发光装置以及其制造方法
【专利摘要】本发明是具有发光元件而构成的发光装置。本发明的发光装置具有如下要素而构成：用于发光元件的电极部件、设于该电极部件上的反射层、以及与该反射层的至少一部分相接地设于反射层上的发光元件，通过介由反射层的至少一部分使发光元件和电极部件相互面接触来将发光元件和电极部件电连接，电极部件构成支承发光元件的支承层，另外从发光元件向外侧伸出地设置电极部件。
【专利说明】发光装置以及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光装置以及其制造方法。更详细地，本发明涉及具备发光二极管(以下也称作“LED”)的发光装置以及该发光装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，作为光源的LED由于节能且长寿命，因此用在各种用途中。例如，除了将LED用在显示装置(液晶画面)背光光源、照相机闪光灯用途、车载用途等的用途中以外，还能将LED用在各种照明用途中。
[0003]为了达成高亮度的LED，考虑是对LED施加的电流较大，来增大光量。但是，在这样的施加大电流的苛刻的使用条件下，会出现LED的特性劣化，LED封装和模块的长寿命、高可靠性的确保变得困难。例如，在使流过LED的电流增加时，从LED的发热增大，由此，照明用LED模块和系统的内部的温度上升，很可能会引起劣化。例如，据说白色LED消耗的电力中变更为可见光的为25%程度，其它的直接成为热。因此，需要对LED封装制订散热对策，使用各种散热器。
[0004]先行技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献I JP特开2009-129928号公报
[0007]专利文献2:国际公开(WO)第08/088165号公报
[0008]发明的概要
[0009]发明要解决的课题
[0010]当前的LED芯片的实际安装形态大致分为2种，存在「引线键合型(W/B型)」和「倒装芯片型(F/C型)」。「引线键合型(W/B型)」如图23(a)所示那样，LED芯片的电极朝向上侧，通过与该朝上电极连接的金引线来谋求电连接。另一方面，「倒装芯片型(F/C型)」如图23(b)所示那样，LED芯片的电极朝向下侧，介由与该朝下电极连接的金凸起来谋求电连接。
[0011]本申请的
【发明者】们锐意研讨的结果，在这些实际安装形态中发现有以下的课题。首先，「倒装芯片型(F/C型)」由于在LED芯片的上侧不存在遮挡光的构成，因此在光取出的点上优选，但金凸起会成为热阻，在散热特性的点上不一定能说理想。具体地，在LED芯片中金凸起所占有的面积不过是很少部分(占有面积往大里算相对于片面也只有5%程度)，为此，金凸起成为瓶颈，散热性不佳。换言之，可以说在金凸起的设置部位(实际安装部分)会产生发热。在这样的「倒装芯片型(F/C型)」中，就算使用散热性高的基板，热也难以传导到基板，不能达成高的散热特性(参考图23(b))。
[0012]另一方面，「引线键合型(W/B型)」如图23(a)所示那样，由于能在LED芯片的正下方设置热通孔等，由此在散热特性的点上理想，但LED上侧的电极(凸起)会遮挡光，在光取出的点上不理想。具体地，由于设于LED芯片的上侧面的电极部的存在而使得能进行光取出的LED区域受到限制，使光取出量减少。另外，由于引线自身也会遮挡光，因此这一点也成为使光取出降低的要因。
【发明内容】
[0013]本发明鉴于事情而提出。即，本发明的主要目的在于提供能满足散热特性以及光取出特性两者的发光装置。
[0014]用于解决课题的手段
[0015]本申请的
【发明者】们并不是在现有技术的延长线上进行应对，而使通过在新的方向上的处置来尝试达成上述目的。其结果做出达成上述目的的发光装置的发明。具体地，在本发明中，提供一种发光装置，其具有用于发光元件的电极部件、设于电极部件上的反射层、以及与反射层的至少一部分相接地设置于该反射层上的发光元件而构成，介由反射层的所述至少一部分使发光元件和电极部件相互面接触(或者直接接合或面接合)来将发光元件和电极部件电连接，另外，电极部件构成支承发光元件的支承层。
[0016]本发明的发光装置的特征之一在于，通过使发光元件和「用于发光元件的电极部件(以后也称作「发光元件电极部件」)」相互面接触来将发光元件和发光元件电极部件电连接，并且发光元件电极部件构成支承发光元件的支承层。换言之，在本发明的发光装置中，实质直接对发光元件设置电极部，并且该“直接的电极部”构成发光装置中的支承层(即，对发光元件施予直接金属化来形成电极部，作为该直接金属化层的“电极部”直接构成支承层)。
[0017]在本说明书中，所谓『发光元件』实质是指发出光的元件，例如是发光二极管(LED)以及包含其的电子部件。因此，本发明中的『发光元件』表征不仅包含「LED的裸芯片(即LED芯片)」，也包含「将LED芯片塑模的分立型」的方式来使用。另外，并不限于LED芯片，还能使用半导体激光器芯片等。
[0018]另外，本发明中使用的称作『发光装置』的用语并不在本质上指作为「发光元件封装(特别是LED封装)」的构成，还意图进一步指「将LED阵列状地排列多个而成的产品」。即，本发明的发光装置只要没有特别的说明，就不仅包含所谓的“单芯片”，还包含“多芯片”的方式。同样，本发明的发光装置只要没有特别的说明，就不仅包含“具有光的指向性的装置”，还包含“没有光的指向性的装置”的方式。
[0019]进一步地，在本说明书中使用的『用于发光元件的电极部件』(即“发光元件电极部件”)，实质是指与发光元件中预先具备的电极(P型电极/N型电极)不同的另外的电极。
[0020]在某适宜的方式中，发光元件电极部件设置为从发光元件向外侧伸出。即，不仅在发光元件的下方区域，在其外侧区域也向横方向延伸地设置发光元件电极部件(以及设于其上的反射层)。
[0021 ] 另外，在本发明中，还提供用于制造上述发光装置的方法。即，提供一种「使发光元件和发光元件电极部件相互面接触来将发光元件和发光元件电极部件电连接、并且发光元件电极部件构成支承发光元件的支承层的发光装置」的制造方法。该本发明的制造方法包含如下工序而构成:
[0022](i)准备发光元件的工序；以及
[0023](ii)在发光元件上形成发光元件电极部件的工序，
[0024] 在工序(ii)中，在将用于形成发光元件电极部件的基底层形成在发光元件上后，介由该基底层与发光元件面接触(或者直接接合或面接合)地形成发光元件电极部件，
[0025]另外，基底层最终作为发光装置中的反射层来使用。
[0026]本发明的制造方法的特征之一在于，直接将电极部件形成在发光元件上，并将在该直接形成中使用的电极基底层最终作为发光装置的反射层而使用。
[0027]发明的效果
[0028]在本发明的发光装置中，适宜地达成了“散热特性”和“光取出特性”两者(参考图1)。具体地，因「发光元件和发光元件电极部件的面接触」而使发光元件中的发光元件电极部件的占有面积较大，由此适宜地实现了“高散热”。另外，由于成为在发光元件电极部件上设置发光元件的构造、即发光元件的电极朝向下侧的倒装焊接构造，因此能避免「发光元件的上侧的电极(凸起)遮挡光」等的不良状况，光取出量也变多。
[0029]若说“散热特性”，在本发明中，不进行介由凸起的组装(即成为无组装、无凸起)，能使来自发光元件的热介由与“发光元件电极部件的面接触部”效率良好地散热。特别地，由于由热传导性高的铜等的材质形成发光元件电极部件，另外设置为“厚度大的电极部”以及/或者“宽度方向上尺寸大的电极部”，因此能介由该电极部使发光元件的热效率良好地散发到外部。另外，由于反射层自身原本就是有金属材质等至少呈现出热传导性的材料构成且设置为非常薄，因此热阻小到能无视的程度。
