有机发光显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光显示（0LED)面板。
【背景技术】
[0002] 在平板显示装置的领域中普遍利用了质量轻且消耗少量功率的液晶显示（LCD) 装置。然而，LCD显示器是本身不产生光的非发光装置，并且具有与亮度、对比度、视角、放 大等相关的缺陷。
[0003] 因此，已经积极研究了可克服IXD装置的缺陷的新型平板显示装置。作为新型平 板显示装置中的一种的有机发光显示（0LED)装置是本身产生光的发光装置，因此与现有 的LCD装置相比，具有优异的亮度、视角和对比度性质。另外，0LED装置不需要背光，因此 可被设计成质量轻且薄，并且从功耗的角度看是有利的。
[0004] 0LED装置的0LED面板利用从与各个像素区域的薄膜晶体管连接的有机发光器件 发射的光来显示图像。发光器件在阳极和阴极之间形成由有机化合物形成的有机发光层， 并且对应于通过施加电磁场来产生光的器件，通过低电压驱动，消耗相对少量的功率，质量 轻，并且被制造在柔性基板的顶部上。
[0005] 与0LED装置的发光方向相关的发光方案被分类成顶部发光方案和底部发光方 案。根据底部发光方案，当像素⑵故障时，难以透过黑底指明修复位置。另外，由于黑底 的不平坦表面，导致晶体管的电性质劣化。
【发明内容】
[0006] 在此背景下，本发明的一方面在于提供一种0LED面板，该0LED面板在像素故障时 容易执行修复并且改进电性质。
[0007] 如上所述，根据本发明，容易修复0LED面板并且改进电性质。
[0008] 本发明的一方面是一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：基板，其包 括发光区域和非发光区域；黑底，其被设置在所述非发光区域上并且包括暴露形成在所述 基板上的图案的至少一部分的至少一个开口区域，其中，所述图案或所述图案的被暴露部 分包括多层结构，该多层结构包括导电层和至少一个低反射层。
[0009] 本发明的另一方面是一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：显示面 板，其包括形成在多条数据线和多条选通线之间的交叉点处的多个像素；黑底，其包括暴露 各个像素的发光区域的、设置在发光区域上的开口区域，其中，所述多个像素中的至少一个 像素是被切割了图案的一部分的像素，其中，所述黑底还包括设置在暴露被切割部分的非 发光区域上的开口区域。
[0010] 在示例性实施方式中，所述开口区域暴露形成在所述基板上的信号线、晶体管电 极和像素电极中的至少一个的一部分。
[0011] 在示例性实施方式中，所述开口区域暴露形成在形成有晶体管的层与形成有所述 黑底的不同层之间的遮挡层的一部分。
[0012] 在示例性实施方式中，所述开口区域是用于定位像素修复的标记。
[0013] 在示例性实施方式中，所述开口区域对应于所述晶体管的半导体层。
[0014] 在示例性实施方式中，所述开口区域对应于所述遮挡层的至少一部分。
[0015] 在示例性实施方式中，至少一个低反射层包括金属氧化物或吸收从所述基板外部 引入的光的材料，或者被涂覆有吸光剂。
[0016] 在示例性实施方式中，所述至少一个低反射层包括包含金属氧化物的第一层和包 含吸收光的材料的第二层。
[0017] 在示例性实施方式中，通过所述基板引入的光是非偏振光。
[0018] 在示例性实施方式中，所述黑底包括耐热的有机物质。
【附图说明】
[0019] 根据以下结合附图的详细描述，本发明的以上和其它目的、特征和优点将更清楚， 附图中：
[0020] 图1是示出应用了本发明的实施方式的0LED装置的系统的示图。
[0021] 图2是根据本发明的实施方式的0LED面板的示意性平面图。
[0022] 图3A是根据本发明的另一个实施方式的0LED面板的C区域的示例的示意性平面 图。
[0023] 图3B是图3A的0LED面板的电路图。
[0024] 图3C是在相反方向上观察到的、图3A的0LED面板的示意性平面图。
[0025] 图4A是根据本发明的另一个实施方式的0LED面板的C区域的另一个示例的示意 性平面图。
[0026] 图4B是在相反方向上观察到的、图4A的0LED面板的示意性平面图。
[0027] 图5A至图5C是根据本发明的其它实施方式的、沿着图2的A-A'和B-B'截取的 0LED面板的示意性截面图。
