密封体及密封体的制造方法
【专利摘要】所公开的发明的一个方式的目的之一是提供一种密封体，该密封体是使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体。一种密封体，其中在相对的两个衬底之间至少设置有布线层，该两个衬底由作为材料包含玻璃粉的密封层密封，并且在布线层与密封层重叠的区域中选择性地形成金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的反射膜以抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。
【专利说明】密封体及密封体的制造方法
【技术领域】
[0001]本说明书等所公开的发明涉及一种密封体及密封体的制造方法。尤其是，涉及一种其内部包括半导体元件的密封体(半导体装置)。
[0002]注意，本说明书等中的半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置，因此电光装置，图像显示装置，半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
【背景技术】
[0003]作为将元件封入到相对的一对衬底之间的方法之一，已知以低熔点玻璃的粉末玻璃(也称为玻璃粉)为密封材料进行粘合而形成具有高密封性的密封体的技术。
[0004]由于这种玻璃粉具有高阻挡性，所以可以分离被密封的内部与外部的气氛。使用玻璃粉的密封方法例如应用于包括有机EL(Electroluminescence)元件、有机半导体元件、有机太阳能电池、液晶元件等半导体元件的装置。
[0005]作为使用玻璃粉的密封，一般利用如下方法:沿着玻璃衬底的边缘涂敷包含由低熔点玻璃形成的玻璃粉和粘合剂的密封构件，焙烧该密封构件而减少或去除粘合剂，然后重叠该玻璃衬底与对置衬底并对密封构件照射激光，以熔融包含在密封构件中的玻璃粉而形成密封层，通过焊接玻璃衬底和对置衬底，形成具有高气密性的密封体。
[0006]由于当在密封构件与布线层(电极)重叠的区域中照射激光时布线层吸収或反射激光，所以当焊接时需要的激光的能量与其它区域(密封构件不与布线层重叠的区域)不同。因为布线层反射激光，所以当过剩的能量照射到重叠的区域的密封构件时該区域的密封构件与衬底的密封性下降。另外，因为布线层吸收激光，所以有时布线层发生变形或断开。
[0007]专利文献I公开了通过当照射激光时在对置衬底上的重叠于电极的区域中配置反射性掩模，来降低照射到该区域的激光能量的密封方法。
[0008][专利文献I]日本专利申请公开2011-529624号公报
[0009]但是，如专利文献I所记载的密封方法那样，当将反射性掩模设置在对置衬底的外侧时，当对由金属膜形成的反射性掩模直接照射激光时，有时因为金属膜的剥落导致半导体装置的表面及/或激光学系统遭受污染。再者，在金属膜的变形导致反射性掩模的劣化时，有可能发生成品率的下降。
【发明内容】
[0010]鉴于上述课题，本发明的一个方式的目的之一是提供一种使用低熔点玻璃密封的具有高气密性的密封体及其制造方法。
[0011]另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造使用低熔点玻璃密封的密封体的方法。
[0012]注意，根据本发明的一个方式至少解决上述课题中的一个。
[0013]所公开的发明的一个方式的目的之一是提供一种密封体，该密封体在相对的两个衬底之间至少设置有布线层，该两个衬底由在其材料中包含玻璃粉的密封层密封，在布线层与密封层重叠的区域中选择性地包括金属层。该金属层在激光的照射工序中用作激光的半透过膜而抑制对重叠于布线层的区域的密封构件施加过剩能量。
[0014]通过采用该结构，即使对形成为闭环状的密封构件照射一定能量的激光而不复杂地调整激光的照射，也可以高精度且大致均匀地使该密封构件所包含的玻璃粉熔融而形成密封层。另外，由于金属层设置在相对的两个衬底的内侧，所以可以防止激光的照射导致的消融或变形。具体而言，例如可以采用如下结构。
[0015]本发明的一个方式是一种密封体，包括:设置有布线层的第一衬底；与第一衬底相对且在与第一衬底相对的表面上设置有金属层的第二衬底；以及以重叠于布线层的区域的一部分的方式形成为闭环状，夹着一定的空隙粘合第一衬底与第二衬底的密封层，其中，布线层从闭环状密封层的内侧延伸到外侧，并且，金属层选择性地设置在布线层与密封层重叠的区域中。
[0016]另外，本发明的一个方式是一种密封体，包括:设置有布线层的第一衬底；与第一衬底相对且在与第一衬底相对的表面上设置有金属层的第二衬底；以及以重叠于布线层的区域的一部分的方式形成为闭环状，夹着一定的空隙粘合第一衬底与第二衬底的密封层，其中，布线层从闭环状密封层的内侧延伸到外侧，并且，金属层选择性地设置在布线层与密封层重叠的区域中，且金属层的光透过率比第二衬底低。
[0017]此外，在上述密封体中，闭环状的密封层通过在其内侧(框架内)包括半导体元件可以构成半导体装置。半导体元件既可以是液晶元件，又可以是发光元件。也就是说，在上述密封体中在闭环状的密封层的内侧包括液晶元件的密封体(液晶显示装置)；以及包括发光兀件的密封体(发光显不装置)也包括在本发明的一个方式的范畴中。
[0018]此外，本发明的一个方式是一种密封体的制造方法，包括如下步骤:在第一衬底上形成金属层；以与金属层及第一衬底接触的方式将包含低熔点玻璃及粘合剂的密封构件配置为闭环状；通过对密封构件进行第一加热处理，减少所包含的粘合剂；准备包括布线层的第二衬底；以使布线层与金属层重叠的方式重叠第一衬底与第二衬底；以及通过对密封构件进行第二加热处理，使低熔点玻璃熔融，来焊接第一衬底与第二衬底。
[0019]在上述密封体的制造方法中，作为第二加热处理优选进行激光的照射处理。
[0020]根据本发明的一个方式，可以提高使用玻璃粉密封的密封体的气密性。
[0021]另外，根据本发明的一个方式，可以高成品率制造使用玻璃粉密封的密封体。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1A至图1D是说明密封体的一个例子的平面图及截面图；
图2A至图2E是说明密封体的制造方法的一个例子的图；
图3A至图3C是说明半导体装置的一个例子的平面图及截面图；
图4A至图4E是示出电子设备的图；
图5A至图5C是示出电子设备的图。
【具体实施方式】
[0023]下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，所属【技术领域】的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
[0024]另外，在本说明书等说明的各附图中的各组件的大小、膜的厚度或区域有时为了容易理解而被夸大。因此，本发明并不一定限定于该尺度。
[0025]注意，在本说明书等中，为了方便起见，附加了第一、第二等序数词，而其并不表示工序顺序或叠层顺序。此外，其在本说明书等中不表示用来特定发明的事项的固有名称。
