一种片式esd静电抑制器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种片式ESD静电抑制器，包括静电抑制器基体，沿所述基体的长度和/或宽度方向设置有至少两对外电极，每一对外电极分别通过在所述基体内部对应设置的内电极相连，所述内电极沿其导电方向至少有一段由ESD防护材料分隔。本发明提供了一种结构简单、体积小且电性能好的片式ESD静电抑制器。
【专利说明】—种片式ESD静电抑制器
【技术领域】
[0001]本发明涉及静电防护器件，特别是一种片式ESD静电抑制器。
【背景技术】
[0002]随着HDM1、USB3.0等高频信号传输接口的普及，并且通信、网络信号传输速率日益增高，较高的电容会造成在高速信号传输过程中信号的衰减及失真，因此在对电路进行ESD (静电释放)防护时会要求ESD防护元器件的电容量越小越好。在同一印刷电路板(Printed Circuit Board，缩略词为PCB)线路采用多个片式ESD防护元器件时，常常会因为占用过多线路面积，导致电路复杂化，带来电路设计、维护方面的隐患。如何提供占位空间小、结构简化且方便使用的片式ESD防护器件，是满足各种电路保护的应用要求亟待解决的问题。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单、体积小且电性能好的片式ESD静电抑制器。
[0004]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
[0005]一种片式ESD静电抑制器，包括静电抑制器基体，沿所述基体的长度和/或宽度方向设置有至少两对外电极，每一对外电极分别通过在所述基体内部对应设置的内电极相连，所述内电极沿其导电方向至少有一段由ESD防护材料分隔。
[0006]优选地:
[0007]所述至少两对外电极沿所述基体的长度方向设置在所述基体的两侧，每对外电极分别通过沿所述基体的宽度方向设置在所述基体的内部的一个内电极相连。
[0008]所述至少两对外电极包括沿所述基体的长度方向两两相对的4对、6对或8对外电极。
[0009]所述至少两对外电极包括沿所述基体的长度方向设置在所述基体的两侧的至少两个外电极，以及沿所述基体的宽度方向设置在所述基体的两端的至少两个外电极，其中，设置在所述基体的一侧的外电极通过对应的内电极与设置在所述基体的一端的外电极相连，设置在所述基体的另一侧的外电极通过对应的内电极与设置在所述基体的另一端的外电极相连。
[0010]设置在所述基体的两侧的至少两个外电极为两两相对的4对、6对或8对外电极，设置在所述基体的两端的至少两个外电极为I对外电极。
[0011]所述内电极包括沿所述基体的长度方向设置的一条中心纵向内电极和对应于每个外电极设置的多个横向内电极，设置在所述基体的两侧的外电极与相应的横向内电极相连，各横向内电极均通过ESD防护材料与所述中心纵向内电极相连，所述中心纵向内电极的两端分别与设置在所述基体的两端的外电极相连。
[0012]所述ESD防护材料的主要成分为锆、钛、钨、镍、银、硅、铝、硼、锌或锶的氧化物，并含有玻璃相和/或陶瓷相。
[0013]所述ESD防护材料的厚度为I μ m?50 μ m。
[0014]所述基体为玻璃陶瓷基体，主要成分为氧化硅、氧化铝、氧化锆中的一种。
[0015]所述内电极厚度为Ιμπι?20 μπι，宽度不超过外电极的宽度，所述内电极由所述ESD防护材料分隔的间隙为10 μ m?100 μ m。
[0016]所述基体为长方体形。
[0017]本发明的有益技术效果:
[0018]本发明的片式ESD静电抑制器在一个基体上实现了多个可独立/同时使用的单体ESD静电抑制器，可以显著减小静电抑制器在PCB板上的占用空间，既缩小了器件尺寸，减小了产品的体积，也为电子线路设计和制作提供更多便利。同时，该ESD静电抑制器的结构也有利于实现超低电容量的ESD静电抑制器，故可以运用于传输信号速度更快的线路而不会造成在高速信号传输过程中信号的衰减及失真。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是本发明片式ESD静电抑制器一种实施例的爆炸图；
