Oled发光装置及其制造方法
【专利摘要】本公开涉及一种OLED发光装置及其制造方法。一种OLED发光装置包括：基板；位于基板上的平坦化层，其中平坦化层具有多个彼此间隔开的弯曲部；位于平坦化层上的多个发光单元，每个发光单元位于弯曲部上且具有与弯曲部相应的形状，其中每个发光单元包括：第一电极；位于第一电极上的发光结构；位于发光结构上的第二电极，其中，弯曲部的一截面整体上具有弧形轮廓。本公开通过在发光单元与平坦化层的接触处设置弯曲部，将发光单元由平坦表面变更为弯曲表面，大幅度提高有机发光二极管的开口率，增大发光面积，从而提高有机二极管的发光亮度，降低功耗并延长产品使用寿命。
【专利说明】OLED发光装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及一种发光装置，特别涉及一种OLED发光装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light Emitting Diode有机发光二极管)是有机电致发光装置，其通过将有机发光材料夹在透明阳极和金属反射阴极之间，对有机薄膜施加电压来进行发光，既可以用作显示装置也可以用作照明装置。
[0003]OLED的发光单兀主要由金属阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和透明阳极组成。因为OLED发光面是由多个有效发光单元和像素定义层构成的，并不是整个表面均能发光，因此才有开口率概念。开口率是指有效发光单元的表面积和整个发光面的面积的比值。一般来讲，对于照明OLED产品，开口率一般在80%以上。而对于OLED显示产品，因为在其表面除了像素定义层还有像素存储电容和TFT，因此开口率一般在50%左右。
[0004]图1示出了一种传统OLED发光装置的结构，OLED主要包括基板1、平坦化层2、发光单元3和像素定义层4。发光单元3和像素定义层4设置在平坦化层2上，发光单元3的表面为平坦表面。
[0005]为了提高OLED的亮度，通常采用的做法是提高有机材料的发光效率，或者提高开口率。提高有机材料的发光效率需要进行很多试验，优化出最佳的发光器件结构，并且发光效率的提高有一个限度。而提高OLED的开口率需要减小辅助电极、TFT、电容等不发光面的面积。目前一般来讲开口率最高只能做到60%左右，而现在OLED作为一种常用的照明以及显示材料，具有较大的使用量，因此目前的OLED的开口率不太能满足使用的需求。
[0006]另外，当OELD显示面板分辨率愈高时，像素的开口面积会愈小，像素亮度也会降低。
[0007]因此，需要一种在不降低分辨率的情况下能够提高像素亮度的装置和方法。
[0008]在所述【背景技术】部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0009]针对上述问题，发明人经过长期的深入研究，在发光单元与基板之间设置包含弯曲部的平坦化层，从而增大发光面积，提高发光亮度。
[0010]根据本公开的一方面，提供一种OLED发光装置，包括:
[0011]基板；
[0012]位于所述基板上的平坦化层，其中所述平坦化层具有多个彼此间隔开的弯曲部；
[0013]位于所述平坦化层上的多个发光单元，每个发光单元位于所述弯曲部上且具有与所述弯曲部相应的形状，其中每个发光单元包括:
[0014]第一电极；[0015]位于所述第一电极上的发光结构；
[0016]位于所述发光结构上的第二电极，
[0017]其中，所述弯曲部的一截面整体上具有弧形轮廓。
[0018]根据本公开的一个示范实施方式，还包括像素定义层，位于相邻的所述弯曲部之间。
[0019]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层上的凸出部。
[0020]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部与所述平坦化层包括相同材料。
[0021]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部与所述平坦化层一体形成。
[0022]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部包括光致抗蚀剂材料。
[0023]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层中的凹陷。