[0026]实施方式I
在本实施方式中，参照图1A至图2E说明密封体及密封体的制造方法的一个方式。
[0027]图1A至图1D示出密封体的结构例。图1A是展开密封体100的透视示意图。此夕卜，图1B是密封体100的平面图。图1C是沿着图1B中的Xl-Yl的截面图，图1D是沿着图1B中的Vl-Wl的截面图。
[0028]根据本发明的一个方式的密封体具有使用密封层粘合至少形成有布线层的第一衬底和至少形成有金属层的第二衬底的结构。在本实施方式中例示在密封体的内部构成包括半导体元件的半导体装置的情况。
[0029]图1A至图1D所示的密封体100使用密封层124粘合元件形成衬底110和对置衬底120。密封层124形成为闭环状，在闭环状的框架内包括半导体元件114。另外，电连接于半导体元件114的布线层112从形成为闭环状的密封层124的内侧延伸到外侧地形成。因此，密封层124部分重叠于布线层112 (参照图1A及图1B)。
[0030]在根据本发明的一个方式的密封体100中，密封层124作为其材料包含玻璃粉。通过对成为密封层124的前体的层(也称为密封构件)所包含的玻璃粉照射激光等，进行加热而使其熔融，来形成密封层124。
[0031]设置布线层112是为了电连接设置在元件形成衬底110上的半导体元件114与外部电源(未图示)。如上所述，布线层112从闭环状的密封层124的内侧延伸到外侧地形成，延伸的布线层112从对置衬底120露出。露出的区域用作连接端子。
[0032]在布线层112重叠于密封层124的区域的对置衬底120 —侧形成有金属层122。在密封层124的制造工序中，金属层122对被照射的激光具有的反射率比对置衬底120高。
[0033]金属层122用作半透过膜，在密封体100的制造工序中，当对成为密封层124的前体的层(密封构件)照射激光而使玻璃粉熔融时，该半透过膜反射从对置衬底120 —侧照射的激光的一部分，而降低透过到重叠于金属层122的区域(S卩，布线层112与密封层124重叠的区域)的激光的能量。由于在布线层112与密封构件重叠的区域中被布线层112反射的激光再次入射到密封构件，所以通过设置金属层122能够抑制过剩的能量照射到该区域的密封构件。
[0034]例如，通过使透过对置衬底120入射到密封构件的激光的能量大致相同于透过对置衬底120及金属层122入射到密封构件的激光的能量与被布线层112反射而再次入射到密封构件的激光的能量的总和的能量，可以在使照射到衬底表面的激光的能量(从激光照射装置发射出的激光的能量)大致均匀的同时抑制起因于布线层112的反射的对密封构件的过剩的能量的照射。因此，可以提高密封构件的粘合性。此外，可以提供具有高气密性的密封体100。[0035]注意，本实施方式示出密封层124形成为四角形的例子。但是，密封层124的形状只要构成闭环，就不局限于本实施方式的形状。此外，布线层112的形状不局限于图1A至图1D所示的结构。
[0036]另外，图1A至图1D例示出对置衬底120只形成有金属层122的情况，但是本实施方式不局限于此。例如，对置衬底120也可以形成有滤色片层，偏振片等。
[0037]参照图2A至图2E说明图1A至图1D所示的密封体100的制造方法。
[0038]在元件形成衬底110上形成半导体元件114和用来电连接该半导体元件114与外部电源的布线层112 (参照图2A)。另外，也可以在布线层112上形成绝缘层。
[0039]作为元件形成衬底110使用具有耐受半导体装置的制造工序的程度的耐热性的材料。此外，只要能够应用于制造装置，对元件形成衬底110的厚度及尺寸就没有特别的限制。此外，元件形成衬底Iio也可以具有不损坏半导体元件114程度的柔性。作为具有柔性的衬底，例如可以使用厚度为50 μ m以上且500 μ m以下的薄的玻璃或金属箔。
[0040]作为元件形成衬底110，除了使用无机材料的衬底以外，还可以是使用有机材料和无机材料的复合材料的衬底。作为使用无机材料的衬底，例如可以举出玻璃衬底、陶瓷衬底、金属衬底等。作为使用有机材料和无机材料的复合材料的衬底，例如可以举出树脂衬底和无机材料的叠层体、FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics:纤维增强塑料)、预浸料等。
[0041]在与元件形成衬底110相对的对置衬底120上选择性地形成金属层122 (参照图2B)。
[0042]与元件形成衬底110同样，作为对置衬底120，除了使用无机材料的衬底以外，还可以是使用有机材料和无机材料的复合材料的衬底。但是，对置衬底120在至少形成有密封层124的区域中使用具有透过激光的透光性的材料。
[0043]在后面的工序中，以重叠于元件形成衬底110的布线层112的一部分的方式配置金属层122。金属层122用作降低激光的透过的半透过膜，以防止对密封构件的重叠于该布线层112的区域照射过剩的能量。因此，作为金属层122，选择激光的透过率至少低于对置衬底120的材料(激光的反射率高于对置衬底120的材料)。
[0044]例如，作为金属层122，可以使用包含银、金、钼、镍、钨、铬、钥、铁、钴、铜、钯、铝、
锰、钛、钽等金属元素的层或包含含有它们中的任何一个或多个的合金的层等。另外，金属层122只要是激光的透过率比对置衬底120低且包含金属元素的层即可，也可以应用上述金属元素的氧化物膜、氮化物膜或氧氮化物膜。
[0045]此外，根据照射的激光的波长，改变适合于金属层122的材料的种类。另外，金属层122不局期限于单层，也可以由多层构成。也可以通过调整金属层122的厚度，设定金属层122的光透过率。此外，金属层122的形状或形成部分不局限于图2A至图2E所示的结构。例如，也可以通过在矩形状金属层122中设置開口部，调整对密封构件的重叠于金属层122的区域照射的激光的能量。此外，也可以在对置衬底120上形成多个金属层122。
[0046]另外，可以通过各种方法形成金属层122。例如，可以通过溅射法、电子束蒸镀法、真空蒸镀法等来形成金属层122。
[0047]此外，优选的是，在对置衬底120的衬底端部中形成用来调整粘合衬底的位置的对准标记(未图示)的同时形成金属层122。在此情况下，可以省略另行形成对准标记的工序并可以防止掩模数的增加。由此，可以降低半导体装置的制造成本。[0048]接着，在金属层122及对置衬底120上涂敷闭环状的密封构件123。
[0049]密封构件123例如混合由低熔点玻璃的粉末玻璃形成的玻璃粉和由使用有机溶剂稀释的有机树脂形成的粘合剂而形成。密封构件123可以利用分配器法、喷墨法等涂敷法或丝网印刷法等印刷法等已知的方法选择性地涂敷。尤其是，在使用大型衬底的情况下，优选利用分配器法等涂敷法。
