固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相的制造方法
【专利摘要】一种固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相机。该固态图像传感器包括：具有第一面和第二面的半导体层以及被布置在第一面那一侧的布线结构，其中，光电转换器被布置在半导体层中并且光入射在第二面上。布线结构包括：反射部分，具有反射区域并且被布置用于光电转换器中的至少一些；吸收部分，被布置在反射区域周围；绝缘体部分，被布置为围绕吸收部分；以及层间绝缘膜，被布置在第一面与反射部分、光吸收部分和绝缘体部分的群组之间，以及光吸收部分的反射率小于反射区域的反射率，光吸收部分的光透射率小于绝缘体部分的光透射率。
【专利说明】固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法及相机
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种固态图像传感器、一种制造固态图像传感器的方法以及一种相机。
【背景技术】
[0002]已经需要改进在数字摄像机、数字静物照相机等中所使用的固态图像传感器的灵敏度。日本专利公开N0.2011-151420公开了一种所谓的背面照射固态图像传感器。在背面照射固态图像传感器中，如果半导体层具有例如若干Pm或更小的厚度，则具有已经通过微透镜的入射光的长波长分量在未被充分吸收的情况下通过半导体层。根据日本专利公开N0.2011-151420，在半导体层的布线层侧的整个表面上提供用于向半导体层返回已经通过半导体层的光的反射层。可以通过将已经通过半导体层的光返回到半导体层中所包括的光电转换器来改进灵敏度。
[0003]然而，于在半导体层的布线层侧的整个表面上提供反射层的布置中，颜色混合可能出现。更具体地说，已经通过第一像素并且然后偏斜地进入第一像素和与其邻近的第二像素之间的反射层的一部分的光可能受该部分反射以进入第二像素。在此情况下，应在第一像素中所检测到的光实际上在第二像素中检测到，由此产生颜色混合。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种有益于减少颜色混合的技术。
[0005]本发明的第一方面提供一种固态图像传感器，其包括:半导体层，具有第一面和第二面；以及布线结构，其被布置在第一面那一侧，其中，多个光电转换器被布置在半导体层中，其中，来自物体的光入射在第二面上，其中，布线结构包括:多个反射部分，被布置用于多个光电转换器中的至少一些，多个反射部分中的每一个都具有反射区域；多个光吸收部分，其中的每一个被布置在多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域周围；绝缘体部分，被布置为围绕多个光吸收部分中的每一个；以及层间绝缘膜，被布置在第一面与多个反射部分、多个光吸收部分和绝缘体部分的群组之间，其中，多个光吸收部分中的每一个的反射率小于反射部分中的对应一个反射部分的反射区域的反射率，多个光吸收部分中的每一个的光透射率小于绝缘体部分的光透射率。
[0006]本发明的第二方面提供一种制造固态图像传感器的方法，所述固态图像传感器包括具有第一面和第二面的半导体层以及被布置在第一面那一侧的布线结构，其中，多个光电转换器被布置在半导体层中，其中，来自物体的光入射在第二面上，其中，布线结构包括:多个反射部分，其被布置用于多个光电转换器中的至少一些，多个反射部分中的每一个都具有反射区域；多个光吸收部分，其中的每一个被布置在多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域周围；绝缘体部分，其被布置为围绕多个光吸收部分中的每一个；以及层间绝缘膜，其被布置在第一面与多个反射部分、多个光吸收部分和绝缘体部分的群组之间，其中，多个光吸收部分中的每一个的反射率小于反射部分中的对应一个反射部分的反射区域的反射率，并且多个光吸收部分中的每一个的光透射率小于绝缘体部分的光透射率，该方法包括以下步骤:在半导体层的第一面上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜上形成多个光吸收部分和多个反射部分，并且形成绝缘体部分以围绕所述多个光吸收部分中的每一个。
[0007]本发明的第三方面提供一种相机，其包括:根据本发明的第一方面所指定的固态图像传感器；以及处理器，其处理从固态图像传感器输出的信号。
