一种微带基片式双结环行器的制造方法
【专利摘要】一种微带基片式双结环行器，它涉及环行器【技术领域】；微带电路(4)通过光刻技术电镀在铁氧体基片(3)上表面，射频电阻芯片(1)通过焊锡膏焊接在磁性金属底座(2)上，射频电阻芯片(1)的焊点通过焊锡膏焊接且与微带电路(4)的一个引脚相连，两个陶瓷片(5)均通过环氧树脂胶合在微带电路(4)上，两个永磁体(6)分别通过环氧树脂胶合在两个陶瓷片(5)上，微带电路(4)的中心轴线、陶瓷片(5)的中心轴线与永磁体(6)的中心轴线相重叠，铁氧体基片(3)通过焊锡膏焊接在磁性金属底座(2)上；它结构简单，体积小，重量轻，适用于表面贴装和微波电路集成，频带宽、功率大。
【专利说明】—种微带基片式双结环行器
【技术领域】:
[0001]本实用新型涉及环行器【技术领域】，具体涉及一种微带基片式双结环行器。
【背景技术】:
[0002]随着微波通讯的迅速发展，微波电子设备的应用日趋广泛，整机性能也有很大的提高，对其中的铁氧体环行器指标、体积也提出了更高的要求，嵌入式环行器已经基本不能满足许多系统贴片的需求，而现有的贴片式环行器由于频带较窄，体积较大，不能满足小型化的需要。
实用新型内容:
[0003]本实用新型的目的是提供一种微带基片式双结环行器，它结构简单，体积小，重量轻，适用于表面贴装和微波电路集成，频带宽、功率大。
[0004]为了解决【背景技术】所存在的问题，本实用新型是采用如下技术方案:它包含射频电阻芯片、磁性金属底座、铁氧体基片、微带电路、陶瓷片和永磁体，微带电路通过光刻技术电镀在铁氧体基片上表面，射频电阻芯片通过焊锡膏焊接在磁性金属底座上，射频电阻芯片的焊点通过焊锡膏焊接且与微带电路的一个引脚相连，两个陶瓷片均通过环氧树脂胶合在微带电路上，两个永磁体分别通过环氧树脂胶合在两个陶瓷片上，微带电路的中心轴线、陶瓷片的中心轴线与永磁体的中心轴线相重叠，铁氧体基片通过焊锡膏焊接在磁性金属底座上。
[0005]所述的铁氧体基片为尖晶石材料铁氧体，所述永磁体为钐钴永磁体，所述磁性金属底座用钢制作而成。
[0006]本实用新型保证永磁体纵向磁化铁氧体基片，铁氧体基片边缘磁化均匀，接地良好，并且由于底座与铁氧体基片的热膨胀系数相当，能够在焊接时保护铁氧体基片，降低了由于焊接而导致铁氧体基片开裂的风险，提高了产品的可靠性。
[0007]同时，所述铁氧体基片上表面采取抛光处理，利用化学方法去油污以及杂质粒子，物理方法对表面进行活化、去除吸附杂质，保证电路膜层的附着力。
[0008]上述微带基片式双结环行器适用于表面贴装技术，并通过金丝键合技术与微波电路相连接。
[0009]本实用新型有如下有益效果:结构简单，体积小，重量轻，适用于表面贴装和微波电路集成，频带宽、功率大。
【专利附图】
【附图说明】:
[0010]图1为本实用新型的分解示意图；
[0011]图2为本实用新型的立体图；
[0012]图3为本【具体实施方式】中主要技术指标示意图。【具体实施方式】:
[0013]参看图1-图2，本【具体实施方式】采用如下技术方案:它包含射频电阻芯片1、磁性金属底座2、铁氧体基片3、微带电路4、陶瓷片5和永磁体6，微带电路4通过光刻技术电镀在铁氧体基片3上表面，射频电阻芯片I通过焊锡膏焊接在磁性金属底座2上，射频电阻芯片I的焊点通过焊锡膏焊接且与微带电路4的一个引脚相连，两个陶瓷片5均通过环氧树脂胶合在微带电路4上，两个永磁体6分别通过环氧树脂胶合在两个陶瓷片5上，微带电路4的中心轴线、陶瓷片5的中心轴线与永磁体6的中心轴线相重叠，铁氧体基片3通过焊锡膏焊接在磁性金属底座2上。
[0014]所述的铁氧体基片3为尖晶石材料铁氧体，所述永磁体6为钐钴永磁体，所述磁性金属底座2用钢制作而成。
[0015]所述的微带基片式双结环行器适用于表面贴装技术，并通过金丝键合技术与微波电路相连接。
[0016]所述的微带基片式双结环行器的主要技术指标如图3所示。
[0017]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种微带基片式双结环行器，其特征在于它包含射频电阻芯片(I)、磁性金属底座(2)、铁氧体基片(3)、微带电路(4)、陶瓷片(5)和永磁体(6)，微带电路(4)通过光刻技术电镀在铁氧体基片(3)上表面，射频电阻芯片(I)通过焊锡膏焊接在磁性金属底座(2)上，射频电阻芯片(I)的焊点通过焊锡膏焊接且与微带电路(4)的一个引脚相连，两个陶瓷片(5)均通过环氧树脂胶合在微带电路(4)上，两个永磁体(6)分别通过环氧树脂胶合在两个陶瓷片(5)上，微带电路(4)的中心轴线、陶瓷片(5)的中心轴线与永磁体(6)的中心轴线相重叠，铁氧体基片(3)通过焊锡膏焊接在磁性金属底座(2)上。
2.根据权利要求1所述的一种微带基片式双结环行器，其特征在于所述的铁氧体基片(3)为尖晶石材料铁氧体，永磁体(`)为钐钴永磁体。
【文档编号】H01P1/387GK203553319SQ201320740095
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月22日 优先权日:2013年11月22日
【发明者】刘旷希, 唐正龙 申请人:南京广顺电子技术研究所