[0024]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部具有多重凹凸状表面。
[0025]根据本公开的另一个示范实施方式，其中所述第一电极和所述第二电极之一为阳极，且另一个为阴极。
[0026]根据本公开的另一方面，提供一种制造OLED发光装置的方法，包括:
[0027]在基板之上形成平坦化层；
[0028]在所述平坦化层上形成多个彼此间隔开的弯曲部；
[0029]在所述弯曲部上形成第一电极；
[0030]在所述第一电极上形成发光结构及第二电极；
[0031]其中，所述弯曲部的一截面整体上具有弧形轮廓。
[0032]根据本公开方法的一个示范实施方式，还包括在形成所述第一电极之后形成像素定义层，所述像素定义层位于相邻的所述弯曲部之间并暴露出所述第一电极的至少部分表面。
[0033]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层上的凸出部。
[0034]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部与所述平坦化层包括相同材料。
[0035]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部与所述平坦化层一体形成。
[0036]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部包括光致抗蚀剂材料。
[0037]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中形成所述弯曲部包括:
[0038]利用灰度掩模对所述平坦化层执行光刻工艺；
[0039]对所述平坦化层执行显影工艺，并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。
[0040]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层中的凹陷。
[0041]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中形成所述弯曲部包括:
[0042]利用灰度掩模对所述平坦化层执行光刻工艺；[0043]对所述平坦化层执行显影工艺，并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。
[0044]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中所述弯曲部具有多重凹凸状表面。
[0045]根据本公开方法的另一个示范实施方式，其中形成所述弯曲部包括:
[0046]利用灰度掩模对所述平坦化层执行光刻工艺；
[0047]对所述平坦化层执行显影工艺，并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。
[0048]本公开通过在发光单元与平坦化层的接触处设置弯曲部，将发光单元由平坦表面变更为弯曲表面，大幅度提高有机发光二极管的开口率，增大发光面积，从而提高有机二极管的发光亮度，降低功耗并延长产品使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0049]图1为传统的OLED发光装置的结构示意图；
[0050]图2为根据本公开一个实施方式的OLED发光装置的结构示意图；
[0051]图3为根据本公开另一个实施方式的OLED发光装置的结构示意图；
[0052]图4为根据本公开另一个实施方式的OLED发光装置的结构示意图；
[0053]图5为根据本公开方法的一个实施方式的工艺流程图。
[0054]其中，附图标记说明如下:
[0055]100,200,300:OLED 发光装置
[0056]1、102、202、302: 基板
[0057]2、104、204、304: 平坦化层
[0058]104a、204a、304a: 弯曲部
[0059]3、106、206、306: 发光单元
[0060]106a、206a、306a: 第一电极
[0061]106b,206b,306b: 发光结构
[0062]106c、206c、306c: 第二电极
[0063]4、108、208、308: 像素定义层
【具体实施方式】
[0064]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0065]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