[0008]根据参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清楚。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是示意性示出根据本发明第一实施例的固态图像传感器的截面结构的截面图；
[0010]图2是示意性示出根据本发明第一实施例的固态图像传感器的截面结构的截面图；
[0011]图3是示出沿着图1所示的虚拟平面P所取得的布线结构的截面图；
[0012]图4是示意性示出根据本发明第一实施例的固态图像传感器的截面结构的截面图；
[0013]图5是示意性示出根据本发明第二实施例的固态图像传感器的截面结构的截面图；
[0014]图6A和图6B分别是示意性示出根据本发明第三实施例的固态图像传感器的截面结构的截面图；
[0015]图7是用于解释本发明第四实施例的示图；
[0016]图8A和图8B是用于解释本发明第四实施例的示图；
[0017]图9A至图9C是用于解释本发明第四实施例的示图；
[0018]图1OA和图1OB是用于解释本发明第四实施例的示图；
[0019]图1lA和图1lB是用于解释本发明第四实施例的示图；
[0020]图12A至图12E是例示制造根据本发明第一实施例的固态图像传感器的方法的示图；以及
[0021]图13是示出比较性示例的示图。
【具体实施方式】
[0022]图1示意性示出根据本发明第一实施例的固态图像传感器100的截面结构。注意，图1仅示出三个像素，但固态图像传感器100可以包括更多数量的像素。固态图像传感器100可以包括具有第一面I和第二面2的半导体层101、二维地布置在半导体层101中的多个光电转换器102、以及被布置在第一面I那一侧的布线结构WS。固态图像传感器100被配置以使得来自物体的光通过成像透镜入射在第二面2上。也就是说，固态图像传感器100被形成为背面照射固态图像传感器，其中，布线结构被布置在半导体层的第一面那一侧并且来自物体的光入射在半导体层的第二面。多个微透镜113通常可以被布置在第二面2那一侧上。平坦化层112可以被布置在半导体层101的第二面2与微透镜113之间。虽然未示出，但彩色滤波器层可以被布置在平坦化层112与微透镜113之间。
[0023]半导体层101可以例如以硅制成。多个光电转换器102 二维地被布置在半导体层101中。作为示例，半导体层101可以具有第一导电类型的半导体区域，并且光电转换器102可以包括在第一导电类型的半导体区域内所布置的第二导电类型的半导体区域。注意，第一导电类型和第二导电类型彼此相反。一个像素通常包括一个光电转换器102。像素或像素内所包括的元件通过隔离部分而彼此电隔离。隔离部分可以包括绝缘体(如LOCOS(硅的局部氧化)或STI (浅槽隔离))。或者，隔离部分可以包括延伸通过半导体层101的绝缘体(如DTI (深槽隔离))。在使用延伸通过半导体层101的绝缘体的实施例中，半导体层101可以通过隔离部分而划分为多个部分。由于绝缘体通常是透明的，因此偏斜入射光容易进入邻近像素。因此，在这样的实施例中，可以获得减少颜色混合的效果。
[0024]多个晶体管被布置在半导体层101的第一面I上。每个晶体管的源极和漏极形成在半导体层101中，每个晶体管的栅极经由栅极绝缘膜而被布置在半导体层101的第一面I上。这多个晶体管可以包括例如转移晶体管，其在半导体层101中形成用于将光电转换器102中所累积的电荷转移到浮置扩散区的沟道。这多个晶体管可以还包括用于复位浮置扩散区的电势的复位晶体管以及用于将与浮置扩散区的电势对应的信号输出到垂直信号线路的放大晶体管。
[0025]图1示出转移晶体管的栅极103作为所述多个晶体管的示例。栅极103可以例如以多晶硅制成。布线结构WS被布置在半导体层101的第一面I那一侧。布线结构WS可以包括:层间绝缘膜119，其覆盖半导体层101的第一面I和栅极103 ;布线层108、109和110 ；以及层间绝缘膜105。布线层108、109和110被布置在层间绝缘膜105中。层间绝缘膜119和105可以通过相同材料或不同材料制成。在示例中，层间绝缘膜119和105可以是硅氧化物膜。栅极103经由接触插塞(contact plug) 104连接到布线层108的布线图案。