[0020]图2是本发明片式ESD静电抑制器另一种实施例的立体透视结构图；
[0021]图3是图2的长度方向剖视图；
[0022]图4是图1所示实施例的立体透视结构图；
[0023]图5是图4的长度方向剖视图。
【具体实施方式】
[0024]以下结合附图对本发明的实施例作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本发明的范围及其应用。
[0025]请参阅图1至图5，在一些实施例里，片式ESD静电抑制器包括静电抑制器基体2，沿所述基体2的长度和/或宽度方向设置有至少两对外电极I，每一对外电极I分别通过在所述基体2内部对应设置的内电极3相连，所述内电极3并非连续的电极材料，其沿导电方向至少有一段由ESD防护材料4分隔。
[0026]如图2和图3所示，在一种实施例里，所述至少两对外电极I沿所述基体2的长度方向设置在所述基体2的两侧，每对外电极I分别通过沿所述基体2的宽度方向设置在所述基体2的内部的一个内电极3相连。例如，所述至少两对外电极I为沿所述基体2的长度方向两两相对的4对(参见图2)、6对或8对外电极I。
[0027]如图1、图4和图5所示，在另一种实施例里，所述至少两对外电极I包括沿所述基体2的长度方向设置在所述基体2的两侧的至少两个外电极1，以及沿所述基体2的宽度方向设置在所述基体2的两端的至少两个外电极1，其中，设置在所述基体2的一侧的每个外电极I通过对应的内电极3与设置在所述基体2的一端的外电极I相连，设置在所述基体2的另一侧的每个外电极I通过对应的内电极3与设置在所述基体2的另一端的外电极I相连。例如，设置在所述基体2的两侧的至少两个外电极I为两两相对的4对(参见图4)、6对或8对外电极1，设置在所述基体2的两端的至少两个外电极I为I对外电极I (参见图4)。[0028]如图1、图4和图5所示，在优选的实施例中，所述内电极3包括沿所述基体2的长度方向设置的一条中心纵向内电极301和对应于每个外电极I设置的多个横向内电极302,设置在所述基体2的两侧的外电极I与相应的横向内电极302相连，各横向内电极302均通过一块ESD防护材料与所述中心纵向内电极301相连，所述中心纵向内电极301的两端分别与设置在所述基体2的两端的外电极I相连。
[0029]所述ESD防护材料的主要成分可以是锆、钛、钨、镍、银、硅、铝、硼、锌或锶的氧化物，并含有玻璃相和/或陶瓷相。优选地，所述ESD防护材料的厚度为I μ m?50 μ m。
[0030]所述基体2可以为玻璃陶瓷基体2，主要成分可以为氧化硅、氧化铝、氧化锆中的一种。
[0031]在优选的实施例中，所述内电极3厚度为Ιμπι?20μπι，宽度不超过外电极I的宽度，所述内电极3由所述ESD防护材料分隔的间隙为10 μ m?100 μ m。
[0032]示例一
[0033]—种如图1、4、5所不的片式ESD静电抑制器,呈长方体状结构,包括外电极1、玻璃陶瓷基体2、内电极3、和ESD防护材料4。沿玻璃陶瓷基体的长度和宽度方向集成八个独立的片式超低电容量ESD静电抑制器，每个单独的超低电容量的ESD静电抑制器的外电极I沿长方体的长度方向并排均匀对称排布，每个外电极I分别与玻璃陶瓷基体2内部相应设置的内电极3以及宽度方向的外电极I连接，内电极采用有间隙结构，用以填充ESD防护材料4，共集成8个ESD静电抑制器。该ESD防护材料为具有ESD抑制特性的功能材料，特别是具有超低介电常数、低触发电压和低嵌位电压特性的材料。当应用于线路时，可以根据不同的需求来进行选择产品的规格、型号。
[0034]示例二
[0035]一种如图2、3所示的片式ESD静电抑制器，呈长方体状结构，外观同【具体实施方式】一为长方体结构，包括外电极1、玻璃陶瓷基体2、内电极3、和ESD防护材料4。区别在于:
[0036]沿玻璃陶瓷基体2的宽度方向没有两两相对的电极，即只沿玻璃陶瓷基体2的长度方向布置了四个独立的片式超低电容量ESD静电抑制器，每个单独的超低电容量的ESD静电抑制器的外电极I沿长方体的长度方向并排均匀对称排布，每对外电极I分别与玻璃陶瓷基体2内部相应设置的内电极3连接，内电极3中间设计一定间隔，用以填充ESD防护材料4，共集成4个ESD静电抑制器。ESD防护材料为具有ESD抑制特性的功能材料，特别是具有超低介电常数、低触发电压和低嵌位电压特性的材料。当应用于线路时，可以根据不同的需求来进行选择产品的规格、型号。
