一种oled面板及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种OLED面板，包括基板、依次设置在所述基板上的第一电极层、有机功能层及第二电极层；所述第一电极层由若干相交的狭缝隔离成独立的第一电极区块，在相邻的第一电极区块之间形成有覆盖所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的所述狭缝的第一绝缘层，在绝缘层的外部设置有辅助电极，辅助电极与被第一绝缘层遮挡部分边缘的一个第一电极区块形成电连接，在辅助电极外再增加一层第二绝缘层，通过该方式在目前的绝缘层外设置辅助电极，进一步降低了阳极的电阻率，在辅助电极的外侧再设置第二绝缘层，避免电流从这层低电阻率的辅助电极流过发光材料到达第二电极，通过这种方式就实现了对现有技术中OLED面板的辅助电极的设计，降低了发光区的电阻。
【专利说明】—种OLED面板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置，具体地说是一种增加了辅助电极的OLED面板及其制
作方法。
【背景技术】
[0002]在平板显示装置中，OLED显示技术具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因此其应用日益广泛。
[0003]OLED显示屏具有阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层，来自阳极的空穴电子与来自阴极的电子在有机发光层内结合而产生空穴电子对，即激子，由于激子返回基态时产生的能量而发光。
[0004]目前OLED阳极普遍采用透明导电材料如ITO等材料来制备，透明导电材料的电阻率较高，电流流过时会有较大的压降，为了降低压降，一般会在ITO表面用电阻率较低的材料做辅助电极，但是电阻率较低的辅助电极材料一般是不发光的，所以一般情况下只能在不发光的电极引线区域使用，在发光区域内部很少使用。
[0005]在OLED显示屏的发光像素中，为了避免像素间的串扰，提高成品率，会在相连的两个发光像素之间做上绝缘层，并且绝缘层会覆盖住一部分阳极，因此这部分阳极是不能发光的。绝缘层在发光像素的4个边都有，绝缘层区域是不发光的。
[0006]在中国专利文献CN103024960A中公开了一种OLED照明面板及制备方法，所述OLED照明面板包括基板，所述基板上设置ITO阳极层，通过电镀方法在ITO阳极层上设置辅助电极层，所述辅助电极上设置有透明绝缘层。在该技术方案中，通过在透明绝缘层和ITO阳极之间设置辅助电极来降低阳极的电阻率，但是由于辅助电极直接设置在ITO阳极上，且位于其透明绝缘层下部，因此该类型的辅助电极只能设置到单个ITO阳极上。如果设置在相连的两个发光像素之间存在的绝缘层内时，则会引起相邻的两个阳极短路，可见该辅助电极的设置方式无法适用于相邻的像素点之间的绝缘层上。
【发明内容】
[0007]为此，本发明所要解决的技术问题在于现有技术中的辅助电极只适用于单个阳极、无法适用于分开的电极，从而提出一种可适用于分开的电极、减少了辅助电极设置数量的发光装置及其制作方法。
[0008]为解决上述技术问题，本发明的提供一种OLED面板及其制作方法，包括基板、依次设置在所述基板上的第一电极层、有机功能层及第二电极层；所述第一电极层由若干相交的狭缝隔离成独立的第一电极区块，在相邻的第一电极区块之间形成有覆盖所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的所述狭缝的第一绝缘层，在所述第一绝缘层外侧设置有至少一个辅助电极，所述辅助电极与被所述第一绝缘层遮挡住部分边缘的一个第一电极区块形成电连接，在所述辅助电极外侧设置有第二绝缘层。[0009]所述的0LED面板，所述第一绝缘层外侧设置有两个相互绝缘的辅助电极，分别与位于所述第一绝缘层两侧、且被其遮挡住部分边缘的两个第一电极区块形成电连接。
[0010]所述的0LED面板，所述第一绝缘层上具有通孔，所述辅助电极通过该通孔与所述第一电极区块电连接。
[0011]所述的0LED面板，所述辅助电极沿所述第一绝缘层外侧分布且延伸至所述第一电极区块处，且与所述第一电极区块电连接。
[0012]所述的0LED面板，所述辅助电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的剖面的厚度小于1微米。
[0013]一种0LED面板的制作方法，包括如下:
[0014]在基板上制备第一电极层并光刻成若干第一电极区块，在第一电极区块之间形成狭缝，通过绝缘材料覆盖相邻的所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的狭缝形成第一绝缘层；
[0015]在所述第一绝缘层覆盖所述第一电极区块的区域开设通孔；
[0016]在所述第一绝缘层上制作至少一个辅助电极，所述辅助电极通过上述通孔与一个第一电极区块电连接；
[0017]在所述辅助电极外部再制作第二绝缘层。
[0018]一种0LED面板的制作方法，包括如下:
[0019]在基板上制备第一电极层并隔离成若干第一电极区块，通过绝缘材料覆盖所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的所述狭缝形成第一绝缘层；
[0020]在所述第一绝缘层上制作至少一个辅助电极，所述辅助电极覆盖所述第一绝缘层且与所述第一绝缘层两侧的一个第一电极区块电连接；
[0021 ] 在所述辅助电极外部再制作第二绝缘层。
[0022]所述的制作方法，在所述第一绝缘层上制作两个分隔开的所述辅助电极，分别与所述第一绝缘层覆盖的两个第一电极区块形成电连接。
[0023]所述的制作方法，在制作所述第二绝缘层之前，还包括绝缘材料填充步骤，将所述辅助电极之间的间隔用绝缘材料进行填充。
[0024]所述的制作方法，所述辅助电极的材料为Al、Ag、Cu，通过蒸镀或溅射的方法来制作辅助电极。
[0025]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点，
[0026](1)本发明提供一种0LED面板,包括基板以及设置在基板上的第一电极,第一电极分隔成若干第一电极区块，相邻的第一电极区块之间覆盖有第一绝缘层，且第一绝缘层覆盖了第一电极区块的部分边界和第一电极区块之间的狭缝，在绝缘层的外部设置有至少一个辅助电极，辅助电极与一个第一电极区块连接，在辅助电极外再增加一层第二绝缘层，通过该方式在目前的绝缘层外设置辅助电极，进一步降低了第一电极的电阻率，在辅助电极的外侧再设置第二绝缘层，避免了电流从这层低电阻率的辅助电极流过发光材料到达第二电极，限制电流只能从第一电极处流过发光材料再到第二电极，通过这种方式就实现了对现有技术中在相邻第一电极区块之间覆盖绝缘层后的0LED面板的辅助电极的设计，降低了发光区的电阻。
[0027](2)本发明的0LED面板，在所述第一绝缘层外侧设置有分别与所述第一绝缘层两侧的第一电极区块电连接的两个辅助电极，且所述两个辅助电极之间绝缘，这样就实现了在该绝缘层上对其两侧的第一电极区块的辅助电极的设计，有效降低了两侧发光区域的电阻率，通过该方式可以在每个像素点的四周的第一绝缘层上分别设置了辅助电极，大大减少了该像素点的发光区的电阻率。所述两个辅助电极对称设置，使得该像素点及OLED面板的整体结构更加牢固稳定，有利于性能的稳定。
[0028](3)本发明的OLED面板及制作方法，所述第一绝缘层上具有通孔，所述辅助电极通过通孔与所述第一电极区块电连接，可以通过设置通孔的方式实现辅助电极与第一电极区块的连接，只需要在绝缘层上预留出通孔即可，加工方便；另外一种方式是将所述辅助电极沿所述第一绝缘层的外侧延伸至所述第一绝缘层与第一电极区块的连接处，且所述辅助电极与所述第一电极区块电连接，这样也可以实现辅助电极的设置，该两种方式根据需要进行选择，具有广泛的适用性。
[0029](4)本发明的OLED面板及制作方法，在所述第一绝缘层上制作辅助电极时，连接不同第一电极区块的辅助电极之间留有间隙，制作所述第二绝缘层时在所述间隙内填充绝缘材料，这样就有效避免了连接不同第一电极区块的辅助电极之间的短路现象，且通过制作第二绝缘层时即可同步实现。
[0030](5)本发明的OLED面板及制作方法，所述辅助电极的材料为Al、Ag、Cu，通过蒸镀或溅射的方法来制作辅助电极，材料的选择范围广，且实现起来简单方便。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0032]图1是本发明实施例中的像素点的主视图；
[0033]图2是本发明实施例中的像素点的剖视图；
[0034]图3是本发明一个实施例中的OLED面板的剖视图；
[0035]图4是本发明另一个实施例中的OLED面板的剖视图。
[0036]图中附图标记表示为:1-基板；2_阳极区块；3_第一绝缘层；4_辅助电极；5-第二绝缘层；6-通孔。
【具体实施方式】
[0037]实施例1:
[0038]在OLED显示屏的发光像素中，为了避免像素间的串扰，提高成品率，会在相连的两个发光像素之间做上绝缘层，并且绝缘层会覆盖住一部分阳极，因此这部分阳极是不能发光的，参见图1和图2。绝缘层在发光像素的4个边都有，绝缘层区域是不发光的，这样就可以在绝缘层区域增加低导电率的辅助电极，并且跟阳极ITO连接起来，达到降低发光区电阻的目的。