[0050]作为用来形成玻璃粉的玻璃材料，例如优选包含选自由氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化锂、氧化钠、氧化钾、氧化硼、氧化fL、氧化锌、氧化締、氧化招、二氧化娃、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化错、氧化铁、氧化铜、氧化钛、氧化鹤、氧化秘、氧化铺、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃以及硼硅酸盐玻璃构成的群中的一种以上的化合物。此外，当在后面的加热处理中照射激光而进行加热时，使用添加有激光吸收剂的玻璃粉即可。根据所使用的激光的波长选择适合的吸收剂。
[0051]将密封构件123的高度(厚度)调整为在后面的加热工序中在去除粘合剂之后的厚度至少大于设置在元件形成衬底Iio上的半导体元件114及布线层112的厚度。例如，也可以在利用分配器法等涂敷密封构件123之后用平板按压等或者使用刮刀(spatula)等平整其顶面，以使密封构件123的高度平坦。
[0052]注意，虽然在图2C中示出密封构件123的宽度小于金属层122的宽度的情况，但是不局限于此，也可以使密封构件123的宽度例如大致相等于金属层122的宽度。例如，因为在密封构件123的加热工序中因玻璃粉熔融而凝聚时的表面张力使中央部的厚度增大，所以也可以在将密封构件123的厚度设定为半导体元件114及布线层112的厚度以下的情况下预先将密封构件123的宽度设定为大于半导体元件114及布线层112的宽度。
[0053]接着，对密封构件123进行加热(预焙烧)而使包含在密封构件123中的粘合剂挥发。该加热处理可以利用灯光或加热器等进行。加热温度优选设定为离所使用的玻璃粉的玻璃转变点近的温度。例如，设定为300°C至450°C左右即可。
[0054]此外，既可以通过预焙烧使密封构件123所包含的玻璃粉完全熔融而坚固地粘合为一体，又可以通过预焙烧使玻璃粉彼此部分焊接。此外，根据预焙烧的条件，有时粘合剂不完全被去除而残留在密封构件123中。另外，预焙烧之后的密封构件123也可以分散有吸收后来被照射的激光的吸收剂。
[0055]接着，以设置有密封构件123的面与设置有布线层112的面相对的方式配置元件形成衬底110和对置衬底120。在此，以使对置衬底120上的金属层122与布线层112重叠的方式对准两个衬底的位置。之后，照射激光150对密封构件123进行局部性加热(参照图2D1)。
[0056]优选沿着设置有密封构件123的区域扫描照射激光150。
[0057]由于激光150是透过对置衬底120进行照射，所以使用至少透过对置衬底120的波长的光，优选使用可见光区域或红外区域的波长的光。
[0058]作为可见光区或红外区的波长的激光器，例如，可以举出Ar激光器、Kr激光器、CO2激光器等气体激光器。此外，可以使用固体激光器诸如YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、KGW激光器、KYW激光器、翠绿宝石激光器、T1:蓝宝石激光器或Y2O3激光器等。此外，当使用固体激光器时，优选使用基波或二次谐波。另外，也可以使用GaN、GaAs、GaAlAs、InGaAsP等的半导体激光器。半导体激光器具有如下优点:振荡输出稳定；保养次数少；以及运用成本低等。
[0059]此外，也可以使用不透过对置衬底120的具有高能量(例如，紫外区的波长)的光，对密封构件123直接照射激光150而进行加热。
[0060]作为紫外区的波长的激光器，例如有XeCl激光器、KrF激光器等受激准分子激光器。此外，可以使用固体激光器诸如YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、KGW激光器、KYW激光器、翠绿宝石激光器、T1:蓝宝石激光器或Y2O3激光器等。此外，当使用固体激光器时，优选使用三次谐波或四次谐波。
[0061]优选的是，在通过照射激光150对密封构件123进行加热时，对密封构件123和元件形成衬底110施加压力，以确实地使密封构件123与元件形成衬底110接触。既可以通过在激光150的照射区的外部使用夹钳(clamp)等夹着元件形成衬底110和对置衬底120进行施加压力的处理，又可以对元件形成衬底110和对置衬底120中的一面或双面施加压力。
[0062]此外，优选在照射激光150之后进行使密封区的内部处于惰性气氛或减压气氛的处理。例如，可以在照射激光150之前预先在涂敷密封构件123的区域的外侧或内侧配置紫外线固化树脂或热固化树脂等有机树脂，在惰性气体气氛下或减压气氛下暂时贴合元件形成衬底110与对置衬底120，然后在大气气氛下或惰性气体气氛下照射激光150。由于密封构件123形成为闭环状，密封区的内部被保持为惰性气氛或减压气氛，可以在大气压下照射激光150，所以可以简化装置结构。此外，通过预先使密封区的内部处于减压气氛，可以确实地使密封构件123与元件形成衬底110为接触状态，而不需要使用在照射激光150时用于按压两个衬底的夹钳等机构。
[0063]图2D2示出对图1B的Vl-Wl截面照射激光150的工序的示意图。
[0064]激光150透过对置衬底120照射到密封构件123。在此，因为金属层122对激光150的透过率比对置衬底120低(反射率高)，所以入射到重叠于金属层122的区域302的激光150的能量小于入射到不重叠于金属层122的区域300的激光150的能量。此外，金属层122设置在重叠于布线层112的区域中，激光150当透过金属层122时被减弱而入射到密封构件123，并且被布线层112反射而再次入射到密封构件123。另外，再次入射到密封构件123的激光150有时被金属层122反射而再次入射到密封构件123。
[0065]一般而言，由于重叠于布线层的区域的密封构件发生被布线层反射的激光的再次入射，所以被照射的能量大于其它区域(不与布线层重叠的区域)。由于被过剩地照射激光的能量，温度上升到高于所希望的温度的密封构件的粘合力降低，所以过剩的能量照射引起衬底之间的的密闭度的下降。
[0066]但是，在本发明的一个方式的密封体100的制造方法中，由于金属层122降低照射到区域302的密封构件123的能量，所以可以对区域302和区域300的双方供应玻璃粉的熔融所需要且充分的能量，而不需要按每个区域调整激光的输出。
[0067]此外，被照射的激光150的光束径优选大于布线层112与相邻的布线层112之间的空隙(LI)。这样，被相邻的布线层112反射的激光也照射到重叠于金属层122且不重叠于布线层112的区域，由此供应包含在该区域的密封构件123中的玻璃粉的熔融所需要的
倉tfi。
[0068]另外，因为金属的热传导率高于绝缘物，所以能够以比绝缘物高的效率传导因吸收激光而产生的热。因此，夹在布线层112与金属层122之间的区域302的密封构件123可以使用比夹在绝缘物的元件形成衬底110与对置衬底120之间的区域低的激光的照射能量焊接玻璃粉。由此，即使作为金属层122使用具有高反射率的材料，也可以高效率地进行玻璃粉的焊接。
[0069]根据本实施方式所示的结构，可以使用大致一定的能量照射衬底面内，而不需要按每个区域控制激光150的输出。由此，可以在使密封体100的制造工序简化的同时提高成品率。
