层1038可例如形成LED中的具有方向的磁场。第二磁性层1044可进一步形成在第一电极层1034上。如图20中可见，例如，第二电极层1036和第一磁性层1038可以一图案例如条带图案处于若干区段中，以产生既定磁场。换句话说，具有磁场的顶部电极可依据磁场将如何形成而为单片式或多片式，以便改进光输出效率。更进一步地，当通过在相同侧布置两个电极而设计LED时，磁性源也可集成。提供若干实例。图21是示意说明根据本发明的一实施例的通过封装而与磁性层集成的发光装置的结构的横截面图。在图21中，基于图19中的结构，例如，第一电极层1034可形成在第一掺杂半导体结构层1002的延伸区上，但在与第二电极层1036相同侧。第一磁性层1038也可形成在第二电极层1036上。另外，例如，第二磁性层1044可直接设置在第一掺杂半导体结构层1002上。图22是示意说明根据本发明的一实施例的具有正在施加的磁场的发光装置的结构的横截面图。在图22中，具有磁场的发光装置的基本结构包含发光结构1100、导热材料层1102和磁性层1104。发光装置的结构1100例如与常见的LED —样，其可为例如在两个相对侧具有两个电极的图1中的垂直结构，或例如在相同侧具有两个电极的图3中的水平结构。发光结构常规上是所属领域的一般技术人员已知的且不进一步描述。导热材料层1102与发光结构1100耦合，以便耗散来自发光结构1100的所产生的热。磁性层1104与导热材料层1102耦合以在发光结构1100上产生磁场，以便具有使驱动电流的分布移位的效果O导热材料层1102的作用是将热传导出去并耗散。导热材料可为例如铜、银、金、铝、天然钼、陶瓷、氧化物或其各种组合，其具有较大的导热系数。导热材料还可根据磁场的需要而取自例如顺磁材料(paramagnetic material)或铁磁材料。其可为具有来自铁、钴、镍、铝、钼、锡、天然钼或其合金的金属或其它化合物的材料。因此，来自磁性材料的磁场可容易地施加于发光装置中。如果导热材料层为抗磁或反磁的，例如金、银、铜、碳或铅，那么厚度应减小以防止磁场过分减小。一般来说，导热材料层1102的面积大于磁性层1104，因此由于热耗散路线不经过磁性材料，因而热阻减小且热耗散效率得以改进。针对图22中的实施例，磁性层1104内嵌在导热材料层1102中。换句话说，导热材料层1102围绕磁性层1104的顶部表面和侧表面。此结构允许磁性层1104接近发光结构 1100。图23是示意说明具有磁场的发光装置的结构的横截面图。在此实施例中，使用具有凹穴的绝缘体上娃(silicon-on-1nsulator, SOI)衬底1108来适应至少一个发光结构1114。所述凹穴形成在顶部硅层1108c和绝缘层1108b中以暴露底部硅层1108a。用于连接到发光结构1114的电极1116a、1116b可例如为底部娃层1108a上的连接垫(connectionpad),因而封装突块1117a、1117b连接在发光结构1114与电极1116a、1116b之间。另夕卜，底部娃层1108a中具有多个传导插塞(conductive plug) 1120,以便将连接垫的电极1116a、1116b延伸到底部娃层1108a的下表面。底部娃层1108a的下表面形成有其它电极层1110a、1110b，用于通过插塞1120电连接到发光结构1114。进一步实施导热材料层1102以充当散热片并围绕磁性层1104。导热材料层1102具有电极层1202和1204以连接到电极层IllOa和1110b。换句话说，操作电压可从散热片1102上的电极层1202和1204施加到发光结构1114。图24是示意说明根据本发明的另一实施例的具有磁场的发光装置的结构的横截面图。在图24中，替代地，发光结构1112也可通过线连接(wire bonding)方式封装。还采取SOI层1108。然而，凹穴刚好形成在顶部硅层1108c中以暴露绝缘层1108b。电极层IllOa和IllOb形成在凹穴的侧壁和底部上。发光结构1112线连接到电极层IllOa和IllOb0电极层IllOa和IllOb被绝缘层1113绝缘。电极层IllOa和IllOb可为金属且还充当额外反射层。其它下部凹穴形成在底部硅层1108a和绝缘层1108b中以暴露顶部硅层1108c。接着，额外导电耗散层 1119 (electrical conductive dissipating layer)可形成在下部凹穴的表面上。