一种氮化硅薄膜的高温退火方法
【专利摘要】本发明涉及一种氮化硅薄膜的高温退火方法。将硅片表面制作氮化硅减反膜后在硅片表面进行高温退火。本发明方法可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，同时高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高；另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生产实践价值，增强企业的竞争力。
【专利说明】一种氮化硅薄膜的高温退火方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及太阳能电池制作【技术领域】，具体涉及一种氮化硅薄膜的高温退火方 法。
【背景技术】
[0002] 在各种太阳电池中，晶体硅电池一直占据着最重要的地位。近年来，在晶体硅太阳 电池提高效率和降低成本方面取得了巨大成就和进展，进一步提高了它在未来光伏产业中 的优势地位。
[0003] 氮化硅薄膜作为传统的晶体硅太阳能电池钝化减反膜，其性能的变化直接影响 电池的转化效率。目前，无论从生产方还是使用方，对晶体硅电池片的极化效应（PID)的 关注越来越多。2011年7月NREL在其发表的文章 ((System Voltage Potential Induced Degradation Mechanisms in PV Modules and Methods for Test))中对 PID 进行了详细的说 明。目前PID现象已被更多的人所了解，并有越来越多的研究机构和组件制造商对其进行 了深入的研究和发表文章 。PID Free被许多组件厂和电池厂作为卖点之一，许多光伏组件 用户也开始只接受PID Free的组件。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是针对上述问题提供的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，将硅片表 面制作氮化硅减反膜后在硅片表面进行高温退火。本发明方法可以有效的提高氮化硅薄膜 的均匀性以及致密性，同时高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，增加了氮化硅薄 膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高；另外，经过高温退火的电池 片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生产实践价值，增强企业的竞争力。
[0005] 本发明的一种氮化硅薄膜的高温退火方法采用的技术方案为，在硅片表面制作氮 化硅减反射膜后，将硅片进行高温退火。
[0006] 所述的高温退火是将沉积氮化硅薄膜后的硅片放入退火炉中，通入保护气，在高 温条件下保持一段时间。
[0007] 退火炉内的温度为300-1000°C。
[0008] 进一步的，退火炉内的温度为500-800°C。
[0009] 优选的，退火炉内的温度为600_700°C。
[0010] 在高温条件下保持时间为5_60min。
[0011] 在高温条件下保持时间为15_30min。
[0012] 所述的保护气为氨气、硅烷、氢气、氮气中的一种。
[0013] 所述的硅片为多晶硅或多晶硅。
[0014] 本发明的有益效果是：本发明方法可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致 密性，同时高温退火减少了硅片中的微缺陷和杂质离子，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这 样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高；另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗
【权利要求】
1. 一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于，在硅片表面制作氮化硅减反射膜后， 将硅片进行高温退火。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：所述的高温 退火是将沉积氮化硅薄膜后的硅片放入退火炉中，通入保护气，在高温条件下保持一段时 间。
3.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：退火炉内的 温度为 300-1000。。。
4.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：退火炉内的 温度为 500-800°C。
5.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：退火炉内的 温度为 600-700°C。
6.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：在高温条件 下保持时间为5-60min。
7.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：在高温条件 下保持时间为15-30min。
8.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：所述的保护 气为氨气、娃烧、氢气、氮气中的一种。
9.根据权利要求2所述的一种氮化硅薄膜的高温退火方法，其特征在于：所述的硅片 为多晶硅或多晶硅。
【文档编号】H01L31/18GK104051572SQ201410251456
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月9日 优先权日:2014年6月9日
【发明者】任现坤, 姜言森, 贾河顺, 马继磊, 张春艳, 徐振华, 王光利, 尹兰超, 黄国强 申请人:山东力诺太阳能电力股份有限公司