[0028] 图6是通常的0LED面板的示意性截面图。
[0029] 图7A是根据本发明的另一个实施方式的0LED面板的示意性截面图。
[0030] 图7B是根据本发明的另一个实施方式的0LED面板的示意性截面图。
[0031] 图8是示出根据本发明的另一个实施方式的与0LED面板的晶体管相关的I-V评 估的曲线图。
[0032] 图9A和图9B是示出根据本发明的另一个实施方式的对于0LED面板的各种类型 的黑底而言不同的粗糙度的表和曲线图。
【具体实施方式】
[0033] 下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。在下面的描述中，将用相同的 附图标记表示相同的元件，尽管它们是在不同的附图中示出的。另外，在下面对本发明的实 施方式的描述中，当对并入本文的已知功能和构造的详细描述可能使本发明的主题不清楚 时，将省略该详细描述。
[0034] 另外，在本文中，当描述本发明的组件时，可使用诸如第一、第二、A、B、（a)、（b)等 术语。这些术语只是用于将一个结构元件与其它结构元件区分开，对应的结构元件的性质、 次序、顺序等不受术语限制。应该注意，如果在说明书中描述了一个组件"连接"、"结合"或 "联结"到另一个组件，则第三组件可"连接"、"结合"和"联结"在第一组件和第二组件之间， 尽管第一组件可直接连接、结合或联结到第二组件。同样地，当描述特定元件形成在另一个 元件的"上面"或"下面"时，应该理解，所述特定元件可直接地或经由又一个元件间接地形 成在另一个元件的上面或下面。
[0035] 图1是示出应用了本发明的实施方式的0LED装置的系统的示图。
[0036] 参照图1，0LED装置100包括0LED面板140、数据驱动单元120、选通驱动单元130、 时序控制器110等。
[0037] 首先，时序控制器110基于诸如垂直/水平同步信号（Vsync和Hsync)、图像数据、 时钟信号（CLK)等的外部时序信号，输出用于控制数据驱动单元120的数据控制信号（DCS) 和用于控制选通驱动单元130的选通控制信号（GCS)。另外，时序控制器110将从主机系统 输入的图像数据（data)转换成用于数据驱动单元120的数据信号格式，并且将转换后的图 像数据（data')提供到数据驱动单元120。
[0038] 响应于从时序控制器110输入的DCS和转换后的图像数据（data')，数据驱动单 元120将图像数据（data')转换成数据信号（模拟像素信号或数据电压）并且将该数据 信号提供到数据线（D1~Dm)，该数据信号是对应于灰度值的电压值。
[0039] 选通驱动单元130响应于从时序控制器110输入的GCS将扫描信号（选通脉冲或 扫描脉冲、选通-导通信号）顺序供应到选通线（G1~Gn)。
[0040] 0LED面板140上的各个像素⑵可形成在由数据线（D1~Dm)和选通线（G1~ Gn)限定的像素区域中并可设置成矩阵形式，并且可对应于至少一个有机发光器件，该有机 发光器件包括对应于第一电极的阳极、对应于第二电极的阴极、以及有机层。
[0041] 选通线G1至Gn、数据线D1至Dm和用于供应高电势电压的高电势电压线形成在各 个像素 P中。另外，在各个像素 P中，开关晶体管形成在选通线G1至Gn和数据线D1至Dm 之间，并且形成由正电极、负电极和有机发光层组成的有机发光二极管。此外，在各个像素 中，驱动晶体管形成在开关晶体管的源极（或漏极）与高电势电压线之间。
[0042] 另外，0LED面板140可包括各个像素（P)和对应像素（P)的非发光区域（ΝΕΑ)之 间的黑底（未示出）。黑底（未示出）可遮挡从外部引入的光。黑底（未示出）包括当像 素（Ρ)故障时用于修复的开口区域（0Α)，通过0Α暴露的信号线或电极可包括用于遮挡来自 外部的光的低反射率结构。
[0043] 晶体管的半导体层易受诸如从外部引入的光的外部环境影响，因此可包括遮挡层 (未示出），遮挡层（未示出）还可包括低反射率结构。
[0044] 黑底（未示出）的表面可根据制造工艺设置成不平坦形状。当黑底（未示出）的 形状被应用于晶体管的半导体层时，电性质劣化，因此黑底（未示出）的0Α可设置在半导 体层的下部中。在这种情形下，遮挡层可防止因从外部引入的光而导致的半导体层的性质 的劣化。
[0045] 0LED面板140可以是基于底部发光方案的。这里，底部发光方案是指发射的光从 像素电极（未示出）起在0LED面板140的底部的基板的方向上前进的方案。
[0046] 下文中，将