的剖面图。半导体结构100e包含晶片110、透光板120、间隔元件130与遮光层180。与图5实施方式不同的地方在于:半导体结构100e还包含绝缘层190a，但不包含绝缘层190 (见图5)。绝缘层190a覆盖遮光层180与晶片110的第二表面116。也就是说，在制作半导体结构100e时，形成遮光层180的制程是在形成绝缘层190a的制程前。
[0074]在图7至图9的叙述中，将以图2的半导体结构100a为例，说明半导体结构100a
经后续制程可形成的结构。
[0075]图7绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100f的剖面图。晶片110具有裸露焊垫113的通孔115。在本实施方式中，通孔115为缺口型式，使焊垫113的侧面裸露。半导体结构100f还包含绝缘层170a、重布线层204、防焊层206与导电结构208。绝缘层170a位于通孔115的壁面与第二表面116上。重布线层204位于焊垫113与绝缘层170a上。重布线层204电性接触焊垫113的侧面。防焊层206位于重布线层204与绝缘层170a上。防焊层206可以为绿漆，但并不以此为限。导电结构208位于第二表面116的重布线层204上，可透过重布线层204电性连接焊垫113。导电结构208可以为锡球或导电凸块，并不用以限制本发明。此外，导电结构208在第一表面114的正投影可与影像感测器112至少部分重叠。
[0076]图8绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100g的剖面图。与图7实施方式不同的地方在于，通孔115的壁面大致垂直于焊垫113，且重布线层204电性接触焊垫113的底面。
[0077]图9绘示根据本发明一实施方式的半导体结构100h的剖面图。与图8实施方式不同的地方在于，通孔115的壁面为斜面，且与焊垫113夹钝角。
[0078]应了解到，图7至图9有关通孔115、绝缘层170a、重布线层204、防焊层206与导电结构208的设计，也可选择性地应用于图1、图3至图6的半导体结构。
[0079]当图7至图9有关通孔115、绝缘层170a、重布线层204、防焊层206与导电结构208的设计应用于图1时，与图7至图9的差异在于遮光层140未延伸至间隔元件130与第一表面114之间。
[0080]当图7至图9有关通孔115、绝缘层170a、重布线层204、防焊层206与导电结构208的设计应用于图4时，与图7至图9的差异在于绝缘层170覆盖反射层160与第二表面116。
[0081]当图7至图9有关通孔115、绝缘层170a、重布线层204、防焊层206与导电结构208的设计应用于图5时，与图7至图9的差异在于绝缘层190位于通孔115的壁面上，且位于第二表面116与遮光层180之间。
[0082]当图7至图9有关通孔115、绝缘层170a、重布线层204、防焊层206与导电结构208的设计应用于图6时，与图7至图9的差异在于绝缘层190a覆盖遮光层180与第二表面 116。
[0083]图10绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。半导体结构的制造方法包含下列步骤。首先在步骤S1中，形成遮光层于晶片的第一表面上，其中晶片具有在第一表面上的影像感测器。接着在步骤S2中，形成间隔元件于透光板上或晶片的第一表面上。最后在步骤S3中，接合透光板于晶片的第一表面上，使得遮光层位于间隔元件与影像感测器之间的第一表面上。上述步骤的顺序并不用以限制本发明。通过上述步骤，可得到图1的半导体结构100。
[0084]此外，半导体结构的制造方法还可包含形成遮光层于间隔元件与晶片的第一表面之间，以得到图2的半导体结构100a。
[0085]晶片可具有焊垫、裸露焊垫的通孔与相对第一表面的第二表面。在一实施方式中，半导体结构的制造方法还可包含形成绝缘层于通孔的壁面与第二表面上、形成重布线层于焊垫与绝缘层上、形成防焊层于重布线层与绝缘层上及形成导电结构于在第二表面的重布线层上的步骤，使图1与图2的半导体结构均可具有如图7至图9有关通孔、绝缘层、重布线层、防焊层与导电结构的设计。
[0086]图11绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。半导体结构的制造方法包含下列步骤。首先在步骤S1中，形成间隔元件于透光板上或晶片的第一表面上。接着在步骤S2中，接合透光板于晶片的第一表面上，使得间隔元件围绕晶片的影像感测器。最后在步骤S3中，形成反射层于晶片相对第一表面的第二表面上，使得影像感测器于第二表面的正投影与反射层重叠。上述步骤的顺序并不用以限制本发明。通过上述步骤，可得到图3的半导体结构100b。接着，若形成绝缘层覆盖反射层与第二表面，则可得到图4的半导体结构100c。
[0087]晶片可具有焊垫与裸露焊垫的通孔。在一实施方式中，半导体结构的制造方法还可包含形成绝缘层于通孔的壁面上且覆盖反射层与第二表面、形成重布线层于焊垫与绝缘层上、形成防焊层于重布线层与绝缘层上及形成导电结构于在该第二表面的该重布线层上的步骤，使图3与图4的半导体结构均可具有如图7至图9有关通孔、绝缘层、重布线层、防焊层与导电结构的设计。
[0088]图12绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。半导体结构的制造方法包含下列步骤。首先在步骤S1中，形成间隔元件于透光板上或晶片的第一表面上。接着在步骤S2中，接合透光板于晶片的第一表面上，使得间隔元件围绕晶片的影像感测器。最后在步骤S3中，形成遮光层于晶片相对第一表面的第二表面上，使得影像感测器于第二表面的正投影与遮光层重叠。上述步骤的顺序并不用以限制本发明。
[0089]此外，半导体结构的制造方法还可包含形成绝缘层于第二表面与遮光层之间或覆盖遮光层与第二表面。当形成绝缘层于第二表面与遮光层之间时，可得到图5的半导体结构100d。当形成绝缘层覆盖遮光层与第二表面时，可得到图6的半导体结构100e。
[0090]晶片可具有焊垫与裸露焊垫的通孔。在一实施方式中，半导体结构的制造方法包含形成绝缘层于通孔的壁面上及第二表面与遮光层之间、形成重布线层于焊垫与绝缘层上、形成防焊层于重布线层与绝缘层上及形成导电结构于在第二表面的重布线层上的步骤，使图5的半导体结构可具有如图7至图9有关通孔、绝缘层、重布线层、防焊层与导电结构的设计。
[0091]在一实施方式中，半导体结构的制造方法包含形成绝缘层于通孔的壁面上且覆盖遮光层与第二表面、形成重布线层于焊垫与绝缘层上、形成防焊层于重布线层与绝缘层上及形成导电结构于在第二表面的重布线层上的步骤，使图6的半导体结构可具有如图7至图9有关通孔、绝缘层、重布线层、防焊层与导电结构的设计。
[0092]以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含: 一晶片，具有一影像感测器与一第一表面，该影像感测器位于该第一表面上； 一透光板，设置于该第一表面上，且该透光板覆盖该影像感测器； 一间隔元件，位于该透光板与该第一表面之间，且该间隔元件围绕该影像感测器；以及 一遮光层，位于该间隔元件与该影像感测器之间的