[0030]若说“光取出”，则由于倒装焊接构造而使得不仅能效率良好地取出来自发光元件的上表面侧的光，还能效率良好地取出因反射层而来自发光元件的下面侧的光。这一点，由于在发光元件的正下方设置“呈现高反射率的反射层”，因此能使从发光元件发出的向下的光效率良好地在反射层反射，其结果，能有效地利用“向下发出的光”。即，本发明的发光装置不仅取出来自光元件的上表面侧的光还能取出来自下面侧的光，在这一点上也成为期望的构造。
[0031]进而，本发明的发光装置由于构成电极部件支承发光元件的支承层，因此成为“无基板构造”。由于该“无基板”而实现了小型装置，另外也对低成本制造作出贡献。另外，由于是这样的形态，因此与使用陶瓷基板等的高散热基板作为支承体使用的装置比较，还能使装置带柔性。
[0032]另外，本发明的装置由于成为能从发光元件直接布线形成的构造，另外还成为能阵列化的构造，因此设计自由度比较高。进而，由于“无组装、无凸起”而使得连接稳定性等也良好。
[0033]若特别着眼于本发明的制造方法，则成为「在发光元件上直接形成电极部件，并将在该直接的电极部件形成中使用的电极基底层最终作为发光装置的反射层直接使用」这样比较的简易的加工。并且，能通过该简易的制造加工而得到满足“散热特性”和“光取出特性”两者的发光装置。另外，若说“基底层”，则由于不仅对发光元件电极部件的形成(特别是“厚度大的电极部件”的形成)作出贡献，最终还作为“对光的取出做出贡献的反射层”使用，因此，基底层的形成在对加工方式的适宜化做出贡献的同时，也对最终的产品的适宜化作出贡献。此外，本发明的制造方法能起到“能从LED芯片等的发光元件直接再布线形成”这样的效果，还能起到能以晶片尺寸任意配置芯片，用承载层基体进行LED密封(为此发光面平滑)等各种有利的效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0034]图1是用于说明本发明的发光装置的功能以及效果的示意截面图。
[0035]图2是示意地表征本发明的发光装置的构成的截面图，图2(A)表示芯片尺寸或者晶片尺寸的发光装置(即装置整体的宽度尺寸与发光元件的宽度尺寸相等的发光装置)，图2(B)表示大致芯片尺寸或大致晶片尺寸的发光装置(即装置整体的宽度尺寸与发光元件的宽度尺寸大约相等的发光装置)，图2(C)表示从发光元件向外侧伸出地设置电极部件的发光装置。
[0036]图3是用于说明本发明中的「面接触」的示意图。
[0037]图4是用于说明本发明中的“发光光元件电极部件”的方式(向外侧伸出地向宽度方向延伸的方式)的示意截面图。
[0038]图5是用于说明本发明中的“绝缘部”的示意截面图。
[0039]图6是用于在本发明中说明“设置荧光体层的方式”的示意截面图。
[0040]图7是用于在本发明中说明“设置透镜部件的方式”的示意截面图。
[0041]图8是用于在本发明中说明“多芯片的方式”的示意截面图。
[0042]图9是用于在本发明中说明“电极部件/反射层的折弯方式”的示意截面图。
[0043]图10是示意地表征本发明的发光装置的反射体构造的形态、构成的截面图。
[0044]图11是示意地表示本发明的制造方法的工序截面图。
[0045]图12是示意地表示「加工方式I」中的本发明的制造方法的工序截面图。
[0046]图13是示意地表示通过「在镀敷后通过蚀刻来图案化的手法」来形成副电极部图案的方式的工序截面图。
[0047]图14是示意地表示通过「在抗蚀图案形成后进行图案镀的手法」来形成副电极部图案的方式的工序截面图。
[0048]图15A是示意地表示绝缘层原料为感光性材料的情况下的绝缘层图案的形成方式的工序截面图。
[0049]图15B是示意地表示绝缘层原料为感光性材料以外的情况下的绝缘层图案的形成方式的工序截面图。
[0050]图16是示意地表示「加工方式2」中的本发明的制造方法的工序截面图。
[0051]图17是示意地表示「加工方式3」中的本发明的制造方法的工序截面图。
[0052]图18是示意地表示「加工方式4」中的本发明的制造方法的工序截面图。
[0053]图19是用于说明绝缘层的形成以及其图案形成处理等的变更方式的示意截面图。
[0054]图20是示意地表示「加工方式5」中的本发明的制造方法的工序截面图。
[0055]图21是用于说明第I绝缘部的局部区域70A的位置的示意图(从发光元件的下侧主面观察的图)。
[0056]图22是用于说明“针对第I绝缘部的局部区域70A的位置的变更方式”的示意截面图。
[0057]图23是示意地表示现有技术的LED封装的构成方式的截面图。
【具体实施方式】
[0058]以下详细说明本发明的发光装置以及其制造方法。另外，图面中示出的各种要素只是为了本发明的理解而示意地进行表示的要素，尺寸比和外观等可以与实物不同，这一点需要留意。
[0059][本发明的发光装置]
[0060]在图2(A)?图2(C)示意地示出本发明的发光装置的构成。如图示那样，本发明的发光装置100具有发光元件电极部件10、反射层30以及发光元件50而构成。发光元件50具有设置在发光元件电极部件10上的形态，与电极部件上的反射层30的至少一部分相接地设置。
[0061 ] 在本发明的发光装置100中，如图示那样，发光元件50和发光元件电极部件10介由反射层30相互面接触(或者直接接合或面接合)，由此，发光元件50和发光元件电极部件10相互电连接。在此所说的「面接触(或者直接接合或面接合)」实质是指各要素的主面彼此相互接触或者接合的方式、特别是各要素的主面彼此在重合的范围内全都接触或全都接合的方式。具体是指“发光元件的主面(下侧主面)”和“发光元件电极部件的主面(上侧主面)”在相互重合的范围内全都接触或全都接合的方式。换言之，本说明书中所用的「面接触」是指发光元件以及发光元件电极部件的主面区域中的相互重合的区域彼此全接触或全接合的方式(相当于图3中的“主面区域A”和“主面区域B”全都接触或全都接合的方式)。
[0062]位于发光元件50与发光元件电极部件10间的反射层30是薄到能无视热阻乃至电阻的程度的层。为此，在本发明中，能视作发光元件50和发光元件电极部件10直接(直接地)相互面接触。
[0063]反射层30非常薄，与此相对，发光元件电极部件10设置得较厚。如此地，厚的发光元件电极部件10实质特别适于作为支承发光元件50的支承层发挥功能。即，位于发光元件50的下侧的发光元件电极部件10由于相对的较厚且在与发光元件50重合的范围内与发光元件50整面接触，因此作为支承发光元件50的底座发挥功能。发光元件电极部件10由正电极部1a (发光元件的与P型电极连接的电极部)和负电极部1b (发光元件的与N型电极连接的电极部)构成，但该正电极部1a以及负电极部1b分别在与发光元件50重合的范围内与发光元件50面接触，适于作为支承发光元件50的支承层发挥功能。
[0064]本发明中的发光元件电极部件10由于与发光元件50 “面接触”，因此能使发光元件的热介由该电极部件有效率地散发到外部。即，发光元件电极部件10不仅作为发光装置的支承层发挥功能，还作为散热器发挥功能，对发光装置的高散热特性特别有效果地做出贡献。在此，发光元件(例如LED)这样的部件，一般在成为高温时其发光效率(即驱动电流变换为光的比例)变低，亮度就降低，然而在本发明的发光装置中，由于散热特性卓越，因此发光效率较高，实现了更高亮度的装置。另外，由于是那样卓越的散热特性，因此还能起到提升发光元件的动作寿命的效果、还能有效果地防止因密封树脂的热而引起的改性、变色等的效果等。另外，另外，由于发光元件电极部件10和发光元件50的“面接触”，因此与介由引线或凸起而电连接的情况比较，电阻更佳。由此，还能得到能流过更大的电流的效果等。由于能在发光元件电极部件以及发光元件流过大电流，因此在能使发光元件小型化的同时，能实现更高亮度的装置。