额外导热层1121可进一步与导电耗散层1119 一起使用。导热材料层1102围绕磁性层1104，且粘附到底部硅层1108a上的导电耗散层1119。另外，电极层1202和1204也可形成在导热材料层1102的顶部上与导电耗散层1119接触。在一种情形中，发光结构1112可不通过结合线连接。替代地作为一选择，导电耗散层1119还可充当电极以连接到电极层IllOa和IllOb且接着连接到发光结构1112以供应操作电压。如先前所陈述，所提供的实施例可彼此组合以得到其它实施例。此处不描述各种实施例，但所属领域的一般技术人员将了解所述各种实施例。此外，基于相同方面，进一步提供其它实施例。图25是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图25，当前实施例的发光装置封装1400类似于以上发光装置封装。当前实施例的发光装置封装1400进一步包含第一载体1410、第二载体1420和散热片1430。第一载体1410设置在第二载体1420上，且第二载体1420设置在散热片1430上。第一载体1410为例如基台，且第二载体1420为例如金属块。在当前实施例中，第一载体1410、第二载体1420和散热片1430中的至少一者具有磁性以形成磁性源。在当前实施例中，散热片1430具有例如多个翼片(fin)。然而,散热片1430可不具有翼片而是为块体或另外形状的散热片。另外，散热片1430的翼片的形状在本发明中不受限制。此外，散热片1430可具有导热性且任选地具有导电性。在当前实施例中，连接层1440a设置在发光结构1310与第一载体1410之间以用于结合发光结构1310与第一载体1410。另外，反射层1450设置在发光结构1310与第一载体1410之间以用于反射来自发光结构1310的光，以便增加发光装置封装1400的发光效率。然而，在其它实施例中，反射层1450还可设置在第一载体1410与第二载体1420之间。另外，在其它实施例中，发光结构1310可直接结合在第一载体1410上而不经由连接层1440a结合。在当前实施例中，连接层1440b设置在第一载体1410与第二载体1420之间以用于结合第一载体1410与第二载体1420。然而，在其它实施例中，第一载体1410可直接结合在第二载体1420上而不经由连接层1440b结合。在当前实施例中，连接层1440c设置在第二载体1420与散热片1430之间以用于结合第二载体1420与散热片1430。然而，在其它实施例中，第二载体1420可直接结合或旋拧在散热片1430上而不经由连接层1440c结合。此外，在当前实施例中，连接层1440a、1440b和1440c例如为导电胶、绝缘胶、热耗散胶、金属胶、非金属胶、金属突块或其它适当的材料。应注意，本发明中的发光装置封装不限于包含第二载体1410和散热片1430。在其它实施例中，发光装置封装可不包含散热片1430,且第一载体1410和第二载体1420中的至少一者具有磁性以形成磁性源。或者，发光装置封装可不包含第二载体1420和散热片1430，且第一载体1410具有磁性且例如为基台或金属块(slug)。图26是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图26，当前实施例的发光装置封装1400a类似于图25中的以上发光装置封装1400，但其间的差异如下。本发明中不限制第一载体1410、第二载体1420和散热片1430中的至少一者完全具有磁性。或者，可存在第一载体1410、第二载体1420和散热片1430中的至少一者的一部分具有磁性以形成磁性源。举例来说，在当前实施例的发光装置封装1400a中，第一载体1410a包含第一部分1412和位于第一部分1412上的第二部分1414，第二载体1420a包含第三部分1422和位于第三部分1422上的第四部分1424，且散热片1430a包含第五部分1432和位于第五部分1432上的第六部分1434。第一部分1412和第二部分1414中的一者为磁性部分，且另一者为非磁性部分。另外，第三部分1422和第四部分1424中的一者为磁性部分，且另一者为非磁性部分。此外，第五部分1432和第六部分1434中的一者为磁性部分，且另一者为非磁性部分。在其它实施例中，可存在第一载体、第二载体和散热片中的两者,每一者具有磁性部分和非磁性部分，而另一者具有拥有或不拥有磁性的单一部分。