[0026]在图1所示的示例中，布线层108、109和110形成三层布线结构WS。然而，布线结构WS中的布线层的数量不限于三层。在图1所示的示例中，最低层(第一层)的布线层108包括多个反射部分106。每个反射部分106具有反射区域RR。尚未受半导体层101的光电转换器102吸收的已经通过微透镜113进入的光的一部分进入反射部分106的反射区域RR，受反射区域RR反射而返回到光电转换器102，并且受光电转换器102光电转换。以此方式，可以通过在半导体层101的第一面I那一侧提供反射部分106来改进灵敏度。
[0027]在图13所示的比较性示例中，已经偏斜地通过光电转换器102的光120进入反射部分106的外侧部分，并且受其反射。受外侧部分所反射的光121可以进入与光120已经穿过的光电转换器102相邻的光电转换器102。这可能产生颜色混合。
[0028]在第一实施例中，如图1所示，在布线结构WS中提供分别布置在多个反射部分106的反射区域RR周围的多个光吸收部分107。每个光吸收部分107可以被布置为围绕多个反射部分106中的对应反射部分的反射区域RR。此外，绝缘体部分INS被布置为围绕多个光吸收部分中的每一个。绝缘体部分INS可以典型地是层间绝缘膜105的一部分。每个光吸收部分107可以例如以导电材料制成。层间绝缘膜119被布置在半导体层101的第一面I与多个反射部分106、多个光吸收部分107和绝缘体部分INS之间。
[0029]反射部分106的反射区域RR和光吸收部分107的光入射表面131可以布置在一个虚拟平面P上。每个光入射表面131是对应光吸收部分107的两个表面之一，其经由层间绝缘膜119面对半导体层101的第一面I。光吸收部分107和反射部分106可以被布置以使得它们的外边缘彼此一致。注意，光吸收部分107可以吸收在其上入射的所有光。或者，光吸收部分107可以仅吸收已经到达此处的光的一部分。已经从半导体层101那一侧到达光吸收部分107的光入射表面131的光的一部分，可以受光吸收部分107与层间绝缘膜119之间的界面(即光入射表面131)反射。或者，尚未受光吸收部分107吸收的光可以受光入射表面131的相对侧上的表面(即光吸收部分107与反射部分106之间的界面)反射，返回到光吸收部分107，然后受其吸收。
[0030]多个光吸收部分107中的每一个的反射率都小于多个反射部分106中的每一个的反射区域RR的反射率。多个光吸收部分107中的每一个的光透射率小于绝缘体部分INS的光透射率。降低光吸收部分107的反射率有助于减少颜色混合。因此，在减少颜色混合方面，可以使得光吸收部分107的反射率尽可能小。此外，降低光吸收部分107的光透射率(即增加光吸收部分107的光吸收量)有助于减少颜色混合。因此，在减少颜色混合方面，可以使得光吸收部分107的光透射率尽可能小。
[0031]在图1所示的示例中，反射部分106被布置在最低层(即第一层)的布线层108中。然而，如图2所示，反射部分106可以被布置在另一布线层(例如布线层109，其为第二层的布线层)中。或者，反射部分106可以被布置在布线层110 (其为第三层的布线层)中。
[0032]图3例示沿着图2所示的虚拟平面P取得的布线结构WS。光吸收部分107被布置在对应反射区域RR周围。因此，在虚拟平面P上，反射区域RR被布置在光吸收部分107与反射部分106的中心之间的区域中。参照图3,光吸收部分107被布置为围绕反射部分106的反射区域RR，绝缘体部分INS被布置为围绕光吸收部分107。在图3中，矩形114示意性地示出一个像素区域。注意，在图3中，光吸收部分107被布置在反射区域RR的整个周边上。然而，光吸收部分107可以被布置为仅部分地围绕反射区域RR。例如，有时期望在不同方向上调整与邻近像素的颜色混合比率。在此情况下，光吸收部分107可以被布置在靠近优选要减少颜色混合的像素的部分中，而其可以在其余部分中省略。或者，可以间断地布置光吸收部分107。反射部分106的在半导体层101那一侧的表面的未布置光吸收部分107的部分可以是反射区域RR的部分。
[0033]除了不传送电信号的反射部分106之外，还可以在布线层111的布线图案之下提供光吸收部分107，以用于传送电信号。如图4所例示的那样，例如，可以在布线层108上所布置的布线图案之下提供光吸收部分107。
[0034]以下将参照图12A至图12E描述制造图4所示的固态图像传感器100的方法。在图12A所示的处理中，通过将硼植入n型半导体层101来形成p型阱区域(未示出)。此外，通过将磷植入阱区域来形成光电转换器102。此后，在半导体层101的第一面I上形成氧化膜(未示出)，在氧化膜上形成多晶硅膜。通过对多晶硅膜进行图案化来形成转移晶体管的栅极103、复位晶体管和放大晶体管的栅极(未示出)。