[0039]本实施例中就提供一种适用于该类型的OLED面板的辅助电极的设置方式。本实施例中的OLED面板，包括基板I，在所述基板I上设置有阳极层、有机功能层(如有机发光材料层)、阴极层，所述阳极层由若干相交的狭缝隔离成若干的阳极区块2，在相邻的区块2之间设置有第一绝缘层3，所述第一绝缘层3覆盖所述阳极区块2的边缘以及所述阳极区块之间的狭缝。在所述第一绝缘层3外侧设置有一个辅助电极4，所述辅助电极4与被所述第一绝缘层3遮挡住部分边缘的一个所述阳极区块2电连接，本实施例中所述第一绝缘层3上具有通孔6，所述辅助电极4通过通孔6与所述阳极区块2实现了电连接，在所述辅助电极4的外侧还设置有第二绝缘层5。
[0040]本实施例中的辅助电极为低电阻率材料，如Al、Ag或Cu等，所述辅助电极层的厚度选择为200纳米，作为可以变换的实施方式，所述辅助电极的厚度可以选择小于1微米的尺寸，优选在200纳米至300纳米之间。
[0041]作为进一步优选的实施方式，在所述第一绝缘层3外侧对称设置有两个辅助电极4，其分别与位于所述第一绝缘层3两侧、且被第一绝缘层3遮挡住部分边缘的阳极区块2电连接，并且所述两个辅助电极4之间绝缘，如图3所示。这样就实现了在该第一绝缘层3上对其两侧的阳极区块2的辅助电极4的设计，有效降低了两侧发光区域的电阻率，通过该方式可以在每个像素点的四周的第一绝缘层3上分别设置了辅助电极4，大大减少了该像素点的发光区的电阻率。所述两个辅助电极4对称设置，使得该像素点及0LED面板的整体结构更加牢固稳定，有利于性能的稳定。
[0042]实施例2:
[0043]本实施例提供一种0LED面板的制作方法，包括:
[0044](1)在基板上制备阳极层，然后通过光刻，将阳极层分割成若干阳极区块2，在所述阳极区块2之间形成有狭缝，通过绝缘材料覆盖相邻的阳极区块2的边缘以及这两个阳极区块2之间的狭缝形成第一绝缘层3。这样，在相连的两个发光像素之间做上绝缘层，避免了像素点间的串扰，提高了成品率，并且绝缘层会覆盖住一部分阳极，因此这部分阳极是不能发光的。
[0045](2)在所述第一绝缘层3覆盖两个阳极区块的部分分别开设通孔6。本实施例中，对应两个阳极区块分别开设了通孔6，作为可以变换的实施方式，如果只想对其中的一个阳极区块制作辅助电极，可以只开设对应该阳极区块的通孔。此处的通孔的尺寸受限于所述第一绝缘层3的尺寸，尽量做得大一些即可。
[0046](3)在所述第一绝缘层3上制作辅助电极4，所述辅助电极为Ag或Cu，厚度为300纳米，通过溅射的方式制作。在制备所述辅助电极4时，辅助电极4的材料通过上步骤中的通孔6与阳极区块2连接起来，此步骤中保持所述辅助电极层的宽度尽量与第一绝缘层3的宽度接近，保证辅助电极4的宽度值，达到降低电阻率的效果。此时，连接不同阳极区块2的辅助电极4之间留有间隙，避免阳极区块2之间短路。
[0047](4)首先对辅助电极之间的间隙进行绝缘材料填充，然后在所述辅助电极4外部再制作第二绝缘层5。不仅保证了连接不同阳极区块2的辅助电极4之间绝缘，而且第二绝缘层5也避免了电流从这层低电阻率的辅助电极4流过发光材料到达阴极，限制电流只能从ΙΤ0阳极处流过发光材料再到阴极
[0048]实施例3:
[0049]作为上述实施例1可替换的另外一种实施方式，一种0LED面板，包括基板1，在所述基板1上设置有阳极层、有机功能层(如有机发光材料层)、阴极层，所述阳极层由若干相交的狭缝隔离成若干的阳极区块2，在相邻的区块2之间设置有第一绝缘层3，所述第一绝缘层3覆盖所述阳极区块2的边缘以及所述阳极区块之间的狭缝。所述第一绝缘层3外侧设置有两个相互绝缘的辅助电极4，分别与所述第一绝缘层3覆盖的两个第一电极区块形成电连接，如图4所示，两个辅助电极4分别沿所述第一绝缘层3的外侧延伸至所述第一绝缘层3两侧的阳极区块2处，使得所述辅助电极4与所述阳极区块2实现电连接，在所述辅助电极4的外侧还设置有第二绝缘层5。通过本实施例中的辅助电极4的设置方式，也可以实现有效降低了发光区域的电阻率，使得每个像素点的四周的第一绝缘层3上分别设置了辅助电极4，大大减少了该像素点的发光区的电阻率。
[0050]实施例4:
[0051]本实施例中提供另外一种制备OLED面板的方法，包括如下步骤:
[0052](I)在基板上制备阳极层，然后通过光刻，将阳极层分割成若干阳极区块2，在所述阳极区块2之间形成有狭缝，通过绝缘材料覆盖相邻的阳极区块2的边缘以及这两个阳极区块2之间的狭缝形成第一绝缘层3。这样，在相连的两个发光像素之间做上绝缘层，避免了像素点间的串扰，提高了成品率，并且绝缘层会覆盖住一部分阳极，因此这部分阳极是不能发光的。
