（SENT)的第二漏极256a，第三 0A(0A3)暴露第七线252,第四0A(0A4)和第五0A(0A5)还暴露第七线252。从电路的角度 看，可分别切割选通线（GL)和第二晶体管（SENT)之间的部分（L2)、数据线（DL)和第三晶 体管（SWT)之间的部分（L3)、选通线（GL)和第三晶体管（SWT)之间的部分。
[0075] 0A(0A1、0A2、0A3、0A4和0A5)只是为了方便描述而被作为示例，按标记修复的区 域可不限于此，存在各种情况。
[0076] 黑底204由具有耐热性的有机化合物形成。例如，堤274可以是聚酰亚胺系列的 高聚物或硅氧烷系列的高聚物，但可不限于此。
[0077] 在黑底204具有耐热性的情况下，黑底204可在黑底204的制造工艺或其它层的 制造工艺期间在不经过修改或改变的情况下耐受高温环境。
[0078] 0A(0A1、0A2、0A3、0A4和0A5)可暴露基板202上的、形成在形成有晶体管（DT、 SENT、SWT)的层与形成有黑底（未示出）的层之间的遮挡层210、21(V和210"的部分。
[0079] 这里，遮挡层210、21(V和210"可被形成为对应于晶体管（DT、SENT、SWT)的导电 层，但遮挡层不限于此，并且被可形成为0LED面板200。
[0080] 在0LED面板200的黑底204的制造工艺期间，当执行图案化工艺或固化工艺时， 黑底204的表面可变得不平坦。换句话讲，黑底204可带有具有粗糙度的表面。因此，黑底 204的表面的形状可被转印到形成在黑底204上的层的表面。
[0081] 当形成的晶体管（DT、SENT、SWT)包括制造工艺中的缺陷时，电性质会劣化。例如， 由于晶体管（DT、SENT、SWT)的半导体层的不平坦表面，导致电子的移动距离增加并且电子 的迀移率会下降。
[0082] 因此，通过上述制造工艺制造的0LED面板200可具有至少一个像素（P)，所述至少 一个像素（P)的通过0A(0A1、0A2、0A3、0A4和0A5)暴露的部分被切割。
[0083] 图4A是示出根据本发明的另一个实施方式的0LED面板的C区域的另一个示例的 示意性平面图，图4B是示出在相反方向上观察到的、图4A的0LED面板的示意性平面图。
[0084] 参照图4A和图4B，0LED面板200可包括ΝΕΑ中的第一 0A (0A1)、第二0A (0A2)和 第四 0Α(0Α4)。
[0085] 这里，第一 0Α(0Α1)可暴露像素电极272的一部分和第一晶体管（DT)的第一漏极 240a，第二0A(0A2)可暴露像素电极272的一部分和第二晶体管（SENT)的第二漏极256a， 第四0A(0A4)可暴露作为选通线的第七线252的部分。
[0086] 另外，第一 0A(0A1)、第二0A(0A2)和第四0A(0A4)可充当用于切割或焊接的标记 或指示符。
[0087] 图3A至图4B的0LED面板200的0A (0A1、0A2、0A3、0A4和0A5)只是为了方便描 述而被作为示例，0A可形成在各种区域中。
[0088] 图5A至图5C是根据本发明的其它实施方式的沿着图2的A-A'和B-B'截取的 0LED面板的示意性截面图。
[0089] 在图5A至图5C中，A-A'是图2的0LED面板200的第一线260a和第一晶体管 T21的截面图，B-B'是在第一方向上切割的图2的子像素的截面图。
[0090] 参照图5A至图5C，0LED面板200可具有底部发光方案的结构。
[0091] 子像素可分别发射具有红色、蓝色、绿色、白色等颜色的光，并且呈现被设计成对 称的0LED面板200。另外，各个子像素可被划分成发光的区域和形成有晶体管（DT、SENT、 SWT)、存储电容器（Cstg)等的区域。这只是为了方便描述，根据本发明的实施方式的0LED 面板200可不限于此，可存在各种设计。
[0092] 如图3的A-A'部分中示出的，0LED 200形成在基板202上，并且可包括包含0A 的黑底204、被形成为覆盖黑底204的第一覆盖层206、形成在第一覆盖层206上的遮盖层 210、形成在遮盖层210上的第一绝缘层218、形成在第一绝缘层218上的第一晶体管（DT) 和第一线260a、设置在第一晶体管（DT)上的像素电极272、被形成为覆盖像素电极272的 堤274、以及依次形成在堤274上的有机层276和公共电极278。