[0035]层间绝缘膜119形成在半导体层101的第一面I上，以覆盖第一面I和栅极，然后层间绝缘膜119的表面被平坦化。层间绝缘膜119优选地以例如具有针对可见光或红外光的透明性的材料制成。层间绝缘膜119可以通过(a)硅氧化物、(b)掺杂有磷、硼、氮、氟等的硅氧化物、(C)氮化硅或(d)丙烯酸树脂制成。
[0036]接触孔形成为延伸通过层间绝缘膜119。导电材料膜形成在接触孔中以及层间绝缘膜119上。导电材料膜被抛光，由此形成接触插塞104。
[0037]在图12B所示的处理中，光吸收材料膜形成为覆盖层间绝缘膜119，然后被图案化，由此形成光吸收材料图案107’。光吸收材料图案107’在其中的每一个中应形成反射区域RR的区域中具有开孔OP。注意，光吸收材料膜(光吸收材料图案107’)是用于形成光吸收部分107的膜(图案)，其反射率小于每个反射部分106的反射区域RR的反射率，其透射率小于绝缘体部分INS的透射率。光吸收材料膜(光吸收材料图案107’ )可以例如以导电材料(如氮化钛(TiN)或碳化硅(SiC))制成。可以通过例如以氮化钛(TiN)膜和碳化硅(SiC)膜构成的多层化膜来制成光吸收材料膜(光吸收材料图案107’)。光吸收材料膜可以通过用于势垒金属的材料制成。
[0038]在图12C所示的处理中，反射材料膜106’形成为覆盖层间绝缘膜119和光吸收材料图案107’。注意，反射材料膜106’可以被看作用于形成包括多个反射部分106的布线层108的膜(即布线材料膜)。
[0039]反射材料膜106’可以通过导电材料制成。导电材料优选的是作为具有适当反射率和导电性的材料。反射材料膜106’可以包含铝、铜、金、钨、钛或钽作为主要成分。如果把具有大扩散系数的材料(如铜)用于反射材料膜106’，则堆叠防扩散膜以覆盖反射材料膜106’是优选的。对于防扩散膜，例如，可以使用氮化硅或碳化硅。可以在不同的工艺中使用不同的材料来形成反射部分106以及除了反射部分106之外的布线层108的部分。在此情况下，反射部分106可以通过具有低导电性的材料制成，除了反射部分106之外的布线层108的部分可以通过具有低反射率的材料制成。
[0040]在图12D所示的处理中，通过蚀刻来图案化反射材料膜106’，以便形成多个反射部分106。此外，对通过蚀刻反射材料膜106’而暴露的光吸收材料图案107’的一部分进行蚀刻。通过该处理，形成多个反射部分106和多个光吸收部分107。
[0041]在图12E所示的处理中，层间绝缘膜105形成为覆盖层间绝缘膜119和多个反射部分106，然后被平坦化，由此在其上形成布线层109。相似地，层间绝缘膜105形成为覆盖布线层109，然后被平坦化，由此在其上形成布线层110。以此方式，形成布线结构WS。层间绝缘膜105可以是例如硅氧化物膜。
[0042]此后，支撑衬底(未示出)可以接合到布线结构WS的表面侧。支撑衬底对于改进机械强度是有用的。例如，硅衬底等可以用作支撑衬底。
[0043]半导体层101的第二面2被抛光并且平坦化。在第二面2那一侧，可以根据需要形成平坦化层112、彩色滤波器(未示出)和微透镜113。
[0044]以下将参照图5描述根据本发明第二实施例的固态图像传感器100。注意，第二实施例中未提到的点可以符合第一实施例。在第二实施例中，多个反射部分106形成为用于传送电信号的布线图案的一部分。例如，每个反射部分106可以形成为连接到转移晶体管的栅极103、源极或漏极的布线图案的一部分。或者，每个反射部分106可以形成为连接到复位晶体管或放大晶体管的栅极、源极或漏极的布线图案的一部分。或者，每个反射部分106可以形成为信号从像素输出到的垂直信号线路的一部分。或者，每个反射部分106可以形成为用于将基准接地电压提供给像素的布线图案的一部分。
[0045]在第二实施例中，可以通过将每个反射部分106形成为用于传送电信号的布线图案的一部分来改进布线的自由度。每个反射部分106可以形成为用于在除了第一层的布线层108之外的布线层(例如第二层的布线层109或第三层的布线层110)中传送电信号的布线图案的一部分。[0046]以下将参照图6A和图6B描述根据本发明第三实施例的固态图像传感器100。注意，第三实施例中未提及的点可以符合第一实施例和第二实施例中的至少一个。