[0070]此外，由于金属层122降低入射到布线层112的激光150的能量，所以可以防止当照射高能量的激光时有可能发生的布线层112的变形或断开。
[0071]由于金属层122配置在对置衬底120的内侧，所以可以防止当照射激光时发生的膜的消融。此外，由于对金属层122和密封构件123进行两次热处理工序即预焙烧及激光的照射工序，所以可以使其粘合度牢固。
[0072]通过对密封构件123照射激光150，包含在密封构件123中的玻璃粉发生熔融而形成密封层124 (参照图2E)。因此，元件形成衬底110与对置衬底120被焊接，而可以形成具有高气密性(密封性)的密封体100。
[0073]通过上述工序，可以形成本实施方式的密封体100。
[0074]在本实施方式所示的密封体100中，通过在与布线层112重叠的区域中设置接触于对置衬底120的金属层122，可以防止因对设置在该区域中的密封构件123照射过剩能量而降低密封构件123的粘合力。此外，通过在重叠于布线层112的区域中选择性地形成金属层122，可以具有闭环状的密封构件123的大部分区域接触于对置衬底120及元件形成衬底110的结构。尤其是，在需求牢固的粘合力的闭环状的角部中可以形成良好的焊接，由此可以制造密封性高的半导体装置。
[0075]另外，因为本实施方式所示的密封体100的密封层的粘合性得到提高，所以不需要为了构成所希望的粘合性而扩大密封层的宽度，从而可以实现窄边框化。此外，由于可以提高密封体的机械强度，所以可以抑制制造密封体时的成品率的下降。再者，可以抑制密封层的内部的半导体元件的劣化，而可以提高密封体的可靠性。
[0076]本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
[0077]实施方式2
在本实施方式中，作为在实施方式I所示的密封体的内部的包括半导体元件的半导体装置的例子，参照图3A至图3C说明包括显示元件的半导体装置(也称为显示装置)。
[0078]在图3A中，以围绕设置在元件形成衬底200上的像素部211、栅极驱动电路213及源极驱动电路212的方式设置有密封层245，该密封层245由对置衬底202密封。另外，以与密封层245的一部分重叠的方式设置有金属层248。通过栅极驱动电路213施加到像素部211的各种信号及电位从FPC (Flexible printed circuit) 204被供应。
[0079]此外，显示装置包括显示元件处于密封状态的面板和在该面板中安装有包括控制器的IC等状态的模块。就是说，本说明书中的显示装置是指图像显示装置或光源(包括照明装置)。另外，显示装置不仅包括显示元件为密封状态的面板，还包括:安装有诸如FPC或TCP的连接器的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG方式将IC(集成电路)直接安装到显示元件的模块。[0080]作为设置在显示装置中的显示元件，可以使用液晶元件(也称为液晶显示元件)、发光元件(也称为发光显示元件)。发光元件包括由电流或电压控制亮度的元件，具体而言，包括无机EL (Electro Luminescence:电致发光)、有机EL等。此外，也可以应用电子墨水显示装置(电子纸)等的对比度因电作用而发生变化的显示媒介。
[0081]参照图3B及图3C说明半导体装置的一个方式。图3B及图3C是在图3A所示的显示装置中沿着切断线A-B切断的包括FPC204及栅极驱动电路213的区域、沿着切断线C-D切断的包括像素部211的区域的截面示意图。
[0082]另外，图3B示出作为显示元件使用液晶元件的液晶显示装置的例子。在液晶显示装置中，可以应用垂直电场方式或水平电场方式。图3B示出作为垂直电场方式的一个例子采用FFS (Fringe Field Switching:边缘场切换)模式的例子。另外，图3C示出作为显示元件使用发光元件的EL显示装置的例子。
[0083]本实施方式所示的显示装置具有设置在像素部211中的晶体管电连接到显示元件的结构。注意，作为可以应用于本实施方式所示的显示装置的显示元件，只要能够进行显示，就没有特别的限制，而可以使用各种各样的显示元件。
[0084]元件形成衬底200与对置衬底202在其外周部由密封层245粘合。此外，在由元件形成衬底200、对置衬底202及密封层245围绕的区域至少设置有像素部211。
[0085]图3A至图3C示出作为栅极驱动电路213使用组合η沟道型晶体管231与晶体管232的电路的例子。注意，栅极驱动电路213的结构不局限于此，也可以使用组合η沟道型晶体管与P沟道型晶体管的多种CMOS电路或组合P沟道型晶体管的电路。此外，源极驱动电路212也是同样的。另外，在本结构例子中示出在形成有像素部211的绝缘表面上形成栅极驱动电路213及源极驱动电路212的驱动器一体型显示装置的结构，但是也可以采用与形成有像素部211的绝缘表面分开设置栅极驱动电路213及源极驱动电路212中的一方或双方的结构。例如，既可以通过COG方式安装驱动电路1C，又可以通过COF方式安装安装有驱动电路IC的柔性衬底(FPC)。
[0086]注意，对像素部211、源极驱动电路212、栅极驱动电路213所具备的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用交错型晶体管或反交错型晶体管。另外，也可以采用顶栅型和底栅型中的任一方的晶体管结构。此外，作为用于晶体管的半导体材料，例如既可以使用硅或锗等的半导体材料，又可以使用包含铟、镓和锌中的至少一个的氧化物半导体材料。
[0087]此外，对用于晶体管的半导体的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用结晶半导体时可以抑制晶体管的特性的劣化，所以是优选的。
[0088]作为包含铟、镓和锌中的至少一个的氧化物半导体典型地可以举出In-Ga-Zn类金属氧化物等。通过使用其带隙比硅宽且载流子密度小的氧化物半导体，可以抑制关闭时的泄漏电流，所以是优选的。
[0089]在图3B及图3C中作为像素部211的一个例子示出一个像素的截面结构。在图3B中，像素部211具备应用FFS模式的液晶元件250。液晶元件250的液晶的取向受在衬底面的倾斜方向上产生的电场控制。
[0090]一个像素至少包括一个开关晶体管256、未图示的保持电容器。此外，电连接于晶体管256的源电极或漏电极的梳形的第一电极251设置在绝缘层257上。此外，第二电极253以夹着绝缘层257与第一电极251绝缘的方式设置在绝缘层241上。
[0091]第二电极253或者第一电极251和第二电极253的双方使用透光导电材料。通过使这些电极的双方都使用透光导电材料，可以提高像素的开口率，所以是优选的。作为具有透光性的导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加了镓的氧化锌等的导电氧化物或石墨烯。
[0092]此外，在至少重叠于像素部211的区域中，在对置衬底202上设置有滤色片243及黑矩阵242。