[0037]本发明实施例的ESD静电抑制器不仅可以具有小于等于0.1pf的超低电容量，保证高频信号的正常传输，而且通过简单的结构设计在一个基体上形成了多个ESD静电抑制器，缩小了产品的体积，并可以提供低触发电压和钳位电压，能够有效地满足多功能化、微型化的通信、消费类电子产品的需求。
[0038]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。例如，ESD静电抑制器的基体并不一定为长方体形，例如，可以是在整体上呈长条形。对于本发明所属【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种片式ESD静电抑制器，包括静电抑制器基体，其特征在于，沿所述基体的长度和/或宽度方向设置有至少两对外电极，每一对外电极分别通过在所述基体内部对应设置的内电极相连，所述内电极沿其导电方向至少有一段由ESD防护材料分隔。
2.如权利要求1所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述至少两对外电极沿所述基体的长度方向设置在所述基体的两侧，每对外电极分别通过沿所述基体的宽度方向设置在所述基体的内部的一个内电极相连。
3.如权利要求2所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述至少两对外电极包括沿所述基体的长度方向两两相对的4对、6对或8对外电极。
4.如权利要求1所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述至少两对外电极包括沿所述基体的长度方向设置在所述基体的两侧的至少两个外电极，以及沿所述基体的宽度方向设置在所述基体的两端的至少两个外电极，其中，设置在所述基体的一侧的外电极通过对应的内电极与设置在所述基体的一端的外电极相连，设置在所述基体的另一侧的外电极通过对应的内电极与设置在所述基体的另一端的外电极相连。
5.如权利要求4所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，设置在所述基体的两侧的至少两个外电极为两两相对的4对、6对或8对外电极，设置在所述基体的两端的至少两个外电极为I对外电极。
6.如权利要求4所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述内电极包括沿所述基体的长度方向设置的一条中心纵向内电极和对应于每个外电极设置的多个横向内电极，设置在所述基体的两侧的外电极与相应的横向内电极相连，各横向内电极均通过ESD防护材料与所述中心纵向内电极相连，所述中心纵向内电极的两端分别与设置在所述基体的两端的外电极相连。
7.如权利要求1至6任一项所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述ESD防护材料的主要成分为锆、钛、钨、镍、银、硅、铝、硼、锌或锶的氧化物，并含有玻璃相和/或陶瓷相。
8.如权利要求1至6任一项所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述ESD防护材料的厚度为I μ m?50 μ m。
9.如权利要求1至6任一项所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述内电极厚度为I μ m?20 μ m，宽度不超过外电极的宽度，所述内电极由所述ESD防护材料分隔的间隙为 10 μ m ?100 μ m。
10.如权利要求1至6任一项所述的片式ESD静电抑制器，其特征在于，所述基体为长方体形。
【文档编号】H01C7/108GK103646735SQ201310627239
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月28日 优先权日:2013年11月28日
【发明者】杜士雄, 冯志刚, 贾广平 申请人:深圳顺络电子股份有限公司