[0053](2)在所述第一绝缘层3上制作辅助电极4，辅助电极采用Al，通过蒸镀的方式制作，厚度为250纳米，所述辅助电极4覆盖所述第一绝缘层3且延伸至所述第一绝缘层3与阳极区块2的连接处，使得所述辅助电极4与所述阳极区块2电连接。在所述第一绝缘层3上对称制作分别与所述第一绝缘层3两侧的阳极区块2连接的两个辅助电极4，且这两个辅助电极4之间留有间隙。辅助电极4有效降低了其连接的阳极区块2区域内的电阻率。
[0054](3)首先通过绝缘材料填充上步骤中辅助电极4之间的间隙，然后在所述辅助电极4外部再制作第二绝缘层5，使得连接不同阳极区块2之间的辅助电极4绝缘。第二绝缘层5避免了电流从这层低电阻率的辅助电极4流过发光材料到达阴极，限制电流只能从ITO阳极处流过发光材料再到阴极。
[0055]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【权利要求】
1.一种OLED面板，包括基板、依次设置在所述基板上的第一电极层、有机功能层及第二电极层；其特征在于，所述第一电极层由若干相交的狭缝隔离成独立的第一电极区块，在相邻的第一电极区块之间形成有覆盖所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的所述狭缝的第一绝缘层，在所述第一绝缘层外侧设置有至少一个辅助电极，所述辅助电极与被所述第一绝缘层遮挡住部分边缘的一个第一电极区块形成电连接，在所述辅助电极外侧设置有第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的0LED面板，其特征在于:所述第一绝缘层外侧设置有两个相互绝缘的辅助电极，分别与位于所述第一绝缘层两侧、且被其遮挡住部分边缘的两个第一电极区块形成电连接。
3.根据权利要求1所述的0LED面板，其特征在于:所述第一绝缘层上具有通孔，所述辅助电极通过该通孔与所述第一电极区块电连接。
4.根据权利要求1或2所述的0LED面板，其特征在于:所述辅助电极沿所述第一绝缘层外侧分布且延伸至所述第一电极区块处，且与所述第一电极区块电连接。
5.根据权利要求1或2所述的0LED面板，其特征在于:所述辅助电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的剖面的厚度小于1微米。
6.一种0LED面板的制作方法，其特征在于，包括如下:在基板上制备第一电极层并光刻成若干第一电极区块，在第一电极区块之间形成狭缝，通过绝缘材料覆盖相邻的所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的狭缝形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层覆盖所述第一电极区块的区域开设通孔；在所述第一绝缘层上制作至少一个辅助电极，所述辅助电极通过上述通孔与一个第一电极区块电连接；在所述辅助电极外部再制作第二绝缘层。
7.—种0LED面板的制作方法，其特征在于，包括如下:在基板上制备第一电极层并隔离成若干第一电极区块，通过绝缘材料覆盖所述第一电极区块边缘以及所述第一电极区块之间的所述狭缝形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制作至少一个辅助电极，所述辅助电极覆盖所述第一绝缘层且与所述第一绝缘层两侧的一个第一电极区块电连接；在所述辅助电极外部再制作第二绝缘层。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于:在所述第一绝缘层上制作两个分隔开的所述辅助电极，分别与所述第一绝缘层覆盖的两个第一电极区块形成电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于:在制作所述第二绝缘层之前，还包括绝缘材料填充步骤，将所述辅助电极之间的间隔用绝缘材料进行填充。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于:所述辅助电极的材料为Al、Ag、Cu，通过蒸镀或溅射的方法来制作辅助电极。
【文档编号】H01L51/52GK103700690SQ201310723009
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年12月24日 优先权日:2013年12月24日
【发明者】张祝新 申请人:北京维信诺科技有限公司