或者，可存在第一载体、第二载体和散热片中的一者具有磁性部分和非磁性部分，而其它每一者具有拥有或不拥有磁性的单一部分。图27是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图27，当前实施例的发光装置封装1400b类似于图25中的以上发光装置封装1400，但其间的差异如下。在发光装置封装1400b中，第二载体1420b具有凹穴1426，且发光结构1310和第一载体1410位于凹穴1426中。在当前实施例中，第二载体1420b例如为金属块，且包含底部部分1422b和侧壁部分1424b。侧壁部分1424b设置在底部部分1422b上且围绕发光结构1310和第一载体1410。在当前实施例中，侧壁部分1424b和第一载体1410两者具有磁性以形成两个磁性源，因此增加施加到发光结构1310的磁场的强度，使得进一步改进发光装置封装1400b的发光效率。应注意，凹穴1426的形状不限于本发明图27中所示的形状，且可在其它实施例中另外定形。然而，在其它实施例中，底部部分1422b可不具有磁性，且侧壁部分1424b可具有磁性。或者，第二载体1420b可仅具有一个拥有或不拥有磁性的部分。也就是说，底部部分1422b和侧壁部分1424b可整体地形成。另外，第一载体1410可不具有磁性。图28是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图28，当前实施例的发光装置封装1400c类似于图27中的以上发光装置封装1400b，但其间的差异如下。当前实施例的发光装置封装1400c不具有图27所示的第二载体1420b。另外，第一载体1410c具有凹穴1416，且发光结构1310位于凹穴1416中。此外，第一载体1410c可为基台或金属块，且具有底部部分1412c和侧壁部分1414c。侧壁部分1414c设置在底部部分1412c上，且围绕发光结构1310。在当前实施例中，底部部分1412c或侧壁部分1414c具有磁性。然而，在其它实施例中，第一载体1410c可仅具有一个拥有或不拥有磁性的部分。在当前实施例中，连接层1440b设置在第一载体1410c与散热片1430之间以用于结合第一载体1410c与散热片1430。图29是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图29，当前实施例的发光装置封装1400d类似于图25中的以上发光装置封装1400，但差异如下。在发光装置封装1400d中，散热片1430d包含第五部分1432d和第六部分1434d，其是图26中的部分第五1432和第六部分1434的修改。第五部分1432d具有用于容纳第六部分1434d的凹穴1436。第二载体1420设置在磁性的第五部分1432d和第六部分1434d两者上且跨越第五部分1432d与第六部分1434d之间的边界B。在当前实施例中，第五部分1432d为非磁性部分，且第六部分1434d为磁性部分。非磁性部分的导热性大于磁性部分的导热性，使得形成穿过第一载体1410和第二载体1420从发光结构1310到部分1432d的导热路径P。由于主要导热路径P不通过任何磁性材料，使得当前实施例中发光装置封装1400d的热耗散效率较好。然而，在其它实施例中，第五部分1432d和第六部分1434d可分别为磁性部分和非磁性部分。图30是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图30，当前实施例的发光装置封装1400e类似于图25中的以上发光装置封装1400，但其间的差异如下。在发光装置封装1400e中，例如铜、银、铝或陶瓷等导热元件1460设置在发光结构1310与第一载体1410之间以用于增加从发光结构1310的热耗散速率,且导热兀件1460为例如导热层。图31是根据当前实施例的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图31，发光装置封装1400f类似于图25中的以上发光装置封装1400，但其间的差异如下。在发光装置封装1400f中，磁性元件1470设置在第一载体1410上，且发光结构1310设置在磁性元件1470上。磁性元件1470例如为磁性层，且形成磁性源。