半导体结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关一种半导体结构与一种半导体结构的制造方法。
【背景技术】
[0002]应用于影像感测装置的半导体结构在制作时，可将透光的玻璃设置于晶片上，以保护晶片的影像感测器。当光线经玻璃至晶片时，影像感测器便可侦测到半导体结构外的物体影像。
[0003]然而，光线在已知半导体结构中会任意产生反射与折射，导致影像感测器会侦测到噪声光线，而产生鬼影影像。如此一来，在后段制程中，将很难通过调整参数(例如亮度、对比度)改善影像感测器接收到的影像状况，使得半导体结构的良率不易控制。
【发明内容】
[0004]本发明的一技术态样为一种半导体结构。
[0005]根据本发明一实施方式，一种半导体结构包含晶片、透光板、间隔元件与遮光层。晶片具有影像感测器与表面。影像感测器位于晶片的该表面上。透光板设置于该表面上，且透光板覆盖影像感测器。间隔元件位于透光板与该表面之间，且间隔元件围绕影像感测器。遮光层位于间隔元件与影像感测器之间的该表面上。
[0006]在本发明一实施方式中，上述遮光层的材质包含黑色光阻。
[0007]在本发明一实施方式中，上述遮光层延伸至间隔元件与晶片的表面之间。
[0008]在本发明一实施方式中，上述遮光层为抗红外线层。
[0009]在本发明上述实施方式中，由于间隔元件围绕影像感测器，且遮光层位于间隔元件与影像感测器之间的晶片的表面上，因此当光线经透光板至晶片时，遮光层可吸收噪声光线，使得噪声光线可被过滤而避免影像感测器产生鬼影影像。
[0010]本发明的另一技术态样为一种半导体结构。
[0011]根据本发明一实施方式，一种半导体结构包含晶片、透光板、间隔元件与反射层。晶片具有影像感测器、相对的第一表面与第二表面。影像感测器位于第一表面上。透光板设置于第一表面上，且透光板覆盖影像感测器。间隔元件位于透光板与第一表面之间，且间隔元件围绕影像感测器。反射层位于第二表面上，且影像感测器于第二表面的正投影与反射层重叠。
[0012]在本发明一实施方式中，上述反射层的材质包含铝铜合金。
[0013]在本发明一实施方式中，上述半导体结构还包含绝缘层。绝缘层覆盖反射层与第二表面。
[0014]在本发明一实施方式中，上述反射层的面积大于影像感测器的面积。
[0015]在本发明一实施方式中，上述反射层为抗红外线层。
[0016]在本发明上述实施方式中，由于反射层位于晶片的第二表面上，且影像感测器于第二表面的正投影与反射层重叠，因此当光线经透光板至晶片时，反射层可全反射噪声光线，可避免影像感测器产生鬼影影像。
[0017]本发明的又一技术态样为一种半导体结构。
[0018]根据本发明一实施方式，一种半导体结构包含晶片、透光板、间隔元件与遮光层。晶片具有影像感测器、相对的第一表面与第二表面。影像感测器位于第一表面上。透光板设置于第一表面上，且透光板覆盖影像感测器。间隔元件位于透光板与第一表面之间，且间隔元件围绕影像感测器。遮光层位于第二表面上，且影像感测器于第二表面的正投影与遮光层重叠。
[0019]在本发明一实施方式中，上述遮光层的材质包含黑色光阻。
[0020]在本发明一实施方式中，上述半导体结构还包含绝缘层。绝缘层位于第二表面与遮光层之间。
[0021]在本发明一实施方式中，上述半导体结构还包含绝缘层。绝缘层覆盖遮光层与第二表面。
[0022]在本发明一实施方式中，上述遮光层的面积大于该影像感测器的面积。
[0023]在本发明一实施方式中，上述遮光层为抗红外线层。
[0024]在本发明上述实施方式中，由于遮光层位于晶片的第二表面上，且影像感测器于第二表面的正投影与遮光层重叠，因此当光线经透光板至晶片时，遮光层可吸收噪声光线，使得噪声光线可被过滤而避免影像感测器产生鬼影影像。
[0025]本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。
[0026]根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:形成遮光层于晶片的表面上，其中晶片具有在该表面上的影像感测器。形成间隔元件于透光板上或晶片的该表面上。接合透光板于晶片的该表面上，使得遮光层位于间隔元件与影像感测器之间的该表面上。
[0027]在本发明一实施方式中，上述半导体结构的制造方法还包含形成遮光层于间隔元件与晶片的该表面之间。
[0028]本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。
[0029]根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:形成间隔元件于透光板上或晶片的第一表面上。接合透光板于晶片的第一表面上，使得间隔元件围绕晶片的影像感测器。形成反射层于晶片相对第一表面的第二表面上，使得影像感测器于第二表面的正投影与反射层重叠。
[0030]本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。
[0031]根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:形成间隔元件于透光板上或晶片的第一表面上。接合透光板于晶片的第一表面上，使得间隔元件围绕晶片的影像感测器。形成遮光层于晶片相对第一表面的第二表面上，使得影像感测器于第二表面的正投影与遮光层重叠。
[0032]在本发明一实施方式中，上述半导体结构的制造方法还包含形成绝缘层于第二表面与遮光层之间或覆盖遮光层与第二表面。
【附图说明】
[0033]图1绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0034]图2绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0035]图3绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0036]图4绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0037]图5绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0038]图6绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0039]图7绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0040]图8绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0041]图9绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。
[0042]图10绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。
[0043]图11绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。
[0044]图12绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。
[0045]其中，附图中符号的简单说明如下:
[0046]100:半导体结构100a:半导体结构
[0047]100b:半导体结构100c:半导体结构
[0048]100d:半导体结构100e:半导体结构
[0049]100f:半导体结构100g:半导体结构
[0050]100h:半导体结构111:保护层
[0051]110:晶片113:焊垫
[0052]112:影像感测器115:通孔
[0053]114:第一表面120:透光板
[0054]116:第二表面140:遮光层
[0055