该第一表面上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该遮光层的材质包含黑色光阻。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该遮光层延伸至该间隔元件与该第一表面之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该遮光层为抗红外线层。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该晶片具有一焊垫、裸露该焊垫的一通孔与相对该第一表面的一第二表面，该半导体结构还包含: 一绝缘层，位于该通孔的壁面与该第二表面上； 一重布线层，位于该焊垫与该绝缘层上； 一防焊层，位于该重布线层与该绝缘层上；以及 一导电结构，位于在该第二表面的该重布线层上。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该导电结构在该第一表面的正投影与该影像感测器至少部分重叠。7.一种半导体结构，其特征在于，包含: 一晶片，具有一影像感测器、及相对的一第一表面与一第二表面，该影像感测器位于该第一表面上； 一透光板，设置于该第一表面上，且该透光板覆盖该影像感测器； 一间隔元件，位于该透光板与该第一表面之间，且该间隔元件围绕该影像感测器；以及 一反射层，位于该第二表面上，且该影像感测器于该第二表面的正投影与该反射层重置。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该反射层的材质包含铝铜合金。9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该晶片具有一焊垫与裸露该焊垫的一通孔，该半导体结构还包含: 一绝缘层，位于该通孔的壁面上，且覆盖该反射层与该第二表面； 一重布线层，位于该焊垫与该绝缘层上； 一防焊层，位于该重布线层与该绝缘层上；以及 一导电结构，位于在该第二表面的该重布线层上。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该导电结构在该第一表面的正投影与该影像感测器至少部分重叠。11.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该反射层的面积大于该影像感测器的面积。12.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，该反射层为抗红外线层。13.一种半导体结构，其特征在于，包含: 一晶片，具有一影像感测器、及相对的一第一表面与一第二表面，该影像感测器位于该第一表面上； 一透光板，设置于该第一表面上，且该透光板覆盖该影像感测器； 一间隔元件，位于该透光板与该第一表面之间，且该间隔元件围绕该影像感测器；以及 一遮光层，位于该第二表面上，且该影像感测器于该第二表面的正投影与该遮光层重置。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该遮光层的材质包含黑色光阻。15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该晶片具有一焊垫与裸露该焊垫的一通孔，该半导体结构还包含: 一绝缘层，位于该通孔的壁面上，且位于该第二表面与该遮光层之间； 一重布线层，位于该焊垫与该绝缘层上； 一防焊层，位于该重布线层与该绝缘层上；以及 一导电结构，位于在该第二表面的该重布线层上。16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，该导电结构在该第一表面的正投影与该影像感测器至少部分重叠。17.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该晶片具有一焊垫与裸露该焊垫的一通孔，该半导体结构还包含: 一绝缘层，位于该通孔的壁面上，且覆盖该遮光层与该第二表面； 一重布线层，位于该焊垫与该绝缘层上； 一防焊层，位于该重布线层与该绝缘层上；以及 一导电结构，位于在该第二表面的该重布线层上。18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，该导电结构在该第一表面的正投影与该影像感测器至少部分重叠。19.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该遮光层的面积大于该影像感测器的面积。20.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，该遮光层为抗红外线层。21.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含: 形成一遮光层于一晶片的一第一表面上，其中该晶片具有在该第一表面上的一影像感测器； 形成一间隔元件于一透光板上或该晶片的该第一表面上；以及接合该透光板于该晶片的该第一表面上，使得该遮光层位于该间隔元件与该影像感测器之间的该第一表面上。22.根据权利要求21所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含； 形成该遮光层于该间隔元件与该晶片的该第一表面之间。23.根据权利要求21所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该晶片具有一焊垫、裸露该焊垫的一通孔与相对该第一表面的一第二表面，该制造方法还包含: 形成一绝缘层于该通孔的壁面与该第二表面上； 形成一重布线层于该焊垫与该绝缘层上； 形成一防焊层于该重布线层与该绝缘层上；以及 形成一导电结构于在该第二表面的该重布线层上。24.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含: 形成一间隔元件于一透光板上或一晶片的一第一表面上； 接合该透光板于该晶片的该第一表面上，使得该间隔元件围绕该晶片的一影像感测器；以及 形成一反射层于该晶片相对该第一表面的一第二表面上，使得该影像感测器于该第二表面的正投影与该反射层重叠。25.根据权利要求24所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该晶片具有一焊垫与裸露该焊垫的一通孔，该制造方法还包含: 形成一绝缘层于该通孔的壁面上且覆盖该反射层与该第二表面； 形成一重布线层于该焊垫与该绝缘层上； 形成一防焊层于该重布线层与该绝缘层上；以及 形成一导电结构于在该第二表面的该重布线层上。26.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含: 形成一间隔元件于一透光板上或一晶片的一第一表面上； 接合该透光板于该晶片的该第一表面上，使得该间隔元件围绕该晶片的一影像感测器；以及 形成一遮光层于该晶片相对该第一表面的一第二表面上，使得该影像感测器于该第二表面的正投影与该遮光层重叠。27.根据权利要求26所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含； 形成一绝缘层于该第二表面与该遮光层之间或覆盖该遮光层与该第二表面。28.根据权利要求27所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该晶片具有一焊垫与裸露该焊垫的一通孔，该制造方法还包含: 形成该绝缘层于该通孔的壁面上及该第二表面与该遮光层之间； 形成一重布线层于该焊垫与该绝缘层上； 形成一防焊层于该重布线层与该绝缘层上；以及 形成一导电结构于在该第二表面的该重布线层上。29.根据权利要求27所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该晶片具有一焊垫与裸露该焊垫的一通孔，该制造方法还包含: 形成该绝缘层于该通孔的壁面上且覆盖该遮光层与该第二表面； 形成一重布线层于该焊垫与该绝缘层上； 形成一防焊层于该重布线层与该绝缘层上；以及 形成一导电结构于在该第二表面的该重布线层上。
【专利摘要】一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含晶片、透光板、间隔元件与遮光层。晶片具有影像感测器、及相对的第一表面与第二表面。影像感测器位于第一表面上。透光板设置于第一表面上，且透光板覆盖影像感测器。间隔元件位于透光板与第一表面之间，且间隔元件围绕影像感测器。遮光层位于间隔元件与影像感测器之间的该第一表面上。本发明可避免影像感测器产生鬼影影像。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN105374836
【申请号】CN201510477089
【发明人】简玮铭, 李柏汉, 刘沧宇, 何彦仕
【申请人】精材科技股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年8月6日
【公告号】US20160043123