[0047]多个光电转换器102包括:第一光电转换器102，第一波长范围的光入射在其上；第二光电转换器102,第二波长范围的光入射在其上；以及第三光电转换器102,第三波长范围的光入射在其上。注意，第二波长范围内的波长比第一波长范围内的波长更短，第三波长范围内的波长比第二波长范围内的波长更短。更具体地说，第一波长范围可以是红色(R)波长范围，第二波长范围可以是绿色(R)波长范围，第三波长范围可以是蓝色(B)波长范围。参照图6A和图6B，标号R、G和B分别表示用于检测红色(R)波长范围的光、绿色(G)波长范围的光、以及蓝色(B)波长范围的光的像素。
[0048]在第三实施例中，多个反射部分106被布置用于仅第一光电转换器(R)或仅第一光电转换器(R)和第三光电转换器(G)。即，在第三实施例中，对于多个光电转换器102中的一些分别提供反射部分106。注意，在第一实施例中，对于多个光电转换器102中的全部分别提供反射部分106。据第一实施例和第三实施例，显见,仅需对于多个光电转换器102中的至少一些提供反射部分106。
[0049]半导体层101的第二面2上入射的光经半导体层101吸收直到其到达第一面I的比率随着光的波长更长而变得更小。即，到达第一面I的光束的比率按红色(R)像素、绿色(G)像素和蓝色(B)像素的顺序变大。即，通过提供反射部分106和光吸收部分107来改进灵敏度并减少颜色混合的效果在红色(R)像素中是最大的。因此，如图6A所示，可以仅在红色(R)像素中提供反射部分106和光吸收部分107。或者，如图6B所示，可以仅在红色(R)像素和绿色(g)像素中提供反射部分106和光吸收部分107。
[0050]当多个像素的布局彼此不同时，第三实施例是有用的，并且例如当多个光电转换器102共享浮置扩散区时，在所有像素中提供反射部分106和光吸收部分107是困难的。
[0051]以下将参照图7至图1lB描述根据本发明第四实施例的固态图像传感器100。注意，第四实施例中未提及的点可以符合第一实施例至第三实施例中的至少一个。在根据第四实施例的固态图像传感器100中，根据半导体层101中光电转换器102的位置来确定光电转换器102与对应反射区域RR和光吸收部分107之间的相对位置。
[0052]当半导体层101中的光电转换器102的位置改变时，通过半导体层101的第一面I的光的方向也改变。优选地，根据光电转换器102在半导体层101中的位置来改变与光电转换器102对应的反射区域RR和光吸收部分107的形状。这也可以进行为使得在由多个光电转换器102的阵列形成的整个成像区域上的灵敏度和颜色混合非均匀性分别落入容限范围内。
[0053]以下将参照图7至图1lB基于实际示例来解释第四实施例。图7示出多个光电转换器102的阵列所形成的成像区域。参照图7，标号PU、PUR、PL、PC、PR、PDL和表示光电转换器102 (像素)在成像区域中的位置。图8A和图8B中的每一个示意性示出在图7所示的位置PU和PUR中的每一个处布置的四个像素的反射区域RR(反射部分106)、光吸收部分107、以及绝缘体部分INS (层间绝缘膜105)。图9A至图9C中的每一个示意性示出在图7所示的位置PL、PC和PR中的每一个处布置的四个像素的反射区域RR (反射部分106)、光吸收部分107以及绝缘体部分INS (层间绝缘膜105)。图1OA和图1OB中的每一个示意性示出在图7所示的位置PDL和中的每一个处布置的四个像素的反射区域RR (反射部分106)、光吸收部分107以及绝缘体部分INS (层间绝缘膜105)。图1lA和图1lB中的每一个是示出沿着平行于X方向的切割表面取得的在图7所示的位置PL和PR中的每一个处布置的像素的截面图。
[0054]在像素区域的外侧部分中布置的像素114中，光吸收部分107的宽度在像素区域的外边缘侧比在像素区域的中心侧更大。相应地，反射区域RR的形状改变。在像素区域的中心侧的部分中，可以省略光吸收部分107并且反射区域RR的边缘可以与绝缘体层的边界—致。
[0055]作为根据上述实施例中的每一个的固态图像传感器的应用，以下将示例性地描述包括固态图像传感器的相机。相机在构思上不仅包括其主要目的是拍照的设备，而且还包括附加地提供有拍照功能的设备(例如个人计算机或便携式终端)。相机包括已经在以上实施例中例示的根据本发明的固态图像传感器、以及用于处理从固态图像传感器输出的信号的处理单元。处理单元可以包括例如A/D转换器、以及用于处理从A/D转换器输出的数字数据的处理器。
[0056]虽然已经参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围将要被赋予最宽泛的解释，以便包括所有这样的修改以及等同结构和功能。