[0065]发光元件电极部件10的材质并没有特别的限制，作为通常的LED的电极材质使用一般的材料即可。例如，能使用从由铜(Cu)、银(Ag)、钯(Pd)、钼(Pt)以及镍(Ni)构成的群选择的至少I种金属材料作为电极部件的主要材质。但是，若特别重视“散热特性”，则发光元件电极部件10的材质优选为热传导性高、能有效果地对散热特性做出贡献的材料,为此特别优选铜(Cu)。另外，后面的叙述中也会触及到，但发光元件电极部件10可以由例如湿式镀层(优选电镀层)构成。
[0066]本发明中的发光元件电极部件10比较厚，为此，能有效地对支承功能以及散热器功能作出贡献。例如，发光元件电极部件10厚于反射层30。进一步来说，作为本发明的适宜的方式之一，发光兀件电极部件10厚于发光兀件50。具体地,发光兀件电极部件10的厚度(例如电极部件的最大厚度部分)大于发光元件50的厚度(例如发光元件的最大厚度部分)。若对发光元件电极部件10的具体的厚度进行例示，则发光元件电极部件10的厚度优选为30?500 μ m程度，更优选为35?250 μ m程度，进一步优选为100?200 μ m程度。
[0067]发光兀件电极部件10的表面区域的反射层30位于发光兀件50的正下方。为此，能使从发光元件50发出的向下的光有效率地在反射层30反射。即，能使“向下发出的光”朝向上方。因发光元件正下方的反射层30的存在而使发光效率得到提升，其结果，意味着发光装置成为更高亮度。如此，在本发明的发光装置中，不仅发光元件电极部件10的散热器功能，还通过反射层30带来高亮度。
[0068]反射层30的材质只要是能反射光的材质即可，例如可以是从由Ag(银)、A1 (铝)、Al合金、Au (金)、Cr (铬),Ni (镍)、Pt (钼)、Sn(锡)、Cu(铜)、W (钨)以及Ti (钛)等构成的群中选择的至少I种金属材质。如后述那样，反射层30具有作为用于发光元件电极部件10的形成的基底层(电极基底层)的功能，若特别重视这一点，则优选包含从由Ti(钛)、Cu(铜)以及Ni(镍)等构成的群中选择的金属来构成。另一方面，若特别重视高反射特性，则反射层30优选包含从由Ag(银)以及Al (铝)等构成的群中选择的金属而构成。由金属材质构成的反射层30具有导电性、热传导性，可以说能构成电极的一部分(另外，反射层原本就如后述那样构成电极基底层)。即，反射层30能视作发光元件电极部件10的一部分，特别能视作位于发光元件正下方的“呈现出高反射率的电极部分”。另外，反射层30并不限于由单一层构成的形态，也可以是由多个层构成的形态。例如，反射层30也可以是由Ti薄膜层和Cu薄膜层构成的形态，在该情况下，在附图中(例如以图2所示上下方向为基准)Ti薄膜层相当于“上侧层”，另一方面，Cu薄膜层相当于“下侧层”。另外，虽然在后面的叙述中也有触及，但反射层自身也可以例如由干式镀层(优选溅射层)构成。
[0069]虽然是与“发光元件和发光元件电极部件的直接的面接触”关联的事项，但反射层30实质能无视热阻、电阻程度地非常薄，例如能具有纳米级的厚度。虽然终归只是例示，但反射层30的厚度能以100?500nm程度(根据反射层材质的种类不同为10nm?300nm程度)地非常薄，为此反射层30构成薄膜层。
[0070]本发明中的发光元件50可以是LED的裸芯片、即LED芯片，或者也可以是将LED芯片塑模的分立型。LED芯片能使用用在一般的LED封装中的LED芯片，其具体的种类等根据对应于作为发光装置的LED封装的用途来适宜选择即可。根据需要，也可以使用所谓的“无极性LED (非极性型的LED芯片)”作为发光元件50。关于发光元件50 (例如LED芯片)的个数，并不限定于“单一”，也可以是“多个”。即，本发明的发光装置100不仅能以图2所示那样的“单芯片”的形态实现，还能以“多芯片”的形态实现。
[0071]本发明的发光装置100中，由于“发光元件50和发光元件电极部件10的相互的面接触”，适宜来自发光元件50的热被散热。即，由于面接触，发光元件50的主面中发光元件电极部件10所占的面积较大，散热特性卓越。例如，在发光元件50的下侧主面中发光元件电极部件10(「由正电极部1a以及负电极部1b构成的发光元件电极部件」)所占的面积的比例为40%以上，优选为50?90%，更优选为70?90%。如此，由于因“面接触”而发光元件电极部件的占有面积较大，因此在本发明中，不仅「发光元件与电极部件的连接部」的热阻不会成为装置整体的热阻的瓶颈，散热性也变得良好。另外，发光元件电极部件由于厚度较大，因此这一点也能让散热性提升。换言之，在本发明中，由于不进行介由凸起的发光元件的实际安装等，成为相对于发光元件直接的厚电极构成，因此可以说实现了高的散热特性。
[0072]为了实现更高的散热特性以及/或者更高的支承功能等，优选发光元件电极部件10的宽度方向尺寸变大。特别优选如图4所示那样，使发光光元件电极部件(1aUOb)从发光元件50向外侧伸出地设置。换言之，优选发光元件电极部件10的正电极部1a以及负电极部10b，分别是不仅在发光元件50的下方区域，还向其外侧区域在横方向、宽度方向上延伸。在具有这样的形态的发光元件电极部件10中，进一步提升了支承发光元件50的支承功能。另外，在如此在横方向、宽度方向上延伸的电极部件10中，由于能使来自发光元件50的热不仅向下方向，还向横方向散发，作为装置整体来看时的热阻进一步减少。进一步来说，在发光元件电极部件10向外侧区域在横方向、宽度方向上延伸的情况下，设于其上的反射层30也能同样向外侧区域在横方向、宽度方向上延伸。即，反射层30不仅是在发光元件50的下方区域，还能向其外侧区域在横方向、宽度方向上延伸。在这样的方式中，由于能使从发光元件发出的“向下的光”更广泛地在反射层反射，因此能进行更有效率的光的取出。即，在发光元件电极部件10以及反射层30向外侧区域在横方向、宽度方向上延伸的方式中，能实现进一步提升“散热特性”和“光取出特性”两者的发光装置。
[0073]另外，由于若发光元件电极部件超过需要程度地“伸出”，则会阻碍装置的小型化，因此伸出部分的尺寸可权衡「支承功能、散热特性」、「小型化」和「光取出特性」来适宜决定。虽然终归只是例示，但若举出I个示例，则可以是在以发光元件电极部件的宽度尺寸来看的情况下其一半以上从发光元件“伸出”的形态(若在图4例示，则可以在发光元件电极部件「从发光元件向外侧伸出的部分的宽度尺寸W1」为「位于发光元件的下方的部分的宽度尺寸W2」以上的大小)。
[0074]在本发明的发光装置中优选设置“绝缘部”。具体地，如图5(a)?5(c)所示那样，在发光元件电极部件10的周围设置第I绝缘部70，另一方面，在发光元件50的周围设置第2绝缘部72。根据图示的方式可知，在设置第I绝缘部70的情况下，发光元件电极部件10与第I绝缘部70 —起构成支承层。另外，第I绝缘部70在发光元件电极部件10的正电极部1a与负电极部1b间也有设置，其结果，还能得到将该正电极部1a与负电极部1b间绝缘的功能。另一方面，从图示的方式可知，第2绝缘部72能作为用于从外部环境阻断或保护发光元件50的密封层/密封部件、以及支承层发挥功能(特别参考图5 (b))。
[0075]第I绝缘部70以及第2绝缘部72的材质，只要是能提供绝缘性型的材质，就能是任意种类的材质，例如可以是树脂。例如，可以是环氧系树脂或硅系树脂。特别对第2绝缘部72而言，鉴于光的取出而优选由透明树脂构成，为此，第2绝缘部72例如优选由透明环氧树脂或透明硅树脂构成。另外，鉴于耐光性和耐热性，例如可以是有机无机的混合材料或无机材料。例如，第I绝缘部70以及第2绝缘部72的材质可以是无机玻璃密封材料等。