第一载体1410、第二载体1420和散热片1430均可不具有磁性。或者，第一载体1410、第二载体1420和散热片1430中的至少一者的至少一部分可具有磁性。图32是根据本发明的一实施例的发光装置封装1400g的示意横截面图。参看图32，当前实施例的发光装置封装1400g类似于图25中的以上发光装置封装1400，但其间的差异如下。当前实施例的发光装置封装1400g进一步包含囊封剂(encapsulant) 1480和磁性膜1490。囊封剂1480包裹发光结构1310和第一载体1410。在当前实施例中，囊封剂1480的材料例如为硅树脂或其它树脂。此外，囊封剂1480可掺杂有或不掺杂有磷光体(phosphor)。磁性膜1490设置在囊封剂1480上用于形成磁性源。在当前实施例中，发光装置封装1400g进一步包含设置在磁性膜1490上的透镜盖1510。另外，在当前实施例中，第二载体1420g具有用于容纳发光结构1310和第一载体1410的凹穴1426g。在当前实施例中，第一载体1410、第二载体1420g和散热片1430均可不具有磁性。然而，在其它实施例中，第一载体1410、第二载体1420g和散热片1430中的至少一者的至少一部分可具有磁性。图33是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图33，当前实施例的发光装置封装1400h类似于图32中的以上发光装置封装1400g，但其间的差异如下。在发光装置封装1400h中，多个磁性粉末1482掺杂在囊封剂1480中以形成磁性源。在其它实施例中，发光装置封装可不包含磁性膜1490，但可包含磁性粉末1482。图34是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图34，当前实施例的发光装置封装1400i类似于图27中的以上发光装置封装1400b，但其间的差异如下。在发光装置封装1400i中，反射层1520设置在第二载体1420b的底部部分1422b和第二载体1420b的侧壁部分1424b上，即在凹穴1426的内表面1428上，用于反射来自发光结构1310的光，因此增加发光装置封装1400i的发光效率。图35是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图35，当前实施例的发光装置封装1400j类似于图28中的以上发光装置封装1400c，但其间的差异如下。在发光装置封装1400 j中，反射层1530设置在第一载体1410c的底部部分1412c和第一载体1410c的侧壁部分1414c上，即在凹穴1416的内表面1418上。在当前实施例中，连接层1440b结合第一载体1410c与散热片1430。图36是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图36，发光装置封装1400k部分类似于图32中的以上发光装置封装1400g，但其间的差异如下。在发光装置封装1400k中，第一载体1410k为引线框(Ieadframe)而不是如图32中的基台。在当前实施例中，第一载体1410k具有磁性。另外，囊封剂1480k包裹发光结构1310和第一载体1410k的一部分。在当前实施例中，1480k的材料为例如环氧树脂、硅树脂或其它树脂。图37是根据本发明的一实施例的发光装置封装的示意横截面图。参看图37，发光装置封装14001类似于图36中的以上发光装置封装1400k，但其间的差异如下。在发光装置封装14001中，多个磁性粉末14821掺杂在囊封剂14801中。另外，磁性元件14701设置在第一载体1410k上，且发光结构1310设置在磁性元件14701上。在当前实施例中，磁性元件14701例如为磁性层。另外，连接层1440d可设置在发光结构1310与磁性元件14701之间，且另一连接层1440e可设置在磁性元件14701与第一载体1410k之间。在其它实施例中，发光装置封装可包含磁性粉末14821而非磁性元件14701，且第一载体1410k具有或不具有磁性。或者，发光装置封装可包含磁性元件14701而非磁性粉末14821，且第一载体1410k具有或不具有磁性。图38是根据本发明的一实施例的发光装置封装的横截面图。参看图38，当前实施例的发光装置封装1400m类似于图31中的以上发光装置封装1400f，但其间的差异如下。