[0066]现参照图2，以说明依据本公开一个实施方式的OLED显示装置。
[0067]如图2所示，其示出OLED显示装置100，具有基板102。基板102可包括如玻璃、塑胶或陶瓷的透明绝缘材料。
[0068]在基板102上设置有平坦化层104。平坦化层104可通过如旋转涂布法形成。平坦化层104的材料为例如光致抗蚀剂材料或旋涂玻璃(spin on glass, S0G)，且其材料皆可作光刻工艺。
[0069]平坦化层104上设置有具有多个彼此间隔开的弯曲部104a，弯曲部104a为形成在平坦化层104上的凸出部，弯曲部104a的一截面整体上具有弧形轮廓。弯曲部104a可为平坦化层104经过光刻、显影工艺或者蚀刻工艺后，并予以烘烤固化后形成，可利用例如灰度掩模进行光刻或者刻蚀。弯曲部104a与平坦化层104可包括相同材料或一体形成。弯曲部104a还可包括光致抗蚀剂材料。
[0070]平坦化层104上设置有多个发光单元106，每个发光单元106都位于弯曲部104a上且具有与弯曲部104a相应的形状。发光单元106包括第一电极106a、发光结构106b和第二电极106c。
[0071]第一电极106a大体覆盖了平坦化层104的弯曲部104a，相对使第一电极106a亦具有弯曲表面与平坦化层104的弯曲部104a对应。第一电极可为阳极或阴极，所采用的导电材料例如为铝、银、镁、钯、钼等金属材料，或者为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)或氧化锌(ZnO)的金属氧化物等透光材料，其可单独地或结合地使用。当器件为底部发光时，第一电极106a使用如为铝、银、镁、钯、钼等金属材料时，其示范地具有5?200埃(Λ)的厚度，以提供大于50%的透光率。当器件为顶部发光时，第一电极可结合使用如铝、银、镁、钯、钼等金属材料及铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)或氧化锌(ZnO)的金属氧化物，其示范地具有100?3000埃(Λ)的厚度。另外，第一电极106a的导电材料可通过溅镀法、电子束蒸镀法、热蒸镀法、化学气相镀膜法及喷雾热裂解法所形成。
[0072]在第一电极106a上设置有发光结构106b和第二电极106c,发光结构106b和第二电极106c均具有弯曲表面与平坦化层104的弯曲部104a对应。
[0073]发光结构106b可包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，其中电子注入层可以为氧化锂、氧化锂硼、硅氧化钾、碳酸铯或碱金属氟化物，如氟化锂、氟化钾、氟化铯中的一种。
[0074]电子传输层要求具有较高的电子迁移率、较高的玻璃转变温度和热稳定性、并且可经由热蒸镀形成均匀、无微孔的薄膜，可为噁唑衍生物、金属螯合物喹啉衍生物、喔啉衍生物、二氮蒽衍生物、二氮菲衍生物、含硅的杂环化合物中的一种。
[0075]发光层可包括有机材料或无机材料，例如为小分子材料、聚合物材料或有机金属配合物，其可通过热真空蒸镀、旋转涂布、喷墨、雷射转印或网版印刷等方式形成。
[0076]空穴传输层要求具有较高的电子迁移率、具有高的热稳定性并能真空蒸镀形成无针孔的薄膜；可选取的空穴传输材料为成对偶联的二胺类化合物，如TPD、TAPC, NPB、β -NPB、a -NPD ;三苯胺化合物，如TDAB、TDAPB, PTDATA, spiro-mTTB ;或某些三芳胺聚合物、咔唑类化合物中的一种。
[0077]空穴注入层要求与阳极和相邻的空穴传输层的能级匹配度良好，可以为但不限于CuPc、TNATA、PEDOT。一种示范的方案为空穴注入层采用P型掺杂结构，将空穴传输材料掺杂氧化剂如SbCl5、FeCl3、碘、F4-TCNQ或TBAHA。当然还可以采用量子阱结构等其他任何可以提闻空穴注入的结构。
[0078]第二电极106c可为阴极或阳极，所采用的导电材料例如为铝、银、镁、钯、钼的金属材料，或者为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或氧化锌的金属氧化物等透光材料，其可单独地或结合地使用，并可通过溅镀或蒸镀等方式形成。
[0079]平坦化层104上还设置有像素定义层108，露出第一电极106a与弯曲部104a形状相应的表面，其材料例如为氧化娃、氮化娃、氧化氮娃、有机非导电聚合物或其组合，且可通过如物理气相沉积法、化学气相沉积法及旋转涂布的制造方法所形成。像素定义层108位于平坦化层104上的弯曲部之外，并将多个发光单元106间隔开来。