[0076]第I绝缘部70，优选如图5(a)以及5(b)所示，在发光元件电极部件10的正电极部1a与负电极部1b间的区域、这些电极部件的周围与电极部件相接地设置，厚度可以与电极部件厚度为相同程度。作为某I个适宜的方式，可以如图5(a)以及5(b)所示那样，第I绝缘部70以其上表面与反射层30的上表面成为处于同一面状态的形态而设。第2绝缘部72同样如图5(a)以及5(b)所不那样,优选包围发光兀件50的周围地与发光兀件50相接地设置，厚度可以与发光元件50为相同程度。在另外设置后述的荧光体层80等的情况下，第2绝缘部72可以以其上表面成为与发光元件30的上表面处于同一面状态的形态而设(参考图5(a))。另外，在第2绝缘部72还作为荧光体层发挥功能的情况下(即第2绝缘部72包含例如树脂成分以及/或者无机材料成分和荧光体成分而构成的情况)，也可以让第2绝缘部72以将发光元件30包含在内的方式较厚地形成(参考图5(b))。
[0077]本发明的发光装置在“微细绝缘膜”这一点上也能具有特征。具体地，设于正电极部10a与负电极部1b间的“局部的第I绝缘部70A”如图5(c)所示那样，由“宽度窄部分70A1”和“宽度宽部分70A2”这2个区域部分构成。由此，能防止正电极部1a与负电极部1b间的短路，还能使电极部件具有大的厚度，进一步对高散热性的实现作出贡献。即，在本发明中，由于因“面接触”而发光元件电极部件的占有面积较大，因此可以说是正电极部1a与负电极部1b间的距离较窄而易于引起短路的构造，而为了适宜地避免短路而设置“宽度宽部分70A2”。S卩，通过第I绝缘部70A中的“宽度宽部分70A2”来拉开正电极部1a与负电极部1b间的距离，防止短路。虽然终归只是一例，但“宽度窄部分70A1”的宽度尺寸α (参考图5(c))可以是20μπι?70μπι程度，与此相对，宽度宽部分70Α2的宽度尺寸β (参考图5(c))可以为ΙΟΟμπι以上(另外，宽度宽部分的宽度尺寸的上限值虽然没有特别的限制，但可以是500 μ m程度)。
[0078]在本发明的发光装置中，也可以根据需要来设置荧光体层。例如，图如6(a)以及6(b)所示那样，可以在第2绝缘部72上设置荧光体层80。更具体地，如图示那样，可以覆盖发光元件50的上侧主面地将荧光体层80设置在第2绝缘部72。荧光体层80的材质只要是能接受来自发光元件50的光而发出所期望颜色的光即可，没有特别的限制。即，兼顾来自发光兀件50的光、电磁波来决定突光体层80的突光体种类即可。例如，在将发光装置用作照明等的白色LED封装的情况下，若荧光体层80包含通过从LED50发出的蓝色发光而发出黄色系颜色的光的荧光体，则能得到明亮的白色。另外，在从LED50发出的电磁波是紫外线的情况下，也可以使用通过该紫外线而直接发出白色的光的荧光体。另外，在第2绝缘部72包含例如树脂成分以及/或者无机材料成分等的绝缘成分和荧光体成分而构成的情况下，由于第2绝缘部72不仅具备发光元件的密封功能，还兼具备荧光层功能，因此不需要另外设置荧光体层80。
[0079]本发明的发光装置100能实现为“具有光的指向性的装置”，或者还能实现为“没有光的指向性的装置”。作为具有指向性的装置，例如，优选如图7(a)以及(b)所示那样具有透镜部件90。如图示那样，透镜形状部为“单一”，(图7(a)的方式)，但并不限定于此，也可以是“多个”(图7(b)的方式)。另外，也可以是第2绝缘部72或荧光体层80具有透镜形状的方式。
[0080]本发明的发光装置100不仅能实现为图1?6等所示那样的发光元件50为单一的“单芯片”的方式，还能例如如图8(a)以及(b)所示那样，实现为具备多个发光元件50的“多芯片”的方式。即，还能通过阵列化来实现“多芯片”的方式的发光装置100。
[0081]进一步地，在本发明的发光装置100中还能是以下那样的方式。
[0082](电极部件/反射层的折弯方式)
[0083]在图9(a)?(d)中示出「电极部件/反射层的折弯方式」。如图示那样，在该方式中，电极部件10(特别其上表面)以及反射层30具有折弯的形态。在图9(a)中，电极部件10以及反射层30折弯，使得中央部分Al (发光元件区域)稍微隆起。在图9(b)中，电极部件10以及反射层30折弯，使得大部分凹陷并且中央部分A2(发光元件区域)稍微凸起。从另外观点来看，图9(b)的方式也可以说是位于更外侧的电极部件10的厚度变大的方式。图9(c)中，电极部件10以及反射层30折弯，使得中央部分A3(发光元件区域以及其近旁区域)稍微凹陷。该方式同样也可以说是位于更外侧的电极部件的厚度变大的方式。并且，图9(d)具有从图9(c)的方式除去P部分的绝缘层而得到的形态。在这样的图9(a)?⑷所示的形态中，都适宜地达成了“散热特性”和“光取出特性”两者。
[0084](反射体构造的方式)
[0085]在图10中示出具有反射体构造的本发明的发光装置100的方式。反射体方式能相当于上述电极部件/反射层的折弯方式的变更方式，电极部件10 (特别是相当于该电极部件的一部分的「电极部10' J)以及反射层30大幅凹陷地折弯，发光元件50位于该凹陷的区域。在该反射体方式中，也能适宜地达成“散热特性”和“光取出特性”两者。若要特别描述，由于有“反射体”，因而能通过发光元件50的周围的反射层30 (特别是由于成为反射层30在高于发光面的水平面也存在的形态)使来自发光元件50的光有效率地反射，这一点特别能提升“光取出特性”。进而，在反射体构造的发光装置中，能起到“进一步的高密度(小型装置)”、“进一步的高热传导”以及“进一步简易的制造加工”等的效果。
[0086][本发明的发光装置的制造方法]
[0087]接下来说明本发明的发光装置的制造方法。在图11(a)?⑷中示意地表示与本发明的制造方法关联的工艺。本发明的制造方法首先作为工序(i)，如图11(a)所示那样准备发光元件50。准备的发光元件50优选是对在接下来的工序进行的反射层形成、电极部件形成而言期望的构成。例如，在工序(i)中，作为发光元件50而准备「在发光元件的至少主面侧设置绝缘层的发光元件」。虽然终归只是一例，但将发光元件50设为图11(a)所示那样埋设于绝缘层中的形态来进行准备。接着，作为工序(ii)，在发光元件50上形成发光元件电极部件10 (更具体来说，对发光元件50施予直接金属化(例如施予Cu直接金属化))。在该工序(ii)中，首先，如图11(b)所示那样在发光元件50上形成用于形成发光元件电极部件的基底层30 (特别地覆盖发光元件的主面的一部分地形成)、接着，如图11 (c)所示那样，介由基底层30来形成与发光元件50面接触的发光元件电极部件10。最终地，如图11 (d)所示那样，将在电极部件形成中使用的基底层30作为发光装置100中的反射层来利用。
[0088]在本发明的制造方法中，成为「在发光元件上直接形成电极部件，并将在该直接形成中使用的电极基底层最终作为发光装置的反射层直接利用」这样的比较的简易的加工，能通过这样的简易的制造加工得到满足“散热特性”和“光取出特性”两者的发光装置。特别若着眼于制造加工这一点，则正是由于设置了电极基底层30，才能说能较厚且紧贴力良好地形成发光元件电极部件10。
[0089]基底层30的形成以干式镀法来进行，另一方面，发光元件电极部件10的形成优选以湿式镀法来进行(为此，优选使基底层30为干式镀层，另一方面，使发光元件电极部件10为湿式镀层)。干式镀法包括真空镀法(PVD法)和化学气相镀法(CVD法)，真空镀法(PVD法)进一步包括真空蒸镀、溅射以及离子电镀等而构成。另一方面，湿式镀法包括电镀法、化学镀法以及溶融镀法等而构成。作为某适宜的一个方式，在本发明的制造方法中，以溅射来形成基底层30，以电镀法(例如电解镀)来形成发光元件电极部件10。另外，虽然终归只是一例，但基底层30并不限于形成为单一层，也可以形成为多个层。例如，作为基底层30，可以通过溅射形成Ti薄膜层和Cu薄膜层(更具体地，可以在形成Ti薄膜层后形成Cu薄膜层)。这种情况下，优选通过Cu电解镀在该2层构造的溅射层上形成发光元件电极部件10。