[0093]设置滤色片243的目的是为了对来自像素的透过光进行调色而提高色纯度。例如，当使用白色的背光灯制造全彩色显示装置时，使用设置有不同颜色的滤色片的多个像素。此时，既可以使用红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色的滤色片，又可以使用上述三种颜色和黄色(Y)的四种颜色的滤色片。此外，除了 R、G、B (及Y)以外还使用白色(W)的像素，而可以使用四种颜色(或五种颜色)的滤色片。
[0094]另外，在彼此相邻的滤色片243之间设置有黑矩阵242。黑矩阵242遮挡从相邻的像素发射的光，来抑制相邻的像素之间的混色。黑矩阵242也可以采用只配置在不同发光颜色的相邻的像素之间，而不设置在相同颜色的像素之间的结构。在此，通过将滤色片243设置为其端部与黑矩阵242重叠，可以抑制光泄漏。作为黑矩阵242可以使用遮挡像素的透过光的材料，而可以使用金属材料或包含颜料的树脂材料等。此外，如图3A至图3C所示，通过将黑矩阵242设置在栅极驱动电路213等的像素部211以外的区域，可以抑制因波导光等引起的无意的漏光，所以是优选的。
[0095]此外，设置有覆盖滤色片243及黑矩阵242的保护层255。通过设置保护层255，可以抑制包含在滤色片243及黑矩阵242中的颜料等杂质扩散到液晶252。作为保护层使用透光材料，可以使用无机绝缘材料或有机绝缘材料。
[0096]此外，形成在对置衬底202上的滤色片243、黑矩阵242及保护层255既可以在将金属层248及密封构件形成在对置衬底202上之后形成，又可以在设置金属层248及/或密封构件之前形成。但是，在形成密封构件之前形成滤色片等的情况下，选择对密封构件的预焙烧的加热温度具有耐热性的材料而使用。
[0097]在保护层255中的重叠于黑矩阵242的区域中设置有间隔物254。作为间隔物254通过使用树脂材料可以形成厚度厚的间隔物，所以是优选的。例如，可以使用正型或负型的感光性树脂形成。此外，当作为间隔物254使用遮光材料时，遮挡从相邻的像素发射的光，可以抑制相邻的像素间的混色。另外，在本结构例子中将间隔物254设置在对置衬底202一侧，但是也可以设置在元件形成衬底200 —侧。另外，也可以采用作为间隔物254使用球状氧化硅等粒子而在设置有液晶252的区域中散布有该粒子的结构。
[0098]此外，在至少设置有第一电极251及第二电极253的区域封入液晶252。另外，由第一电极251、第二电极253及液晶252构成液晶元件250。
[0099]通过在第一电极251与第二电极253之间施加电压，在倾斜方向上产生电场，由该电场控制液晶252的取向，通过在每个像素控制配置在显示装置的外部的背光灯的光的偏振，可以显示图像。
[0100]在接触于液晶252的面设置用来控制液晶252的取向的取向膜。作为取向膜使用透光材料。此外，虽然这里未图示，但是在元件形成衬底200的从液晶元件250看时为外侧的表面上设置偏振板。此外，也可以采用使用导光板使来自背光灯的光从显示装置的侧面进入的结构。
[0101]在本结构例子中，由于在重叠于液晶元件250的区域设置有滤色片，所以可以使用白色发光的背光灯实现全彩色的图像显示。此外，也可以作为背光灯利用发光颜色不同的多种发光二极管(LED:Light Emitting Diode)来进行分时显示方式(场序制驱动方式)。当采用分时显示方式时，不需要设置滤色片，例如不需要设置呈现R (红色)、G (绿色)、B (蓝色)的每个发光颜色的子像素，所以有提高像素的开口率或增加每单位面积的像素数量等的优点。
[0102]作为液晶252可以使用热致液晶、低分子液晶、闻分子液晶、铁电液晶、反铁电液晶等。此外，当使用呈现蓝相的液晶时，由于不需要使用取向膜，并且可以获得广视角化，所以是优选的。
[0103]此外，在本结构例子中说明应用FFS模式的液晶元件250，但是液晶元件的结构不局限于此。
[0104]在元件形成衬底200上设置有接触于元件形成衬底200的顶面的绝缘层237、用作晶体管的栅极绝缘层的绝缘层238、覆盖晶体管的绝缘层239以及绝缘层241。
[0105]绝缘层237以抑制包含在元件形成衬底200中的杂质的扩散为目的而设置。此外，与晶体管的半导体层接触的绝缘层238及绝缘层239优选使用抑制促进晶体管的劣化的杂质的扩散的材料。作为这些绝缘层可以使用硅等的半导体的氧化物、氮化物或氧氮化物或者铝等的金属的氧化物、氮化物或氧氮化物。此外，也可以使用这种无机绝缘材料的叠层膜或无机绝缘材料和有机绝缘材料的叠层膜。另外，如果不需要，则可以不设置绝缘层237及绝缘层239。
[0106]绝缘层241用作覆盖因设置在其下层的晶体管或布线层等而产生的台阶的平坦化层。作为绝缘层241优选使用聚酰亚胺或丙烯酸树脂等树脂材料。此外，若可以提高平坦性，则也可以使用无机绝缘材料。另外，如果不需要，则可以不设置绝缘层241。
[0107]注意，虽然未图示，但是可以适当地设置偏振片、背光灯等结构。
[0108]设置在元件形成衬底200上的布线层206电连接于栅极驱动电路213或源极驱动电路212，并延伸出由密封层245密封的区域。此外，布线层206的端部的一部分构成外部连接电极205。在本结构例子中，外部连接电极205通过层叠与晶体管的源电极或漏电极相同的导电膜及与晶体管的栅电极相同的导电膜而形成。如此，通过层叠多个导电膜构成外部连接电极205，可以提高FPC204等的承受压接工序的机械强度，所以是优选的。
[0109]此外，在隔着密封层245重叠于布线层206的区域中设置有金属层248。由此，由于可以防止在用来焊接元件形成衬底200与对置衬底202的激光照射工序中对设置在该区域中的密封构件照射过剩的能量，所以可以提高密封层245的密封性。因此，可以提高半导体装置的可靠性。
[0110]此外，以接触于外部连接电极205的方式设置连接层208，通过连接层208电连接FPC204与外部连接电极205。作为连接层208，可以使用已知的各向异性导电膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)或各向异性导电膏(ACP ；Anisotropic ConductivePaste)等。
[0111]当布线层206及外部连接电极205的端部由绝缘层覆盖以不使其表面露出时，可以抑制表面的氧化或非意图性的短路等的不良现象，所以是优选的。
[0112]在图3C中说明对像素部211应用有机EL元件的显示装置的截面结构例子。注意，有时省略与上述图3B重复的内容的说明。
[0113]图3C所示的显示装置与图3B的不同之处主要是像素部211的结构。
[0114]像素部211内的一个像素包括开关晶体管233、电流控制晶体管234以及与该晶体管234的一方的电极(源电极或漏电极)电连接的第一电极221。此外,设置覆盖第一电极221的端部的绝缘层235，在该绝缘层235上的与黑矩阵242重叠的区域设置有间隔物236。通过在像素部211中设置多个间隔物236，元件形成衬底200与对置衬底202之间的距离不会超过所需要的距离地接近，所以可以实现可靠性高的显示装置。