发光装置封装1400m进一步包含磁性层1540，其例如是磁性环围绕发光结构1310以用于形成磁性源。载体1410将具有呈例如圆形、椭圆形、矩形、梯形、倒梯形或杯形形状的容纳空间。在当前实施例中，第一载体1410可或可不具有磁性。图39是根据本发明的一实施例的发光装置封装的横截面图。参看图39，发光装置封装1400η类似于图38中的以上发光装置封装1400m，但其间的差异如下。在发光装置封装1400η中，反射层1450m设置在第一载体1410和磁性层1540的内表面1542两者上，以便增加发光装置封装1400η的发光效率。应注意，以上发光装置封装1400和1400a_1400n中的发光结构1310可为垂直型或水平型。还可相应地选择发光方向。总之，在根据本发明实施例的发光装置封装中，由于磁性源设置在发光装置旁边用于将磁场施加到发光装置，所以发光装置中电流的路径通过磁场而改变到较好路径中，因此增加发光装置封装的发光效率。当根据本发明实施例的发光装置封装为垂直型发光装置封装时，磁场在发光装置的电流上产生洛伦兹力(Lorentz force)以沿着远离电极下方的区的方向推动电流。以此方式，电流不在电极下方集中，而是沿着远离电极下方的区的方向散布，使得发光层中产生的光子的较大比例不被电极阻挡，因此增加发光装置封装的发光效率。当根据本发明实施例的发光装置封装为水平型发光装置封装时，磁场产生洛伦兹力和磁化电阻效应，从而推动电流离开第一电极与第二电极之间的直接路径，使得发光装置中的电流较均一，这使从发光层发射的光子较均一。以此方式，即使需要用于发射均一光的较大面积，发光装置的表面积也可相对较小。所属领域的技术人员将了解，可在不脱离本发明的范围或精神的情况下，对本发明的结构作出各种修改和变化。鉴于以上描述内容，希望本发明覆盖落在所附权利要求书及其等效物的范围内的本发明的修改和变化。
权利要求
1.一种发光装置，其包括: 发光结构； 导热材料层，其与所述发光结构耦合以耗散所述发光结构产生的热； 第一磁性层，其与所述导热材料层耦合以在所述发光结构中产生磁场，其中所述第一磁性层设置在所述发光结构的一第一侧；所述导热材料层在设置在所述发光结构的所述第一侧且包围所述第一磁性层；以及 第一电极层和第二电极层，设置在所述导热材料层上以电连接所述发光结构。
2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 由下部硅层、绝缘层和上部硅层形成的绝缘体上硅层，其中上部硅层和所述绝缘层具有凹穴以暴露一部分所述下部硅层；其中所述发光结构在所述凹穴内设置在所述下部硅层上，且所述绝缘体 上娃层包括: 多个传导插塞，其形成在所述下部硅层中；以及 电极层，其在所述下部硅层的下表面上， 其中所述发光结构经由所述传导插塞和所述电极层电连接到所述导热材料层上的所述第一电极层和所述第二电极层。
3.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 散热片； 结构载体，其堆叠在所述散热片上，其中所述发光结构堆叠在所述结构载体上；以及 第二磁性层，围绕所述发光结构， 其中所述结构载体是具有磁性的磁性物质以在所述发光结构中提供磁场，所述结构载体完全具有磁性。
4.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 散热片； 结构载体，其堆叠在所述散热片上，其中所述发光结构堆叠在所述结构载体上；以及 第二磁性层，围绕所述发光结构， 其中所述散热片是具有磁性的磁性物质在所述发光结构中提供磁场，所述散热片完全具有磁性。
5.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 散热片； 结构载体，其堆叠在所述散热片上，其中所述发光结构堆叠在所述结构载体上，且其中所述结构载体和所述散热片的至少一个部分具有磁性以在所述发光结构中提供磁场， 其中所述结构载体具有堆叠的第一载体和第二载体，且所述第一载体在所述发光结构与所述第二载体之间， 其中所述第二载体具有平面层部分和在所述平面层部分的周边处围绕所述发光结构的突出部分，使得所述第二载体形成凹穴，所述第二载体的所述突出部分具有磁性部分。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中所述第一载体、所述第二载体和所述散热片中的至少一者具有磁性部分。