[0090]本发明的制造方法能以各种加工方式实施。以下对其进行说明。
[0091](加工方式I)
[0092]在图12(a)?(g)示意地示出「加工方式I」的工序截面图。该方式是以LED晶片为基础来实施发光装置的制造的加工。首先，如图12(a)以及(b)所示那样，在LED晶片50'的主面形成密封层72'。能通过旋涂法或刮刀法等将密封原料涂布在LED晶片的主面，之后附加热处理，由此来设置密封层72'，或者能通过将密封薄膜等与LED晶片贴合来设置密封层72'。接着，如图12(c)所示那样，通过例如溅射等的干式镀法来形成电极基底层30。接着，如图12(d)所示那样，介由电极基底层30在LED晶片50'上直接形成副电极部图案10'。该副电极部图案10'的形成如图13所示那样，能通过「在镀敷后通过蚀刻来图案化的手法」来进行。具体地，如图示那样，在通过电镀(例如电解Cu镀)在电极基底层的整面形成金属层(例如铜层)后，通过液状抗蚀剂旋涂或干式薄膜抗蚀剂层压等来形成抗蚀剂。接着，进行掩模曝光、显影，接着进行抗蚀剂显影、金属层的蚀刻处理，然后实施抗蚀剂剥离，最终以金属图案为掩模对电极基底层进行蚀刻处理。也可以用另外的方法，如图14所示那样，通过「在抗蚀图案形成后进行图案镀的手法」来形成副电极部图案10'。具体地，如图示那样，在通过液状抗蚀剂旋涂或干式薄膜抗蚀剂层压等形成抗蚀剂后，施予掩模曝光、抗蚀剂显影，接着，进行图案镀(例如电解Cu图案镀)。接着，剥离抗蚀剂，并最终以金属图案为掩模来蚀刻电极基底层。
[0093]在副电极部图案10'的形成后，如图12(e)所示那样形成绝缘层图案70'。如图示那样，优选跨相邻的2个副电极部10'形成绝缘层70'，以使得相邻的2个副电极部10'间的空间被绝缘层70'填满。在绝缘层原料由感光性材料构成的情况下，如图15A所示那样，能在通过旋涂或刮刀等整面涂布绝缘层原料后，或在通过贴合而设置绝缘层薄膜等之后，通过进行掩模曝光、显影来形成绝缘层图案70'。此时，感光性既可以是负片型，也可以是正片型。另一方面，在绝缘层原料由感光性材料以外构成的情况下，能如图15B所示那样，使用印刷法等直接进行图案印刷，由此来形成绝缘层图案70'。
[0094]在绝缘层图案70'的形成后，如图12(f)所示那样，与副电极部图案10' —体接合地形成第2副电极部图案10”。该第2副电极部图案10"的形成能通过上述那样的「在涂覆后通过蚀刻来图案化的手法」或「在抗蚀图案形成后进行图案镀的手法」来形成。
[0095]如此，将发光元件电极部件10的形成分为第I副电极部1(V的形成和第2副电极部10"的形成这2个阶段来实施，在「第I副电极部1(V的形成」与「第2副电极部10"的形成」间实施绝缘层70'的形成(图12(d)?(f))。由此，能使设于LED的正电极部与负电极部间的「绝缘部的局部的区域」适宜地由“宽度窄部分”和“宽度宽部分”这2个区域部分构成(参考图12(f))。另外，说起分为2个阶段的电极部件10的形成，也可以是最初形成的第I副电极部10'的厚度比之后形成的第2副电极部10"的厚度大的方式。
[0096]最终，如图12(g)所示那样，进行切断操作，将由第I副电极部10'和第2副电极部10"构成的各电极部件10(位于两端、最外侧的电极部除外)分别分割为2个部分。由此，最终能得到图12的最下部所示那样的发光装置100(在该发光装置100中，将电极基底层30作为反射层利用，另外，在如本加工那样使用LED晶片来制造的情况下，因进行图12(g)所示那样的切断而具有各个电极部件从LED向外侧伸出的形态)。本加工由于从LED晶片来形成各种要素，因此能以晶片的整齐的面(N平坦的面)为基础，具有能实现优选这一点的加工的特征。
[0097](加工方式2)
[0098]在图16(a)?(h)示意地示出「加工方式2」的工序截面图。该方式是以LED芯片为基础来进行发光装置的制造的加工。首先，如图16(a)所示那样，在承载薄膜85上相互空开间隔来配置多个LED芯片50。接着，如图16(b)所示那样，覆盖LED芯片50地在承载薄膜85上形成密封层72'(特别是光透过性密封层)。然后，若在密封层72'的形成后剥离承载薄膜85，则能如图16(c)所示那样得到埋设于密封层72'内的LED芯片50(即能准备「至少在主面侧设置密封层的发光元件」)。特别能得到以相互成为“处于同一面”的形态埋设于密封层72'内的发光兀件50。
[0099]接下来，如图16(d)所示那样，通过例如溅射等的干式镀法得到电极基底层30 (另夕卜，由于上述“处于同一面”，能适宜地将作为溅射层的基底层30形成为以一定的厚度均匀)。接着，如图16(e)所示那样，介由电极基底层30在LED芯片50上直接形成副电极部图案10'。该副电极部图案10'的形成，能通过加工方式I中上述那样的「在涂覆后通过蚀刻来图案化的手法」或「在抗蚀图案形成后进行图案镀的手法」形成。在副电极部图案10'的形成后，如图16(f)所示那样形成绝缘层图案70'。如图示那样，优选跨相邻的2个副电极部10'来形成绝缘层70'，以使得相邻的2个副电极部10'间的空间被绝缘层70'填满。该绝缘层图案70'的形成能以加工方式I中的参考图15A或图15B而说明的手法进行。在绝缘层图案70'的形成后，如图16(g)所示那样，与副电极部图案10' —体接合地形成第2副电极部图案10"。该第2副电极部图案10"的形成也能通过上述那样的「在涂覆后通过蚀刻来图案化的手法」或「在抗蚀图案形成后进行图案镀的手法」来形成。
[0100]在这样的加工方式2中，也使如上述那样将发光元件电极部件的形成分为第I副电极部10,的形成和第2副电极部10 "的形成这2个阶段来实施，在「第I副电极部10,的形成」与「第2副电极部10"的形成」间实施绝缘层的形成(参考图16(e)?(g))。由此，能使设于正电极部与负电极部间的「绝缘部的局部的区域」由“宽度窄部分”和“宽度宽部分”这2个区域部分适宜地构成(参考图16(g))。另外，在加工方式2中，由第I副电极部10'和第2副电极部10"构成的各电极部件10如图示那样，优选以从各LED芯片50向其外侧伸出的形态形成。
[0101]最终，如图16(h)所示那样，进行切断操作，以LED芯片50为单位来进行分割。由此，能得到图16的最下部所示那样的发光装置100 (将电极基底层30作为发光装置的反射层来利用)。
[0102](加工方式3)
[0103]在图17(a)~(g)示意地示出「加工方式3」的工序截面图。该方式相当于上述的加工方式2的变更方式。首先，如图17(a)所示那样，在承载薄膜85上相互空开间隔来配置多个LED芯片50。接着，在相邻的LED芯片50间形成绝缘膜?2'(例如无机绝缘膜)。优选如图示那样，与LED芯片50成为处于同一面地形成绝缘膜72'。该绝缘层图案72'的形成能以在加工方式I中参考图15A或图15B而说明的手法来进行。接下来，在LED芯片50以及绝缘层图案72'上形成荧光体层80后(参考图17(b))，若剥离承载薄膜85，则能以图17(c)所示的形态准备发光元件50。
[0104]以后，与上述的加工方式2相同地形成电极基底层30、副电极部图案10'、绝缘层70'以及第2副电极部图案10"，并施予切断处理(参考图17(d)~(g))。由此，最终能得到图17的最下部所示的发光装置100。另外，在取代「在相邻的LED芯片50间形成绝缘膜72'」，覆盖LED芯片50地在承载薄膜85上形成包含荧光体成分而构成的绝缘层的情况下，能得到具有图17的最下部右下那样形态的发光装置100(即，上述“本发明的发光装置”中说明的「第2绝缘部包含荧光体成分而构成的发光装置」)。