[0115]发光元件220包括第一电极221、第二电极223、夹在这些层之间的EL层222。以下说明发光元件220。
[0116]在发光兀件220中，作为设置在光射出一侧的电极使用对于从EL层222发射的光具有透光性的材料。
[0117]作为具有透光性的材料，除了上述导电氧化物及石墨烯之外，还可以使用金、银、钼、镁、镍、钨、铬、钥、铁、钴、铜、钯、钛等金属材料或包含该金属材料的合金材料。或者，也可以使用上述金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。另外，当使用金属材料、合金材料(或者它们的氮化物)时，将金属材料、合金材料形成得薄，以使其具有透光性，即可。此外，可以将上述材料的叠层膜用作导电层。例如，通过使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。
[0118]上述电极通过蒸镀法或溅射法等形成。除此之外，也可以通过喷墨法等的喷出法、丝网印刷法等的印刷法或镀法形成。
[0119]另外，当通过溅射法形成具有透光性的上述导电氧化物时，通过在包含氩和氧的气氛下形成该导电氧化物，可以提高透光性。
[0120]此外，当在EL层222上形成导电氧化物膜时，通过采用层叠在减少氧浓度的包含氩的气氛下形成的第一导电氧化物膜和在包含氩和氧的气氛下形成的第二导电氧化物膜的叠层膜，可以减少对EL层222的成膜损坏，所以是优选的。在此，特别优选的是，当形成第一导电氧化物膜时使用的氩的纯度高，例如使用露点为-70°C以下，优选为-100°C以下的氩气体。
[0121]作为设置在与光射出相反一侧的电极使用对该发光具有反射性的材料。
[0122]作为具有光反射性的材料，例如可以使用铝、金、钼、银、镍、钨、铬、钥、铁、钴、铜、钯等金属材料或包含该金属材料的合金材料。此外，也可以对这些金属材料或合金材料添加镧、钕或锗等。作为合金材料的例子，可以举出铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金等包含铝的合金(铝合金)以及银和铜的合金、银和钯和铜的合金、银和镁的合金等包含银的合金等。包含银和铜的合金具有高耐热性，所以是优选的。并且，通过以与包含铝的膜接触的方式层叠金属膜或金属氧化物膜，可以抑制包含铝的膜的氧化。作为以与包含铝的膜接触的方式设置的金属材料或金属氧化物材料，可以举出钛、氧化钛等。此外，也可以层叠由上述具有透过性的材料构成的膜与由金属材料构成的膜。例如，可以使用银与铟锡氧化物的叠层膜、银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等。
[0123]上述电极通过蒸镀法或溅射法等形成。除此之外，也可以通过喷墨法等的喷出法、丝网印刷法等的印刷法或镀法形成。
[0124]EL层222只要包括至少包含发光有机化合物的层(下面，也称为发光层)即可，且也可以由单个层构成或由多个层构成。作为重叠多个层的结构，可以举出从阳极一侧层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的结构的例子。另外，除了发光层之外上述层不一定都需要设置在EL层222中。此外，上述层也可以重复设置。具体而言，可以在EL层222中重叠设置多个发光层。另外，可以适当地追加电荷产生区等其他结构。此外，例如也可以层叠多个呈现不同的发光颜色的发光层。例如通过层叠处于补色关系的两个以上的发光层，可以得到白色发光。
[0125]EL层222可以通过真空蒸镀法、喷墨法或分配器法等喷出法、旋涂法等涂敷法或者印刷法等形成。
[0126]在本实施方式中，作为第一电极221使用具有反射性的材料，作为第二电极223使用具有透光性的材料。因此，发光元件220是顶面发射型发光元件，向对置衬底202 —侧发射光。
[0127]另外，在图3C中，使用有机绝缘材料构成的绝缘层235及绝缘层241位于密封层245的内侧并被加工为岛状，并且绝缘层235及绝缘层241不接触于密封层245。像这样，通过以不接触于密封层245或者不从密封层245延伸出到外侧的方式设置包含有机材料的层，可以抑制水分等杂质透过应用这些有机材料的层扩散到发光元件220或晶体管。在将氧化物半导体应用于晶体管时，在抑制水分的混入方面尤其有效。
[0128]本实施方式所示的密封层245是使用使玻璃粉熔融凝聚而形成的玻璃体形成。由于这种材料可以有效地抑制水分或气体的透过，所以可以抑制发光元件220的劣化，并实现可靠性极高的显示装置。
[0129]根据本发明的一个方式，可以提高作为材料使用玻璃粉而被密封的半导体装置的气密性。此外，可以提高该半导体装置的制造的成品率。由此，可以以低成本提供可靠性高的半导体装置。
[0130]本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
[0131]实施方式3
在本实施方式中，参照图4A至图5C对应用上述实施方式所示的半导体装置的电子设备或照明装置的一个例子进行说明。
[0132]作为根据本实施方式的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、音频再现装置、弹珠机等的大型游戏机等。图4A至图4E不出这些电子设备的具体例子。
[0133]图4A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101组装有显示部7103。由显示部7103能够显示影像，并可以将上述实施方式所示的半导体装置用于显示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撑框体7101的结构。
[0134]可以通过利用框体7101所具备的操作开关、另外提供的遥控操作机7110进行电视装置7100的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以进行频道及音量的操作，并可以对在显示部7103上显示的图像进行操作。此外，也可以采用在遥控操作机7110中设置显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107的结构。[0135]另外，电视装置7100采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器将电视装置7100连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
[0136]图4B示出计算机，包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口 7205、指向装置7206等。此外，该计算机是通过将上述实施方式所示的半导体装置用于其显示部7203来制造的。
