一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法
【专利摘要】一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，包括如下步骤：步骤一，在晶圆表面淀积一层氟硅玻璃；步骤二，对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理，形成一层低氟氧化层；步骤三，用去离子水对晶圆进行冲洗；所述步骤一和所述步骤二在同一化学气相沉积反应舱中进行。本发明的有益效果是：氟硅玻璃淀积完成后，在同一腔体进行等离子处理，减少氟硅玻璃上表面的氟，抑制其亲水性，防止晶体缺陷，同时利用去离子水与表面少量的氟反应，形成氢氟酸，随后被冲洗出晶圆，进一步的巩固效果，提高器件的可靠性。
【专利说明】 一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶圆表面处理方法，特别涉及一种氟硅玻璃晶体缺陷的处理方法。
【背景技术】
[0002]在半导体的铝制程中，氟硅玻璃(FSG:Fluorinated Silicate Glass)具有低的介电常数，良好的填孔性能和稳定的机械常数已逐渐取代无掺杂氧化硅(USG)成为层间隔离的介质层。但是由于FSG的亲水性，易吸收空气中的水汽产生晶体缺陷(crystal defect)，影响器件的可靠性。现有技术采用在FSG淀积后生长USG或者SRO等覆盖层来抑制氟的扩散，但是其增加工艺步骤，成本较高。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种晶圆表面处理方法，更好的抑制氟硅玻璃的晶体缺陷，提高器件性能的可靠性。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提供了 一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，包括如下步骤:
[0005]步骤一，在晶圆表面淀积一层氟娃玻璃；
[0006]步骤二，对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理，形成一层低氟氧化层；
[0007]步骤三，用去离子水对晶圆进行冲洗。
[0008]优选的，等离子处理的操作条件为:氧气流量范围在20?200sccm，射频功率范围在 50 ?2000W。
[0009]优选的，低氟氧化层厚度在100?300埃米。
[0010]优选的，步骤一和所述步骤二在同一化学气相沉积反应舱中进行。
[0011]优选的，步骤三在晶圆清洗机中进行，晶圆冲洗的操作条件为:晶圆转速范围在100?300转/分钟，清洗时间范围在I?5分钟。
[0012]本发明的有益效果是:氟硅玻璃淀积完成后，在同一腔体进行等离子处理，减少氟硅玻璃上表面的氟，抑制其亲水性，防止晶体缺陷，同时利用去离子水与表面少量的氟反应，形成氢氟酸，随后被冲洗出晶圆，进一步的巩固效果，提高器件的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法实施例流程示意图。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0015]图1为本发明一个实施例的抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法流程示意图，如图所示，一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，包括如下步骤:
[0016]步骤一,在晶圆表面淀积一层氟娃玻璃；
[0017]步骤二，对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理，形成一层低氟氧化层；
[0018]所述步骤一和步骤二在同一化学气相沉积反应舱中进行；形成氟硅玻璃的方法为现有该领域技术人员所熟知，不再赘述；对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理的操作条件为:氧气流量范围在20?200SCCm，射频功率范围在50?2000W ;形成的低氟氧化层厚度范围在100?300埃米。
[0019]步骤三，将晶圆放置于晶圆清洗装置中，用去离子水对晶圆进行冲洗，冲洗的操作条件为:晶圆转速范围在100?300转/分钟，清洗时间范围在I?5分钟。
[0020]以上所述实施步骤和方法仅仅表达了本发明的一种实施方式，描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。在不脱离本发明专利构思的前提下，所作的变形和改进应当都属于本发明专利的保护范围。
【权利要求】
1.一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，包括如下步骤: 步骤一，在晶圆表面淀积一层氟娃玻璃； 步骤二，对氟硅玻璃的上表面进行等离子处理，形成一层低氟氧化层； 步骤三，用去离子水对晶圆进行冲洗。
2.根据权利要求1所述一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，其特征在于，所述等离子处理的操作条件为:氧气流量范围在20?200sccm，射频功率范围在50?2000W。
3.根据权利要求1所述一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，其特征在于，所述低氟氧化层厚度在100?300埃米。
4.根据权利要求1或2或3所述一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，其特征在于，所述步骤一和所述步骤二在同一化学气相沉积反应舱中进行。
5.根据权利要求1或2或3所述一种抑制氟硅玻璃晶体缺陷的方法，其特征在于，所述步骤三在晶圆清洗机中进行，所述晶圆冲洗的操作条件为:晶圆转速范围在100?300转/分钟，清洗时间范围在I?5分钟。
【文档编号】H01L21/768GK103871966SQ201410102247
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年3月19日 优先权日:2014年3月19日
【发明者】洪齐元, 黄海 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司