[0105](加工方式4)
[0106]在图18(a)~(g)示意地示出「加工方式4」的工序截面图。该方式也相当于上述的加工方式2的变更方式。首先，在承载薄膜85上形成荧光体层80后，在该荧光体层80上相互空开间隔来配置多个LED芯片50(参考图18(a))。接着，如图18(b)所示那样，覆盖LED芯片50地在荧光体层80上形成绝缘层?2’ (特别为感光性材料层)。接下来，如图18(c)所示那样对绝缘层72'施予图案形成处理。如图示那样，优选进行在相邻的LED芯片50间留下绝缘层72'的图案形成处理。这样的图案处理能以加工方式I中的参考图15A而说明的手法来进行。
[0107]以后，与上述的加工方式2同样地形成电极基底层30、副电极部图案10'、绝缘层70'以及第2副电极部图案10"，并施予切断处理(参考图18(d)~(g))。由此，最终能得到图18的最下部所示那样的发光装置100。另外，该加工方式由于通过向承载薄膜面上的涂布或贴附来形成荧光体层，因此能适宜地将荧光体层设置为“平面”(在现有技术的LED封装中，由于一般在单片化后再设置荧光体层，因此可以说在这一点上特别有相异点)。另外，在本加工方式中，承载薄膜85最终不剥离而作为发光装置的要素使用。这一点，如例如图7 (a)以及(b)所示那样，能将承载薄膜85作为透镜要素来使用。进一步来说，在本加工方式中，通过对绝缘层72'的形成和其图案形成处理等适宜处理(例如参考图19，能得到上述“本发明的发光装置”中说明的图9(c)~(d)所示那样的发光装置)。
[0108](加工方式5)
[0109] 在图20(a)~(g)示意地示出「加工方式5」的工序截面图。该方式相当于具有反射体构造的发光装置100的制造加工方式。首先，在承载薄膜85上形成多个副荧光体层80'，在副荧光体层80'各自各配置I个发光元件芯片50 (参考图20(a))。接着，在如图20(b)所示那样通过旋涂或刮刀等整面涂布绝缘层原料后，或在通过贴合等设置了绝缘层薄膜等后，通过进行图案形成处理对发光元件芯片50各自形成使发光元件芯片50的表面的一部分露出的局部的绝缘层72'(参考图20(c))。接下来，在形成电极基底层30后，对各个发光元件芯片形成2个第I副电局部10'(参考图20(d))。另外，由于有“反射体”，因而如图20 (d)所示那样，基底层30以及第I副电极部10，以沿着「由设于承载薄膜85上的副荧光体层80'、发光元件芯片50以及局部的绝缘层72'构成的发光装置前体100'」的轮廓形状的方式以折弯的形态而形成。
[0110]接下来，如图20 (e)所示那样，在跨至少2个第I副电极部10'地形成绝缘部70'后(与绝缘层72'的形成相同，都能通过在绝缘性原料的整面涂布或贴附后，施予图案形成处理来形成绝缘部70'的图案)，如图20(f)所示那样，与第I副电极部10'相接地形成第2副电极部10"。然后，最终如图20(g)所示那样进行切断操作，以LED芯片50为单位进行分割。由此能得到图20的最下部所示那样的「具有反射体构造的发光装置100」。
[0111]本发明确认地附言具有下述的方式的构成。
[0112]第I方式:一种具有发光元件而构成的发光装置，特征在于，所述发光元件具有如下要素而构成:用于发光元件的电极部件、设于电极部件上的反射层、以及与反射层的至少一部分相接地设置于反射层上的发光元件，通过介由反射层的上述至少一部分使发光元件和电极部件相互面接触来将发光元件和电极部件电连接，电极部件构成支承发光元件的支承层，另外，从发光元件向外侧伸出地设置电极部件(以及设于其上的反射层)。
[0113]第2方式:在上述第I方式的基础上，发光装置的特征在于，电极部件由湿式镀层构成，另一方面，反射层由干式镀层构成。
[0114]第3方式:在上述第I方式或第2方式的基础上，发光装置的特征在于，电极部件比发光元件更厚。
[0115]第4方式:在上述第I方式?第3方式的任一者的基础上，发光装置的特征在于，在电极部件的周围设置第I绝缘部，另一方面，在发光元件的周围设置第2绝缘部。
[0116]第5方式:在上述第4方式的基础上，发光装置的特征在于，电极部件以及第I绝缘部构成支承层。即，在本发明的发光装置中，在设置第I绝缘部的情况下，优选发光元件电极部件与该第I绝缘部一起构成支承层。
[0117]第6方式:在上述第4方式或第5方式的基础上，发光装置的特征在于，第2绝缘部构成用于密封发光元件的密封层。即，在本发明的发光装置中，在设置第2绝缘部的情况下，优选第2绝缘部构成用于密封发光元件的密封层(例如可以让第2绝缘部包含树脂成分以及/或者无机材料成分来构成用于密封发光元件的密封层)。
[0118]第7方式:在上述第4方式?第6方式中的任一者的基础上，发光装置的特征在于，第2绝缘部具有光透过性。
[0119]第8方式:在上述第4方式?第7方式中的任一者的基础上，发光装置的特征在于，在第2绝缘部上设置荧光体层。在该方式中，例如可以将荧光体层设置在第2绝缘部上。
[0120]第9方式:在上述第4方式?第7方式中的任一者的基础上，发光装置的特征在于，第2绝缘部包含荧光体成分，由此，第2绝缘部构成密封层以及荧光体层的两者。即，在本发明的发光装置中，在第2绝缘部包含荧光体成分的情况下，优选第2绝缘部兼作密封层以及荧光体层两者(例如可以让第2绝缘部包含树脂成分以及/或者无机材料成分、和荧光体成分，由此第2绝缘部可兼作密封层以及荧光体层两者)。
[0121]第10方式:在上述第4方式?第9方式的任一者中，发光装置的特征在于，电极部件由正电极部和负电极部构成，在至少正电极部与负电极部之间设置第I绝缘部。
[0122]第11方式:在上述第10方式的基础上，发光装置的特征在于，设于正电极部与负电极部间的第I绝缘部的局部的区域由宽度窄部分和宽度宽部分这2个区域部分构成。
[0123]第12方式:在上述第I方式?第11方式中的任一者的基础上，发光装置的特征在于，发光装置具有电极部件的一部分以及反射层折弯的形态，在通过折弯形成的凹陷配置发光元件。即，该方式的本发明的发光装置具有所谓的“反射体构造”。
[0124]第13方式:一种具有发光元件而构成的发光装置，特征在于，发光装置具有如下要素而构成:用于发光元件的电极部件、设于电极部件上的反射层、以及与反射层的至少一部分相接地设置于反射层上的发光元件，通过介由反射层的至少一部分使发光元件和电极部件相互面接触来将发光元件和电极部件电连接，另外电极部件构成支承发光元件的支承层。
[0125]第14方式:一种具有发光元件而构成的发光装置的制造方法特征在于，包含如下工序而构成:(i)准备发光元件的工序；以及(ii)在发光元件上形成用于发光元件的电极部件的工序，在工序(ii)中，在发光元件上形成用于形成电极部件的基底层后，介由基底层与发光元件面接触地形成电极部件，另外，基底层最终作为发光装置中的反射层来使用。
[0126]第15方式:在上述第14方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，以干式镀法形成基底层，另一方面，以湿式镀法形成电极部件。
[0127]第16方式:在上述第15方式的基础上，作为干式镀法而实施溅射，另一方面，作为湿式镀法而实施电镀。
[0128]第17方式:在上述第14方式?第16方式中的任一者的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，与绝缘层组合来准备工序(i)的发光元件。例如，将工序(i)的发光元件，作为「在发光元件的至少主面侧设置有绝缘层的发光元件」来准备。
[0129]第18方式:在上述第17方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，使用光透过性绝缘层作为绝缘层。
