一种有机发光面板修复方法
【专利摘要】本发明提供一种有机发光面板的修复方法，包含：定位所述面板中亮点所在的子像素位置；采用掩模板遮挡亮点所在子像素之外的面板区域；使用UV光照射所述亮点所在子像素的有机发光区。
【专利说明】一种有机发光面板修复方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光面板修复方法，尤其是一种修复0LED面板中亮点的方 法。
【背景技术】
[0002] 有机发光装置利用电激发的有机荧光化合物发光，其具有阴极和阳极，二者中间 有由有机化合物组成的有机膜。当向阴极、阳极上施加电压时，施加正电压的电极中，空 穴通过空穴传输层（HTL)迁移到有机发光区，施加负电压的电极中，电子通过电子传输层 (ETL)迁移到有机发光区，空穴和电子在有机发光区中发生复合产生激子，激子被激发后发 出光，为0LED显示提供光源。
[0003] 0LED的特性是自己发光，不像TFT IXD需要背光，因此可视度和亮度均高，其次是 电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为21世 纪最具前途的产品之一。
[0004] -般而言，0LED可按发光材料分为两种：小分子0LED和商分子0LED (也可称为 PLED)。有机发光区的材料须具备固态下有较强萤光、载子传输性能好、热稳定性和化学稳 定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性，一般有机发光区的材料使用通常与电子传输 层或电洞传输层所采用的材料相同，例如Alq被广泛用于绿光，Balq和DPVBi则被广泛应 用于蓝光。
[0005] 0LED的驱动方式分为主动式驱动（AM0LED)和被动式驱动（PM0LED)。其中，有源驱 动的每个像素配备具有开关功能的低温多晶硅薄膜晶体管（LTP-Si TFT)，在实际生产中， 由于TFT漏流等因素的影响，会导致0LED器件子像素亮度过大，从而产生亮点。现有技术 中常使用切割或遮挡的办法处理子像素0LED器件中的子像素亮点，但是在实施过程中，工 艺复杂，还会影响器件的开口率和良率。
【发明内容】
[0006] 本发明的一个方面旨在提供一种有机发光面板修复方法，包含：提供一有机发光 面板，所述面板具有多个子像素，每个所述子像素具有有机发光区；定位所述面板中亮点所 在的子像素位置；使用UV光照射所述亮点所在子像素的有机发光区。
[0007] 本发明具有如下一种或多种的技术效果：
[0008] 1、通过UV光照射亮点所在子像素的有机发光区，从而消除0LED器件中的亮点。
[0009] 2、UV光使照射的有机发光区发光效率降低，因此不消除亮点子像素的发光作用。
[0010] 3、采用掩模板遮挡正常像素或使用UV激光照射，不影响周边正常像素的发光。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为现有技术0LED装置截面图示意图；
[0012] 图2为现有技术0LED装置俯视图示意图；
[0013] 图3为本发明的一个实施例的工艺步骤示意图；
[0014] 图4为本发明的一个实施例的工艺步骤示意图；
[0015] 图5为本发明的一个实施例的截面图；
[0016] 图6为本发明的一个实施例的俯视图；
[0017] 图7为本发明的一个实施例的截面图；
[0018] 图8为本发明的一个实施例的工艺步骤示意图。
【具体实施方式】
[0019] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本发明实 施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显而易见地，下面描 述中的附图仅仅是本发明的几种实施例，而非全部实施方式，基于本发明中的实施例，本领 域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保 护的范围。
[0020] 图1为0LED器件像素结构截面图，基板100上包含有薄膜晶体管（TFT) 110,薄膜 晶体管上形成有第一电极105,第一电极105可以做0LED装置的阳极，第一电极105上方有 像素定义层109,像素定义层109上方有有机膜107,有机膜107中包含有机发光区104 (图 中未示出），有机发光区104设置于相邻两个像素定义层之间。有机膜107上方具有第二 电极106,第二电极106可以作为0LED装置的阴极。在第一电极105和第二电极106的 共同作用下，有机膜107会产生发光，从而实现显示作用。有机膜107可以铺成整面（如 图所示），也可以仅设置于相邻两个像素定义层之间。图2为0LED器件像素结构俯视图， 0LED装置中包含多个子像素，栅极线101与数据线102绝缘交叉，围成一个子像素。输电 线（PVDD)103,平行于数据线102设置，用于控制0LED器件亮度。有机发光区104包含第 一子有机发光区104a、第二子有机发光区104b、第三子有机发光区104c，三个子有机发光 区的有机膜米用不同有机材料制成，一般来讲，该有机材料属于突光材料或磷光材料，在阴 极、阳极电压的激发下，三个子有机发光区发出不同波长的光，例如第一子有机发光区l〇4a 发红光，第二子有机发光区104b发绿光，第三子有机发光区104c发蓝光。