[0080]如此，发光单元106内的第一电极106a、发光结构106b和第二电极106c均具有与弯曲部104a相应的形状，通过如此的设置型态，有助于提升发光单元106的发光面积，从而提高发光亮度。
[0081]现参照图3，以说明依据本公开另一个实施方式的OLED显示装置。
[0082]如图3所示，其示出OLED显示装置200，具有基板202。基板202的材料与上一实施方式相同。
[0083]在基板202上设置有平坦化层204。平坦化层204的材料及形成方法与上一实施方式相同。
[0084]平坦化层204上设置有具有多个彼此间隔开的弯曲部204a，弯曲部204a为形成在平坦化层204上的凹陷，弯曲部204a的一截面整体上具有弧形轮廓。弯曲部204a的形成可例如为在平坦化层204涂布光致抗蚀剂，对光致抗蚀剂进行光刻、显影工艺或者蚀刻工艺，并予以烘烤固化后形成，可利用例如灰度掩模进行光刻或者刻蚀。
[0085]平坦化层204上设置有多个发光单元206，每个发光单元206都位于弯曲部204a上且具有与弯曲部204a相应的形状。发光单元206包括第一电极206a、发光结构206b和第二电极206c。
[0086]第一电极206a大体覆盖了平坦化层204的弯曲部204a，相对使第一电极206a亦具有弯曲表面与平坦化层204的弯曲部204a对应。第一电极206a的材料与形成方法与上一实施方式相同。
[0087]在第一电极206a上设置有发光结构206b和第二电极206c,发光结构206b和第二电极206c均具有弯曲表面与平坦化层204的弯曲部204a对应。发光结构206b和第二电极206c的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0088]平坦化层204上还设置有像素定义层208，露出第一电极206a与弯曲部204a形状相应的表面，像素定义层208位于平坦化层204上的弯曲部之外，并将多个发光单元206间隔开来。像素定义层208的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0089]如此,发光单兀206内的第一电极206a、发光结构206b和第二电极206c均具有与弯曲部204a相应的形状，通过如此的设置型态，有助于提升发光单元206的发光面积，从而
提高发光亮度。
[0090]现参照图4，以说明依据本公开另一个实施方式的OLED显示装置。
[0091]如图4所示，其示出OLED显示装置300，具有基板302。基板302的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0092]在基板302上设置有平坦化层304。平坦化层304的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0093]平坦化层304上设置有具有多个彼此间隔开的弯曲部304a，弯曲部304a具有多重凹凸表面，弯曲部304a的一截面整体上具有弧形轮廓。弯曲部304a可为平坦化层304经过光刻、显影工艺或者蚀刻工艺后，并予以烘烤固化后形成，可利用例如灰度掩模进行光刻或者刻蚀。
[0094]平坦化层304上设置有多个发光单元306，每个发光单元306都位于弯曲部304a上且具有与弯曲部304a相应的形状。发光单元306包括第一电极306a、发光结构306b和第二电极306c。
[0095]第一电极306a大体覆盖了平坦化层304的弯曲部304a，相对使第一电极306a亦具有与平坦化层304的弯曲部304a相对应的弯曲表面。第一电极306的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0096]在第一电极306a上设置有发光结构306b和第二电极306c,发光结构306b和第二电极306c均具有弯曲表面与平坦化层304的弯曲部304a对应。发光结构306b和第二电极306c的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0097]平坦化层304上还设置有像素定义层308，露出第一电极306a与弯曲部304a形状相应的表面，像素定义层308位于平坦化层304上的弯曲部之外，并将多个发光单元306间隔开来。像素定义层308的材料和形成方法与上一实施方式相同。