[0130]第19方式:在上述第17方式或第18方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，发光元件具有发光元件芯片的形态，在工序(i)中，在将发光元件芯片配置在承载薄膜后，覆盖发光元件芯片地在承载薄膜上形成绝缘层，接着，剥离承载薄膜，由此准备「以与绝缘层处于同一面的形态埋设于绝缘层内的发光元件芯片」。即，在本发明的制造方法中，在发光元件具有发光元件芯片的形态的情况下，优选准备以“同面形态”埋设于绝缘层内的发光元件芯片。
[0131]第20方式:在上述第19方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，发光装置的制造方法还包含在绝缘层的形成后且承载薄膜的剥离前形成荧光体层的工序而构成，在工序(i)中，在将多个发光元件芯片配置在承载薄膜后，与发光元件芯片处于同一面地设置绝缘层，使其填满相邻的发光元件芯片间，接着，对「由发光元件芯片和绝缘层构成的平面」形成荧光体层。
[0132]第21方式:上述第14方式?第16方式任一者的基础上,发光装置的制造方法的特征在于，工序(i)的发光元件具有发光元件芯片的形态，在工序(ii)中，使电极部件的一部分从发光兀件芯片向外侧在横方向上(即向与发光兀件的厚度方向正交的方向)伸出地形成电极部件。即，在本发明的制造方法中，优选如该方式或以下的第22方式那样对发光元件电极部件的形态、处理下功夫。
[0133]第22方式:在上述第14方式?第18方式中的任一者的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，工序(i)的发光元件具有发光元件晶片的形态，在工序(ii)中，在发光元件晶片上形成多个电极部件，最终进行切断操作，将多个电极部件的至少I个分割为2个部分(由此能得到发光元件电极部件的一部分从发光元件芯片向外侧伸出的形态)。
[0134]第23方式:在上述第14方式?第22方式的任一者的基础上,发光装置的制造方法的特征在于，发光装置的制造方法还包含在电极部件的周围形成绝缘部的工序而构成，将电极部件的形成分为第I副电极部的形成和第2副电极部的形成这2个阶段实施，在第I副电极部的形成与第2副电极部的形成之间实施绝缘部的形成。
[0135]第24方式:在上述第23方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，在工序
(ii)中，形成多个电极部件，在绝缘部的形成时跨相邻的2个发光元件电极部件来形成绝缘部(特别跨该相邻的2个电极部件来形成绝缘部，用绝缘部填满相邻的2个电极部件之间的空间)。
[0136]第25方式:在上述第17方式或第18方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，发光元件具有发光元件芯片的形态，在工序(i)中，在将发光元件芯片配置在形成于承载薄膜上的荧光体层后，覆盖发光元件芯片地在荧光体层上形成绝缘层，承载薄膜最终并不剥离，作为发光装置的透镜要素而使用。即，在本发明的制造方法中，将承载薄膜作为发光装置的构成要素来使用。
[0137]第26方式:在上述第25方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，使用多个发光元件芯片，绝缘层具有感光性(例如，绝缘层是感光性树脂层等)，对绝缘层施予曝光、显影处理来施予在相邻的发光元件芯片之间的至少一部分留下绝缘层的图案形成处理。即，在本发明的制造方法中，优选对绝缘层施予适当的图案形成处理。
[0138]第27方式:在上述第14方式?第18方式中的任一者的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，发光元件具有由多个发光元件芯片构成的形态，在工序(i)中，在承载薄膜上形成多个副荧光体层，在各个副荧光体层各配置I个发光元件芯片(该方式相当于所谓的“反射体构造”的发光装置的制造方法)。
[0139]第28方式:在上述第27方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，将电极部件的形成分为第I副电极部的形成和第2副电极部的形成这2个阶段来实施，对各个发光元件芯片形成使发光元件芯片的表面的一部分露出的局部的绝缘层之后，覆盖绝缘层地形成基底层，接着，在对各个发光元件芯片形成2个第I副电极部后，跨2个第I副电极部来形成绝缘部，接着，与第I副电极部相接地形成第2副电极部，接着，进行切断操作，以发光元件芯片为单位来进行分割(该方式也相当于所谓的“反射体构造”的发光装置的制造方法)。
[0140]第29方式:在上述第28方式的基础上，发光装置的制造方法的特征在于，基底层以及第I副电极部，以沿「由设于承载薄膜上的副荧光体层、发光元件芯片以及绝缘层构成的发光装置前身」的轮廓形状折弯的形态来形成(该方式也相当于所谓的“反射体构造”的发光装置的制造方法)。
[0141]以上对本发明的实施形态进行了说明，但终归只例示了典型例。因此，本发明并不限定于此，能考虑各种方式。
[0142]例如,在上述的方式中，设于发光兀件电极部件的正电极部(发光兀件的与P型电极连接的电极部)与负电极部(发光元件的与N型电极连接的电极部)间的「第I绝缘部的局部区域70A」位于发光元件的中央部下方(例如参考图5)，但本发明并不限定于该方式。鉴于实际的方式，由于如图21所示那样，正电极部一般能比负电极部大，因此第I绝缘部的局部区域70A能如图21的截面图(A-A'截面图)以及图22的示意截面图所示那样，位于从发光兀件的中央部下方偏移的位置。
[0143]产业上的利用可能性
[0144]本发明的发光装置能适宜地用在各种照明用途中，此外还能适宜地用在显示装置(液晶画面)背光光源、照相机闪光灯用途、车载用途等宽泛的用途中。
[0145]关联申请的相互参考
[0146]本申请主张基于日本国专利申请第2012-30739号(申请日:2012年2月15日、发明的名称「发光装置以及其制造方法」)的巴黎公约上的优先权。该申请中公开的内容全都通过该引用而包含在本说明书。
[0147]标号的说明
[0148]10用于发光元件的电极部件
[0149]10' 副电极部图案(第I副电极部图案)
[0150]10" 第2副电极部图案(第2副电极部图案)
[0151]1a正电极部(发光元件的与P型电极连接的电极部)
[0152]1b负电极部(发光元件的与N型电极连接的电极部)
[0153]30反射层
[0154]50发光兀件
[0155]50' LED 晶片
[0156]70第I绝缘部
[0157]70A设于正电极部与负电极部间区域局部的第I绝缘部
[0158]70A1局部的第I绝缘部的宽度窄部分
[0159]70A2局部的第I绝缘部的宽度宽部分
[0160]70' 绝缘层图案(例如树脂层图案或无机材料层图案)
[0161]72第2绝缘部(绝缘层)
[0162]72' 密封层(例如密封树脂层或密封无机材料层)
[0163]80突光体层
[0164]85承载薄膜
[0165]90透镜部件
[0166]100发光装置
[0167]100' 发光装置前体
【权利要求】
1.一种发光装置，具有发光元件而构成，该发光装置具备如下要素而构成: 用于所述发光元件的电极部件； 设于所述电极部件上的反射层；和 与所述反射层的至少一部分相接地设置于该反射层上的所述发光元件， 通过介由所述反射层的所述至少一部分使所述发光元件和所述电极部件相互面接触，来将该发光元件和该电极部件电连接， 所述电极部件构成支承所述发光元件的支承层， 另外，从所述发光元件向外侧伸出地设置所述电极部件。
