新型qfn引线框架的制作方法
【专利摘要】新型QFN引线框架，包括镍锡铜合金材料的框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚、芯片，基岛区通过连接脚与框架基体连接，引线管脚分布于基岛区的外围并与框架基体连接，芯片安装于基岛区的中心位置，引线管脚表面与基岛区芯片连接的区域内蚀刻有凹槽，基岛区表面安装芯片的外围蚀刻有包围芯片的凹槽，连接脚上开有与基岛区凹槽连通的凹槽。本实用新型导电能力强、接触电阻稳定、耐腐蚀、可靠性高，弹性能力强，通过基岛外围及引线管脚边缘蚀刻的凹槽，使封装时塑封料填充在凹槽内，有效增加了塑封料与引线框架的附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。
【专利说明】新型QFN引线框架
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体芯片封装领域，具体为一种新型QFN(方形扁平无外引脚封装)引线框架。
【背景技术】
[0002]目前国内本土封装企业仍以DIP、SOP、QFP等形式为主，总体来说，国内企业的引线框架产品多用于分立器件和中低档IC的封装，集成电路用引线框架所占比率相对较少，目前呈现出向中高档形式如QFN发展的趋势，QFN引线框架由于具有良好的导电和散热性能、体积小、重量轻，非常适合应用在手机、数码相机、PDA以及其它便携小型电子设备的高密度印刷电路板上，随着QFN应用的快速增长，高性能的QFN产品，必将会在国内外IC封装测试市场中赢得良好的收益，而QFN引线框架塑封体与引线框架之间的附着强度决定了QFN封装的可靠性，从而影响着芯片的稳定性。
实用新型内容
[0003]本实用新型所解决的技术问题在于提供一种新型QFN引线框架，以解决上述【背景技术】中的缺点。
[0004]本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
[0005]新型QFN引线框架，包括框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚、芯片，所述基岛区位于所述框架基体内部中心，基岛区通过所述连接脚与框架基体连接，所述引线管脚分布于基岛区的外围并与框架基体连接，所述芯片安装于基岛区的中心位置，所述引线管脚在QFN封装体内通过内部引线与基岛区的芯片电极连接，所述引线管脚表面与基岛区芯片连接的区域内蚀刻有凹槽。
[0006]上述新型QFN引线框架中，优选的，所述引线管脚上的凹槽位于引线管脚的边缘，形成围住引线管脚与基岛区芯片连接区域的缺槽。
[0007]上述新型QFN引线框架中，优选的，基岛区表面安装芯片的外围蚀刻有包围芯片的凹槽，所述连接脚上蚀刻有凹槽，连接脚上的凹槽与基岛区凹槽连通。
[0008]上述新型QFN引线框架中，优选的，基岛区芯片外围蚀刻的凹槽位于基岛区的边缘，在基岛区的边缘形成围住基岛区的缺槽，连接脚上的凹槽沿凹槽的宽度方向扩宽至连接脚的边缘，在连接脚上形成比基岛区低的平台，基岛区的缺槽经连接脚上的平台延伸至框架基体。
[0009]上述新型QFN引线框架中，优选的，所述引线管脚表面与基岛区连接的区域外蚀刻有凹孔。
[0010]上述新型QFN引线框架中，优选的，所述引线管脚表面与基岛区连接的区域外蚀刻的凹孔为椭圆形。
[0011]上述新型QFN引线框架中，优选的，所述框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚材料均采用镍锡铜合金。[0012]有益效果:本实用新型导电能力强、接触电阻稳定、耐腐蚀、可靠性高，弹性能力强，通过基岛外围及引线管脚边缘蚀刻的凹槽，使封装时塑封料填充在凹槽内，有效增加了塑封料与引线框架的附着强度，提高了 QFN封装的可靠性及芯片的稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型较佳实施例的示意图。
[0014]图中:框架基体1、基岛区2、连接脚3、引线管脚4、芯片5、内部引线6、基岛区缺槽
7、连接脚凹槽8、凹孔9、引线管脚缺槽10。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0016]参见图1的新型QFN引线框架，包括框架基体1、基岛区2、连接脚3、引线管脚4、芯片5，基岛区2位于框架基体I内部中心，基岛区2通过连接脚3与框架基体I连接，引线管脚4分布于基岛区2的外围并与框架基体I连接，芯片5安装于基岛区2的中心位置，弓丨线管脚4在QFN封装体内通过内部引线6与基岛区2的芯片5电极连接，引线管脚4表面与基岛区2芯片5连接的区域边缘蚀刻有引线管脚缺槽10。
[0017]基岛区2表面安装芯片5的外围蚀刻有包围芯片5的凹槽，连接脚3上蚀刻有连接脚凹槽8，连接脚凹槽8与基岛区的凹槽连通。
[0018]优选的，基岛区凹槽位于基岛区2的边缘，在基岛区2的边缘形成围住基岛区2的基岛区缺槽7，连接脚凹槽8沿凹槽的宽度方向扩宽至连接脚3的边缘，在连接脚3上形成比基岛区2低的平台，基岛区缺槽7经连接脚3上的平台式连接脚凹槽8延伸至框架基体
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[0019]优选的，引线管脚4表面与基岛区2连接的区域外蚀刻有椭圆形凹孔9。
[0020]优选的，框架基体1、基岛区2、连接脚3、引线管脚4材料均采用镍锡铜合金。
[0021]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.新型QFN引线框架，其特征在于，包括框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚、芯片，所述基岛区位于所述框架基体内部中心，基岛区通过所述连接脚与框架基体连接，所述引线管脚分布于基岛区的外围并与框架基体连接，所述芯片安装于基岛区的中心位置，所述引线管脚在QFN封装体内通过内部引线与基岛区的芯片电极连接，所述引线管脚表面与基岛区芯片连接的区域内蚀刻有凹槽。
2.根据权利要求1所述的新型QFN引线框架，其特征在于，基岛区表面安装芯片的外围蚀刻有包围芯片的凹槽，所述连接脚上蚀刻有凹槽，连接脚上的凹槽与基岛区凹槽连通。
3.根据权利要求2所述的新型QFN引线框架，其特征在于，基岛区芯片外围蚀刻的凹槽位于基岛区的边缘，在基岛区的边缘形成围住基岛区的缺槽，连接脚上的凹槽沿凹槽的宽度方向扩宽至连接脚的边缘，在连接脚上形成比基岛区低的平台，基岛区的缺槽经连接脚上的平台延伸至框架基体。
4.根据权利要求1所述的新型QFN引线框架，其特征在于，所述引线管脚表面与基岛区连接的区域外蚀刻有凹孔。
5.根据权利要求4所述的新型QFN引线框架，其特征在于，所述引线管脚表面与基岛区连接的区域外蚀刻的凹孔为椭圆形。
6.根据权利要求1所述的新型QFN引线框架，其特征在于，所述引线管脚上的凹槽位于引线管脚的边缘，形成围住引线管脚与基岛区芯片连接区域的缺槽。
7.根据权利要求1所述的新型QFN引线框架，其特征在于，所述框架基体、基岛区、连接脚、引线管脚材料均采用镍锡铜合金。
【文档编号】H01L23/495GK203674197SQ201320723555
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年11月13日 优先权日:2013年11月13日
【发明者】康亮, 杨建斌 申请人:天水华洋电子科技股份有限公司