[0098]如此,发光单兀306内的第一电极306a、发光结构306b和第二电极306c均具有与弯曲部304a相应的形状，通过如此的设置型态，有助于提升发光单元306的发光面积，从而
提高发光亮度。
[0099]现参照图5，以说明依据本公开方法的一个实施方式制造OLED发光装置。
[0100]如图5所示，首先，形成平坦化层于基板上。基板可包括如玻璃、塑胶或陶瓷的透明绝缘材料。平坦化层可通过如旋转涂布法形成。平坦化层的材料为例如光致抗蚀剂材料、或旋涂玻璃(spin on glass, S0G)。
[0101]其次，形成弯曲部于平坦化层上。弯曲部可为形成在平坦化层上的凸起部、凹陷或者具有多重凹凸表面，弯曲部的一截面整体上具有弧形轮廓。弯曲部与平坦化层可包括相同材料或一体形成。形成弯曲部的具体步骤可包括于平坦化层上形成光致抗蚀剂层，并利用灰度掩模通过光刻与显影工艺，在光致抗蚀剂层内形成开口 ；接着施行表面处理工艺，采用光致抗蚀剂层为掩模，进而表面处理为光致抗蚀剂层所露出的平坦化层的表面并予以烘烤固化，并使之形成弯曲部，上述表面处理工艺例如为等离子体蚀刻工艺或为搭配适当掩模(例如灰度掩模)的等离子体蚀刻工艺等制作方法，但本公开不限于此。例如，平坦化层可包括光致抗蚀剂材料，利用灰度掩模对光致抗蚀剂材料执行光刻工艺，然后执行显影工艺并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。其中烘烤固化优选为在150?350°C的烤箱中进行烘烤，从而让光阻流平而形成平滑的凹凸曲面。
[0102]再次，形成第一电极于弯曲部上，并具有与弯曲部相应的形状。在去除光致抗蚀剂层之后，于平坦化层的表面形成一层导电材料，上述导电材料顺应地形成于平坦化层之上并填入弯曲部，接着施行光刻与蚀刻工艺以图案化此层导电材料，在平坦化层的部分表面上留下了导电材料，以作为发光装置的第一电极。第一电极大体覆盖了平坦化层的弯曲部，相对使第一电极亦具有与弯曲部对应的形状。在此，第一电极所包括的导电材料例如为铝、银、镁、钯、钼等金属材料，或者为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或氧化锌的金属氧化物等透光材料，其可单独地或结合地使用。当器件为底部发光时，第一电极106a使用如为铝、银、镁、钯、钼等金属材料时，其示范地具有5?200埃(I)的厚度，以提供大于50%的透光率。当器件为顶部发光时，第一电极可结合使用如铝、银、镁、钯、钼等金属材料及铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)或氧化锌(ZnO)的金属氧化物，其示范地具有100?3000埃(A)的厚度。另外，第一电极106a的导电材料可通过溅镀法、电子束蒸镀法、热蒸镀法、化学气相镀膜法及喷雾热裂解法所形成。
[0103]接着，形成像素定义层于平坦化层上，像素定义层位于相邻的弯曲部之间并暴露出第一电极的至少部分表面。像素定义层位于平坦化层上的弯曲部之外，并将多个发光单元间隔开来。像素定义层的材料例如为氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、有机非导电聚合物或其组合，且可通过如物理气相沉积法、化学气相沉积法及旋转涂布的制造方法所形成。之后，通过光刻与蚀刻工艺并配合光致抗蚀剂图案的使用，以图案化此像素定义层并露出阳极的弯曲表面。
[0104]最后，依序形成发光结构与第二电极于第一电极上。发光结构包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，并通过光刻与蚀刻工艺，形成堆叠的发光结构以及阴极。电子注入层可为氧化锂、氧化锂硼、硅氧化钾、碳酸铯或碱金属氟化物，如氟化锂、氟化钾、氟化铯中的一种。电子传输层要求具有较高的电子迁移率、较高的玻璃转变温度和热稳定性、并且可经由热蒸镀形成均匀、无微孔的薄膜，可为噁唑衍生物、金属螯合物喹啉衍生物、喔啉衍生物、二氮蒽衍生物、二氮菲衍生物、含硅的杂环化合物中的一种。发光层可包括有机材料或无机材料，例如为小分子材料、聚合物材料或有机金属配合物，其可通过热真空蒸镀、旋转涂布、喷墨、雷射转印或网版印刷等方式形成。空穴传输层要求具有较高的电子迁移率、具有高的热稳定性并能真空蒸镀形成无针孔的薄膜，可选取的空穴传输材料为成对偶联的二胺类化合物，如TPD、TAPC, NPB, β -NPB, a -NPD ;三苯胺化合物，如TDAB、TDAPB, PTDATA, spiro-mTTB ;或某些三芳胺聚合物、咔唑类化合物中的一种。空穴注入层要求与阳极和相邻的空穴传输层的能级匹配度良好，可以为但不限于CuPc、TNATA、PED0T。一种示范的方案为空穴注入层采用P型掺杂结构，将空穴传输材料掺杂氧化剂如SbCl5、FeCl3、碘、F4-TCNQ或TBAHA。当然还可以采用量子阱结构等其他任何可以提高空穴注入的结构。第二电极的导电材料例如为铝、银、镁、钯、钼的金属材料，或者为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或氧化锌的金属氧化物等透光材料，其可单独地或结合地使用，并可通过溅镀或蒸镀等方式形成。