2.根据权利要求1所述的发光 装置，其中， 所述电极部件由湿式镀层构成，另一方面，所述反射层由干式镀层构成。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中， 所述电极部件比所述发光元件更厚。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中， 在所述电极部件的周围设置第I绝缘部，另一方面，在所述发光元件的周围设置第2绝缘部。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中， 所述电极部件以及所述第I绝缘部构成所述支承层。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其中， 所述第2绝缘部构成用于密封所述发光元件的密封层。
7.根据权利要求4所述的发光装置，其中， 所述第2绝缘部具有光透过性。
8.根据权利要求4所述的发光装置，其中， 在所述第2绝缘部上设置荧光体层。
9.根据权利要求4所述的发光装置，其中， 所述第2绝缘部包含荧光体成分，由此，所述第2绝缘部构成密封层以及荧光体层两者。
10.根据权利要求4所述的发光装置，其中， 所述电极部件由正电极部和负电极部构成， 在至少所述正电极部与所述负电极部之间设置所述第I绝缘部。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中， 设于所述正电极部与所述负电极部间的所述第I绝缘部的局部的区域，由宽度窄部分和宽度宽部分这2个区域部分构成。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其中， 所述电极部件的一部分以及所述反射层具有折弯的形态，在通过该折弯而形成的凹陷配置所述发光元件。
13.一种发光装置，具有发光元件而构成，该发光装置具有如下要素而构成: 用于所述发光元件的电极部件； 设于所述电极部件上的反射层；和 与所述反射层的至少一部分相接地设置于该反射层上的所述发光元件，介由所述反射层的所述至少一部分使所述发光元件和所述电极部件相互面接触来将该发光元件和该电极部件电连接， 另外，所述电极部件构成支承所述发光元件的支承层。
14.一种发光装置的制造方法，所述发光装置具有发光元件而构成，所述发光装置的制造方法包含如下工序而构成: (i)准备发光元件的工序；和 (?)在所述发光元件上形成用于该发光元件的电极部件的工序， 在所述工序(ii)中，在所述发光元件上形成用于形成所述电极部件的基底层后，介由该基底层与所述发光元件面接触地形成所述电极部件， 另外，所述基底层最终作为所述发光装置中的反射层来使用。
15.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中， 以干式镀法形成所述基底层，另一方面，以湿式镀法形成所述电极部件。
16.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其中， 作为所述干式镀法 实施溅射，另一方面，作为所述湿式镀法实施电镀。
17.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中， 将所述工序(i)的所述发光元件，作为在该发光元件的至少主面侧设置有绝缘层的发光元件来准备。
18.根据权利要求17所述的发光装置的制造方法，其中， 使用光透过性绝缘层作为所述绝缘层。
19.根据权利要求17所述的发光装置的制造方法，其中， 所述发光元件具有发光元件芯片的形态， 在所述工序(i)中，在将所述发光元件芯片配置在承载薄膜后，覆盖该发光元件芯片地在该承载薄膜上形成所述绝缘层，接着，剥离该承载薄膜，由此准备以与该绝缘层处于同一面的形态埋设于该绝缘层内的所述发光元件芯片。
20.根据权利要求19所述的发光装置的制造方法，其中， 发光装置的制造方法还包含:在所述绝缘层的形成后、且所述承载薄膜的剥离前，形成荧光体层的工序， 在所述工序(i)中，在将多个所述发光元件芯片配置在所述承载薄膜后，与该发光元件芯片处于同一面地设置所述绝缘层，使其填满相邻的该发光元件芯片间，接着，在由该发光元件芯片和所述绝缘层构成的平面上形成所述荧光体层。
21.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中， 所述工序(i)的所述发光元件具有发光元件芯片的形态， 在所述工序(ii)中，使所述电极部件的一部分从所述发光元件芯片向外侧伸出地形成该电极部件。
22.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中， 所述工序(i)的所述发光元件具有发光元件晶片的形态， 在所述工序(ii)中，在所述发光元件晶片上形成多个所述电极部件， 最终进行切断操作，将所述多个所述电极部件的至少I个分割为2个。
23.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中，所述发光装置的制造方法还包含在所述电极部件的周围形成绝缘部的工序而构成， 将所述电极部件的形成分为第I副电极部的形成和第2副电极部的形成这2个阶段来实施，在该第I副电极部的形成与该第2副电极部的形成之间实施所述绝缘部的形成。
24.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中， 在所述工序(ii)中，形成多个所述电极部件， 在所述绝缘部的形成时，跨相邻的2个该电极部件来形成所述绝缘部相邻，使该相邻的2个所述电极部件之间的空间被该绝缘部填满。
25.根据权利要求17所述的发光装置的制造方法，其中， 所述发光元件具有发光元件芯片的形态， 在所述工序(i)中，在将所述发光元件芯片配置在形成于承载薄膜上的荧光体层后，覆盖该发光元件芯片地在该荧光体层上形成绝缘层， 所述承载薄膜最终并不剥离，作为所述发光装置的透镜要素而使用。
26.根据权利要求25所述的发光装置的制造方法，其中， 使用多个所述发光元件芯片， 所述绝缘层具有 感光性，对该绝缘层施予曝光、显影处理，来施予在相邻的所述发光元件芯片之间的至少一部分留下该绝缘层的图案形成处理。
27.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中， 所述发光元件具有由多个发光元件芯片构成的形态， 在所述工序(i)中，在承载薄膜上形成多个副荧光体层，在各个该副荧光体层各配置I个所述发光元件芯片。
28.根据权利要求27所述的发光装置的制造方法，其中， 将所述电极部件的形成分为第I副电极部的形成和第2副电极部的形成这2个阶段来实施， 对各个所述发光兀件芯片形成使该发光兀件芯片的表面的一部分露出的局部的绝缘层之后，覆盖该绝缘层地形成所述基底层， 接着，在对各个所述发光元件芯片形成2个所述第I副电极部后，跨该2个该第I副电极部来形成绝缘部， 接着，与所述第I副电极部相接地形成所述第2副电极部， 接着，进行切断操作，以所述发光元件芯片为单位进行分割。
29.根据权利要求28所述的发光装置的制造方法，其中， 所述基底层以及所述第I副电极部，以沿由设于所述承载薄膜上的所述副荧光体层、所述发光元件芯片以及所述绝缘层构成的发光装置前体的轮廓形状折弯的形态而形成。
【文档编号】H01L33/60GK104081547SQ201380007170
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年1月28日 优先权日:2012年2月15日
【发明者】泽田享, 中谷诚一, 川北晃司, 山下嘉久 申请人:松下电器产业株式会社