【权利要求】
1.一种固态图像传感器，包括: 半导体层，具有第一面和第二面；以及 布线结构，被布置在第一面那一侧， 其中，多个光电转换器被布置在半导体层中， 其中，来自物体的光入射在第二面上， 其中，布线结构包括: 多个反射部分，被布置用于所述多个光电转换器中的至少一些光电转换器，所述多个反射部分中的每一个都具有反射区域； 多个光吸收部分，其中的每一个被布置在所述多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域周围； 绝缘体部分，被布置为围绕所述多个光吸收部分中的每一个； 层间绝缘膜，被布置在第一面与所述多个反射部分、所述多个光吸收部分和所述绝缘体部分的群组之间，以及 其中，所述多个光吸收部分中的每一个的反射率小于所述多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域的反射率，并且所述多个光吸收部分中的每一个的光透射率小于所述绝缘体部分的光透射率。
2.如权利要求1所述的传感器，其中，光吸收部分由导电材料制成。
3.如权利要求1所述的传感器，其中，光吸收部分具有经由所述层间绝缘膜而面向所述第一面的光入射表面以及在所述光入射表面的相对侧的表面，以及 其中，反射部分包括覆盖在所述相对侧的所述表面的部分。
4.如权利要求3所述的传感器，其中，光吸收部分的外边缘与反射部分的外边缘相一致。
5.如权利要求1所述的传感器，其中，所述多个反射部分被形成为用于传送电信号的布线图案的一部分。
6.如权利要求1所述的传感器，其中，所述多个光电转换器包括:第一光电转换器，第一波长范围的光入射在其上；第二光电转换器，具有比所述第一波长范围短的第二波长范围内的波长的光入射在其上；以及第三光电转换器，具有比所述第二波长范围短的第三波长范围内的波长的光入射在其上，以及 其中，仅针对所述第一光电转换器或仅针对所述第一光电转换器和所述第二光电转换器来提供所述多个反射部分和所述多个光吸收部分。
7.如权利要求1所述的传感器，其中，根据光电转换器在所述半导体层中的位置来确定与光电转换器对应的反射部分和光吸收部分的形状。
8.如权利要求1所述的传感器，其中，所述多个光吸收部分中的每一个被布置为围绕所述多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域。
9.一种制造固态图像传感器的方法，所述固态图像传感器包括具有第一面和第二面的半导体层以及被布置在第一面那一侧的布线结构， 其中，多个光电转换器被布置在所述半导体层中， 其中，来自物体的光入射在所述第二面上， 其中，所述布线结构包括:多个反射部分，其被布置用于所述多个光电转换器中的至少一些，所述多个反射部分中的每一个都具有反射区域；多个光吸收部分，其中的每一个被布置在所述多个反射部分中的对应一个反射部分的反射区域周围；绝缘体部分，其被布置为围绕所述多个光吸收部分中的每一个；以及层间绝缘膜，其被布置在所述第一面与所述多个反射部分、所述多个光吸收部分和所述绝缘体部分的群组之间，以及 其中，所述多个光吸收部分中的每一个的反射率小于所述反射部分中的对应一个反射部分的反射区域的反射率，并且所述多个光吸收部分中的每一个的光透射率小于所述绝缘体部分的光透射率，并且该方法包括以下步骤: 在所述半导体层的所述第一面上形成所述层间绝缘膜， 在所述层间绝缘膜上形成所述多个光吸收部分和所述多个反射部分，并且 形成所述绝缘体部分以围绕所述多个光吸收部分中的每一个。
10.如权利要求9所述的方法，其中， 形成所述多个光吸收部分和所述多个反射部分的步骤包括以下步骤: 在所述层间绝缘膜上形成光吸收材料图案，所述光吸收材料图案包括所述多个光吸收部分的预期部分并且具有在所述反射区域的预期区域中的开孔， 形成反射材料膜以覆盖所述层间绝缘膜和所述光吸收材料图案， 通过蚀刻来对所述反射材料膜进行图案化，以便形成所述多个反射部分，并且 蚀刻所述光吸收材料图案的通过对所述反射材料膜进行蚀刻而暴露的一部分。
11.一种相机，包括: 根据权利要求1所述的固态图像传感器；以及 处理器，处理从所述固态图像传感器输出的信号。
【文档编号】H01L27/146GK103811508SQ201310557942
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月12日 优先权日:2012年11月12日
【发明者】曾田岳彦 申请人:佳能株式会社