[0105]综上所述，本公开通过在发光单元与平坦化层的接触处设置弯曲部，将发光单元由平坦表面变更为弯曲表面，大幅度提高有机发光二极管的开口率，增大发光面积，从而提高有机二极管的发光亮度，降低功耗并延长产品使用寿命。
[0106]本领域技术人员应当注意的是，本公开所描述的实施方式仅仅是示范性的，可在本公开的范围内作出各种其他替换、改变和改进。因而，本公开不限于上述实施方式，而仅由权利要求限定。
【权利要求】
1.一种OLED发光装置，包括: 基板； 位于所述基板上的平坦化层，其中所述平坦化层具有多个彼此间隔开的弯曲部； 位于所述平坦化层上的多个发光单元，每个发光单元位于所述弯曲部上且具有与所述弯曲部相应的形状，其中每个发光单元包括: 第一电极； 位于所述第一电极上的发光结构； 位于所述发光结构上的第二电极， 其中，所述弯曲部的一截面整体上具有弧形轮廓。
2.根据权利要求1的OLED发光装置，还包括像素定义层，位于相邻的所述弯曲部之间。
3.根据权利要求1的OLED发光装置，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层上的凸出部。
4.根据权利要求3的OLED发光装置，其中所述弯曲部与所述平坦化层包括相同材料。
5.根据权利要求4的OLED发光装置，其中所述弯曲部与所述平坦化层一体形成。
6.根据权利要求5的OLED发光装置，其中所述弯曲部包括光致抗蚀剂材料。
7.根据权利要求1的OLED发光装置，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层中的凹陷。
8.根据权利要求1的OLED发光装置，其中所述弯曲部具有多重凹凸状表面。
9.根据权利要求1的OLED发光装置，其中所述第一电极和所述第二电极之一为阳极，且另一个为阴极。
10.一种制造OLED发光装置的方法，包括: 在基板之上形成平坦化层； 在所述平坦化层上形成多个彼此间隔开的弯曲部； 在所述弯曲部上形成第一电极； 在所述第一电极上形成发光结构及第二电极； 其中，所述弯曲部的一截面整体上具有弧形轮廓。
11.根据权利要求10的方法，还包括在形成所述第一电极之后形成像素定义层，所述像素定义层位于相邻的所述弯曲部之间并暴露出所述第一电极的至少部分表面。
12.根据权利要求10的方法，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层上的凸出部。
13.根据权利要求12的方法，其中所述弯曲部与所述平坦化层包括相同材料。
14.根据权利要求13的方法，其中所述弯曲部与所述平坦化层一体形成。
15.根据权利要求14的方法，其中所述弯曲部包括光致抗蚀剂材料。
16.根据权利要求15的方法，其中形成所述弯曲部包括: 利用灰度掩模对所述平坦化层执行光刻工艺； 对所述平坦化层执行显影工艺，并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。
17.根据权利要求10的方法，其中所述弯曲部为形成在所述平坦化层中的凹陷。
18.根据权利要求17的方法，其中形成所述弯曲部包括: 利用灰度掩模对所述平坦化层执行光刻工艺； 对所述平坦化层执行显影工艺，并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。
19.根据权利要求10的方法，其中所述弯曲部具有多重凹凸状表面。
20.根据权利要求19的方法，其中形成所述弯曲部包括:利用灰度掩模对所述平坦化层执行光刻工艺；对 所述平坦化层执行显影工艺，并予以烘烤固化，从而得到所述弯曲部。
【文档编号】H01L51/50GK103928626SQ201410155846
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月17日 优先权日:2014年4月17日
【发明者】吴界煌 申请人:上海和辉光电有限公司