[0021] 图3是本发明的一个实施例，具体包含：定位面板中亮点所在的子像素位置；使用 UV光照射亮点所在子像素的有机发光区。0LED器件发光源器件发光层采用有机物组成，在 UV光照射的照射下，会产生复杂光合反应、光光反应等，导致发光层有机物分子结构发生分 解、氧化和重排，进而降低0LED发光效率，使像素亮度降低。本发明根据0LED有机物的这 个特性，利用UV光对于有机物的发光效率影响，修复0LED面板的亮点缺陷。
[0022] 亮点可分为两种，一种是白画面下的异常亮点，它是由于工艺上刻蚀刻蚀不完全、 TFT工艺不良等原因，产生TFT漏流的现象造成的，对于这种情况，通过控制UV能量、照射时 间，可以降低有机发光区的发光效率，与TFT漏流效果相互抵消，使得亮点子像素与正常子 像素发出同样亮度的光。这个方法不同于传统方法，直接消灭亮点子像素的发光状态，使之 变成暗点，而是通过控制其发光效率，修复亮点不良子像素为"正常"子像素，大大提高产品 的良率。另外一种亮点时黑画面下的亮点，这是由于TFT失效而造成的漏流，由于TFT已无 法控制电流的大小，因此必须通过加大UV光照射强度、照射时间，将整个子像素的发光降 低到阈值以下，也就是将子像素调整至暗态，从而消除亮点。
[0023] 可选地，UV光波长范围是365nm-405nm，这是由于用于0LED器件的高分子材料对 于这个波段的UV光敏感性最强，波长越小的光，能量越强。可选地，用于照射亮点的UV光 强度是5000mj/ Cm2-8000mj/cm2,如果光强太小，则不能对有机物产生预期的影响，无法降低 0LED器件发光效率，从而无法消除亮点，若光强过大，则会因为能量过大，产生能量溅射效 果，殃及到邻近的正常子像素单元。可选地，使用所述UV光照射亮点所在子像素的时间为 10s-50s，照射时间过短，对于0LED器件发光效率的影响有效，消除亮点的效果不佳，照射 时间过长，则会由于能量过大，产生能量溅射效果，殃及到邻近的正常子像素单元。
[0024]
【权利要求】
1. 一种有机发光面板的修复方法，包含：提供一有机发光面板，所述面板具有多个子 像素，每个所述子像素具有有机发光区；定位所述面板中亮点所在的子像素位置；使用UV 光照射所述亮点所在子像素的有机发光区。
2. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，每三个相邻子像素组成一个像素，且 所述三个相邻子像素发出的光波长各不相同，所述修复方法进一步包含，使用UV光照射与 亮点所在子像素位于同一个像素区域的另两个子像素的发光区。
3. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，在UV光照射之前，采用掩模板遮挡亮 点所在子像素之外的面板区域。
4. 根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，在UV光照射之前，采用掩模板遮挡亮 点所在像素之外的面板区域。
5. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述有机发光面板进一步包含：阴 极；与所述阴极相对的阳极；所述有机发光区位于所述阴极和所述阳极之间。
6. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述UV光为激光。
7. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述UV光波长范围是365nm-405nm。
8. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述UV光强度是5000mj/ cm2-8000mj/cm2。
9. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，使用所述UV光照射亮点所在子像素 的时间为l〇s_50s。
10. 根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述定位面板亮点子像素包含：将 OLED点亮；使OLED面板显示黑画面或白画面；确定亮点所在子像素的坐标。
【文档编号】H01L27/32GK104064584SQ201410279679
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年6月20日 优先权日:2014年6月20日
【发明者】李玉军 申请人:上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司