[0137]图4C示出便携式游戏机，包括框体7301和框体7302的两个框体，并且通过连接部7303可以开闭地连接。框体7301组装有显示部7304，而框体7302组装有显示部7305。此外，图4C所示的便携式游戏机还具备扬声器部7306、记录介质插入部7307、LED灯7308、输入单元(操作键7309、连接端子7310、传感器7311 (包括测定如下因素的功能:力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转动数、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、福射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线)、麦克风7312)等。当然，便携式游戏机的结构不局限于上述结构，只要在显示部7304及显示部7305的双方或一方中使用上述实施方式所示的半导体装置，即可。此外，还可以采用适当地设置其他辅助设备的结构。
[0138]图4C所示的便携式游戏机具有如下功能:读出储存在记录介质中的程序或数据并将其显示在显示部上；以及通过与其他便携式游戏机进行无线通信而实现信息共享。另夕卜，图4C所示的便携式游戏机的功能不局限于此，而可以具有各种各样的其他功能。
[0139]图4D示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400除了组装在框体7401中的显示部7402之外还具备操作按钮7403、外部连接端口 7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，移动电话机7400是通过将上述实施方式所示的半导体装置用于显示部7402来制造的。
[0140]图4D所示的移动电话机7400可以用手指等触摸显示部7402来输入信息。此外，可以用手指等触摸显示部7402来进行打电话或制作电子邮件的操作。
[0141]显示部7402的屏幕主要有如下三个模式:第一是以图像显示为主的显示模式；第二是以文字等信息输入为主的输入模式；第三是混合显不模式与输入模式的两个模式的显示及输入模式。
[0142]例如，在打电话或制作电子邮件的情况下，将显示部7402设定为以文字输入为主的文字输入模式，并进行显示在屏幕的文字的输入操作，即可。在此情况下，优选的是，在显示部7402的屏幕的大部分上显示键盘或号码按钮。
[0143]另外，通过在移动电话机7400内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，判断移动电话机7400的方向(纵向或横向)，而可以对显示部7402的屏幕显示进行自动切换。
[0144]此外，通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。也可以根据显示在显示部7402上的图像种类切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏幕模式切换成显示模式，而当显示在显示部上的图像信号为文字数据时，将屏幕模式切换成输入模式。
[0145]另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以控制为将屏面模式从输入模式切换成显示模式。
[0146]还可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，而可以进行身份识别。此外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光灯或发射近红外光的感测光源，也可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。
[0147]图4E示出照明装置的一个例子。在照明装置7500中，上述实施方式所示的半导体装置7503a、半导体装置7503b、半导体装置7503c、半导体装置7503d组装在框体7501中而作为光源。照明装置7500可以安装在天花板上或墙上等。
[0148]此外，照明装置7500具备发射呈现即使长时间使用也不容易引起眼睛疲劳的高亮度的淡色的光、呈现鲜明的红色的光以及与该红色的光不同的鲜明的颜色的光的发光面板。通过根据发光颜色调整驱动发光元件的条件，可以实现能够由使用者调整色调的照明装置。
[0149]图5Α和图5Β是能够进行折叠的平板终端。图5Α是打开的状态的平板终端，并且包括框体9630、显示部9631a、显示部9631b、显示模式切换开关9034、电源开关9035、省电模式切换开关9036、夹子9033以及操作开关9038。此外，通过将上述实施方式所示的半导体装置用于显示部9631a和显示部9631b的一方或双方来制造该平板终端。
[0150]在显示部9631a中，可以将其一部分用作触摸屏的区域9632a，并且可以通过触摸所显示的操作键9637来输入数据。此外，作为一个例子示出显示部9631a的一半只具有显示的功能，并且另一半具有触摸屏的功能的结构，但是不局限于该结构。也可以采用使显示部9631a的所有的区域具有触摸屏的功能的结构。例如，可以使显示部9631a的整个面显示键盘按钮来将其用作触摸 屏，并且将显示部9631b用作显示屏面。
[0151]此外，显示部9631b与显示部9631a同样，也可以将其一部分用作触摸屏的区域9632b。此外，通过使用手指或触屏笔等触摸触摸屏上的键盘显示切换按钮9639的位置，可以在显示部9631b上显示键盘按钮。
[0152]此外，也可以对触摸屏的区域9632a和触摸屏的区域9632b同时进行触摸输入。
[0153]另外，显示模式切换开关9034能够选择切换竖屏显示和横屏显示等显示的方向以及黑白显示和彩色显示等。省电模式切换开关9036可以根据平板终端所内置的光传感器所检测的使用时的外光的光量，将显示的亮度设定为最合适的亮度。平板终端除了光传感器以外还可以内置陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器等的其他检测装置。
[0154]此外，图5A示出显示部9631b的显示面积与显示部9631a的显示面积相同的例子，但是不局限于此，可以使一方的尺寸和另一方的尺寸不同，也可以使它们的显示质量有差异。例如可以采用显示部9631a和9631b中的一方与另一方相比可以进行高精细的显示的结构。
[0155]图5B是合上的状态的平板终端，并且包括框体9630、太阳能电池9633、充放电控制电路9634、电池9635以及DCDC转换器9636。此外，在图5B中，作为充放电控制电路9634的一个例子示出具有电池9635和D⑶C转换器9636的结构。
[0156]此外，平板终端能够进行折叠，因此不使用时可以合上框体9630。因此，可以保护显示部9631a和显示部9631b，而可以提供一种具有良好的耐久性且从长期使用的观点来看具有良好的可靠性的平板终端。[0157]此外，图5A和图5B所示的平板终端还可以具有如下功能:显示各种各样的信息(静态图像、动态图像、文字图像等)；将日历、日期或时刻等显示在显示部上；对显示在显示部上的信息进行触摸输入操作或编辑的触摸输入；通过各种各样的软件(程序)控制处理