[0093] 这里，0LED面板200的第一晶体管（DT)可以是例如氧化物晶体管，但这可不限于 此。另外，第一晶体管（DT)可包括第一半导体层220、形成在第一半导体层220上的第二 绝缘层222、形成在第二绝缘层222上的第一栅极230、形成在第一栅极230上的第三绝缘 层238、以及形成在第三绝缘层238上并且通过接触孔连接到第一半导体层220的第一源极 240b或第一漏极240a。这里，第二绝缘层222可以是将第一栅极230和第一半导体层220 绝缘的栅绝缘层。
[0094] 0LED面板200可包括第一线260a、形成在第一源极240b和第一漏极240a上的第 四绝缘层248、形成在第四绝缘层248上的第二覆盖层270。
[0095] 基板202可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、 聚酰亚胺的塑料基板以及玻璃基板。
[0096] 第一晶体管（DT)的第一半导体层220可由金属氧化物形成，例如可以是铟镓锌 氧化物（IGZ0)、铟镓氧化物（IG0)、铟锌氧化物（ΙΖ0)、锌锡氧化物（ΖΤ0)、铟铪锌氧化物 (ΙΗΖ0)和铟锆氧化物（ΙΖΖ0)中的一种。
[0097] 第一半导体层220的电性质或化学性质可由于从外部引入的光而变化，因此，第 一遮挡层210可形成在第一半导体层220的下部中。第一遮挡层210可设置在基板202与 第一晶体管（T21)的半导体层220之间，并且可被形成为对应于第一晶体管（DT)的导电层 220。第一遮挡层210可保护第一半导体层220,使其免受从外部引入的光的影响。
[0098] 基板202上形成的0A可以是用于修复的标记，因此可被形成为对应于第一遮挡层 210的至少一部分。黑底204的0A可不限于附图中示出的结构，可被形成为具有各种结构 和面积。这里，0A表示黑底204的开口区域。第一遮挡层210可保护第一晶体管（DT)的 第一半导体层220,使其免受从外部引入的光的影响，所述光是通过0A进入的非偏振光。
[0099] 黑底204可以是由具有耐热性的有机化合物形成的堤274。例如，堤274可以是聚 酰亚胺系列的高聚物或硅氧烷系列的高聚物，但不限于此。
[0100] 从外部通过0A引入的光可被第一晶体管（DT)的电极230、240a和240b反射，因 此，可能存在的缺陷是，可视性劣化并且亮度和对比度性质劣化。
[0101] 为了防止以上缺陷，第一晶体管（DT)的电极230、240a和240b的整体或通过0A 暴露的部分可具有由导电层242a和242b和一个或更多个低反射层244a和244b形成的多 层结构。
[0102] 这里，一个或更多个低反射层244a和244b可由吸收通过基板202从外部引入的 光的材料形成或者可被涂覆有光吸收材料。另外，低反射层244a和244b可由金属氧化物、 吸收光的金属、或其合金形成。
[0103] 尽管图5A只示出了形成单个低反射层244a和244b的情况，但实施方式不限于 此，并且包括多层结构。另外，尽管图5A示出当低反射层244a和244b形成在第一漏极240b 和第一源极240a上时的0LED面板200,但本发明可不限于此，低反射层可形成在第一栅极 230和第一遮挡层210上。
[0104] 导电层 242a 和 242b 可以是例如 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、 Ti、W和Cu及其合金中的一种。
[0105] 低反射层244a和244b可由吸收从外部引入的光的材料形成，可被涂覆有吸光剂， 或者可由金属氧化物形成。
[0106] 特别地，低反射层244a和244b可以是金属氧化物，例如，铟锡氧化物（ΙΤ0)、铟锌 氧化物（ΙΖ0)等。从外部引入的光可被分类成从低反射层244a和244b的界面反射的光和 穿过低反射层244a和244b并且从导电层242a和242b的界面反射的光。在从不同界面反 射的光之间会出现相消干扰，因此，从外部引入的光不返回到0LED面板200的外部。因此， 可防止由于从外部引入的光而导致可视性降低。
[0107] 另外，低反射层244a和244b可由吸收光并且具有近似于黑色的颜色的材料形成。 例如，低反射层244a和244b可以是Mo、Cr、TI、Nb、Μη和Ta或其合金中的一种。然而，实 施方式不限于此，可包括吸收光的另一种金属。因此，可防止从外部引入的光被再次反射到 外部。
[0108] 尽管图5A中未示出，但图2的第二晶体管（SENT)的第二栅极252、第二源极256b 和第二漏极256a、第三晶体管（