7.根据权利要求5所述的发光装置，其中所述第二载体包括设置在所述凹穴的内表面上的反射层。
8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 散热片； 结构载体，其堆叠在所述散热片上，其中所述发光结构堆叠在所述结构载体上，且所述结构载体和所述散热片的至少一个部分具有磁性以在所述发光结构中提供磁场； 第二磁性层，围绕所述发光结构；以及 磁性元件在所述发光结构与所述结构载体之间。
9.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 散热片； 结构载体，其堆叠在所述散热片上，其中所述结构载体具有带有侧壁的凹穴区，且所述发光结构在所述凹穴区内堆叠在所述结构载体上；以及 囊封剂，其填充在所述凹穴区中，其中所述囊封剂含有磁性材料粉末。
10.根据权利要求9所述的发光装置，还包括反射层，至少设置在所述结构载体的所述侧壁上。
11.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 散热片； 结构载体，其堆叠在所述散热片上，其中所述结构载体具有带有侧壁的凹穴区，所述侧壁具有磁性，且 所述发光结构在所述凹穴区内堆叠在所述结构载体上；以及囊封剂，其填充在所述凹穴区中， 其中发光装置还包括: 透镜盖，其设置在所述结构载体的所述侧壁的顶部上以覆盖所述凹穴区；以及与所述透镜盖一起的磁性膜，其针对所述囊封剂设置在所述结构载体的所述侧壁的顶部上。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述囊封剂含有所述磁性材料粉末，且与所述透镜盖一起的磁性膜设置在所述结构载体的所述侧壁的所述顶部上。
13.根据权利要求11所述的发光装置，其中与所述散热片一起的所述结构载体的至少一个部分进一步具有磁性材料。
14.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 磁性导线架，固持所述发光结构。
15.根据权利要求14所述的发光装置，其进一步包括囊封剂，所述囊封剂包裹所述发光结构和所述磁性导线架的一部分。
16.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 第二磁性层，其在所述发光结构下方； 固持载体，其用以固持所述第二磁性层与所述发光结构；以及 囊封剂，其包裹所述发光结构和所述固持载体的一部分， 其中所述囊封剂含有磁性粉末。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其中所述固持载体为磁性材料。
18.根据权利要求1所述的发光装置，还包括: 载体； 磁性环，其设置在所述载体上以具有容纳空间，其中所述发光结构在所述容纳空间内设置在所述载体上。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其中所述载体具有磁性。
20.根据权利要求18所述的发光装置，其进一步包括在所述载体与所述发光结构之间的反射层。
21.根据权利要求20所述的发光装置，其中所述反射层进一步在所述磁性环的内表面上延伸。
22.根据权利要求18所述的发光装置，其进一步包括在所述载体与所述发光结构之间的第二磁性层。
23.根据权利要求18所述的发光装置，其中所述载体具有呈圆形、椭圆形、矩形、梯形、倒梯形或杯形形 状的容纳空间。
全文摘要
一种发光装置包括发光结构、导热材料层、第一磁性层、第一电极层及第二电极层。导热材料层与所述发光结构耦合以耗散所述发光结构产生的热。第一磁性层与所述导热材料层耦合以在所述发光结构中产生磁场。所述第一磁性层设置在所述发光结构的一第一侧。所述导热材料层在设置在所述发光结构的所述第一侧且包围所述第一磁性层。第一电极层和第二电极层设置在所述导热材料层上以电连接所述发光结构。
文档编号H01L33/48GK103208569SQ20131014037
公开日2013年7月17日 申请日期2008年12月26日 优先权日2008年1月11日
发明者宣融, 徐志豪, 叶文勇, 许镇鹏, 陈振坤, 林坤锋, 蔡政达, 朱慕道 申请人:财团法人工业技术研究院