坐寸ο
[0158]通过利用安装在平板终端的表面上的太阳能电池9633，可以将电力供应到触摸屏、显示部或图像信号处理部等。注意，太阳能电池9633可以设置在框体9630的一面或两面，因此可以进行高效的电池9635的充电。另外，当作为电池9635使用锂离子电池时，有可以实现小型化等的优点。
[0159]另外，参照图5C所示的方框图对图5B所示的充放电控制电路9634的结构和工作进行说明。图5C示出太阳能电池9633、电池9635、D⑶C转换器9636、转换器9638、开关Sffl至SW3以及显示部9631，电池9635、DCDC转换器9636、转换器9638、开关SWl至SW3对应于图5B所示的充放电控制电路9634。
[0160]首先，说明在利用外光使太阳能电池9633发电时的工作的例子。使用D⑶C转换器9636对太阳能电池9633所产生的电力进行升压或降压以使它成为用来对电池9635进行充电的电压。并且，当利用来自太阳能电池9633的电力使显示部9631工作时使开关SWl打开，并且，利用转换器9638将该电力升压或降压到显示部9631所需要的电压。另外，当不进行显示部9631中的显示时，使开关SWl关断且使开关SW2打开来对电池9635进行充电。
[0161]注意，作为发电方法的一个例子示出太阳能电池9633，但是不局限于此，也可以使用压电元件(piezoelectric element)或热电转换元件(拍耳帖元件(Peltier element))等其他发电方法进行电池9635的充电。例如，也可以使用以无线(不接触)的方式能够收发电力来进行充电的无线电力传输模块或组合其他充电方法进行充电。
[0162]另外，如果具备上述实施方式所说明的显示装置，则不局限于图5A至图5C所示的电子设备。
[0163]本实施方式所示的电子设备或照明装置应用上述实施方式所示的半导体装置而构成。因此，可以制造可靠性高的电子设备或照明装置。
[0164]本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。
标号说明
[0165]100密封体
110元件形成衬底 112布线层 114半导体元件 120対置衬底 122金属层 123密封构件 124密封层 144半导体元件 150激光200元件形成衬底202对置衬底
204FPC
205外部连接电极206布线层208连接层211像素部212源极驱动电路213栅极驱动电路220发光元件221电极
222EL 层
223电极231晶体管232晶体管233晶体管234晶体管235绝缘层236间隔物237绝缘层238绝缘层239绝缘层241绝缘层242黑矩阵243滤色片245密封层248金属层250液晶元件251电极252液晶253电极254间隔物255保护层256晶体管257绝缘层300区域302区域7100电视装置7101 框体7103显示部7105支架7107显示部7109操作键7110遥控操作机
7201主体
7202框体7203显示部7204键盘
7205外部连接端口7206指向装置
7301框体
7302框体7303联结部7304显示部7305显示部7306扬声器部
7307记录媒体插入部
7308LED 灯7309操作键7310连接端子7311传感器7312麦克风7400移动电话机
7401框体7402显示部7403操作按钮7404外部连接端口7405扬声器7406麦克风7500照明装置
7501框体7503a半导体装置7503b半导体装置7503c半导体装置7503d半导体装置
9033夹子9034开关9035电源开关9036开关9038操作开关9630 框体9631显示部9631a显示部9631b 显示部9632a 区域9632b 区域9633太阳能电池9634充放电控制电路
9635电池
9636D⑶C转换器9637操作键9638转换器9639 按钮
【权利要求】
1.一种密封体，包括: 设置有布线层的第一衬底； 设置有金属层的第二衬底；以及 粘合所述第一衬底和所述第二衬底的密封层， 其中，所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬底之间， 并且，所述金属层重叠于所述布线层与所述密封层的一部分。
2.根据权利要求1所述的密封体， 其中，所述布线层介于所述第一衬底与所述密封层之间， 并且，所述金属层介于所述密封层与所述第二衬底之间。
3.根据权利要求1所述的密封体， 其中，所述布线层从所述密封层的内侧延伸到外侧。
4.根据权利要求1所述的密封体， 其中，所述金属层包含半透过材料。
5.根据权利要求1所述的密封体， 其中，所述密封层包含玻璃。
6.根据权利要求1所述的密封体， 其中，所述密封层为闭环状。
7.根据权利要求1所述的密封体，还包括所述第一衬底与所述第二衬底之间的液晶元件。
8.根据权利要求1所述的密封体，还包括所述第一衬底与所述第二衬底之间的发光元件。
9.一种密封体，包括: 设置有布线层的第一衬底； 设置有金属层的第二衬底；以及 粘合所述第一衬底和所述第二衬底的密封层， 其中，所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬底之间， 所述金属层重叠于所述布线层与所述密封层的一部分， 并且，所述金属层接触于所述密封层的所述一部分。
10.根据权利要求9所述的密封体， 其中，所述布线层介于所述第一衬底与所述密封层之间， 并且，所述金属层介于所述密封层与所述第二衬底之间。
11.根据权利要求9所述的密封体， 其中，所述布线层从所述密封层的内侧延伸到外侧。
12.根据权利要求9所述的密封体， 其中，所述金属层包含半透过材料。
13.根据权利要求9所述的密封体， 其中，所述密封层包含玻璃。
14.根据权利要求9所述的密封体， 其中，所述密封层为闭环状。
15.根据权利要求9所述的密封体，还包括所述第一衬底与所述第二衬底之间的液晶元件。
16.根据权利要求9所述的密封体，还包括所述第一衬底与所述第二衬底之间的发光元件。
17.根据权利要求9所述的密封体， 其中，所述金属层的光透过率比所述第二衬底的光透过率低。
18.一种密封体的制造方法，包括如下步骤: 在第一衬底上形成布线层； 在第二衬底上形成金属层； 在所述第二衬底上形成密封构件，该密封构件包含玻璃； 重叠所述第一衬底与所述第二衬底，并使所述布线层及所述金属层介于所述第一衬底与所述第二衬底之间，并且使所述金属层重叠于所述布线层；以及 对密封构件进行加热以使所述第一衬底与所述第二衬底被密封层粘合。
19.根据权利要求18所述的密封体的制造方法， 其中，作为对所 述密封构件进行加热的步骤，进行激光照射处理。
【文档编号】H01L27/32GK103811528SQ201310534882
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月1日 优先权日:2012年11月2日
【发明者】中村太纪, 窪田勇介, 西户祐典 申请人:株式会社半导体能源研究所